ELECTRNICA

FUNDAMENTOS
Fundamentos de electrnica
Materiales semiconductores
Dispositivos de estado slido
Diodos
Diferentes tipos de diodos
Fotodispositivos
Transistores de unin bipolar
Configuraciones comunes y acoplamiento de impedancias
Transistores de efecto de campo
Transistores de efecto de campo MOS
Fundamentos de electrnica

Transistores 1948

Circuitos integrados 1962

Microprocesador 1974

Microcontrolador 1982

FPGA 1985
Teora de Demcrito (460370 a. C.)
El universo est formado por espacio vaco y un nmero (casi)
infinito de partculas indivisibles, que se diferencian unas de
otras en su forma, posicin, y disposicin Toda la materia
est hecha de partculas indivisibles llamadas tomos.
Teora atmica de Dalton (1766-1844)
Los elementos estn formados por partculas muy pequeas e
indivisibles llamadas tomos.

Todos los tomos de un elemento dado son iguales.

Los tomos de diferentes elementos son distintos.

Los tomos son indestructibles y retienen su identidad en los

cambios qumicos.

Los compuestos se forman cuando tomos de diferentes elementos

se combinan entre s, en una relacin sencilla de nmeros enteros,
formando entidades definidas (molculas).
 tomos y molculas
En 1860 S. Cannzzaro ampli la investigacin de Avogadro en la concentracin
molecular de gases y as fue posible distinguir entre tomos y molculas.
Electrn

Neutrn

Protn

tomo de hidrgeno

tomo de oxgeno Molcula de agua

Modelo del tomo
Los modelos tratan de explicar cmo estn formados y
ordenados los elementos que constituyen un tomo.
Modelo atmico de: Dalton, Rutherford, Bohr y Schrdinger.

Modelo atmico de Schrdinger

 Modelos atmicos
De Rutherford. La carga positiva y la
mayora de la masa estn concentradas
en el ncleo. La mayor parte del
volumen total de un tomo es un
espacio vaco donde se encuentran los
electrones movindose alrededor del
ncleo.

Neutrn
De Bohr. Los electrones se encuentran Electrn

Protn
en diferentes niveles de energa.
Partculas sub-atmicas
Partcula Masa Carga Smbolo Localizacin Ao
(u.m.a.)* desc.

Electrn 0.00055 -1 0e Periferia 1897

-1

Protn 1.00728 +1 1p Ncleo 1919

1

Neutrn 1.00867 0 1n Ncleo 1932

0

* u.m.a. = Unidad de masa atmica

1 u.m.a = 1.67 x 10-27 Kg
 Smbolo nuclear
NMERO ATMICO. (H.G. Moseley, 1914) Nmero caracterstico de
carga positiva (Z) o nmero de protones que tienen los tomos en el
ncleo, que es lo que distingue unos elementos qumicos de otros. En la
tabla peridica actual de los elementos sus propiedades qumicas y fsicas
estn en funcin de su nmero atmico. El nmero atmico se coloca
como subndice a la izquierda del smbolo del elemento correspondiente.
Si un tomo es neutro, el nmero de electrones coincide con el de
protones y este valor est dado por Z.

