EJERCICIOS INVERSORES DC-AC

PROFESOR: Ing. Luis Alejandro Arias

ESTUDIANTES: Briceth Tatiana Aponte Bello

Edwin Ortiz Sanabria

ASIGNATURA: Electrnica de potencia

FUNDACION UNIVERSITARIA AUTONOMA DE COLOMBIA

INGENIERIA ELECTROMECANICA
2016
 MARCO TEORICO

El inversor de voltaje es un sistema que convierte la tensin de corriente continua (en este caso los 12 voltios
de una batera), en un voltaje simtrico de corriente alterna, que puede ser de 220V o 120V, dependiendo del
pas o del uso que se le piense dar a este circuito. La frecuencia del inversor se calibra de acuerdo a la
frecuencia requerida por el aparato o electrodomstico que vallamos a alimentar o de la frecuencia usada
comnmente en la zona o pas.
El inversor se utiliza en infinidad de aplicaciones, que van desde pequeas UPS para computadores, hasta
aplicaciones industriales de alta potencia. Otra gran aplicacin de los inversores, es la de convertir la
corriente continua generada por los paneles solares (que es almacenada en bateras), en corriente alterna, para
luego ser utilizada en el hogar o la industria rural, reemplazando el servicio de la red pblica. Tambin a
partir del almacenamiento de energa en de bancos de bateras de 48 voltios, se usa en recreacin,
aplicaciones nuticas y alimentacin de sistemas de comunicaciones. A nivel casero se usa para la
alimentacin de televisores, reproductores de video y electrodomsticos en automviles.
Este inversor consta de un oscilador que controla unos transistores, los cuales switchean la corriente
proveniente de la batera, generando una onda cuadrada.
Esta onda cuadrada alimenta un transformador que eleva el voltaje (en este caso 120 voltios), y suaviza la
forma de la onda, para que parezca ms una onda senoidal. La forma de onda de salida un inversor ideal
debera ser senoidal, pero esto no es tan sencillo, se requieren bastantes componentes electrnicos para tratar
de lograr que una onda cuadrada simule satisfactoriamente a una onda senoidal. En este tutorial presentamos
un inversor sencillo de 150W, de onda cuadrada, con una respuesta bastante buena. Tiene un relevo, que
cambia su estado; de cargador de batera, a inversor y viceversa. Se pueden adicionar condensadores y
bobinas para suavizar la onda, aunque lo mejor es hacer otros diseos. Este proyecto de fabricacin casera
est diseado con fines educativos.
Los inversores ms modernos utilizan un tipo de transistores ms avanzados, llamados FET (transistores de
efecto de campo), que manejan cantidades de corriente muy superiores a los transistores comunes.
El 555 (Temporizador)

El 555 es un circuito integrado usado para generar oscilaciones y retardos de tiempo de precisin. En este
caso lo usaremos para hacer un oscilador astable (flip flop), que entrega en la pata 3 una onda cuadrada. La
frecuencia de trabajo se regula mediante dos resistencias externas y un condensador. En este caso usamos una
resistencia de 33K que va de la pata 8 (+Vcc) a la pata 7, que descarga el condensador externo del
temporizador, y un restato de 100K que va conectado entre la pata de descarga (7) y la pata (6) o entrada del
comparador interno del 555, que se utiliza para poner la salida a nivel bajo. El 555 entrega a la salida una
corriente de hasta 200 miliamperios que excita el circuito integrado CD4013BP.

El circuito integrado CD4013B es un flip-flop doble tipo-D, CMOS. Cada flip-flop se puede configurar con
datos, restablecimiento y entradas de reloj independientes. Como el 555 tiene problemas al hacer el semiciclo
negativo o estado bajo, usamos slo los semiciclos positivos del 555, para ordenarle al 4013 que genere una
onda cuadrada perfecta. La seal proveniente del 555, entra al 4013 por la pata 3 o reloj. En las patas 1 y 2 se
generan ondas cuadradas inversas. Es decir: cuando la pata 1 est en (0) o estado bajo, la pata 2 est en (1) o
estado alto y viceversa.
Los circuitos integrados 555 y CD4013, son alimentados mediante un regulador LM7805. Este regulador
pertenece a la familia de los reguladores de tensin positiva de tres terminales. Los reguladores de esta serie
tienen en la pata 1, de izquierda a derecha, la entrada de voltaje (Vi). La pata 3 corresponde a la salida de
voltaje (Vo), y la pata del centro o pata 2, corresponde a el tierra o masa comn. Para su correcta
identificacin hay que tener en cuenta que las dos primeras letras impresas en la superficie del componente,
corresponden las iniciales del fabricante. Los dos nmeros siguientes, en este caso 78, determinan la
polaridad de la tensin que maneja, para este caso es positivo y los ltimos dos dgitos, son el voltaje que
entrega a la salida, que son 5 voltios.

