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Optoelectrónica -Optoacopladores A criterio de
la
Electrónica - Rectificación, Especialidad
Analógica I Circuitos con de
diodos y circuitos cada
de polarización de Tecnológico
Circuitos Eléctricos Transistores
II
- Circuitos delta y
Microprocesadores estrella
y
microcontroladores -
microcontroladores
5.- TEMARIO
Unidad Temas Subtemas
1 Introducción a la 1.1 Antecedentes Históricos
Electrónica de Potencia y 1.2 Terminología
dispositivos de disparo 1.3 UJT, PUT, DIAC, SCR, TRIAC, SUS,
SBS, LASCR, GTO, SCS, IGBT,
Mosfet de potencia.
2 Circuitos de disparo 2.1 Circuitos de disparo sin aislamiento:
Redes pasivas, RC
2.2 Circuitos de disparo con aislamiento
2.2.1 Acoplados Óptimamente
2.2.2 Acoplados magnéticamente
2.3 Circuitos de disparo con dispositivos
digitales
2.3.1 Timer
2.3.2 Divisores de Frecuencia y
detectores de cruce por cero
(comparadores)
Microcontroladores
2.3.3 Modulador de Ancho de Pulso
(PWM)
Pero el inicio del desarrollo especifico de la electrónica aparece en 1883 cuando T. A. Edison descubre la
emisión termoiónica o efecto Edison. Sin embargo, la gestación de la misma se produce en 1904 cuando
Sir J. A. Fleming propone el diodo o válvula de Fleming. Finalmente, nace e inicia el recorrido de un
largo camino dos años más tarde, cuando en 1906 L. De Forest propone el triodo o Audion, como él lo
llamaba.
Diferentes son las “importantes” contribuciones que la electrónica termoiónica propuso en su desarrollo
en el transcurso de los años. Muchas de esas aplicaciones existen en el presente, con las obvias
actualizaciones tecnológicas, como por ejemplo: la telefonía inalámbrica, la radio, la televisión (1927),
etc. Quizás la contribución menos conocida por los jóvenes sea la computadora Mark 1, desarrollada en
1944 por la IBM y la Universidad de Harvard. Esta computadora fue reemplazada en 1947 por una
versión mejorada denominada ENIAC, desarrollada por la Universidad de Pennsylvania.
CONTRIBUCIÓN DE EDISON
Otros autores afirman que: el carbón que se desprendía del filamento se depositaba en la superficie
interna de la ampolla de vidrio de la lampara ennegreciéndola. Por tal razón, Edison decidió generar una
“absorción” de estas partículas mediante una “atracción electrostática” (polarización eléctrica),
observando que circulaba corriente en modo permanente. Delogneafirma que el descubrimiento fue
hecho sin la introducción de una tensión (batería) en el circuito (ver fig. 1). En la época de Edison,
loscircuitos eléctricos funcionaban con el positivo a tirrra (masa), por lo tanto es posible que su intensión
haya sido conectar el hilo metálico del soporte a masa.
De todo esto no se logra entender con precisión si Edison comprendió que se trataba de cargas eléctricas y
que estas eran negativas.
CONTRIBUCIÓN DE FLEMING
CONTRIBUCIÓN DE FOREST
En
El Audion de De Forest generó una serie de controversias con Fleming atribuyéndose ambos la propiedad
intelectual del desarrollo, dado que Fleming sostenía que el Audion era un diodo modificado. De un
rápido análisis surge inmediatamente la diferencia más evidente entre estos dispositivos ya que el triodo
(o Audion) posee un electrodo de control, el diodo no. En la figura 4, se muestra el circuito de
polarización del triodo y la característica de salida.
Cuando Edison descubre la emisión termoiónica, en 1883, seguramente no tenía la mínima noción de que
se trataba de electrones y tampoco que poseían masa (por lo menos con certeza científica). El nombre
electrón le fue dado por el físico ingles G. J. Stoney (1826-1911) en 1891 y fue descubierto en 1897 por
el físico ingles J. J. Thomson (1856-1940), en un experimento orientado a encontrar la relación e m del
mismo. Para este experimento, Thomson utilizó un tubo de rayos catódicos, que a su vez emplea la
emisión termoiónica para su funcionamiento.
La determinación directa del valor de la carga del electrón fue hecha por varios investigadores en
diferentes trabajos. Por ejemplo, la determinación de la carga elemental en forma directa fue hecha por
Townsend en 1897, por J. J. Thomson en 1898 y por H. A. Wilson en 1903. Algunos autores atribuyen la
medida de e a Ch. T. R. Wilson en 1913. En 1917, R. A. Millikan 2 (1868-1953) midió la constante e y el
valor obtenido fue 1.59x10-19 coulombs. La carga negativa del electrón fue demostrada por el físico
francés J. B. Perrin (1870-1942). El valor actual de la misma es -1.602x10 -19 coulombs y se debe a los
experimentos de Hopper y Laby en 1941. En 1901 aparece el primer trabajo que da una descripción
cuantitativa del fenómeno de emisión termoiónica y es debida al físico inglés O. W. Richardson (1879-
1959) quien establece una relación entre la cantidad de electrones emitidos y la temperatura:
Si los electrones están animados de una cierta energía cinética, producen una corriente eléctrica. La
expresión de Richardson que relaciona la corriente (de saturación) con la temperatura es:
con: carga del electrón; q valor de la superficie emisora (en las ecuaciones se mantiene la simbología
original de la referencia). Esta ley fue posteriormente mejorada por S. Dushman, como sigue:
con A1 y b0 , constantes. La representación gráfica de la expresión de Richardson 3, se muestra en la fig. 5.
El término hv0 recibe el nombre de función de trabajo de la superficie; físicamente equivale a la energía
que necesita el electrón para alcanzar la superficie metálica y escapar de ella. Esta teoría explica además
la emisión termoiónica, en la cual la energía de los electrones es obtenida por agitación térmica de las
partículas que conforman el metal, debido a su alta temperatura. Diferentes experimentos confirmaron
que la energía mínima necesaria para el “escape” coincidía con la función de trabajo fotoeléctrico, para
una misma superficie. Por lo tanto a esta altura de los acontecimientos ya se tenían los instrumentos para
la explicación física de la emisión termoiónica de electrones y además se conocían las características de
estos (1883-1905).
