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INFORME PREVIO
OBJETIVOS
Construir amplificador base comn y verificar por medicin sus caractersticas de funcionamiento.
Parmetro
As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variacin de la corriente de
colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la corriente
de emisor, tendremos que:
Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte de los transistores el
valor del parmetro se acerca a la unidad.
Parmetro
Tambin conocido como ganancia de corriente.La circunstancia de que una pequea corriente de
base controle las corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad que
posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. As, la ganancia de corriente de un
transistor es la relacin que existe entre la variacin o incremento de la corriente de colector y la
variacin de la corriente base.
As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variacin de corriente de
colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia ser:
La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de unos a otros. As, nos
podemos encontrar transistores de potencia que poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los
transistores de pequea seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden
considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre 50 y 300.
En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez de
utilizarse la para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As por ejemplo, para el
transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y 290; lo
que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre estos
valores.
Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108 nos indiquen que posee
una ganancia comprendida entre 150 y 290?
La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de una forma sustanciosa
con la corriente de colector. Adems, la temperatura ambiente influye positivamente en el
aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la temperatura de la unin del diodo
colector aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un aumento de la
corriente de colector.
As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que tuviese una ganancia de
corriente de 150, operaramos as:
Tensiones de ruptura
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones de
un transistor aparecen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la ruptura de dichas
uniones si la tensin que se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.
En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas inversamente con la
tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de una pequea corriente de
fuga (ICBO) que no ser peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la indicada por el fabricante en
sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas VCBO.
Tensin inversa colector-emisor con la base abierta
En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin entre el colector y el
emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta fuerte
diferencua de potencial provoca un pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una pequea
corriente de fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que ocurra anteriormente, el valor de esta
corriente est determinado por la tensin colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas
tambin aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso debe ser
superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones tcnicas aparecen los
siguientes valores para las tensiones de ruptura: VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa que este
transistor nunca deber operar con tensiones superiores a estos valores especificados.
Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta ste, visto desde
los bornes de entrada.
Los componentes, y las caractersticas del transistor, pueden variar por numerosos motivos, entre
los cuales los ms importantes son: Debido a cambios de temperatura Debido a cambio del
componente en s por otro igual o diferente
Aplicaciones:
Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos
dinmicos.
Esta variacin se deben a que en los componentes electrnicos que usamos siempre existe una
variacin y no tiene los valores exacto, a ello debemos sumarle nuestros errores experimentales.
9) Conclusiones
Los transistores bipolares funcionan muy bien como amplificadores pero hay que respetar sus
rangos de trabajo (en especial la corriente) porque al rebasarlos estos no trabajaran
adecuadamente y podran daarse. Siguiendo los mtodos analticos adecuados los resultados
obtenidos en la prctica que acercan mucho a los obtenidos analticamente y a los obtenidos en la
simulacin
BIBLIOGRAFIA:
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php Comparaciones
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/9%20Circuitos%20Amplificad
ores.pdf Teora transistor como amplificador
http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincena4/4q2_contenidos_5c
.htm Configuracin de los transistores