NMERO MSICO. Indica el nmero total de partculas que hay en el

ncleo, es decir, la suma de protones y neutrones; la masa de los electrones
es tan pequea que se desprecia. ste nmero se representa con la letra A y
se sita como superndice a la izquierda del smbolo del elemento. La masa
del tomo se mide en uma. Por ejemplo, un tomo de sodio, con 11
protones en su ncleo y 11 electrones en su corteza (es neutro). Tiene 23
11 = 12 neutrones.
El nmero atmico junto al nmero msico definen la identidad y las
propiedades de cada uno de los diferentes tomos.
 Propiedades peridicas
Radio atmico (R.a). Mitad de la distancia entre 2 ncleos atmicos adyacentes de un elemento.
Volumen atmico (V. A.). Volumen que ocupa un mol de tomo del elemento considerado. Se obtiene segn
la ecuacin: Volumen del tomo = masa atmica/densidad . Unidades: volumen por mol (cc/mol, por
ejemplo). Mol Unidad con que se mide la cantidad de sustancia.
Energa de ionizacin (E. I.). Energa que hay que suministrar a un tomo neutro, gaseoso y en estado
fundamental para arrancarle el electrn ms externo, que est ms dbilmente retenido, y convertirlo en un
catin positivo gaseoso.
Afinidad electrnica (A. E.). Medida de la variacin de energa cuando se aade un electrn a un tomo
neutro para formar un ion negativo. Por ejemplo, cuando un tomo de cloro neutro en forma gaseosa recoge
un electrn para formar un ion Cl-, libera una energa de 349 kJ/mol 3,6 eV/tomo.
Electronegatividad, X. Medida que demuestra la capacidad de un tomo para atraer para s los electrones
que corresponden a otro tomo cuando ambos conforman un enlace qumico. Este enlace es un tpico proceso
qumico a cargo de las interacciones que se producen entre tomos, iones y molculas.
Metlico/no metlico. Los metales son slidos a temperatura ambiente (excepto el mercurio). reflejan la
luz de una forma caracterstica (brillo metlico), son dctiles (pueden deformarse plsticamente de manera
sostenible sin romperse, permiten la obtencin de hilos) y maleables (propiedad de la materia que puede ser
labrada por deformacin, se pueden hacer planchas o lminas con ellos). Los no metales no tienen brillo
metlico, pueden ser slidos, lquidos o gases a temperatura ambiente, no conducen la electricidad y, en
general, son frgiles.
Tabla peridica de los elementos qumicos
Bandas de valencia
Los enlaces qumicos entre los tomos de los elementos se
efectan en estrecha relacin con la cantidad de electrones
que posean en la ltima rbita.
Los tomos tienden a tener 8 electrones en la ltima capa
(regla del octeto).

Banda prohibida
Nmero mximo de electrones por
nivel de energa
Actualmente se tienen 7 niveles de energa, de K a Q, aunque
tambin se dispone de un nuevo mtodo llamado "el nmero
cuntico principal (n)" donde el nivel de energa va de 1 a 7.
Cada nivel de energa puede tener hasta un mximo de
electrones como se describe en la tabla siguiente.
No. Mximo de electrones 2 8 18 32 32 18 8
1 2 3 4 5 6 7
Nivel de energa
K L M N O P Q

El nmero mximo de electrones se puede determinar

mediante la expresin: _ = 2 , n = 1, 2, 3 y 4,
_ =2 9 , n = 5, 6 y 7.
Niveles y subniveles de energa
Cada nivel tiene sus electrones repartidos en distintos subniveles (orbitales): s (1), p
(3), d(5), f (7).
Cada orbital puede contener, como mximo, 2 electrones.
As, si hay 1 orbital tipo s, 3 orbitales tipo p, 5 orbitales tipo d y 7 del tipo f, el nmero
mximo de electrones que admite cada subnivel es: 2 en el s, 6 en el p (2 electrones x
3 orbitales), 10 en el d (2 x 5) y 14 en el f (2 x 7).
Distribucin de electrones por nivel de
energa
Nmero de Electrones
Nmero
Elemento Smbolo oxidacin o por nivel de
atmico
valencia energa
Hidrgeno H 1 +1, -1 1
Oxgeno O 8 -2 26
Nen Ne 10 (no tiene) 28
Sodio Na 11 +1 281
Silicio Si 14 -4, +2, +4 284
Cloro Cl 17 -1, +1, +3, +5, +7 287
Hierro Fe 26 +2, +3 2 8 14 1
Cobre Cu 29 +1, +2 2 8 18 1
Plata Ag 47 +1 2 8 18 18 1
Oro Au 79 +1, +3 2 8 18 32 18 1
Iones
Los iones son tomos con exceso o defecto de electrones.

Ion negativo, tomo con exceso de electrones.

Ion positivo, tomo con defecto de electrones.