De todo lo anterior se deduce que para tener una comprensión “relativamente completa” del fenómeno de
emisión termoiónica, aplicado a las válvulas de vacío, debieron pasar 40 años (1883-1923) y además tal
aporte esdebido en buena parte a los estudiosos de la física. A decir verdad algunas cuestiones siguieron
siendo incógnitas hasta los años 30, prácticamente hasta el final de la vida de Edison.
DESARROLLOS IMPORTANTES
En la presente sección se realiza una breve reseña de algunos de los tipos de tubos termoionicos
desarrollados a partir del triodo. La misma está muy lejos de ser completa, pero pretende mencionar
aquellos dispositivos más significativos, según sus características aplicativas. En las figuras 7 y 8 se
muestran algunos tipos de tubos termoiónicos entre los tantos existentes.
Pentodo (1926) Para lograr un funcionamiento correcto del tetrodo es necesario polarizar la placa con
potenciales relativamente altos, debido al efecto de la emisión secundaria. La solución al problema que
presenta el tetrodo, se logró agregando una tercera grilla entre la placa y la grilla pantalla, llamada “grilla
supresora”. A este tubo de vacío se lo llamó “pentodo”. Dicho dispositivo fue inventado y patentado en
1926 por el ingeniero holandés B. D. H. Tellegen (1900-1990) de la empresa Philips [21], autor del
conocido teorema de redes. La grilla supresora se polariza generalmente al mismo potencial del cátodo,
por lo tanto es muy negativa respecto a la placa. Con esto se logra que cualquier electrón en la zona entre
grilla supresora y placa sea repelido nuevamente hacia la placa, eliminando el efecto de la emisión
secundaria presente en el tetrodo. La característica de salida del pentodo es como la mostrada en la figura
10. Además resulta un dispositivo con ganancia muy superior a la de un triodo. Con la aparición del
pentodo, el tetrodo prácticamente cae en desuso, surgiendo una amplia gama de pentodos para las más
variadas aplicaciones ya sea en tensiones, corrientes, frecuencias y potencias. El pentodo es el dispositivo
que le permitió a la electrónica termoiónica llegar a su plena madurez, ya que conjuntamente al triodo
cubrieron la casi totalidad de las aplicaciones clásicas.
Válvulas gaseosa (1920). Los dispositivos considerados hasta el momento son todos “tubos de
vacío”, pero no son los únicos; se crearon además los tubos gaseosos de cátodo caliente, los cuales
contenían un gas como por ejemplo vapor de mercurio en equilibrio o argón. A esta clase pertenecen los
diodos gaseosos que poseen una característica de salida de “conducción abrupta”, es decir a partir de una
cierta tensión de placa, la corriente crece abruptamente. Por debajo de esta tensión, la corriente es de
valor muy bajo o nulo. Entre los distintos modelos de tubos gaseosos existen aquellos con grilla de
control, llamados thyratrones. En estos, la grilla controla el instante de la entrada en conducción del
dispositivo, aplicando a la misma
una tensión de polarización
oportuna. Una vez que la válvula
entra en conducción, la tensión de
grilla no tiene efecto sobre la
corriente de placa. Estas válvulas se
usaban principalmente en
aplicaciones industriales, donde se
requería realizar una rectificación
controlada, etc. Los símbolos de
estos tubos son iguales a los
símbolos del diodo y triodo, con el
agregado de un punto en su interior.
Los estudios sobre el thyratron
fueron comenzados en 1914 por los
americanos I. Langmuir (1881-
1957) y S. Meikle, ambos
pertenecientes a la empresa GE. La
fecha de invención del mismo es
atribuida al año 1920. El primer
dispositivo comercial aparece en
1928.
Magnetrón (1920). El
magnetrón es una válvula de vacío
en la cual el flujo electrónico del
cátodo está afectado por un campo
magnético. El magnetrón de ánodo
dividido, está compuesto por un
cátodo o filamento, dos placas
semicilíndricas y uncampo magnético transversal al plano de la trayectoria de los electrones [14]. Dicho
campo magnético es generado por un imán permanente. Cuando las placas son positivas, los electrones
atraídos por estas siguen trayectorias curvas. Si las placas son muy positivas la curvatura de estas
trayectorias es pequeña, pero a tensiones más bajas aumenta hasta que alcanzado un potencial crítico, con
el cual los electrones siguen una trayectoria curva cerrada (cardioide) retornando al cátodo. Tal efecto se
muestra en la figura 11. El magnetrón de ánodo dividido dejó de usarse debido a su relativamente baja
potencia. En 1940, J. Randall y H. Boot de la Universidad de Birmingham, desarrollaron el magnetrón de
cavidad, el cual genera potencias mayores y tiene especial aplicación en radar. Tal magnetrón posee un
cierto número de cavidades semicirculares en lugar del ánodo dividido, las cuales se comportan como
resonadores de cavidad generando impulsos de radiofrecuencia de gran energía. La precisión en
frecuencia de esta válvula es baja.
En la actualidad las válvulas termoiónicas quedaron relegadas a aplicaciones muy específicas, donde los
semiconductores no satisfacen las expectativas de los expertos, como por ejemplo en equipos de audio de
altísima calidad y derivados. Otra aplicación en la cual se utilizan actualmente dichos dispositivos, es en
estaciones transmisoras de grandes potencias como por ejemplo radio, televisión, etc. Las válvulas
utilizadas en tales aplicaciones pueden desarrollar potencias del orden de las centenas de kilowats. Quizás
la aplicación actual más conocida de las válvulas sea en los modernos hornos a microondas en los cuales
se utiliza el magnetrón, como oscilador de potencia. Contrariamente a cuanto se pudiera pensar,
actualmente la electrónica termoiónica sigue teniendo un espacio en el campo de la investigación.