Retomando el recorrido de la seal, las seales cuadradas que entrega el CD4013 en sus patas 1 y 2, son
recibidas por dos transistores 2N3904. En este caso vemos su reemplazo en la fotografa. Los transistores de
polaridad NPN tienen su base es positiva. Esto quiere decir que al recibir la seal, slo conducen al momento
del semiciclo positivo o estado alto (1). El emisor de estos transistores est conectado a tierra por lo que al
momento de conducir, el colector se polariza negativamente, excitando la base de los transistores TIP125,
que sonPNP que slo conducen al recibir el semiciclo negativo o estado bajo (0).

Los transistores TIP125 son de silicio Epitaxial con una polaridad PNP. Son transistores de potencia de
configuracin Darlington, montados en encapsulado de plstico tipo A-220. Su uso ms frecuente es en
alimentaciones lineales y aplicaciones de conmutacin. Como su base es negativa, conducen cuando los
2N3904 entran en conduccin a tierra. Si observa el diagrama esquemtico que est en el archivo PDF, que se
entrega al final de este articulo, ver que el positivo tambin llega a la base de estos transistores, asegurando
que se mantengan cerrados, hasta que reciban la orden de los 2N3940.

Los TIP125, son los encargados de activar los transistores de salida. En este caso hemos utilizado TIP3055 de
polaridad NPN. La corriente positiva que va del emisor al colector de los TIP125, excita la base de los
TIP3055, haciendo oscilar los extremos del devanado primario del transformador, ya que estn conectados a
los colectores de los transistores de salida y los emisores estn a tierra. Como el TAP central del
transformador esta conectado a la batera, es en ese momento que la corriente DC se convierte en corriente
AC, para que el transformador pueda elevarla y entregar el voltaje deseado en su devanado secundario.

Debido a que los aparatos electrnicos trabajan a una determinada frecuencia, adems de los estndares de
frecuencia predeterminados de acuerdo a cada pas, es necesario calibrar la frecuencia del inversor, de
acuerdo a sus necesidades o requerimientos. El restato de 100K, fija la frecuencia del 555. Para el caso de
Colombia, la frecuencia debe ser de 60 hercios, ya que todos los aparatos que se consiguen, funcionan a esa
frecuencia. Para los pases que tienen un voltaje de 220V en la red pblica, normalmente trabajan a una
frecuencia de 50 hercios. Lo ms aconsejable es ver en la parte posterior de los electrodomsticos, la ficha
tcnica y cerciorarse de cual es la frecuencia adecuada para calibrar el inversor.

Para calibrar la frecuencia es necesario poseer un frecuencmetro. En la fotografa se pueden observar dos
terminales de cobre, uno al frente del primer transistor de potencia y el otro al frente del tercer transistor. En
esos terminales que es donde se conecta el transformador, podemos colocar las puntas del frecuencmetro, al
momento de graduar la frecuencia. Lo primero es colocar el restato en la mitad, encendemos el inversor,
medimos y con la ayuda de un destornillador, vamos girando el restato, hasta llegar a la frecuencia deseada.
Tambin podemos colocar las puntas de frecuencmetro a la salida AC del inversor.
Esto es muy importante, ya que hay aparatos que no trabajan bien si la frecuencia no est en su punto. Por
ejemplo los televisores al recibir una frecuencia diferente a la especificada por su fabricante, comienzan a
parpadear o a presentar unas rayas molestas sobre la imagen.

La construccin del transformador para este inversor, se realiza usando un ncleo de 3.2 centmetros, por 4
cm. Como la funcin de este transformador es la de elevar y no la de reducir el voltaje, se hace al contrario
que los transformadores convencionales. Primero de hace el devanado secundario, que ahora ser el primario.
Debe ser de 12x12 voltios, que equivale a 24 voltios con TAP central. Debemos dar 78 vueltas de alambre
calibre 15 o 14, detenindonos en la vuelta 39, para sacar el TAP central y luego dar las otras 39 vueltas.
El devanado secundario o de salida, depende del voltaje que queramos que entregue el inversor. Para un
voltaje de salida de 120 voltios AC, se deben dar 393 vueltas de alambre calibre 18. Para un voltaje de salida
de 220VAC, se deben dar 720 vueltas de alambre calibre 21, segn la tabla AWG. Si desea mas potencia
deber calcular el transformador, usando las frmulas dadas en nuestro articulo de clculo de
transformadores.

En la foto podemos apreciar tres terminales de cobre: El primero recibe el polo positivo de la batera o en
caso de usar el inversor como UPS, conectamos un cable del pin 1 del relevo (relay) a este Terminal. El
segundo terminal esta conectado al LED con su respectiva resistencia limitadora 560 ohmios. Este terminal
va al positivo de la batera, encendiendo el LED que indica que el inversor est encendido. La resistencia
limitadora del LED puede variar entre 470 ohmios y 1K. El tercer terminal es tierra o masa comn. En el se
conecta el polo negativo de la batera.
La tensin resultante en la salida es una onda cuadrada de amplitud VS inde- pendiente
de la intensidad para cualquier tipo de carga, cuya frecuencia est determi- nada por la
velocidad de cierre y apertura de los interruptores, y en los circuitos prc- ticos por la
frecuencia de los impulsos de excitacin de los semiconductores.
La intensidad de batera en este circuito es perfectamente continua e igual a
V S/R.

