Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
a corriente alterna para el paso-up o de bajada con una funcin misma que la de un
dispositivos de estado slido, que es la clave para lograr la reduccin de tamao y peso.
SST tiene varias ventajas sobre los transformadores de energa tradicionales. A II. S ESTUDIO Y IMULATION L OSS UN ANLISIS DE R ECTIFIER
diferencia del transformador de 60 Hz convencional, cuyo factor de potencia depende de la
Una de las superioridades significativas de SST ms de transformador
carga, la etapa rectificadora AC / DC de SST acta como un dispositivo de correccin del
tradicional es que el factor de potencia ya no depende de la caracterstica de carga,
factor de potencia de extremo frontal, que permite que el factor de potencia unidad a la red
pero se puede mantener un factor de potencia unidad. El rectificador convierte la
elctrica. Adems, SST no es susceptible a la cada de tensin o se hinchan en
tensin de CA trifsica en una
circuito se muestra en la Fig. 2 (a) con S un, S segundo y S do por Cree Inc. El clculo se basa en las siguientes condiciones: V IN = 60Hz, 13,8 kV AC,
siendo conmutadores bidireccionales controlado por puerta. El esfuerzo de tensin de V CC = 24kV, P OUT = 270kW, f SW = 20 kHz, rea del troquel MOSFET = 4 mm * 4 mm y el
S un, S segundo y S do es slo la mitad de la tensin de salida total. Para utilizar 10kV SiC diodo de rea die = 4 mm * resultados 4mm.The se enumeran en la Tabla I.
MOSFET de SST, el autobs 24 kV DC se divide en cinco niveles. A cinco nivel
modificado Viena rectificador se muestra en la Fig. 2 (b).
(un)
conmutacin es menor. El clculo de resultados de la simulacin y la prdida muestra el
rectificador de Viena es una buena opcin para la etapa rectificadora de transformador de
estado slido.
(segundo) Una novela ZVS de cinco niveles convertidor DC / DC se propone en esta seccin.
Fig. 2. Esquema bsico de Viena rectificador (a) Diagrama del circuito de cinco niveles de Viena El diagrama de circuito y las seales de disparo se muestran en la Fig. 4. Del mismo
rectificador (b).
modo, cinco niveles se eligen con el fin de soportar un alto voltaje de entrada de 24 kV
circuito de simulacin se ha implementado en Saber y el control del ciclo de uno [8] usando 10 kV SiC MOSFET. La diferencia entre la estructura propuesta y el bsico de
se utiliza para los cinco niveles de Viena rectificador. La Fig. 3 muestra la forma de punto neutro-pinzado (NPC) convertidor multinivel es la inclusin de tres
onda de simulacin de la tensin de salida y el voltaje de fase de entrada y corriente de condensadores que vuelan C s1, do s2 y C s3. Estos condensadores adicionales permiten la
fase. El voltaje de entrada y la corriente estn en fase, que se traduce en un factor de operacin de ZVS para los interruptores principales con control de desplazamiento de
146
tiempo de activacin, V DS (S1) cae antes d (s1) se alza, por lo que el giro en S para 1 / S 8 es ZVS.
Del mismo modo, las formas de onda verificar el funcionamiento ZVS para S 2 / S 7 y S 3 / S 6. Sin
embargo, V DS (S4) cae despus de que d (s4) se alza, por lo que es un giro en el disco de S 4 / S 5. Pero
si se aumenta el valor de la inductancia de resonancia, es posible darse cuenta de
conmutacin suave de S 4 y S 5 as debido a que ms energa se almacena en el inductor
resonante. Por lo que el patrn de cambio de fase propuesto para cinco niveles convertidor
DC / DC garantiza seis interruptores S1-S3, S6-S8 operando con ZVS de encendido,
mientras que las medias de dos interruptores S4, S5 puede perder ZVS en condiciones de
carga ligera.
(un)
Fig. 5. formas de onda de simulacin que muestran el funcionamiento ZVS (escala de tiempo = 20 us / div) (de arriba
hacia abajo, tensin y corriente para el interruptor S4, S3, S2 y S1 respectivamente)
(segundo)
Fig. 4. Cinco nivel convertidor DC / DC: Diagrama del circuito (a) y el esquema de temporizacin de la seal
de puerta y formas de onda (b). (Los cuatro filas superiores son las seales de puerta para los ocho
MOSFETs, V PRI es la tensin del nodo entre S 4 y S 5 con respecto al suelo, PRI es la corriente primaria del
transformador, y yo DR1 y yo DR2 son la corriente que fluye a travs de los dos diodos secundarios,
respectivamente).
147
voltaje del bus de CC (24kV) y mantener el factor de potencia unitario en la entrada.
fase.