CONCLUSIONES
De hecho es posible afirmar que si bien el nacimiento de la electrónica se debe fundamentalmente a las
contribuciones de Edison, Fleming y De Forest, es este último el verdadero inventor de la misma, dado
que su Audion fue el primer dispositivo que logró controlar corriente y amplificar, principios básicos y
esenciales de la electrónica. El diodo de Fleming es considerado el primer tubo de vacío. Del TRC de
Braun se puede decir que en el pasado le permitió a Thomson la realización de los trabajos sobre el
electrón y en el presente forma parte de la base tecnológica de la televisión y la computación, entre otras
aplicaciones. Cumpliéndose este año el primer centenario de la invención de la electrónica, poco queda
para agregar respecto a su importancia en el desarrollo de la vida moderna. Más bien surgen preguntas,
como por ejemplo: cómo sería la vida actual sin la electrónica? Después de la pregunta precedente surge
la siguiente: cuál fue el invento más importante del siglo XX? y si la duda continúa, surge una nueva
pregunta: el hombre moderno habría logrado el actual desarrollo científico y tecnológico sin la “ayuda”
de la electrónica? El autor desea expresar que según su criterio, el invento ha considerar es la electrónica
en su conjunto, y no el triodo (o algún otro dispositivo) en forma individual.
Unidad 1
Introducción a la Electrónica de Potencia y dispositivos de disparo
1.2 Terminología
Juntura = Unión
1.3 UJT, PUT, DIAC, SCR, TRIAC, SUS, SBS, LASCR, GTO, SCS, IGBT,
Mosfet de potencia.
Introducción:
El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro
de baja impedancia (conducción).
Industria:
o Inversores.
o Caldeo inductivo.
o Rectificadores.
o Etc.
Tiristores
Además de los dispositivos semiconductores de una sola juntura(1 capa N unida con
otra P), tales como los diodos rectificadores y los transistores UJT, existen los de dos
junturas (transistores bipolares hechos con dos capas N cubriendo una capa P, o a la
inversa) y los de tres o más junturas (un mínimo de cuatro capas alternadas P-N-P-N de
material semiconductor), los cuales se conocen con el nombre de "TIRISTORES" y se
desarrollaron inicialmente por los Ingenieros de la General Electric en USA en la
década de los 60.Un tiristor es un dispositivo conmutador biestable que tiene la
propiedad de pasar rápidamente al esta "ON"(encendido) para una plena corriente de
trabajo cuando recibe un pulso momentáneo de corriente en su terminal de control, y
sólo puede ser puesto en "OFF"(apagado) con la interrupción de la corriente principal
de trabajo, interrumpiendo el circuito o haciendo circular una corriente de sentido
contrario. Los tiristores son usualmente dispositivos de mediana y de alta potencia. Son
el equivalente sólido de los interruptores mecánicos, por lo cual dejan pasar plenamente
o bloquear por completo en paso de la corriente de trabajo, sin niveles intermedios; o
todo, o nada.Al grupo de los tiristores pertenecen dispositivos tales como el DIAC,
equivalente a dos diodos zener puestos en serie pero en sentidos inversos, o sea que sólo
conduce corrientes cuando éstas alcanzan cierto voltaje, así sean alternas; el SCR, un
rectificador de conducción controlada; el TRIAC, equivalente a dos SCR en
contraparalelo; el QUADRAC, o sea un TRIAC con un DIAC incluido en serie con el
terminal gate; el PUT y el FOTOTIRISTOR.
La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y será pequeña, por
lo común 1V. En el estado activo, la corriente del ánodo está limitada por una
impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de
la unión; de lo contrario, al reducirse el voltaje del ánodo al cátodo, el dispositivo
regresará a la condición de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del
ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en estado de conducción
inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de la
compuerta. En la fig. 2b aparece una gráfica característica v-i común de un tiristor.
Fig.2 Circuito Tiristor y característica v-i
Ic = IE + ICBO (1)
La ganancia de corriente de base común se define como =IC/IE. Para el transistor Q1
la corriente del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se
puede determinar a partir de la ecuación (1):
a)
Estructura básica b) Circuito equivalente
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación
anterior en función de IA obtenemos:
Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto
cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor.
Para controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los
fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construcción
física y del comportamiento de activación y desactivación, en general los tiristores
pueden clasificarse en nueve categorías:
Diac * Diac
Tiristor Schottky
Triac PNPN de 4 capas
*
Tiristor
Schottky Tiristor Schottky
PNPN de 4 PNPN de 4 capas
capas
Tiristor de
Tiristor de
conducción
conducción
inversa, puerta canal
inversa, puerta canal
P
N controlado por
controlado por
ánodo
cátodo
Tiristor de Tiristor de
desconexión desconexión
puerta canal N puerta control P
controlado por controlado por
ánodo cátodo
SBS SUS
Silicon bilateral Silicon unilateral
switch switch
Transistor uniunión
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está
formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se
difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias
o factor intrinseco.
Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas
a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio
(E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una
unión PN. Ver el siguiente gráfico
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor
y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de
disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Dos ejemplos sencillos
Nota:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber
entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es de
material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este
se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al
revés
Aplicaciones:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
Fig.5 Circuito básico de disparo de un UJT
PUT
PUT Transistor Uniunión Programable
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: cátodo K,
ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB
y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son controlados
por la terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la
caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy
pequeña.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión
mínima de funcionamiento es menor en el PUT.
Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es
muy pequeña) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del
valor del voltaje en la compuerta G
Sólo hasta que la tensión en A alcance el valor Vp, el PUT entrará en conducción
(encendido) y se mantendrá en este estado hasta que IA (corriente que atraviesa el
PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o
reduciendo el voltaje entre G y K
El voltaje en VG cae casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitiéndose otra vez
el proceso. Ver a continuación las formas de onda de las tensiones en C, K y G
La frecuencia de oscilación es: f = 1 / 1.2 x RC
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra
clase de tiristor.
DIODO SHOCKLEY
• Diodo de cuatro capas o diodo tiristor: dispositivo bipolar PNPN comparable a un tiristor sin el
terminal de puerta (Fig. 9).
El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: ánodo y cátodo. Está constituido por cuatro capas
semiconductoras que forman una estructura pnpn. Actúa como un interruptor: está abierto hasta que la
tensión directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conducción. La
conducción continúa hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor específico (IH).
Figura 1: Construcción básica y símbolo del diodo Shockley
CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, sólo habrá una corriente muy pequeña
hasta que se alcance la tensión de ruptura (VRB).
En polarización positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensión VB0.
Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conducción, su tensión disminuye hasta menos de un
voltio y la corriente que pasa es limitada, en la práctica, por los componentes externos. La conducción
continuará hasta que de algún modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento
IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarización directa tiene un límite impuesto por el
propio componente (IMAX), que si se supera llevará a la destrucción del mismo. Por esta razón, será
necesario diseñar el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor
de corriente. Otro parámetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que
provocaría un fenómeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen en
sentidos opuestos.
