TEMA 3 ESTRUCTURA

INTERNA DE LOS
MATERIALES

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1. Introduccin
Una vez introducido el concepto de estado slido y vista su clasificacin en funcin de
su estructura interna, se estudia dicha estructura a escala atmica.

Con el estudio de los siete sistemas cristalinos y de las catorce redes se est en
condiciones de conocer las mltiples estructuras internas que caracterizan, tanto a los
materiales naturales como a los sintticos.

Estudiadas las caractersticas de los distintos tipos de redes, se estudiarn sus ndices
de coordinacin y su factor de empaquetamiento.

2. ESTADO SLIDO.
El estado slido de la materia se caracteriza por el grado de orden que presenta cada
slido en su estructura interna. Los slidos se clasifican en:
- Slidos cristalinos (o materiales cristalinos): Son aquellos cuyos tomos o iones
se ordenan formando una determinada estructura interna que se repite
sistemticamente en todo el material, dando lugar a un orden de largo alcance
(OLA), es decir, la misma estructura atmico-molecular se encuentra repetida cada
cierta distancia.

Los slidos cristalinos son los materiales metlicos, la gran mayora de materiales
cermicos y ciertos materiales polimricos parcialmente cristalinos.

- Slidos amorfos (o no cristalinos): Son aquellos en los que los tomos, iones o
molculas que los forman se encuentran desordenados o poco ordenados, por lo
que no presentan rdenes de largo alcance (OCA), es decir, no tienen repeticin de
una estructura atmica o molecular definida que se encuentra igual cada cierta
distancia.

El ejemplo ms caracterstico es el vidrio.

La materia no se encuentra totalmente ordenada o desordenada, lo que dara lugar a

cristalinidad total o nula, sino que existe una degradacin continua del orden en los
materiales, induciendo diferentes grados de cristalinidad.

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Los materiales tienen tendencia a alcanzar el estado cristalino por ser el ms estable.

La velocidad de enfriamiento desde el estado lquido ejerce un importante papel en el

ordenamiento atmico durante el proceso de solidificacin de los materiales, de modo
que enfriamientos a velocidades extremadamente bajas favorecen la formacin de
slidos cristalinos.

La temperatura de fusin es la temperatura a la que se debe someterse el material

para que la energa trmica suministrada sea suficiente como para romper todos los
enlaces que dan coherencia al slido.

Los slidos amorfos no presentan un punto de fusin en contraste con los slidos
cristalinos que tienen una temperatura de fusin perfectamente definida (si son
sustancias puras) o un intervalo (cuando no lo son).

Como la estructura ms estable por debajo del punto de fusin es la ordenada

cristalina, el slido amorfo resultante se encuentra en un estado metaestable, que es
un estado que se mantiene estable con el tiempo, pero
sin llegar a representar un verdadero equilibrio.

La fractura de un slido amorfo no es plana, sino que presenta forma concoidea, que
no sigue planos cristalinos.

Los slidos cristalinos se fracturan a lo largo de los distintos planos de su estructura

cristalina.

La gran diferencia entre ambos tipos de fractura es consecuencia del orden interno que
presentan los materiales cristalinos frente al desorden de los materiales amorfos.

Un material cristalino puede presentarse como un solo cristal, denominndose

material monocristalino o monocristal, que se identifica por su disposicin atmica
perfecta, o como un conjunto de cristales que dan lugar a un material policristalino,
que resulta de la unin de cristales de diferente tamao, denominados granos, unidos
a travs de sus fronteras, disponiendo cada uno de ellos de una determinada
orientacin cristalogrfica.

Las fronteras de granos se caracterizan por su elevada densidad de defectos de red,

sobretodo dislocaciones.