148
TABLA III --- D ESIGN P ARMETROS de la T en Media Tensin [4] R. Singh, KG Irvine, DCCapell, et al. Rectificadores pin rea grande, ultra-alta tensin 4H-SiC
IEEE Transactions on Electrn dispositivos, vol.
49, pp. 2308-2316. 2002.
Relacin de vueltas: 24: 2: 2 rea central 146cm 2
Np: Ns1: Ns2 [5] MK Das, JJ Sumakeris, BA Hull, et al. Alta potencia, libre de deriva-4H SiC diodos pin, Actas de
Toroidal
la Conferencia IEEE sobre Lester Eastman dispositivos de alto rendimiento, pp 236 -. 240,
Nmero de pieza T60004-L2160-
agosto de 2004 [6]
de ncleo W758
JW Kolar, H. Ertl y el FC Zach, Estructura y anlisis experimental de una alta densidad de
alambre de aislamiento
potencia de alta eficiencia factor de potencia unidad PWM trifsico (Viena) rectificador
Devanado Reynolds HV, P / N Numero de 31
integrado en emplear un nuevo mdulo de semiconductor de potencia, Actas de la
primario 178-9824, 5 en paralelo. nucleos
Conferencia Anual de la Undcima Applied Power Electronics Conferencia y Exposicin,
APEC '96, vol.2, pp 514 -. 523, 1996 [7]
devanado Placa de cobre, 2 mm El volumen 950 * 180 * 180
secundario de espesor, 60 mm de aproximado (mm 3)
JW Kolar, U. Drofenik y el FC Zach. -II un sistema aislado VIENA rectificador novela de una
ancho
etapa de alta frecuencia PWM trifsico rectificador, IEEE Transactions on Power Electronics.
Material del ncleo VITROPERM Peso aproximado 55 (Kg)
vol. 46, No. 4, pp. 674-691. Ago, 1999. [8] Chongming Qiao y KM Smedley. Unidad del factor
500F
de potencia trifsico
El volumen aproximado y el peso no incluyen los de las partes mecnicas de interruptor (Viena) rectificador conectado en estrella con control de frecuencia de la integracin
constante- unificado, IEEE Transactions on Power Electronics. vol. 18. No. 4. pp 952-957. Jul,
apoyo y la carcasa. Sin embargo, a partir de estos datos, el transformador de alta
2003 [9] Peter M. Barbosa, Francisco Canales, JM Burdio y Fred C. Lee. "UN
potencia de alta frecuencia es pequeo en volumen y de peso ligero. Ms
discusin sobre el diseo del transformador se puede encontrar en [12]. Tres Niveles convertidor y su aplicacin a la correccin del factor de potencia.IEEE
Transactions on Power Electronics. vol. 20. No. 6. pp 1319-1327. Nov 2005. [10] Francisco
Canales, Convertidores CC / CC novedosos para alta potencia
rectificadora, que permite a la SST un factor de potencia unitario. Se propone un novedoso SiC dispositivos de energa, la 38 Conferencia especialista en electrnica de potencia IEEE 2007
(en prensa)
ZVS de cinco niveles convertidor DC-DC. Mediante el empleo de un control de
desplazamiento de fase, el convertidor de DC-DC de cinco niveles permite el funcionamiento
ZVS suave-conmutacin para la mayora de los dispositivos principales. Esto reduce
significativamente la prdida de encendido de los MOSFET y mejora la eficiencia global.
Resultados de la simulacin verificar la funcionalidad y viabilidad del rectificador y
convertidor DC / DC
lo suficientemente bajos que la gestin trmica convencional (agua, aire) se puede utilizar para
enfriar el mdulo / diodo 10 kV SiC MOSFET. Los resultados de las simulaciones anteriores y
en la subestacin de energa.
VII. UN CKNOWLEDGMENT
VIII. R EFERENCIAS
[1] ER Ronan, SD Sudhoff, SF Glover y DL Galloway, una distribucin basada en electrnica de
potencia del transformador, IEEE Transactions on Power Delivery, vol. . 17, pp 537 - 543, Material
de abril de 2002. [2]
Jih-Sheng Lai, A. Maitra, A. Mansoor y F. Goodman, multinivel Transformador universal
inteligente para aplicaciones de media tensin, Conferencia Registro de la Conferencia
Aplicaciones en la Industria, fourtieth Reunin Anual de la NIC. vol. 3, pp: 1893-1899, Oct,
2005. [3] S. -H Ryu, A. Agarwal, S. Krishnaswami, et al., Desarrollo de 10 kV 4H-SiC
Elctricos DMOSFETs, Mat. Sci. Formar, vol. 457-460, pp. 1385-
1388, 2004.
149