Ejemplo 7.1

Sea el circuito de la figura con transistores de paso autoexcitados, en

donde el nmero de espiras de cada devanado primario es de 30, la
intensidad de pico de cada devanado primario tiene un valor de 1 A.
La carga es resistiva y disipa 100 W a 220 V. En la batera C.C. tene mos una te n-
sin VS = 12 V.
Suponiendo las cadas nulas en el transformador y en los transistores, cal-
cular:
Na i 1 (t)
i o (t) a) Nmero de espiras del secundario
para obtener a la salida 220 V efica-
2 ces.
12V.
RL
2 c) Nmero de espiras del devanado
Q2 auxiliar de base de los transistores
i 2 (t) de forma que la corrie nte en dichas
Nb
bases sea die z veces menor que la de
pico de los cole ctores.
d) Dibujar las formas de onda de la
te nsin e intensidad de salida as
como las corrientes de cole ctor.
 SIMULACION

AIR_CORE_INDUCTOR
T2

Q1
R1
4 T1 1
2
3
X2
220 V
Q2
2 0

R2
2N1711
T3 2

BJT_NPN_VIRTUAL

AIR_CORE_INDUCTOR

Solucin:

El circuito esquematiza a dos transistores en contrafase que trabajan en satura-

cin.
Las bases de los transistores estn excitadas por las intensidades de los deva-
nados primarios.
Las relaciones de transformacin son:
N1 N 2
I 1 N1 I 2 N 2
V1 V2
a) Aplicando la relacin de transformacin:
N1 N 2 N1V 2 30 220
N2 550 espiras
V1 V2 V1 12

b) De la carga obtenemos:
P 100
P o R MS V o R MS
I o R MS
oR M S
0.45 A
V o R MS 220

De la relacin de transformacin:
I2 N2 0.45 550
I 1 N1 I 2 N 2 I1 8.3 A
N1 30

La intensidad de pico en los transistores, teniendo en cuenta la intensidad

magnetizante del devanado correspondiente dada en el enunciado, ser:

I P Q I 1 I m 8.3 1 9.3 A

c) Como la intensidad de base Ib Q de cada transistor debe ser diez veces me-
nor, tenemos que:

I
CQ 1 I 2 I 9.3
I bQ 0.93 A
10 10 10 10

De la relaci n de transformacin tenemos que:

N1 I1 30 8.3
N b I b Q N1 I 1 Nb 267 espiras N a
IbQ 0.93

d) Las formas de onda de la tensin e intensidad de salida as como las co-

rrientes de colector son las mostradas en las dos figuras siguientes:
 i c(t) = i 1 (t)

9.3A
8.3A

Q1 Q1 Q1
Fig.7. 5
Intensidad de colector.

v o (t)
220 V.

0 V. t

i o (t) Fig.7. 6
450 mA.
Tensin e intensidad de salida.
0 mA. t

7.2.2 BATERIA CON TOMA MEDIA.

Estado de los
VS Q1 transistores
2
i0 (t ) D1
180 36 0
CA RGA
R-L-C ON OFF ON OFF Q1
Q2 OFF OFF
VS ON ON Q2
D2
2
V Q1 t
Instante t 1
VS

V Q2 t
Q1
VS VS
= Vo Fig.7. 7
D1 2 Circuito inversor con batera de
2 D2 D2
Q1 Q1 i (t)
CA RGA
0
t toma media.
R-L-C Q2 Q2
Q2 D1 D1
VS -V
vo
D2
2 i REACTIVA

Instante t 2
 SIMULACION

BJT_NPN_VIRTUAL
Q1 D1
VS1 J1 1N4004
24 V
TEST_PT1

R L1 C1

2.4 0.05H
0.1F Q2
VS2 J2 D2
24 V 1N4004
TEST_PT1

BJT_NPN_VIRTUAL

Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la

salida:

Po1R MS Vo 1R MS I o1R MS cos 1 I 2

o1R MS R
2

2VS
R E 7. 8
2

2 2 1
R L
C
Ejemplo 7.2

Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, do n-

de VS = 48 V y la carga es resistiva y de valor R = 2.4 . Calcular:
a) La tensin eficaz de salida a la frecue n-
cia del fundamental Vo1(RMS) .
Vs Q1
2
b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .
CARGA c) La corriente media y de pico de cada
Vs
transis tor.
2 d) La tensin inversa de pico VQ (B R ) de blo-
Q2
queo cada transistor.
e) La distorsin armnica total THD.
f) El factor de distorsin DF.
g) El factor armnico y el factor de dis torsin del armnico de menor orden.
h) Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensin e intensidad en la
carga. Intensidades instantneas y media en los transistores. Anlisis e s -
pectral de Fourier. Listado de componentes de Fourier para la te nsin de
Salida. Comparar los resultados con los obtenidos tericame nte.

