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Tiristor PDF
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Tiristor PDF
Original de:
Universidad de Jan
Escuela Politcnica Superior
Autor:
Juan Domingo Aguilar Pea
Autorizado para:
http://www.redeya.com
El tiristor
El tiristor (SCR) es un dispositivo semiconductor biestable de cuatro capas, PNPN (Fig 1.1), con
tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G), (Fig. 1.2). Puede conmutar de bloqueo a
conduccin, o viceversa, en un solo cuadrante.
Anodo Anodo A
P1 IA
U1 (P2-N2)
N1 IG
Puerta U2 (N2-P1) Th
P2 G
N2 U3 (P1-N1)
Catodo Catodo K
Fig.1.- Estructura del tiristor. Fig.2.- Smbolo del tiristor.
IT Zona de conduccin
Zona de bloqueo Zona de bloqueo
inverso IL directo
VR IH
V
VT VBO
VRSMVRRMVRWM VDWM VDRM VDSM
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El tiristor
VAK > 0; sin excitar puerta Zona de bloqueo directo: SCR bloqueado (circ. abierto).
Solo lo recorre una dbil corriente de fuga directa (IDRM).
Hay que intentar no sobrepasar la tensin directa mxima (VDRM) (Fig. 1.3).
El SCR se bloquea cuando la corriente directa (IT) < corriente de mantenimiento (IH), en cuyo caso
la puerta pierde todo poder sobre el SCR.
Todo o nada: para una seal de entrada (Fig. 1.4.a), el SCR suprime algunos semiperodos
suministrando a la carga paquetes de semiondas (Fig. 1.4.b).
ngulo de fase: (Fig. 1.4 c) se mantienen todos los semiperodos, se suprime parte de cada
uno de ellos (ngulo de bloqueo) y el resto se transmite a la carga (ngulo de conduccin).
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Se al de entrada
1 3 5 8 9 10
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El tiristor
Corresponden a la regin nodo-ctodo. Son aquellos valores que determinan las posibilidades
mximas de un determinado SCR. Estos datos son:
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que
responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes
caractersticas:
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El tiristor
En este rea (Fig. 1.5) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las
curvas:
VGF (V)
C
VGFM
Area de
ruptura
PGM max= 5 W
A
D
Area de
disparo seguro
V0
Area de
posible disparo
B
0 I0 IGF (A)
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El tiristor
Impulsos de corriente:
Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede
tolerarse una corriente de pico dada. (Fig. 1.6).
A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la Tra media de la unin.
ITSM
IT > IT
IT t1 < t2
IT
ITAV
0 t0 t
t1 t2
Fig.6.- Curva de limitacin de impulsos de corriente
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El tiristor
Potencia Potencia
suprimida disponible
Angulo de Angulo de
bloqueo conduccin
Fig.7.- ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a
conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 %
de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo.
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de
su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
t on = t d + t r
max.
90 %
10 %
0
max.
90 %
10 %
0
td tr
ton
V. puerta
50 %
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El tiristor
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin
del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las
restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su
capacidad de gobierno.
t off = t rr + t gr
dVf / dt
VF
dIr / dt 0
VR
If
t1 t2 t3 t4 t5 t6
0
Ir
trr tgr
toff
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El tiristor
+ + + + +
(a) (b) (c) (d) (e)
R R R Carga Carga R
S P C
S
R R
Th Th S Th Th Th P
C
- - - - -
Se fuerza a la corriente a pasar a travs del tiristor en sentido inverso, consiguiendo un tiempo de
descebado menor.
Circuito oscilante LC en paralelo: C cargado disparo del SCR C se descarga sobre SCR
en sentido directo por oscilacin del circuito LC, C se carga en sentido opuesto hasta que IR
(de carga) < IGT se produce el descebado (Fig. 1.11).
IGT
t
RL VC
t
E VTh
Th
L
t
IR ITh
+
- C t
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El tiristor
Circuito oscilante LC en serie: La I que circula al disparar el SCR excita al circuito LC, pasado
el 1er semiciclo de la oscilacin, la I se invierte y desceba el SCR (Fig. 1.12).