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a. Tipos de slidos cristalinos
Dentro de los slidos cristalinos y segn la naturaleza del enlace qumico existente
entre los tomos o especies qumicas que conforman el cristal, cabe distinguir entre
slidos cristalinos metlicos, inicos, covalentes y moleculares.
Slidos cristalinos metlicos:
Los slidos cristalinos metlicos presentan un alto empaquetamiento de
tomos unidos por enlaces de tipo metlico, que dan como resultado slido
opacos, buenos conductores tanto elctricos como trmicos, adems de ser
dctiles y maleables como consecuencia del carcter no direccional del enlace
metlico, presentando elevada temperatura de fusin, densidad y dureza.

Slidos cristalinos inicos:

El enlace inico caracteriza este tipo de slidos, estn formados por iones
ordenados en el espacio y unidos por fuerzas de tipo electrosttico.
Este tipo de slidos presenta alto punto de fusin, elevada dureza y una cierta
fragilidad, adems de baja conductividad elctrica; pueden ser transparentes u
opacos segn la frecuencia de la radiacin electromagntica a la
que estn sometidos. Ejemplo: NaCl.

Slidos cristalinos covalentes:

Estn constituidos por tomos ordenados en el espacio segn las direcciones

propias de los orbitales moleculares de valencia, resultando ser slidos muy
duros y frgiles, de elevado punto de fusin y escasa deformacin plstica, todo
ello debido al carcter direccional del enlace envalente.

La conductividad elctrica vara sustancialmente de unos a otros, de forma que

el diamante es aislante elctrico, mientras que el Si o Ge son semiconductores.
Ejemplo: Carbono en forma de diamante.

Slidos cristalinos moleculares:

Se forma a partir de la ordenacin de molculas o macromolculas que se unen

por fuerzas de tipo intermolecular, como son las de Van der Waals, dando como
resultado slido blandos de bajo punto de fusin, aislantes tanto elctricos como
trmicos.

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3. SISTEMAS CRISTALINOS. REDES DE BRAVAIS
Los materiales metlicos, al igual que la mayora de cermicos, se caracterizan por ser
slidos cristalinos, de forma que sus tomos se ordenan siguiendo un determinado
hbito cristalino.

La cristalografa se encarga de estudiar y sistematizar los diferentes sistemas

cristalinos existentes, caracterizados por las distintas geometras de la celda unidad
que es el elemento ms sencillo escogido para representar a la unidad estructural.

La celda unidad se define mediante los parmetros de red: tres que corresponden a
las longitudes de sus lados a, b, c, y tres ngulos entre los distintos ejes a, p, y.

El cristal es como una repeticin de la unidad elemental, celda unidad, que dispone
de un determinado nmero de tomos y de todos los elementos de simetra, de tal forma
que repetido tridimensionalmente da origen a un cristal macroscpico.

La celda unidad define la estructura del cristal mediante una determinada geometra
y la posicin de los tomos en ella, repitindose a lo largo del espacio y dando as lugar
a la red cristalina.

La cristalografa establece siete sistemas cristalinos con arreglo a su grado de

simetra, siguiendo la propiedad de que todos los cristales de una misma sustancia
presentan los mismos elementos de simetra.

Las dimensiones del cbico estn definidas por un nico parmetro de red a y las del
hexagonal se definen por dos a y c.

Los sistemas cristalinos son: cbico, tetragonal, ortorrmbico, rombodrico,

hexagonal, monoclnico y triclnico.

Existen cuatro tipos bsicos de celdas unitarias: simple, centrada en el cuerpo,

centrada en las caras y centrada en las bases.

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Las estructuras de las catorce redes de Bravais posibles son las siguientes:

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4. ISOMORFISMO Y ALOTROPA

a. Isomorfismo
Dos o ms slidos son isomorfos si presentan la misma estructura cristalina, pero
con composicin qumica diferente.
Se produce cuando dos iones de radio muy parecido pueden ocupar indistintamente
la misma posicin en la red cristalina sin obligarla a ninguna modificacin.
En estos casos es frecuente que haya muchas composiciones que pueden constituir
la misma estructura.