La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que
funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que
hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes
izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no tienen por qué
ser simétricas.
CARACTERÍSTICAS
CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.
QUADRACS
• Dispositivo formado por un diac que dispara a un triac. Posee tres terminales, dos de potencia del triac
y un extremo del diac como puerta del Quadracs (Fig. 10).
El SCR (Silicon
( Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es
un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición
pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo,
Ánodo Cátodo y Puerta.
Puerta La
conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido
( de la corriente es único),, conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez.
ESTRUCTURA.
Vamos a suponer que un viento fuerte la golpea por uno de sus lados, tratando de
abrirla, Bastará con que alguien la abra o accione el picaporte, para que el viento se
encargue de abrirla y mantenerta así, sin importar el estado del picaporte.
El viento, es equivalente al voltaje de los electrones presentes en el terminal de control.
CARACTERÍSTICAS GENERALES.
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores
máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades:
- Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensión directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensión directa ............................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................:: ITAV
- Corriente directa eficaz ...............................................................:
..............................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ...........................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ..........................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento .......................................................: IH
Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
- Temperatura de la unión ................................................................: Tj
- Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
- Resistencia térmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
- Resistencia térmica unión-contenedor ............................................: Rj-c
- Resistencia térmica unión-ambiente................................................: Rj-a
- Impedancia térmica unión-contenedor.............................................: Zj-c
CARACTERÍSTICAS DE CONTROL.
En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por
las curvas:
• Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la
corriente positiva de puerta, para una corriente nula de ánodo.
• Curva C: tensión directa de pico admisible VGF.
• Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar.
TEORIA Y OPERACIÓN DE LOS SCR
Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un
dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes mas bien altas para una
carga. El símbolo esquemático del SCR se presenta en la figura 1.
Un SCR actúa a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una
trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces
como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de
corriente del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto. Dado que es
un dispositivo de estado só1ido, la acción de conmutación de un SCR es muy rápida.
El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR
en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La alimentaci6n de
voltaje es comúnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos
especiales.
Si la alimentación de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del ciclo
de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente de 60-Hz
de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se dividen entre el
tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de tiempo que esta en
cada estado es controlado por el disparador.
Si una porción pequeña del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa
a la carga es pequeña. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a través del
SCR, y a la carga, só1o por una porción relativamente pequeña del tiempo. Si la señal
de la compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON por un periodo mas
largo del tiempo, entonces la corriente de carga promedio será mayor. Esto es porque la
corriente ahora puede fluir de la fuente, a través del SCR, y a la carga, por un tiempo
relativamente mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando
la porci6n del tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo
durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo
en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR de la
figura 2 no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del
ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR
tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
En la figura 3 se muestran las formas de onda de un circuito de control con SCR para un
ángulo de retardo de disparo. Al momento que el ciclo de ca inicia su parte positiva, el
SCR esta apagado. Por tanto tiene un voltaje instantáneo a través de sus terminales de
ánodo y cátodo igual al voltaje de la fuente. Esto es exactamente lo que se vería si se
colocara un interruptor abierto en un circuito en lugar del SCR. Dado que el SCR
interrumpe en su totalidad el suministro de voltaje, el voltaje a través de la carga (VLD)
es cero durante este lapso. La extrema derecha de las ondas ilustran estos hechos. Mas a
la derecha en los ejes horizontales, se muestra el voltaje de ánodo a cátodo (VAK)
cayendo a cero después de aproximadamente un tercio del semiciclo positivo. Esto es el
punto de 60°. Cuando VAK cae a cero, el SCR se ha "disparado", o encendido. Por tanto,
el ángulo de retardo de disparo es de 60°. Durante los siguientes 120° el SCR se
comporta como un interruptor cerrado sin voltaje aplicado a sus terminales. El ángulo
de conducci6n es de 120°. El ángulo de retardo de disparo y el ángulo de conducci6n
siempre suman 180°.
Figura3. Formas de ondas ideales del voltaje de la terminal principal (VAK) y el voltaje de carga de un
SCR. Para un ángulo de retardo de disparo de unos 60o, un ángulo de conducción de 120o.
En la figura 3, la forma de onda del voltaje de carga muestra que, al dispararse el SCR,
el voltaje de la fuente es aplicado a la carga. El voltaje de carga entonces sigue al voltaje
de la fuente por el resto del semiciclo positivo, hasta que el SCR nuevamente se apaga.
El estado OFF ocurre cuando el voltaje de la fuente pasa por cero.
En general, estas formas de onda muestran que antes de que el SCR se dispare, el
voltaje es retirado de entre las terminales del SCR, y la carga ve un voltaje cero.
Después de haberse disparado el SCR, la totalidad del suministro de voltaje es retirado a
través de la carga, y el SCR presenta voltaje cero. El SCR se comporta como un
interruptor de acción rápida.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente
de compuerta. Mientras la corriente continué fluyendo a través de las terminales
principales, de ánodo a cátodo, el SCR perrnanecerá en ON. Cuando la corriente de
ánodo a cátodo (IAK) caiga por debajo de un valor mínimo, llamado corriente de
retención, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la
fuente de voltaje de ca pasa por cero a su región negativa. Para la mayoría de los SCR
de tamaño mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.
PRACTICA: “CIRCUITO BASICO DE DISPARO PARA UN SCR”
MATERIAL:
1 SCR C-106B
1 Resistencia Variable
INSTRUMENTOS:
Osciloscopio
Voltímetro
DESARROLLO:
Estas características se presentan en el anexo de esta practica junto con las características físicas.
Datos
R1 = 3.3 K
IGT = 200f
VMax = IGTRab
Despejando Rab
Rab = R1 + R2,
Despejamos R2
3. - Con el osciloscopio determinar el ángulo máximo y mínimo de retardo en el disparo para el SCR.
4. - Graficar las formas de onda en el tiristor y en la carga para cada uno de los ángulos de retardo en el disparo.
Otros dispositivos encapsulados
CONJUNTO DIODO MÁS TIRISTOR
• Dispositivo formado por un diodo y un tiristor en la misma cápsula o integrados en la misma pastilla.
(Fig. 11).
PUENTES MIXTOS
• Conjunto de dos diodos y dos tiristores en la misma cápsula (Fig. 12).