SIMULACION

BJT_NPN_VIRTUAL
Q1
VS1
24 V

2.4
Q2
VS2
24 V

BJT_NPN_VIRTUAL
Solucin:
a) Segn la ecuacin 7.6, la tensin eficaz de salida a la frecuencia del funda-
mental es:

V o1 R MS 0.45 48 21.6V
 b) La potencia de salida se calcula como sigue:
V o2R MS 24 2
Vo R MS S
V 48
24 V P o R MS 240W
2 2 R 2.4
c) La corriente de pico de cada transistor es:
V S 24
I pQ 10 A
R 2.4

Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente

media que circula por cada transistor es:

I QA V 0.5 10 5 A

d) La tensin inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:

V Q B R 2 24 48V

e) La distorsin total es:

1 1
THD V 2
on
V2 V2

o R MS o1 R MS
3, 5 , 7 ..
V o R MS
Vo1 n . 1

1
2 2
21.6 24 21.6 0.4834 48.34%
como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los dems armnicos aportan:

24 21.6 = 2.4 V

f) La tensin eficaz de todos los armnicos exceptuando la del fundamental

viene representado por VH y es:
2 2 2 2
n
oV o 3V o5 V V o7
VH n2

32 52

72
...

n 3,5 , 7...
 Como:
V o1 0.45 V S
Vo n Vo1 0.45 V s Vo n
n n

La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad

anterior en la expresin de VH , como:

0.45 0.45 0.45 0.45 2 0.45 2

2 2

VH V S 3 2 0.01712V S
...
33 5 73 93 113

El factor de distorsin, ser:

VH V
S
DF 0.01712 3.804 %
V o1 V o1

g) El armnico de orden ms bajo es el tercero (armnico que produce mayor

distorsin despus del fundamental):
V 21.6
V o 3 o1 V o3 R MS 7.2 V
3 3
Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):

V
o1

Vo 3 3 1
HF3 33.33%
Vo1 Vo 1 3

Factor de distorsin del tercer armnico:

V
o3 Vo1

3 23 1 3
DF3 3.704%
Vo1 Vo1 27

h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de ten-
sin alternas y desfasadas entre s 180 . Estas fuentes excitan a los transis-
tores a travs de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figu-
ra.
 Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de
la simulacin que proporcionamos ms abajo.
1

R g1
Vs 6 2 Q1
Los valores tomados de la simulacin son:
2 Vg1

0 CARGA 3 R = 2.4
Vg 1 = Vg 2 = 5 V
Vs R g2 Rg 1 = Rg 2 = 100
2 7 4 Q2 VS = 48 V
Vg2 f = 50 Hz
5

El listado para la simulacin se muestra a continuacin:

SIMULACION

BJT_NPN_VIRTUAL

Q1
VS1 Vg1 Rg1
24 V
5 Vpk 100
50kHz
R 0

2.4 Q2
VS2 Vg2 Rg2
24 V
100
5 Vpk
50kHz
0
BJT_NPN_VIRTUAL
(T7E2.CIR) SIMULACION DEL EJEMPLO 7.2
*CIRCUITO INVERSOR CON B ATERIA DE TOMA MEDIA

* Resistencias:
RG1 6 2 100 ; Resistencia de base del tra nsistor Q1
RG2 4 7 100 ; Resistencia de base del tra nsistor Q2
* Fuentes excitadoras de los transistores :
VG1 6 3 PULSE(5 0 0 0 0 10M 20M)
VG2 7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M)
* Fuente c.c. de toma media:
V1S/2 1 0 24
V2S/2 0 5 24
* Carga:
R 3 0 2.4
* Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL:
Q1 1 2 3 QMOD
Q2 3 4 5 QMOD
.MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P)
* Parametros para el analisis con Pspice:
.OP
.PROBE
.four 50 V(3,0) ; *ipsp*
.tran 1.000u .3 0 0 ; *ipsp*
.END
 La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona
Pspice con respecto a la terica se debe a que el programa slo tiene en cuenta, como
ya hemos mencionado, los nueve primeros armnicos.

Ejemplo 7.3

Dado el inversor monofsico de bat e ra de toma media de la figura,

donde VS = 600 V, R = 10 , L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz.
Calcular:
a) Intensidad mxima Io en la
i S1 (t) carga.
i Q1(t) b) Tiempo de paso por cero de la
Vs
2
Q1 D1 intensidad en la carga despus
R L de un semic iclo.
i o (t) i (t)
c) Intensidad media IQ(AV) por
D1

i (t)Q2 los transis tores.

Vs vo (t)
2 Q2 D2 d) Intensidad media ID(AV) por
iS2 (t) i (t) D2 los diodos.