b. Alotropa
Cuando un metal o un no metal presenta ms de una estructura cristalina en el
estado slido, en condiciones de presin y temperatura diferentes, se dice que
presenta alotropa.
Cada una de las formas cristalinas constituye un estado alotrpico y el trnsito de
un estado a otro tiene lugar a una determinada temperatura y presin, con variacin
de energa interna y de otras propiedades.
Cada estructura cristalina lleva asociada un ordenamiento atmico determinado
que implica un cierto grado de empaquetamiento, por ello se tendrn propiedades
diferentes en funcin de su ordenamiento. Ejemplo: El carbono en estado grafito y
en estado diamante.
En general, el estado alotrpico estable a ms baja temperatura se denomina , y a
los siguientes , , y as sucesivamente.
La temperatura a la cual se produce el cambio alotrpico se denomina punto o
temperatura crtica.

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5. ndices de Miller
El interior del cristal es un conjunto de puntos que coinciden con las posiciones de
los ncleos de los tomos que constituyen el mismo.

Un plano cristalogrfico se hace con respecto a las intersecciones del mismo con los
ejes de referencia, mediante una notacin convencional que permite identificar cada
plano de inters dentro del cristal.

Los ndices de Miller son una notacin cristalogrfica que permite identificar a los
diferentes planos y direcciones cristalogrficas existentes en un cristal.

a. ndices de Miller para planos cristalogrficos

Para definir un plano reticular o el conjunto de sus paralelos, se utilizan tres ndices
de Miller (h k l), segn los siguientes pasos:

Se determinan las intersecciones del plano con los ejes cristalogrficos, de tal
forma que el plano no debe contener a ninguno de los ejes.

Las intersecciones se expresan en funcin del parmetro de red que,

independientemente del valor que tenga, se asocian a la unidad.

Se calculan los recprocos de los nmeros resultantes.

Se buscan los nmeros enteros ms pequeos que se encuentren en la

misma relacin que los recprocos.

Se expresa la notacin de Miller para el plano considerado.

Si un plano cristalogrfico es paralelo a uno de los ejes de referencia, su interseccin

ser en el infinito y por tanto su ndice de Miller respecto a ese eje ser 0.

Asimismo, si la interseccin se produce en la parte negativa de un eje su ndice ser

negativo.

Si el plano cristalino considerado pasa por el origen de tal forma que una o ms de
las intersecciones son cero, el plano debe ser movido a una posicin equivalente en
la misma celda unitaria y el plano debe ser paralelo al plano original.

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b. ndices de Miller de direcciones cristalogrficas [uvw]

Existen direcciones cristalogrficas y ser necesario su notacin mediante ndices

de Miller, que se obtienen de una forma directa determinando las coordenadas del
vector cuyo origen corresponde al origen de coordenadas, representndose dentro
de un corchete los valores correspondientes.

La notacin de Miller para las direcciones cristalogrficas indica no slo una

direccin dentro de la celda unidad, sino tambin la de las familias de direcciones
paralelas dentro del cristal.

Los ndices de Miller [h k l] representa una familia de planos equivalentes,

entendindose por equivalentes aquellos que tienen la misma densidad atmica
superficial, distribucin atmica e ndices de Miller en valor absoluto.

Igualmente, (uvw) representa una familia de direcciones cristalogrficas

equivalentes, lo que significa igual densidad atmica lineal, distribucin atmica e
ndices de Miller en valor absoluto.

c. ndices de Miller-Bravais para los planos cristalinos en celdas

unitarias HCP

Los planos cristalinos en la celda unitaria HCP se identifican mediante cuatro

ndices en vez de tres.

Los ndices de los planos cristalinos HCP, llamados ndices de Miller-Bravais, se

indican por las letras h, k, i y l y van encerrados en parntesis como (hkil).

Los ndices h, k y l se calculan de la misma manera que en el sistema cbico. La

suma de los ndices h y k tiene el valor de i cambiado de signo: i = (h + k). Esta
igualdad permite obtener el cuarto ndice en la notacin Miller-Bravais.