TRIAC
INTRODUCCION
TRIAC
El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y
conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su
estructura básica y símbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simétrico en cuanto
a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la característica en el cuadrante I de la
curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una
caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de
que entre en conducción, si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace
inmune a destrucción por sobretensión.
Modo I + :
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con
la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unión P2N2 y en
parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2
que es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en
P2 la circulación lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados
alcanzan por difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados
por ella iniciándose la conducción.
Modo I - :
Modo III + :
Modo III - :
Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I
+ y III - los más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo más
difícil y debe evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo, conducción y de
dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una Terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente
fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se
comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir
corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo
aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac
(dv/dt) aún sin conducción previa, el triac puede entrar en conducción directa.
La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. 1, aun que funciona
siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a través de
P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. La capa N3facilita el
disparo con intensidad de puerta negativa. La complicación de su estructura lo hace mas
delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre
intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A
eficaces y desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los triac son fabricados
para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el símbolo esquemático e
identificación de las terminales de un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1
(A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1
(MT1) respectivamente.
El Triac actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 3 ,
este dispositivo es equivalente a dos latchs
FIG. 3
FIG. 4
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo
MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Por
esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere,
pues la característica en el cuadrante I de la curva es igual
a la del III
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos ánodos denominados ( MT1 y MT2) y una
compuerta G.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de
disparo. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro
modos posibles de disparo.
1 – El primer modo del primer cuadrante designado por I (+),es aquel en que la tensión
del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y
este es el modo mas común (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unión P2N2
y en parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a
P2, que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que
produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. Esta caída de tensión se
simboliza en la figura por signos + y -.
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el
potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción.
2 – El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-)es aquel en que la
tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto al
ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
3 – El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensión
del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la
compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta saliente).
4 – El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la
tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de disparo de
la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El estado I (+), seguido de III (-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria
para el disparo es mínima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de
disparo mayor. El modo III (+) es el de disparo más difícil y debe evitarse su empleo en
lo posible.
Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arregloadecuado del
disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo.Por tanto proporciona
control de corriente de onda completa, en lugar delcontrol de media onda que se logra
con un SCR.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de ondade los SCR, a
excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo.En la FIG.8 se
muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga comopara el voltaje del triac (
a través de los terminales principales) para doscondiciones diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante losprimeros 30 de
cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como uninterruptor abierto,
durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae através de las terminales
principales del triac, sin aplicar ningún voltaje ala carga. Por tanto no hay flujo de
corriente a través del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulode retardo de
disparo.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardode
disparo mayor.
FIG.8
FIG.5
FIG.6
El capacitor debe cargarse hasta el Vp del UJT, que esta dado por,
Dado que
, luego
obtiene
proporcionalmente
Debemos recordar que el triac se desactiva automáticamente cada vez que lacorriente
pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesarioredisparar el triac en
cada semionda o bien mantenerlo con la señal de controlactivada durante el tiempo que
consideremos oportuno. Como podemos apreciar,entre los terminales de salida del triac
se sitúa una red RC cuya misión esproteger al semiconductor de potencia, de las
posibles sobrecargas que se puedanproducir por las corrientes inductivas de la carga,
evitando además cebados nodeseados.
Es importante tener en cuenta que el triac debe ir montado sobre un disipadorde calor
constituido a base de aletas de aluminio de forma que el semiconductorse refrigere
adecuadamente.
FIG.9
OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA
Circuito de aplicación:
En caso de que este método no funcione, apagar la fuente VDD y prenderla nuevamente
Repetir las mediciones varias veces. Es necesario anotar el resultado de las mediciones
en el momento del encendido.
6. Calentar el Triac acercando el extremo del soldador durante uno a dos minutos (no hay
que hacer contacto entre el soldador y el cuerpo del Triac. El calentamiento se producirá
por la conducción del calor en el aire).
7. Cambiar la polaridad de VGG y VDD de acuerdo con la tabla 1 y repetir los ejercicios 1.4
a 1.6, anotar los resultados en la tabla.
VDD [V] VGG [V] VG [V] IG [mA] VG [V] Temp IG [mA] Temp
Circuito de aplicación:
Circuito de medición:
NOTA: los gráficos están dibujados en su forma normal y no en forma inversa como
son obtenidos en la pantalla del osciloscopio.
Observaciones y conclusiones
SBS
CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)
• SBS (Silicon Bilateral Switch): de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos
SUS
conectados en antiparalelo.
• En la figura 3 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica.
• Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parámetro es VS (entre 6 y
10 V) en
ambos sentidos.
• Especificaciones idénticas a las del SUS a excepción de VR que pierde todo
significado.
LASCR
FOTOTIRISTORES:
Hemos aprendido que la luz es una forma de energía electromagnética de alta frecuencia, y que como tal,
está en capacidad de efectuar trabajo, ya sea calentando objetos que la absorben, motivando la generación
de corriente eléctrica, o simplemente disparando la conducción en dispositivos semiconductores
diseñados para el efecto. Este es el caso de los fototiristores, en los cuales el gatillado se efectúa cada vez
que recibe un haz de luz en la juntura de control.
Su nombre técnico LASCR, lo que significa "SCR Activado por Luz". El terminal gate se deja
simplemente como electrodo para control de sensibilidad.
GTO
(Gate Turn-off Thyristor)
Un tiristor GTO puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la
terminal “gate” (como en el tiristor), pero en cambio puede ser apagado por un pulso de
corriente negativa en la terminal “gate”. Ambos estados, tanto el estado de encendido
como el estado de apagado del dispositivo son controlados por la corriente en la
terminal “gate”.
El símbolo para el tiristor GTO usado más frecuente, así como sus características de
conmutación se muestran en la figura.
Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en
cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y
circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los
MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los
semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la conversión de AC - DC,
los GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser
usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
SCS
SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)
El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este último tiene la ventaja de
poder abrirse más rápido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el
inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra más limitado en cuanto
a valores de tensión y corriente. También se utiliza en aplicaciones digitales como
contadores y circuitos temporizadores.
Cuando el interruptor de botón de "ON" se actúa, hay un voltaje aplicado entre la puerta
de cátodo y el cátodo, polarizando la ensambladura del emisor de base hacia adelante
del transistor más bajo, y girándola. El transistor superior del SCS es listo conducir,
siendo proveído de una trayectoria actual de su terminal del emisor (el terminal del
ánodo del SCS) a través del resistor R2 al lado positivo de la fuente de alimentación.