Ejemplo. El sodio tiene un electrn en la banda de valencia,

mientras que el cloro tiene 7 electrones en esta banda. Si el sodio
cede el electrn al cloro, ambos elementos quedarn con 8
electrones en su ltima capa.
En este caso el tomo de sodio ha perdido un electrn y se ha
transformado en un ion positivo.
Por otro lado, el cloro ha ganado un electrn y se ha transformado
en un ion negativo.
Diferentes tipos de enlaces
Enlaces qumicos que ocurren entre tomos de elementos simples:
Enlace inico o electrovalente
Enlace covalente
Enlace metlico
Enlace inico o electrovalente. Debido a la fuerza de atraccin que se ejerce entre
los iones con cargas de signo contrario (positivas y negativas), se originan enlaces inicos
o electrovalentes, que dan lugar a la creacin de molculas de elementos qumicos
compuestos. Por ejemplo, las cargas de un ion cloro negativo (Cl) o anin y la de un ion
sodio positivo (Na+) o catin, se atraen mutuamente para dar lugar a la formacin de una
molcula de cloruro de sodio, ms conocida como sal comn (NaCl).
Enlace covalente. Ocurre cuando dos tomos comparten sus electrones como, por
ejemplo, cuando se unen dos molculas de hidrgeno (H + H = H2) u otros elementos
similares, como el nitrgeno (N2), oxgeno (O2), cloro (Cl2), etc.
Enlace metlico. Se efecta cuando los electrones que se encuentran girando en la
ltima rbita de los tomos de un metal se mueven por una estructura molecular,
mantenindola unida como ocurre, por ejemplo, con el cobre: Cu
SEMICONDUCTORES

Conductores

Semiconductores

Aislantes
Materiales semiconductores

Intrnsecos. Materiales sin impurezas o tomos de otros

elementos.

Extrnsecos. Materiales con impurezas o tomos de otros

elementos.
Materiales intrnsecos y extrnsecos

Material intrnseco

Semiconductor de tipo N Semiconductor de tipo P

Materiales extrnsecos
Corriente elctrica

En un conductor est dada por los electrones.

En un semiconductor est dada por los

electrones y por los huecos, y dependiendo del
tipo de semiconductor (N P) los electrones y
los huecos pueden ser portadores mayoritarios
o minoritarios.
Semiconductores ms comunes
Los semiconductores ms comunes para la fabricacin de
dispositivos electrnicos son el Silicio (Si), el Germanio (Ge) y el
Arseniuro de Galio (GaAs).

El Silicio posee 14 electrones (2, 8, 4), con 4 en la capa de

valencia, el Ge tiene 32 (2, 8, 18, 4), mientras que el Ga tiene 31
(2, 8, 18, 3) y el As tiene 33 (2, 8, 18, 5).

Para que un electrn pase de una capa a otra en un tomo requiere

absorber o emitir energa. Las capas ms cercanas al ncleo
requieren ms energa y, de manera inversa, las ms alejas
requieren menos energa.
Estructura atmica del Si y del Ge

Capas

Ncleo

Electrones en rbita

Electrones de valencia (4)

LED. Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).

Impurezas
Impurezas para semiconductor tipo N: Fsforo (15: 2, 8 y 5) y
Antimonio (51: 2, 8, 18, 18 y 5). Tienen 5 electrones en la banda de
valencia.
Impurezas para semiconductor tipo P: Boro (5: 2 y 3) e Indio (49: 2,
8, 18, 18 y 3).Tienen 3 electrones en la banda de valencia.

Semiconductor de tipo N Semiconductor de tipo P

Estructura cristalina del silicio
Niveles de energa
Energa

Banda de valencia (externa)

Niveles de energa
Bandas sin energa

Silicio (Si) = 1.1

Germanio (Ge) = 0.67
Ncleo del tomo Arseniuro de Galio (GaAs) = 1.41

Energa Energa Energa

Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda de conduccin
>5
Traslape de Banda de valencia
Electrones Banda de valencia bandas
Banda de valencia

Dielctrico Semiconductor Conductor

Dopado (materiales tipo N y tipo P)
Cationes Aniones
+ + +
+ + + Portadores Portadores

+ ++ +
mayoritarios
+ + + mayoritarios

+ Portadores + + Portadores
++ + + + minoritarios + + minoritarios
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

Energa Debido a la fabricacin, los

materiales tipo N y P no estn
Banda de conduccin
distribuidos de manera uniforme.