Hay tres ejes basales a1, a2, a3, donde a1 y a2 forman ngulos de 120 entre s. El
cuarto eje o eje c es el eje vertical localizado en el centro de la celda unitaria.

La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1, a2, a3 es la distancia entre dos
tomos localizados a lo largo de estos ejes. La unidad de medida a lo largo del eje c
es la altura de la celda unitaria.

Los recprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes
a1, a2, a3 dan los ndices h, k e i, mientras que el reciproco de la interseccin con el
eje c da el ndice l.

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 Planos basales: En la celda unitaria HCP los planos basales son muy
importantes. Dado que el plano basal superior en la celda unitaria HCP es
paralelo a los ejes a1, a2 y a3, su interseccin con estos ejes ser en el infinito.

As, a1 =, a2= y a3 = . El eje c, sin embargo, es unitario, ya que el plano basal

superior intersecta el eje c a una distancia unidad.

Tomando los recprocos de estas intersecciones se tienen los ndices de Miller-

Bravais para el plano basal HCP. As, h = 0, k = 0, i = 0 y l = 1. El plano basal
HCP es, por tanto, cero-cero-cero-uno, o el plano (0001).

Planos del prisma: Aplicando el mismo mtodo, las intersecciones del plano
frontal del prisma (ABCD) son a1 =+1, a2= y a3 = -1 y c = .

Tomando los recprocos de estas intersecciones, se tiene h = 1, k = 0, i = 1 y l =

0, o el plano (1010). De forma anloga, el plano del prisma ABEF tiene los ndices
(1100). y el plano (DCGH) los ndices (0110).

Todos los planos del prisma HCP pueden ser indicados colectivamente como la
familia de planos {1010}.

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6. Redes cristalinas de los metales
La gran mayora de los metales de inters industrial cristalizan segn la red cbica
centrada en el cuerpo (BBC), cbica centrada en las caras (CCC) y hexagonal
compacta (HCP), definindose cualquier estructura cristalina de un metal mediante
su red cristalina y los valores de los parmetros de red.

La mayora de los metales cristalizan en estas estructuras empacadas densamente

porque la energa disminuye a medida que los tomos se acercan y se enlazan entre s.

De este modo, las estructuras ms compactas corresponden a ordenamientos de

niveles energticos menores y ms estables.

La celda unidad es un concepto ideal, ya que el cristal se encuentra formado por un

conjunto de celdas unidas entre s y que por lo tanto comparten aristas, vrtices y
planos. Por ello, cada tomo que se encuentra en un vrtice de una determinada celda
estar compartido por varias celdas a la vez.

Cada celda, en funcin del tipo de red, contendr un determinado nmero de tomos
del metal y por tanto una masa que, relacionada con el volumen de la celda, definido a
su vez por los parmetros reticulares, permite calcular la densidad del metal.

- Estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo (BCC o CC):

En esta celda unitaria las esferas representan los puntos donde estn colocados los
tomos e indican claramente sus posiciones relativas.

Hay un tomo en el centro de la celda unidad y un octavo de tomo en cada uno de

los 8 vrtices, lo que hace un total de dos tomos por celda unidad.

El tomo central est rodeado por ochos vecinos ms prximos y se dice que tiene
un nmero de coordinacin de 8. Si se asla una sola celda unitaria como esfera
slida.

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 Cada una de estas celdas tiene el equivalente a dos tomos por celda unitaria. En
la celda unitaria BCC los tomos de cada vrtice entran en contacto entre s a lo
largo de la diagonal del cubo siendo la relacin entre la arista del cubo a y el radio
atmico R es:
4
34 =
3

Si los tomos de la celda unitaria BCC se consideran como esfricos, se puede

calcular el factor de empaquetamiento atmico (APF o Fc), que representa la fraccin
de volumen de la celda unidad ocupada por esos dos tomos, aplicando la ecuacin:

volumen de los tomos en la celda unitaria

= 100
volumen de la celda unitaria
La estructura cristalina BCC no es una estructura compacta, dado que los tomos
podran situarse an ms juntos. Su APF es del 68%.