SIMULACION

BJT_NPN_VIRTUAL Q1 D1
VS1 1N4004
300 V

R L1
10 0.05H
Q2
VS2 D2
300 V 1N4004

BJT_NPN_VIRTUAL
Solucin:

a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1 , la ecuacin de su malla se-

r:
VS di o t
o v t R i ot L
2 dt

y para el segundo intervalo tendremos:

VS di o t
vo t R i t Lo
2 dt
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
V t t

io t S 1 e I e
2
R
T

o
donde:

V 1e L
2
S 0.05
Io 0.005 seg.
2R T
R 10
1e 2

Como f = 50 Hz, tendremos un perodo T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad

mxima en la carga es:
0. 0 2

600
20.0 05
1 e
oI
22.85 A
2 10 0. 0 2
20.0 05
1e

b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io (t) lo obtenemos igualando

a cero la ecuacin que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuacin de Io .
Haciendo esto obtendremos como solucin:

2 2
t1 T ln 0.005 ln 2.83 mseg.
T

0 .0 2

1 e 2
1 e 20 .0 05

c) Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensin e intensidad viene

dado por:
L 2 50 0.05
g 57.51
arctg arct
R 10

El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teora y

viene dada por la ecuacin:

I 1 cos
o I 22.85 1 cos18057.51 5.6 A
 Q AV
2 2

d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:

I 22.85
I D A V o 1 cos 1 cos 57.51 1.68 A
2 2
Cuestin didctica 7.1

Dado un inversor monofsico con batera de toma media c omo el del

ejemplo 7.3 que alimenta con una tensin alterna de T = 8 mseg. a
una resistencia R = 25 en serie con una bobina L = 0.05 H a partir
de una tensin continua VS = 250 V. Calcular:

a) Intensidad de pico en la conmutacin.

b) Tiempo de conduccin del diodo.

c) Tiempo de conduccin del transis tor.

d) Inte nsidad media en el diodo.

Solucin:
a) Io = 2.91 A; b) tD on =1.278 mseg.; c) tQ on = 2.722 mseg.; d) ID(AV) = 214.36 mA

7.2.3 PUENTE MONOFASICO.

i 0 (t) i REACTIVA

T1 D1 Vo T3 D3 T1 D1 Vo T3 D3

VS X CARGA LC Y VS X CARGA LC Y

T2 T4 D4 T2 T4
D2 D2 D4

Instante t 1 Instante t 2

i REACTIVA
i 0 (t)

T1 Vo T1 D1 Vo D3
D1 T3 D3 T3
Fig.7. 1 2
VS X CARGA LC Y VS X CARGA LC Y Inversor mon of-
sico.
T2 D2 T4 D4 T2 D2 T4 D4

Instante t 3 Instante t 4
 SIMULACION

D5 D1 D7 D3
BT151_500R 1N4004 1N4004
BT151_500R

VS L1 C1
110 V
0.05H
0.1F
D6 D2 D8 D4
BT151_500R 1N4004 1N4004

BT151_500R

Ejemplo 7.4

En el circuito de la figura la batera VS = 48 V y la carga R = 2.4 ,

calcular:
a) Tensin eficaz del funda-
Q1 Q3 me ntal.
b) Potencia media en la carga.
D D3
1
c) Intensidad de pico y media
de cada transis tor.
VS d) Tensin inversa de pico
CARGA
Q4 Q2 VQ (B R ) de bloqueo de los
D4 D2 transis tores.
e) Distorsin armnica to tal
THD.
f) Factor de distorsin DF.
g) Factor armnico y factor de distorsin del armnico de me nor orden.
h) Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instant-
nea en Q 1. El anlisis de Fourier que proporciona el programa. Comparacin
con los datos tericos .
 SIMULACION

Q3
Q1 D1 D3
1N4004 1N4004

2N2222A
2N2222A
VS R
48 V
2.4

Q4
Q2
D4
D2 1N4004
1N4004
2N2222A
2N2222A

Solucin:

a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin 7.11 y es:
V o1 R MS 0.90 48 43.2 V

b) La potencia media entregada a la carga viene dada por la ecuacin genri-

ca:
V 2 S 48
2

o AV P 960 W
R 2.4
c) La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:
48
I PQ 20 A
2.4

Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la
intensidad media de cada rama es:
20
I Q A V 10 A
2
 d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
V B R 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesita-
mos conocer la tensin aportada por todos los armnicos.

Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los dems armnicos aportan:

48 - 43.2 = 4.8 V

1 1
THD Vo n 2
V oR2 MS Vo1 R MS2
Vo 1 n 3 , 5 ,7... Vo 1R MS
1
48 2 43.2 2 48.43%
43.2
f) El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:
V o n 1 Vo 3 V
2
1 o5 0.3424
S V
DF 2 ... 3.804%
V o1 n 3, 5... n 2
2
Vo 1 32 52 0.9 V S

g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:

Vo1
Vo 3
3
V o3 1
HF3 33.33%
V o1 3
o 3V

3 21
DF3 3.704%
V o1 27

La tensin de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensin de salida

para inversores con batera de toma media e inversores en puente monofsico son las
mismas, sin embargo, para el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces
mayor y la componente del fundamental es el doble que en el inversor con batera de
toma media.