Como en el caso del SCR, ambos transistores giran y se mantienen en el modo de "ON".
Cuando el transistor más bajo se gira, conduce la corriente de la carga del motor, y el
comienzo del motor y funciona.
El motor puede ser parado interrumpiendo la fuente de alimentación, como con un SCR,
y esto se llama conmutación natural. Sin embargo, el SCS provee de nosotros otros
medios de dar vuelta apagado: conmutación forzada poniendo en cortocircuito el
terminal del ánodo al cátodo. Si se hace esto (actuando el interruptor de botón de
"OFF"), el transistor superior dentro del SCS perderá su corriente del emisor, así
parando la corriente a través de la base del transistor más bajo. Cuando el transistor más
bajo da vuelta apagado, rompe el circuito para la corriente baja a través del transistor
superior (que asegura su estado de "OFF"), y el motor (que te hace la parada). El SCS
seguirá siendo en apagado la condición hasta tal hora que el interruptor de botón de
"ON" re-está actuado.
REVISIÓN:
Un interruptor silicon-controlled, o SCS, es esencialmente un SCR con un
terminal adicional de la puerta.
Típicamente, la corriente de la carga con un SCS es llevada por los terminales
de la puerta y de cátodo del ánodo, con los terminales de la puerta y del ánodo
de cátodo siendo suficientes mientras que el control conduce.
Un SCS es girado aplicando un voltaje positivo entre la puerta de cátodo y los
terminales de cátodo. Puede ser dado vuelta apagado (conmutación forzada)
aplicando un voltaje negativo entre el ánodo y los terminales de cátodo, o
simplemente poniendo en cortocircuito esos dos terminales juntos. El terminal del
ánodo se debe mantener positivo con respecto al cátodo para que el SCS al cierre.
IGBT
El transistor bipolar aislado de la puerta (IGBT)
Fig.1 demuestra la estructura de un n-canal típico IGBT. Toda la discusión aquí será
referida al tipo del n-canal pero el p-canal IGBT se puede considerar apenas de la
misma manera.
La estructura es muy similar a la de un MOSFET verticalmente difundido que ofrece
una difusión doble de un p-tipo región y de un n-tipo región. Una capa de inversión se
puede formar bajo puerta aplicando el voltaje correcto al contacto de la puerta como con
un MOSFET. La diferencia principal es el uso de una capa del substrato de p+ para el
dren. El efecto es cambiar esto en un elemento bipolar pues este p-tipo región inyecta
los agujeros en el n-tipo región de la deriva.
Operación
Bloqueo de la operación
Fig.3 (b) demuestra a circuito equivalente más completo cuál incluye el transistor
parásito del npn formado por la fuente del MOSFET de n+-type, el p-tipo región del
cuerpo y la n--mecanografiar la región de la deriva. También se demuestra la resistencia
lateral del p-tipo región. Si es la corriente que atraviesa esta resistencia arriba bastante
producirá una caída de voltaje que polarice la ensambladura hacia adelante con la región
de n+ que da vuelta en el transistor parásito que las formas pieza de un tiristor parásito.
Una vez que suceda esto hay una alta inyección de electrones de la región de n+ en la
región de p y se pierde todo el control de la puerta. Se sabe esto como cierre conduce
para arriba y generalmente a la destrucción del dispositivo.
Para ampliar
Transistor IGBT
Sección de un IGBT
Anexos IGBT
MOSFET DE POTENCIA
Un MOSFET de potencia es un tipo específico del transistor del efecto de campo del
semiconductor del óxido de metal (MOSFET) diseñado para manejar energías grandes.
Comparado a los otros dispositivos de semiconductor de la energía (IGBT, tiristor…),
sus ventajas principales son alta velocidad de la conmutación y buena eficacia en las
bajas tensiones. Comparte con el IGBT una puerta aislada que las marcas él fácil
conducir.
Fue hecho posible por la evolución de la tecnología del Cmos, desarrollada para los
circuitos integrados de la fabricación en los últimos años 70. La parte del MOSFET de
la energía su principio de funcionamiento con sus contrapartes de baja potencia, el
MOSFET lateral.
El MOSFET de potencia es (es decir menos de) el interruptor de baja tensión más
ampliamente utilizado 200 V. Puede ser encontrado en la mayoría de las fuentes de
alimentación, C.C. a los convertidores de la C.C., reguladores del motor de la baja
tensión.
Estructura básica
Varias estructuras se han explorado al principio de los años 80, cuando el primer
MOSFET de potencia fue introducido. Sin embargo, la mayor parte de se han
abandonado (por lo menos hasta hace poco tiempo) a favor de la estructura difundida
vertical del MOS (VDMOS) (también llamada MOS Doble-Difundido o simplemente
DMOS).
La sección representativa de un VDMOS (véase el cuadro 1) demuestra la verticalidad
del dispositivo: Puede ser visto que el electrodo de la fuente está colocado sobre el
drenaje, dando por resultado una vertical actual del flujo principalmente cuando el
transistor está en el en-estado. La “difusión” en VDMOS refiere al proceso de
fabricación: los pozos de P (véase el cuadro 1) son obtenidos por un proceso de la
difusión (realmente un proceso doble de la difusión para conseguir las regiones de P y
de P+, por lo tanto el doble conocido difundido).
Los MOSFETs de potencia tienen una diversa estructura que el MOSFET lateral: como
con todos los dispositivos de energía, su estructura es vertical y no planar. En una
estructura planar, los grados del voltaje de la corriente y de interrupción son ambos
función de las dimensiones del canal (respectivamente anchura y longitud del canal),
dando por resultado el uso ineficaz del “estado del silicio”. Con una estructura vertical,
el grado del voltaje del transistor es una función del doping y del grueso de la capa
epitaxial de N (véase la sección representativa), mientras que el grado actual es una
función de la anchura del canal. Esto hace posible para que el transistor sostenga voltaje
de bloqueo del colmo y de gran intensidad dentro de un pedazo compacto de silicio.