- Estructura cristalina cbica centrada en las caras (FCC o CCC):

Tambin llamada Cbica de Empaquetamiento Compacto (CCP). En esta celda

unitaria hay 1/8 de tomo en cada vrtice del cubo y de tomo en el centro de
cada cara, lo que hace un total de cuatro tomos por celda unitaria.

Los tomos se contactan en la diagonal de la cara del cubo por lo que la relacin
4
entre la arista del cubo a y el radio atmico R es 24 o a= . Su APF es del
2
74%, mayor que en los metales BCC.

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- Estructura cristalina hexagonal compacta (HCP):

La tercera estructura cristalina ms comn en los metales es la estructura HCP.

Hay un tomo centrado dentro de la celda unidad

Los metales no cristalizan con la estructura cristalina hexagonal sencilla porque el

APF es demasiado bajo.

Los tomos pueden alcanzar una menor energa y una condicin ms estable
formando la estructura HCP.

El APF de la estructura cristalina HCP es de 0.74, el mismo que el de la estructura

FCC, ya que en ambas estructuras los tomos estn empacados lo ms juntos
posible.

Cada tomo est rodeado de 12 tomos, por tanto, cada tomo tiene un nmero de
coordinacin de 12.

La relacin entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura cristalina HCP y

la arista de la base a, se llama relacin c/a y, en una HPC ideal, es 1,633.

a. Densidad terica y parmetros de red

El clculo de la densidad terica de un slido metlico viene dado por la siguiente

expresin:

=

Donde:

n es el nmero de tomos de la celda unidad.

Ma, masa atmica del metal.

N, constante/nmero de Avogadro (6,0231023 tomos/mol).

V, volumen de la celda unidad.

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 Volumen de la celda unidad: Se determina por formulas geomtricas sencillas.

Para cualquier celda unidad, la expresin del volumen es:

= 1 cos2 cos2 cos 2 + 2 cos cos cos

Para el caso concreto de la geometra cubica, esta frmula se reduce a:

= 3

Para el caso de la geometra hexagonal:

3 2
= 2 60 =

2
Si se toma la celdilla unidad como prisma hexagonal, el V es tres veces mayor:
3 3 2
=
2
Cuando el slido metlico cristaliza en el sistema cbico, la densidad terica viene
dada por la expresin:

=
3
Siendo a el parmetro reticular.

Mientras que para un cristal que cristaliza en el sistema hexagonal, la densidad

terica es:

=
3 3
2 2

Donde a y c son los parmetros reticulares.

Cbica centrada en el cuerpo (BCC o CC): En la estructura cbica centrada en

el interior, los tomos estn situados en los vrtices de la celdilla cbica y en su
centro.

Dicha estructura se obtiene situando tomos idnticos en los nudos de la red de

Bravais del mismo nombre.

Cbica centrada en las caras (FCC o CCC): En la estructura cubica centrada

en las caras, los tomos estn situados en los vrtices de la celdilla unidad y en
el centro de sus caras, o sea, en las posiciones de los nudos de la red de Bravais
del mismo nombre. Da una computacin mayor que en el sistema BCC o CC.

Hexagonal compacta (HCP): La estructura HCP es una modificacin ms densa

de la estructura cristalina hexagonal simple.

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 En la estructura hexagonal compacta los tomos ocupan los vrtices de un
prisma hexagonal regular, los centros de las bases y los centros de los tringulos
alternos en que puede descomponerse la seccin intermedia del prisma. Las
longitudes axiales de esta estructura son la arista de la base, a, y la altura del
prisma, c.

b. Radio atmico y parmetros de red

Se considera como radio atmico del elemento a la mitad de la distancia

interatmica, ya que los tomos se suponen tangentes entre s como consecuencia
de la compactacin, de forma que se puede relacionar con el parmetro de red
correspondiente.

