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Conclusin
Se obtuvieron las curvas caractersticas del transistor de unin bipolar NPN la cual
est conformada por los valores de VCE e IC; en el eje horizontal irn los valores
del voltaje, mientras que en el eje vertical estn los valores de la corriente. Adems,
mediante este experimento se logr apreciar la zona de saturacin; zona hace que
se comporte parecido a un corto-circuito y la de corte; que hace que se comporte
como un circuito abierto. Tambin se confirm que el valor del parmetro beta difiere
de transistor en transistor, aun cuando sea del mismo tipo. Y se comprob que este
valor vara el punto de operacin de los transistores directamente. Por esto Se
deber tomar en cuenta el factor beta del transistor, para realizar los clculos
adecuadamente.
Introduccin
, adems de esto es importante tener en cuenta la distribucin de patillas del
transistor que se usa. En este informe hablaremos principalmente de las curvas
caractersticas del transistor de unin bipolar 2n2222 en configuracin NPN. El
transistor de unin bipolar posee 3 puntos de operacin los cuales son: regin de
saturacin, regin lineal y regin de corte. La regin de saturacin es la zona en la
que el transistor opera con corriente que puede ser alta y voltaje muy bajo. Es decir,
llevar el transistor a operar en esta regin, hace que se comporte parecido a un
corto-circuito. La regin de corte es la zona en la que la corriente es baja, tiende a
cero, sin importar cuanto aumente el voltaje entre colector y emisor. Es decir, llevar
el transistor a operar en esta regin, hace que se comporte como un circuito abierto.
La regin lineal es la zona En esta regin es donde se cumplen las condiciones de
ganancia de corriente () y el transistor presenta un comportamiento lineal. En esta
regin se desarrollan aplicaciones como amplificadores, controladores de
actuadores, monitoreo de sensores, etc. Una recomendacin de uso en esta regin,
consiste en no llevar el transistor hacia la esquina superior derecha, donde los
niveles de potencia (V*I) son elevados y podran daar al transistor. Al final de este
laboratorio se calcul la resistencia dinmica y la resistencia esttica del transistor
utilizado, esto se logr empleando una corriente de 36,35uA ya que nuestro
transistor no nos permita llegar a la corriente que se solicitaba en el instructivo que
era de 200ua ya que para este valor de corriente el transistor empleado ya se
ubicaba en la regin de saturacin.
Introduccin 2.1
Un transistor tiene cuatro regiones de operacin distintas: activa, corte,
saturacin y disrupcin.
Imagen cur 1
La curva de la Figura 1 presenta diferentes regiones en las que el
funcionamiento del transistor vara. La primera de ellas es la regin intermedia
donde VCE toma valores entre 1 y 40 V, y tiene lugar el funcionamiento
normal del transistor. En esta regin, el diodo de emisor est polarizado en
directa y el diodo de colector est polarizado en inversa. Adems, el colector
captura casi todos los electrones que el emisor ha inyectado en la base. Por
esta razn, los cambios en la tensin del colector no tienen efecto en la
corriente de colector. Esta regin es la regin activa. Grficamente, la regin
activa es la parte horizontal de la curva. En otras palabras, la corriente de
colector es constante en esta regin.
Para esta resistencia hay que tener en cuenta que cuanto mayor sea la corriente a travs de
un diodo, menor ser el nivel de resistencia de cd.
Resistencia dinmica
Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de cd, la situacin cambiar por completo.
La entrada variable mover el punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo de
una regin de las caractersticas, y por lo tanto define un cambio especfico de la corriente y
voltaje. Esta resistencia se llama resistencia dinamica se calcula empleando la siguiente
ecuacin:
Para esta resistencia hay que tener en cuenta que cuanto ms bajo est el punto de
operacin (menor corriente o menor voltaje), ms alta es la resistencia de ca.
Circuito de medicin