Vale el observar de que existen los MOSFETs de potencia con la estructura lateral. Se
utilizan principalmente en amplificadores audio high-end. Su ventaja es un
comportamiento mejor en la región saturada (que corresponde a la región linear de un
transistor bipolar) que los MOSFETs verticales. Los MOSFETs verticales se diseñan
para los usos de la conmutación, así que se utilizan solamente adentro en o de estados.
voltaje de bloqueo
Fig.2: Contribución de las diversas piezas del MOSFET a la resistencia del en-estado.
fig 3: El RDSon del aumento de los MOSFETs con su grado del voltaje.
Sin embargo, cuando el MOSFET está en el En-estado, esta capa n no tiene ninguna
función. Además, como es una región ligero-dopada, su resistencia intrínseca es no-
insignificante y agrega a la resistencia de Drenaje-a-Fuente del En-estado del MOSFET
(RDSon) (ésta es la resistencia del Rn en la fig 2).
Dos parámetros principales gobiernan el voltaje de interrupción y el RDSon del
transistor: el nivel de doping y el grueso de la capa epitaxial de la n. Cuanto más gruesa
es la capa y el más bajo su nivel de dopado, más alto es el voltaje de interrupción. En el
contrario, el diluente de la capa y cuanto más alto es el nivel de dopado, más bajo es el
RDSon (y por lo tanto más bajo son las pérdidas de la conducción del MOSFET). Por lo
tanto, puede ser visto que hay una compensación en el diseño de un MOSFET, entre su
grado del voltaje y su resistencia del En-estado. Esto es demostrado por el diagrama en
ela fig 3.
Puede ser visto en la fig 1 que la metalización de la fuente conecta las implantaciones de
N+ y de P, aunque el principio de funcionamiento del MOSFET requiere solamente la
fuente ser conectado con la zona de N+. Sin embargo, si fuera, esto daría lugar a una
zona flotante de P entre la fuente y el drenaje N-dopados, que es equivalente a un
transistor de NPN con una base no-conectada. Bajo ciertas condiciones (bajo alta
corriente del drenaje, cuando el drenaje del en-estado al voltaje de la fuente está en la
orden de algunos voltios), este transistor parásito de NPN sería accionado, haciendo el
MOSFET incontrolable. La conexión de la implantación de P a la metalización de la
fuente pone en cortocircuito la base del transistor parásito a su emisor (la fuente del
MOSFET).
Esta solución, sin embargo, crea un diodo entre el drenaje (cátodo) y la fuente (ánodo)
del MOSFET, haciéndola solamente capaz de bloquear la corriente en una dirección.
Operación de la conmutación
Las capacitancias
Donde está el área AGD superficial del puerta-drenar el traslapo. Por lo tanto, viene:
Puede ser visto que CGDj (y así CGD) es una capacitancia que el valor es dependiente
sobre la puerta drenar voltaje. Mientras que este voltaje aumenta, la capacitancia
disminuye. Cuando el MOSFET está en en-estado, CGDj se desvía, así que la puerta
para drenar el restos de la capacitancia igual a CoxD, un valor constante.
Mientras que la metalización de la fuente traslapa los P-huecos (véase el cuadro 1), el
drenaje y los terminales de origen son separados por una ensambladura del P-N. Por lo
tanto, los CDES es la capacitancia de la ensambladura. Esto es una capacitancia no
lineal, y su valor se puede calcular usando la misma ecuación que para CGDj.
Para funcionar, el MOSFET se debe conectar con el circuito externo, la mayor parte del
tiempo usando la vinculación del alambre (aunque se investigan las técnicas
alternativas). Este el objeto expuesto de la conexión una inductancia parásita, que es de
ninguna manera específico a la tecnología del MOSFET, pero tiene efectos importantes
debido a su alta velocidad de la conmutación. Las inductancias parásitas tienden para
mantener su constante actual y generar la sobretensión durante el transistor dar vuelta
apagado, dando por resultado pérdidas de aumento de la conmutación.
Una inductancia parásita se puede asociar a cada terminal del MOSFET. Tienen
diversos efectos:
la inductancia de la puerta hace que poco influencie (si se asume que lo es más
bajo que algunos centenares de nano henrios), porque los gradientes actuales en
la puerta son relativamente lentos. En algunos casos, sin embargo, la inductancia
de la puerta y la capacitancia de la entrada del transistor pueden constituir un
oscilador. Esto se debe evitar como él da lugar a pérdidas muy altas de la
conmutación (hasta la destrucción del dispositivo). En un diseño típico, las
inductancias parásitas se guardan bajo bastante para prevenir este fenómeno;
la inductancia del drenaje tiende a reducir el voltaje del drenaje cuando el
MOSFET se controla, así que reduce pérdidas. Sin embargo, como crea una
sobretensión durante el tiempo de apagado, aumenta las pérdidas de tiempo
apagado;
la inductancia parásita de la fuente tiene el mismo comportamiento que la
inductancia del drenaje, más un efecto de la regeneración que haga conmutación
más larga, incrementa las perdidas por conmutación.
o al principio de un excitamiento rápido, debido a la inductancia de la
fuente, el voltaje en la fuente (en el dado) podrá saltar encima del voltaje
de la puerta; el voltaje interno de VGS seguirá siendo bajo por un tiempo
más largo.
o al principio de un tiempo apagado rápido, fluye corriente con las
disminuciones de la inductancia de la fuente agudamente, el voltaje que
resulta a través de él es negativo (con respecto al plomo fuera del
paquete) que levanta el voltaje interno de VGS, guardando el MOSFET
encendido, y por lo tanto turn-off delaying.
El óxido de la puerta es muy fino (100 nanómetro o menos), así que puede sostener
solamente un voltaje limitado. En los datasheets, los fabricantes indican a menudo una
puerta máxima al voltaje de la fuente, a alrededor 20 V, y a exceder este límite puede
dar lugar a la destrucción del componente. Además, un alto voltaje de compuerta a
fuente reduce perceptiblemente el curso de la vida del MOSFET, con poco a ninguna
ventaja en la reducción de RDSon.
Temperatura máxima
Tecnología
Disposición
Estructura celular
Este MOSFET de potencia tiene una puerta endentada, con las células cuadradas
Las estructuras
VMOS
UMOS
El UMOS tiene una puerta del foso. Se piensa para aumentar la densidad del canal
haciendo la vertical del canal
CoolMOS
Especialmente para los voltajes más allá de 500V algunos fabricantes, lo más
notablemente posible tecnologías de Infineon, han comenzado a utilizar un principio de
la remuneración de la carga. Así la resistencia en la capa epitaxial como contribuidor
más grande en MOSFETs de alto voltaje se puede reducir por un factor >5.