En la red (CCC o FCC) la compactacin mxima se produce segn la diagonal de la

cara del cubo:
2
=
4

En la red (CC o BCC) la compactacin mxima se produce segn la diagonal del

cubo, resultando que:
2
=
4

En la red (HCP) la compactacin mxima se produce en el lado del hexgono, por

lo que:

=
2

c. ndices de coordinacin
El ndice de coordinacin IC es el nmero de tomos que equidistan de uno y son
sus vecinos ms prximos. Los IC son:
Para CC o BCC: 8

Para CCC o BCC: 12

Para HCP: 12

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d. Factor de empaquetamiento
El factor de empaquetamiento o de compactacin Fc (o APF) se define como la
relacin entre el volumen que ocupan los tomos y el volumen de la celda unidad, y
viene dado por:
4
(3 3 )
=

Siendo n el nmero de tomos de la celda unidad. Estos valores son:

Para CC o BCC: 68%

Para CCC o BCC: 74%

Para HCP: 74%

Para pasar de una red (CC o BCC) a una (CCC o BCC) a una determinada
temperatura se debe calcular el nmero de tomos de cada red, as como sus
correspondientes radios atmicos para conocer el volumen que ocupan los tomos
en cada una de las redes.

Por lo tanto, la contraccin de volumen experimentada en esta transformacin, al

pasar de una red (CC o BCC) a una red (CCC o BCC), se debe a la distribucin o
empaquetamiento de los tomos en la red (CCC o BCC), que como se sabe presenta
mayor compactacin que la (CC o BCC).

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e. Densidades atmicas y parmetros de red
Dada la necesidad de conocer la densidad atmica en los planos reticulares, ya que
est relacionada directamente con la deformacin plstica del material, es por lo
que se calcula la densidad atmica planar que se define como la relacin entre el
nmero de tomos a los que corta el rea de un determinado plano dividido por esa
rea.

= =

Por conveniencia, se utiliza en estos clculos el rea de un plano que corta a una
celda unitaria. Es importante resaltar que para que el rea de un tomo se
contabilice en este clculo, el plano de inters debe cortar el centro del tomo.

Con el fin de conocer la densidad atmica de ciertas direcciones en la estructura

cristalina es por lo que se estudia la densidad atmica lineal [] que se define
como la relacin entre el nmero de tomos cortados a travs de sus dimetros por
una determinada longitud de lnea en la direccin requerida, y la longitud
determinada por esa lnea.

[] = =

En planos y direcciones cristalogrficas de mxima densidad atmica desempean
un papel fundamental en el mecanismo de deformacin plstica de los materiales,
ya que los tomos se encuentran a mayor distancia entre planos y, en consecuencia,
la probabilidad de deslizamiento es mayor.
Los deslizamientos de planos causantes de la deformacin plstica siguen
direcciones de mxima densidad atmica. Un plano y una direccin de mxima
densidad conforman lo que se denomina sistema de deslizamiento.

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 f. Distancia entre planos reticulares y parmetros de red

En el sistema cbico, la distancia entre dos planos con los mismos ndices de Miller
viene dada por la siguiente expresin:

=
2 + 2 + 2
donde a es el parmetro de red.

La distancia d representa el espacio entre dos planos paralelos cercanos, cuyos

tomos estn dispuestos de una manera ms compacta son los que presentan
mayor distancia interplanar.

7. Intersticios en las redes cristalinas

Los espacios interatmicos libres dentro de la red cristalina se denominan intersticios.

En ellos se pueden alojar no solo impurezas sino elementos de aleacin cuyos

volmenes sean del orden del tamao de los intersticios.

Los tomos se distribuyen de forma diferente en cada tipo de red cristalina, generando
espacios intersticiales de diferentes tamaos y de distribucin variable.

a. Tipos de huecos

Podemos distinguir dos tipos de intersticios:

Huecos tetradricos: Una esfera descarga sobre otras tres. Los centros de las
cuatro esferas coinciden con el vrtice de un tetraedro regular.

