Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Prctica2potenciamonofasica 110623140950 Phpapp01
Prctica2potenciamonofasica 110623140950 Phpapp01
2. ESTRUCTURA.
4. CARACTERÍSTICAS GENERALES.
5. MÉTODOS DE DISPARO.
1. DEFINICIÓN.
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,
Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con
la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales,
llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada
por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es
único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
2. ESTRUCTURA.
Figura 2 : Estructura básica del SCR.
4. CARACTERÍSTICAS GENERALES.
En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las
tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la
zona formada por las curvas:
• Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en
función de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de ánodo.
• Curva C: tensión directa de pico admisible VGF.
• Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos
sobrepasar.
Figura 3. Curva características de
puerta del tiristor.
• Ángulos de conducción:
- La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción.
- A mayor ángulo de conducción, se obtiene a la salida mayor potencia.
- Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de
conducción (Figura 5):
• Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta
alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de
su valor máximo. Depende de la corriente de mando, de la tensión ánodo - cátodo y
de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan).
• Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10
% al 90 % de su valor máximo, o, el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 %
al 10 % de su valor inicial.
Ton = td
+ tr
( )
4.3.2.2 Tiempo de apagado Toff :
5. MÉTODOS DE DISPARO.
- Por puerta.
- Por módulo de tensión.
- Por gradiente de tensión (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.
a) Causas:
- La alimentación principal produce transitorios difíciles de prever en aparición,
duración (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
- Los contactores entre la alimentación de tensión y el equipo: cuya apertura y cierre
pueden producir transitorios de elevada relación dV/dt (hasta 1.000 V/µs)
produciendo el basculamiento del dispositivo.
- La conmutación de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de
tensión.
b) Efectos:
- Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
- La dV/dt admisible varia con la temperatura.
a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conducción se reduce a una parte del cátodo cerca de
la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rápido de la intensidad, en esta
zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
- Como el cristal no es homogéneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es
mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutación de bloqueo a conducción la potencia instantánea puede alcanzar
valores muy altos.
- La energía disipada producirá un calentamiento que, de alcanzar el límite térmico
crítico, podría destruir el dispositivo.
C = ζ / RL
Rs = VA(máx) / ( ITSM - IL ) × Γ
donde:
½
R mín = ( VA(máx) / ( dI /dt ) × C )
• Cálculo de L:
L = VA(máx) / ( dI / dt)
½
El valor de R será: Rs = (L / C)
VAK = V0 + IA × R
a = f = IA(RMS) / IA(AV)
Figura 13.
a) Libre.
b) Asistida.
· Controles de relevador.
· Circuitos de retardo de tiempo.
· Fuentes de alimentación reguladas.
· Interruptores estáticos.
· Controles de motores.
· Recortadores.
· Inversores.
· Ciclo conversores.
· Cargadores de baterías.
· Circuitos de protección.
· Controles de calefacción.
· Controles de fase.
DIAC.
1. DEFINICIÓN.
2. ESTRUCTURA.
3. APPLET CURVA CARACTERÍSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
4. CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.
1. DEFINICIÓN.
Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo
Vb0; la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al superar dicha
tensión la corriente aumenta bruscamente, disminuyendo como consecuencia la
tensión.
TRIAC.
1. DEFINICIÓN.
2. ESTRUCTURA.
3. APPLET CURVA CARACTERÍSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
4. MÉTODOS DE DISPARO.
1. DEFINICIÓN.
2. ESTRUCTURA.
Figura 2 : Estructura básica del TRIAC.
Figura 3.
4. MÉTODOS DE DISPARO.
3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que
la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de
compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente
conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo
de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
cátodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza
fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo.
La unión P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensión exterior, es invadida
por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conducción.
4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en
que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de
compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por
difusión la unión P2N1 son absorbido por su potencial de unión, haciéndose más
conductora. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de
unión P2N1 próxima a ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la
tensión exterior y se produce la entrada en conducción.
Existe un gran número de posibilidades para realizar en la práctica el
disparo del TRIAC, pudiéndose elegir aquella que más resulte adecuada para
la aplicación concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes
básicas:
Basicamente para no dar muchas vueltas este circuito lo que permite es que varies la
iluminacion de la lampara desde el punto de apagado pasando por varias etapas de brillo
hasta llegar al maximo brillo...
así tendría que quedar nuestro circuito pero si no se ve muy parecido no se preocupen solo
es cuestion que
empezemos.
Materiales a utilizar:
EXPLICACION TECNICA:
El elemento activo de este proyecto es un triac el cual es comandado por el potenciómetro a
través del diodo DIAC, que es del tipo 3202. El triac puede ser montado sin disipador para
cargas de hasta 100w, pero pasada esa potencia se hace indispensable el uso de uno. El
potenciómetro conviene que sea lineal, para que el brillo varíe en forma pareja a lo largo de
todo el cursor. El uso de la llave del pote se hace para conmutar la entrada de corriente.
Recuerde ser muy precavido dado que está trabajando con la tensión de red sin aislar.