h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensin alter-

na Vg con sus respectivas resistencias en serie Rg.
 TERICO PSPICE
Apartado Dato Grfica Dato
a) Vo = 220 V (7.15) Vo = 221.808 V
b) Io = 18.4 A (7.15) Io = 20.298 A
b) Io(RMS) = 13.01 A (7.18) Io(RMS) = 12.92 A
f) IQ(AV) = 3.845 A (7.19) IQ(AV) = 4.706 A
a) Io 1 = 18.1 A listado comp. Four. Io 1 = 18.02 A
a) Io 3 = 3.17 A listado comp. Four. Io 3 = 2.726 A
a) Io 5 = 1 A listado comp. Four. Io 5 = 1.040 A
c) THD = 18.28% listado comp. Four. THD = 16.58%

En el listado de componentes de Fourier se ve que prcticamente no existe

componente continua para la seal analizada. Tambin se puede comprobar que el
THD es menor que el terico debido a las causas me ncionadas en el ejemplo 7.2.

Ntese que a partir del quinto armnico (en el listado) la amplitud que se pre-
senta para cada uno de ellos es tan pequea que no es significativo introducirla en los
clculos tericos.

Ejemplo 7.6

En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los

siguientes datos: VS = 200 V, R = 30 , L = 0.16 H y T = 12.5 mseg.
Calcular:
i Q3(t ) a) La intensidad de pico
i Q1 (t )
en la conmutacin.
i S (t ) D3
D1
Q3
b) El tiempo de conduc-
Q1 v o (t)
io (t)
cin de los diodos.
VS CARGA c) El tiempo de conduc-
i Q4 (t ) i Q2(t ) cin de los transisto-
res.
D4 D2
d) La intensidad media
Q4 Q2
suminis trada por la
fuente.
e) La potencia media en
la carga.
 SIMULACION

Q3
Q1 D1 D3
1N4004 1N4004

2N2222A
2N2222A
VS R
200 V
30

Q4
Q2
D4
D2 1N4004
1N4004
2N2222A
2N2222A

Solucin:

a) La constante de tiempo para este circuito es:

L 0.16
5.33 mseg
R 30
por tanto, la intensidad de pico es:
T 0 .0 12 5

VS 1 e 2 200 1e 20 .0 05 3 3
I A
T
o
R 30 0 .0 12 5
3.51
1e 2
1e 2 0. 0 05 3 3

b) El tiempo de conduccin de cada diodo ser:

L 2 0.16
arctg arctg 69.54
R 30
0.0125

69.5412.5
tD on 2.41 mseg.
360
c) El tiempo de conduccin de cada transistor ser:

tQ o n 6.25 2.41 3.84 mseg.

 d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los clc u-
los se efectan del siguiente modo:
I 3.51
I D ( A V ) o 1 cos 1 cos 69.54 0.36 A
2 2

1 cos
Io 3.51
I Q( AV ) 1 cos180 69.54 0.75 A
2 2

La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los
transistores menos la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
I S A V 2 I Q ( A V ) I D A V 2 0.75 0.36 0.78 A
 e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batera y
es:
Po A V I S A V VS 0.78 220 171.6 W

7.2.4 PUENTE TRIFSICO.

El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan

una elevada potencia a la salida.

Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros,
sin embargo, los secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como se
muestra en la figura 7.21.

Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella

para de esta forma eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3,6,9...) de la tensin de
salida.
a a
R R R
R R n
b R Fig.7. 2 1
Formas de conexi n.
b
c c
(a) Conexin en (b) Conexin en
tringulo estrella

Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y

seis diodos como se muestra en la figura 7.22.

Q1 Q3 Q5
Q1 Q3 Q5

g1
VS b c
 a
Q4 Q6 Q2
Q4 Q6 Q2
Fig.7. 2 2
Inversor trifsico.
 SIMULACION

Q1 D1 Q3 Q5
1N4004 D3 D5
1N4004 1N4004

2N2222A 2N2222A
VS J1 J2 2N2222A J3
200 V
TEST_PT1 TEST_PT1 TEST_PT1

Q4 Q6
Q2 D4 D6
D2 1N4004 1N4004
1N4004
2N2222A
2N2222A 2N2222A

donde:

n L
1
n C
n arctg E 7. 21
R

Ejemplo 7.7

El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella

de valor R = 5 y un valor de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es
f = 33 Hz y la tensin C.C. de e ntrada es VS = 220 V.
a) Expresar la tensin instant-
1
Q Q 3
Q
D
5nea de lnea va b(t) y la inten-
Vs D D 5
2
1 3
sidad de lnea i a (t) en s e ries de
a b c Fourier.
Q Q Q
b) Determinar la tensin de l-
Vs 2 6 2

2 2
D D D 6 nea eficaz VL(RMS) .
2

c) La tensin de fase VF(RMS) .