Cada esfera est en contacto con otras tres de la capa superior y con otras tres
ms de la capa de abajo. Por lo tanto, hay dos huecos tetradricos asociados a
cada esfera.

Huecos octadricos: Este sitio est rodeado por seis esferas, cuyos centros
quedan en los vrtices de un octaedro regular. Hay un sitio octadrico por cada
esfera.

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b. Huecos en las redes

En cada red se pueden encontrar los dos tipos de huecos. En estos huecos El
conocimiento del nmero, tipo y ubicacin de los intersticios de una determinada
estructura es una cuestin de relativa importancia, porque a menudo estas
oquedades sirven de alojamiento a tomos extraos.

Para saber si un tomo cabe en un intersticio se utiliza la relacin r/R donde r es

el tamao mximo que cabra en un sitio intersticial de una celda con tomos de
radio. Por geometra simple se puede calcular que esta relacin es aproximadamente
0,225 para los huecos tetradricos y de 0,414 para los huecos octadricos.

Huecos en una red cubica centrada en el cuerpo (BCC): Posee en total 12

huecos tetradricos y 6 huecos octadricos por cada celda unidad.

Los intersticios son ms pequeos, estando el mayor de ellos situado en el centro

del tetraedro formado por los dos tomos de los vrtices de un lado de la celda
unidad y los tomos centrados en el cuerpo
de dicha celda y la situada inmediatamente encima de ella.

Huecos tetradricos Huecos octadricos

Huecos en una red cubica centrada en las caras (FCC): Posee en total 8 huecos
tetradricos y 4 huecos octadricos por cada celda unidad. El mayor intersticio
se encuentra en el centro geomtrico del cubo.

Huecos tetradricos Huecos octadricos

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 Huecos en una red hexagonal compacta (HCP): Posee en total 12 huecos
tetradricos y 6 huecos octadricos por cada celda unidad.

Huecos tetradricos Huecos octadricos

El dimetro mximo de los tomos que pueden alojarse en el intersticio

considerado depender del dimetro del elemento base y de la relacin anterior.

8. Materiales amorfos
Algunos materiales se denominan amorfos o no cristalinos porque carecen de
ordenamiento de largo alcance en su estructura atmica.

Los materiales tienen una tendencia a alcanzar un estado cristalino debido a que es el
estado ms estable y corresponde al menor nivel de energa.

Sin embargo, los tomos de los materiales amorfos estn enlazados de manera
desordenada debido a factores que inhiben la formacin de un ordenamiento peridico.

Por tanto, sus tomos, ocupan posiciones espaciales aleatorias, a diferencia de las
posiciones especficas en los slidos cristalinos.

Los polmeros, vidrios y algunos metales son miembros de la clase de materiales

amorfos.

En polmeros, los enlaces secundarios entre las molculas no permiten la formacin de

cadenas paralelas y muy empaquetadas durante la solidificacin. Como resultado de
ello, los polmeros, constan de cadenas moleculares largas y torcidas que se entrelazan
para formar un slido de estructura amorfa.

En algunos polmeros, como el polietileno, las molculas estn empaquetadas ms

eficaz y estrechamente en algunas regiones del material para producir un mayor grado
de ordenamiento a gran distancia en determinadas regiones.

Como resultado de ello, estos polmeros suelen clasificarse como semicristalinos.

Ejemplo: material cermico.

Adems de los polmeros y los vidrios, algunos metales tienen tambin la capacidad
para formar estructuras amorfas (vidrio metlico) en condiciones estrictas y a menudo
difciles de cumplir.

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A diferencia de los vidrios, los metales contienen bloques mviles muy pequeos
cuando estn fundidos. Como resultado de ello, es difcil impedir que los metales
cristalicen.

Los materiales amorfos, debido a su estructura, tienen propiedades superiores en

comparacin a sus similares cristalinos.

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