Para complementar
Transistores de Efecto de Campo de unión Metal Oxido Semiconductor
(MOSFET's)
Los MOSFET pueden ser tanto de canal n como de canal p. El MOSFET canal n
consiste en un sustrato semiconductor tipo p levemente dopado, en la cuál dos secciones
tipo n+ altamente dopados difunden como se muestra en la figura.
Esas secciones tipo n+ que actúan como fuente (Source) y drenador (Drain) se
encuentran separadas cerca de 0.5 m m (0.5-6 m). Una delgada capa de aislante de
Dióxido de Silicio (SiO2) es colocada sobre la superficie de la estructura. El contacto
metálico en el aislante es llamado compuerta (Gate). El polisilicón altamente dopado o
una combinación de Siliciuro y polisilicón también pueden ser usados como el electrodo
de compuerta.
Hay cuatro modos básicos d operación para los MOSFET's de canal n y de canal p y son
los siguientes:
Modo de vaciamiento del canal p (Normalmente ON). Un voltaje positivo debe ser
aplicado a la compuerta para extraer los portadores del canal y aislarlo.
El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen
dos ventajas sobre los MESFET's y los JFET's y ellas son:
El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET's
de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de
vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg).
Capacitancia en el MOSFET
pequeña, pero en Cgd, cuando ðDG haya pasado a través de cero, es muy significativa.
Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es
requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación.
Encendido
En la mayoría de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rápido como
sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. Para lograrlo, el circuito
manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para
incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido.
Apagado
Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como
fue hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende
de los arreglos del circuito externo.
Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección
de un dispositivo de conmutación. La elección no es sencilla, pues no puede decirse que
el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de
corriente. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más
importante en la selección. La frecuencia de conmutación es también muy importante.
Este puente-H usa MOSFETs por una razón primordial - mejorar la eficiencia del
puente. Cuando se usaban transistores BJT(transistores convencionales), éstos
presentaban al activarse un voltaje de saturación de aproximadamente 1V entre Emisor-
Colector. La fuente de alimentación era de 10V y estaba consumiendo 2V a través de los
dos transistores necesarios para controlar la dirección del motor. Se probaron
darlingtons etc... nada funcionó. Los transistores se calentaban demasiado - y no había
sitio para ventilación.
Se escogieron los MOSFETs porque tienen un resistor llamado RDS(on) que actúa al
poner el transistor en funcionamiento. El RDS (on) es la resistencia entre Fuente y
Drenador que presenta el transistor al activarse. Es bastante fácil comprar MOSFETs
que tengan RDS(on) de valores my bajos de menos de 0.1 ohm. Esto significaría que
con 4 amps, el voltaje bajaría a 0.4V por MOSFET, una mejora sustancial. Los
MOSFETs que se seleccionó tenían RDS(on) de valores inferiores a 0.04 ohms, lo que
mejoró sustancialmente la eficiencia.
Los diodos D1, D2, D3, y D4 devuelven EMF desde el motor a la fuente de
alimentación. Algunos MOSFET (de hecho lamayoría) se fabrican con estos diodos ya
incorporados, con lo que puede ser que su instalación no sea necesaria.
Modo parado
Modo inverso
Modo Normal
Los motores provocan mucho ruido eléctrico a causa del movimiento de las astas
mientras está en marcha, y enormes deltas eléctricas al parar, ponerse en marcha, y
especialmente al cambiar de dirección. C1 y C2 intentan suprimir los deltas de ruido.
Las deltas negativas se neutralizan al conectar D1 y D4 a tierra y a la fuente de
alimentación, respectivamente. Z1 intenta cortar las deltas positivas.
ANEXOS
MCT (MOS- Controlled Thyristor)
El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los
atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente se puso en disponibilidad en el
mercado. El símbolo de éste dispositivo se muestra en la figura. Está integrado por 2
MOSFET's, uno de ellos enciende al tiristor y el otro lo apaga.
Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden existe un tiristor pnpn
que determina las propiedades de conducción (y de bloqueo). También, todos los MCT's
tienen integrados dos dispositivos MOS para controlar las propiedades de conmutación.
Entre el ánodo A y el cátodo K existe una estructura pnpn que como ya se mencionó
forma la estructura del tiristor del MCT. La región gate - ánodo está formada por más de
105 celdas. Este largo número de celdas provee superficies cortas de largas secciones
transversales para una rápida y uniforme conmutación de corriente. Dentro de la región
ánodo - gate existen dos MOSFET's. Uno de ellos es un canal p, tipo pnp que es usado
para el encendido y el otro es un canal n, de tipo npn que es usado para el apagado.
Existen otras regiones p-pn+ que producen el encendido y el apagado del MCT.
La estructura descrita aquí es muy general y no muestra que solo el 4 por ciento de las
celdas que posee el MOSFET sirven para el encendido.
Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 s) y que posee
un elevado di/dt (1000 A/s) y dv/dt ( 5000 V/s), éstas características superiores lo
convierten en un dispositivo de conmutación ideal y posee un tremendo potencial para
aplicaciones en motores de media y alta potencia, así como en distintas aplicaciones en
la electrónica de potencia.
Figura 2. Foto SEM de una gran area experimental de un dispositivo SIT fabricado en el
laboratorio.Los “dedos” de union son 1µm de ancho y 100 µm de largo.
Figura 3. Caracteristicas VI
medidas de un SIT
experimental.El voltaje de
compuerta cambia desde
cero(arriba de la curva) a 18 V (
debajo de la curva) en cambios
de 2V.La escaka Horizontal es
de 20 V / div. El maximo voltaje
de drenaje mostrado enla foto es
de 200 V .
Para alcanzar operación a altas frecuencias , es necesario escalar agresivamente la
escala de la unión anchar las zanjas, incrementar el dopado de la región del canal y
minimizar capacitancias parásitas. La figura 4 muestra otra fotografía SEM de la banda
C del SIT recientemente fabricado en el laboratorio. El ancho de unión y los anchos de
las zanjas son 0.5µm cada uno. Los contactos de la fuente son formados por una
interconexión de puente de aire para minimizar capacitancias parasitas. Este dispositivo
exhibió una frecuencia de 7 GHz , el valor mas alto hasta ahora reportado para un SIT.