d) La tensin de lnea eficaz a la
R S
frecuencia del fundame ntal
Conexin de la carga
en estrella
L
L
S
T
VL1(RMS) .
L RR T e) La tensin de fase eficaz a la
R
R
frecuencia del fundame ntal
VF1(RMS) .
f) La distorsin armnica total THD.
g) El factor de distorsin DF.
h) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
i) La potencia activa en la carga Po(RMS) .
j) La corriente media de la fuente IS(AV) .
k) PROPUESTO:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fa-
se y de lnea en la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad ins -
tantnea del diodo D 1 . Comparacin de la intensidad de base de los transistores.
Tensin eficaz de lnea, de fase e intensidad eficaz en la carga. Anlisis espe ctral
de la tensin de lnea y componentes de Fourier de sta.
 SIMULACION

Q1 Q3 Q5
D1 D3 D5
VS1 1N4004 1N4004 1N4004
110 V 2N2222A
2N2222A
2N2222A

VS2 Q2 Q4 Q6
110 V D2 D4 D6
1N4004 1N4004 1N4004

2N2222A
2N2222A 2N2222A
R1
5

L1
23mH
R2 L2 L3 R3

5 23mH 23mH 5

Solucin:

a) La tensin instantnea de lnea vab (t) viene dada por la ecuacin 7.13:

2 33 207 rad / seg.

V n
va b t 4 S
cos sen n t
n 1, 3 ,5...
n 6 6
v a b t 242.58 sen207 t 30 48.52 sen 5207 t 30 34.66 sen 7207 t 30
22.05 sen11207 t 30 16.66 sen13207 t 30 14.27 sen17207 t 30 ...
2
ZL R n L2 5 2 8.67 n 2

n L 8.67
n
arg arctg
R 5

Usando la siguiente ecuacin podemos obtener la intensidad instantnea de

lnea ia(t):

4 VS n
i a (t ) cos senn t n
2
L2 6
3n
n1 ,3, 5... R n

donde:
n L
n arctg
R

por lo que nos queda:

i t 14 sen207 t 43 .6 0.64 sen 5 207 t 78.1 0.33 sen 7 207 t 81. 4

a
0.13 sen 11 207 t 84 .5 0.10 sen 13 207 t 87.5 0. 06 sen 17 207 t 86.4 ...

b) De la ecuacin 7.15 obtenemos que:

V L( R MS ) 0.8165 220 179.63V

c) Aplicando la ecuacin 7.18 tenemos que:

179.63
V F ( R MS ) 103.7 V
3

d) De la ecuacin 7.17 obtenemos:

4 220 cos 30
V L1( R MS ) 171.53V
2
 e) Aplicando nuevamente la ecuacin 7.18 obtendremos la tensin eficaz de
fase del fundamental:
171.53
V F1( R MS ) 99.03 V
3

f) De la ecuacin 7.15 obtenemos:

V L1( R MS ) 0.8165 VS V Ln 2 VL2 VL1 2 0.2423 VS
n 5, 7 ,1 1...

0.2423 V
S
THD 29.65%
0.8165 VS
g)


2
VLn 0.00667 VS
V LH 2
0.00667 VS DF1 0.81%
n 5 , 7 ,1 1... n 0.8165 V
S

h) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configura-

cin trifsica se eliminan los armnicos de orden triple:
V
V L5 ( R MS ) L1( R M S ) 171.53 34.306 V
5 5

VL 5 1
HF5 20%
V L1 5

V L5 1
DF
5
0.8%
V L1 52 125

i) Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de l-

nea eficaz IL(RMS):
I L 14 2 0.64 2 0.332 0.132 0.10 2 0.06 2 14.01 A
 IL
I L( R MS ) 9.91 A
2

Po R MS 3 I2 L R MS R 3 9.91 2 5 1473 W

j) La intensidad media de la fuente la obtenemos a partir de la potencia:

P 1473
oR MS
S AV I 6.7 A
VS 220

k) El listado para el circuito empleado en la simulacin se muestra a conti-

nuacin:

(T7E7.CIR) SIMULACION DEL EJEMPLO 7.7

*CIRCUITO INVERSOR TRIFASICO PARA 180 GRADOS DE CONDUC-
*CION CON CARGA RL.
* Defini cion de tr ansist ores mediant e .MODEL:
Q1 1 2 3 QMOD
Q4 3 4 17 QMOD
Q3 1 5 6 QMOD
Q6 6 7 17 QMOD
Q5 1 8 9 QMOD
Q2 9 10 17 QMOD
.MODEL QM OD NPN (IS=6.734F BF=416.4 CJC=0 CJE=0)
* Definic ion de diodos mediant e . MODEL:
D1 3 1 DMOD
D4 17 3 DMOD
D3 6 1 DMOD
D6 17 6 DMOD
D5 9 1 DMOD
D2 17 9 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.2E-15 BV=1800V TT=0)
* R e s is t e nc i a s d e b a s e d e l o s t r a ns i s t or e s :
RG1 2 11 100
RG4 4 12 100
RG3 5 13 100
RG6 7 14 100
RG5 8 15 100
RG2 10 16 100
* F ue nt e s e xc it a do ra s d e l os tr a ns is t or es :
VG1 11 3 PULSE(0 50 0 0 0 15M 30M)
VG6 14 17 PULSE(0 50 25M 0 0 15M 30M)
VG3 13 6 PULSE(0 50 10M 0 0 15M 30M)
VG2 16 17 PULSE(0 50 5M 0 0 15M 30M)
VG5 15 9 PULSE(0 50 20M 0 0 15M 30M)
VG4 12 17 PULSE(0 50 15M 0 0 15M 30M)
* Fu e n t es d e c o n ti n u a :
Ejemplo 7.8