IGT
t
RL VC
Th
t
E VTh
L t
+
ITh
- C t
Conmutacin forzada por medios exteriores: circuitos que desceban al SCR sin depender del
tiempo en que se produjo el disparo. Los ms usados son:
Conmutacin por medio de C.A.: el SCR se desceba cada vez que cambia el sentido de la
tensin al semiperodo negativo (Fig. 1.13). La frecuencia no debe superar al tiempo de
conmutacin.
IGT
t
VC
t
RL
Th VTh
t
ITh
t
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El tiristor
Conmutacin por tiristor auxiliar: si T1 conduce y T2 est en corte C se carga por T1; cuando
T2 conmuta a conduccin T1 se bloquea C se carga por RL en sentido inverso; pasado un
tiempo tq, que depende de C y debe ser > toff del SCR la tensin en T1 (VT1) tiende a hacerse
positiva (Fig. 1.14).
(
VTh1 = V R L I( t ) = V 1 2e
t R LC
) t q 0 ,7 R L C
IGT1
t
IRL
RL R t
VTh1
C
E t
ITh1
+
Th1 Th2
t
IGT2
t
Fig.14.- Circuito de conmutacin por tiristor auxiliar.
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El tiristor
Para producir el disparo del SCR: IAK > IL . Para mantenerse en la zona de conduccin, por el
SCR debe circular IH , por debajo de la cual el SCR se bloqueara.
VFG (V)
SCR
R
+
V
R IFG (A)
Fig.15.- Circuito de control Fig.16.- Recta tangente a la curva
por puerta de un SCR de mx. disipacin de potencia
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El tiristor
La tensin de ruptura VBR (si se alcanza durante 10 ms, el SCR puede destruirse) permanece cte.
hasta un cierto valor de la Tra y despus disminuye al aumentar esta.
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El tiristor
dv/dt es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos
transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
A) CAUSAS
B) EFECTOS
A) CAUSAS
Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si
el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de
corriente puede alcanzar un gran valor.
Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor
(puntos calientes).
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El tiristor
B) EFECTOS
RS C
G L
V R
Clculo de R y C:
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El tiristor
2.- Hallamos el valor de Rmin que asegura la no superacin de la di/dt mxima especificada (a
partir de la ecuacin de descarga de C):
VA ( max )
R min =
( di / dt) C
Clculo de L:
VA ( max )
L=
( di / dt)
dv / dt
El valor de la frecuencia es: f =
2 VA ( max )
1 1
en resonancia: f= C=
2 LC ( 2f ) 2 L
L
El valor de R ser: Rs =
C
Tj Ta
Hallamos la potencia que disipa el dispositivo sin radiador: P( AV ) =
R ja
I T( RMS ) I T( RMS ) PL
a= I T( AV ) = I
I T( AV ) a T( RMS ) = V
e ( RMS )
Observando las curvas de disipacin de potencia (Fig. 1.19) obtenemos la potencia disipada sin
radiador, si esta es menor que la terica, el dispositivo necesita radiador.
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El tiristor
De dichas las curvas obtenemos el valor de la Rca ( contenedor-ambiente) que, para una Rcd
(contenedor-disipador) dada obtenemos el valor de la resistencia trmica del disipador:
R d = R ca R cd
0 .2
(derived from the left hand graph)
0.5
/C
= 30 a = 4 and the max. allowable tempera-
tures.
/C
60 2.8
40 90 2.2 61
120 1.9
180 1.6 1
/C
1.5
1.6 /C
2 /
1.9 C
2.2
3 /
C
20 2.8 4/C
93
5/C
7/C
125
0 10 20 50 100
IT(AV) (A) T amb. ( C)
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El tiristor
INDICE
1.1 ESTRUCTURAS Y CARACTERSTICAS generales 1
1.1.1 descripcin del semiconductor y estructura 1
1.1.2 modos de funcionamiento 2
1.1.3 caractersticas generales 2
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