El inversor trifsico de la figura est alimentado con una fuente conti-

nua de valor VS = 200 V. La carga, que se conecta en estrella, es resis-
tiva y de valor R = 10 . Determinar: La intensidad eficaz en la carga,
la intensidad eficaz en los transistores y la potencia en la carga para:
a) Un ngulo de conduccin de 120 .
b) Un ngulo de conduccin de 180 .

Q1 Q3 Q5
D1 D3 D5

a b c
Vs
Q4 Q6 Q2
D4 D6 D2 Solucin:

a) Como vimos en teora, segn

RS que tipo de modo de funciona-
n miento tengamos, obtendremos
RR RT
en la carga unas tensiones de fa-
se de:

VS
V F Va n Vb n V cn 0
2

SIMULACION

Q1 Q3 Q5
D1 D3 D5
1N4004 1N4004 1N4004
2N2222A
2N2222A
2N2222A

VS Q2 Q4 Q6
200 V D2 D4 D6
1N4004 1N4004 1N4004

2N2222A
2N2222A 2N2222A
R1
10
R2 R3

10 10
egn esto, tendremos dos intensidades de fase iguales en mdulo aunque de distinto sentido, siendo la
tercera nula:
V 200
FI Ia I b S 10 A
2R 2 10

por tanto, la intensidad eficaz de fase ser la media geomtrica de las tres intensidades
mximas de cada fase, por lo que resulta:
I 2 I2 I 2 102 10 2 02
a b c
I A
8.16
F R MS
3 3

De esta ecuacin podemos obtener la intensidad eficaz de cada transistor de la

siguiente forma:
IF 10
I Q R MS 5.8 A
3
 La potencia eficaz en la carga en funcin de la intensidad eficaz de fase viene
dada por la frmula siguiente:
Po R MS 3 I 2 F R MS R 3 8.16 2 10 2000 W

b) De forma parecida al apartado anterior, para un ngulo de conduccin de 180

dependiendo del modo de funcionamiento en que trabaje el inversor, tendre-
mos unas tensiones de fase dadas por:
VS 2V S
V F V a n Vcn V F Vb n
3 3
por lo que las intensidades de fase:
2 VS 2 200 VS
FI Ib 13.33 A IF I a I c 6.67 A
3R 3 10 3R

Las intensidades eficaces de fase sern la media geomtrica de la mxima que

recorre cada transistor:
2 2 2 2 2 2
I a Ib I c 6.67 13.33 6.67
9.43 A
3 3

Como conducen tres transistores en cada modo de funcionamiento, la intensi-

dad eficaz de cada uno de ellos ser:

I F R M S 9.43
6.67 A
2 2

La potencia eficaz de salida en funcin de la intensidad eficaz de fase viene

dada por:

Po R MS 3 I F R MS2 R 3 9.43 2
10 2668W

Se puede comprobar que tanto las tensiones, intensidades como la potencia

son mayores para un inversor trifsico con un ngulo de conduccin de 180 que para
uno con 120 .
 Simulacin con componentes reales.
Simula un circuito inversor en puente monofsico utilizando:
Transistores: 2n2222
Diodos: 1n4001
Resistencias de base: R g 1 = ... = R g 4 = 10 .
Carga RLC: R = 0.5 , L = 310.5 mH, C = 47 F.
VS = 12 V.
Se desea que la frecuencia de salida sea f = 50 Hz, y para ello excitamos
los transistores con un circuito digital de control cuya salida se caracteriza por:
VoH(typ) = 5.4 V. tr = 60 ns.
VoL(typ) = 0.2 V. tf = 60 ns.
Obtener la grfica de la intensidad en la carga.

Solucin:

D at e/ T i m e r un : 02 / 1 3/ 9 6 17 : 27 : 2 2 T emper ature: 27.0

1.0 A

0.5 A

0A

-0.5A
Fig.7. 3 1
Intensidad en la
carga.

-1.0A
0s 5 0m s 100ms 150m s 2 00m s 250m s 300ms
I(R)
T ime
 SIMULACION INVERSOR MONOFASICO CON ELEMENTOS REALES

D3 Q3
Q1 D1 R2
R1 1N4004
1N4004
10
10 2N2222A
2N2222A
VS R L1 C1
200 V
0.5 310.5mH
47F
Q2 D4 Q4
R3 D2 R4
1N4004 1N4004
10 10
2N2222A 2N2222A