Extrnseco
Intrnseco Silicio (Si) = 0.005
Silicio (Si) = 1.1 Germanio (Ge) = 0.01
Banda de valencia
Germanio (Ge) = 0.67

Semiconductor

Efecto de las impurezas sobre los niveles de energa

La unin NP

Una de las estructuras ms sencillas de los dispositivos

semiconductores es la unin NP o diodo de unin la cual consta de
la unin de un material de tipo N con uno de material tipo P.
Un material tipo N o tipo P, cuando se considera de manera
separada, est en equilibrio inico.
En la unin de los materiales N y P se produce una combinacin
de huecos y electrones lo que da origen a una barrera que se
opone al flujo de portadores (por difusin).
Regin de agotamiento
++ + +
+
+ + ++
++ + + +

+ ++ La carga en una regin es
++ + + + + igual a la densidad de
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P carga multiplicada por la
unidad de longitud.
El diodo de unin NP
nodo Semiconductor tipo P.
Ctodo Semiconductor tipo N.
Ecuacin del diodo
ID = Is e ( VD VT
)
1
donde:
VD voltaje de ruptura del diodo.
VT voltaje de 26 mV.

Estructura real Smbolo

Polarizacin de un diodo
Polarizacin directa. Rompe la barrera de potencial y el diodo
se pone en conduccin.
Cada de tensin
Aproximadamente 0.7 V para un diodo de silicio.
Aproximadamente 0.3 V para un diodo de germanio.
Polarizacin inversa. La barrera de potencial se incrementa y
el diodo no conduce corriente hasta que se alcanza el voltaje de
ruptura.
Construccin de un diodo
Curva caracterstica del diodo

Curva ideal Curva real

Diodo real
Equilibrio trmico
Los semiconductores pueden ser muy sensibles a distintos
tipos de energa, en particular a la energa trmica.
La variacin de la temperatura hace variar la cantidad de
pares electrn hueco.
Para una temperatura dada se tiene la siguiente relacin

ni (T ) = 3.88 1016 T 3 2 e 6957 T cm3

La movilidad de los electrones est relacionada con la temperatura

mediante , donde = 2.5 para los electrones y = 2.7
para los huecos en el silicio.
Efecto de la temperatura en la curva
caracterstica del diodo
Diodo en polarizacin directa

Corriente de saturacin !$
Corriente mayoritaria !#

+ + + + + +
+ + + +
+ + + +
+ + +
+ + + +
+ + + + +
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Regin de agotamiento
Corriente del diodo !"

"

!" = !# !$
Diodo en polarizacin inversa

Corriente de saturacin !$
Corriente mayoritaria !# = 0

+ + + + + + +
+ + +++++
+
+ + + + +
+++++
+ + + + + + + + +
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Regin de agotamiento
Corriente de saturacin !$

"
Corriente elctrica
La corriente elctrica en un semiconductor est asociada a dos fenmenos fsicos:

Corriente de desplazamiento. Se genera por los electrones y huecos que se

producen debido a las variaciones de la temperatura
!% $& = ' ) *& + ,
Fenmeno de difusin. Los electrones y los huecos se mueven en el sentido del
gradiente de concentracin, van de regiones de mayor concentracin a regiones de
menor concentracin para favorecer el equilibrio de cargas. Este movimiento genera
una corriente proporcional al gradiente de la concentracin.
!%-. = ' ) /& 0+ , 0,
El flujo de portadores da lugar a partculas ionizadas en ambos lados de la unin, lo
cual produce un campo elctrico que limita la accin de la corriente de difusin.
Corriente de fuga. En condiciones de equilibrio la corriente de difusin es igual
en magnitud y de signo contrario a la corriente de fuga, es decir, Itotal = 0.
J n = q n n + q Dn (dn dx ) donde Dn = 34 cm 2 s

Corriente Corriente
de fuga de difusin
Corriente total
La corriente total en un diodo de unin est dada por la
suma de la corriente de difusin y la de desplazamiento, es
decir,

I = I dif + I desp

[
I dif = A q D p (P( x ) x ) ]
I desp = A q p P( x ) E x
Barrera de potencial del diodo

Na Concentracin de impurezas
aceptoras (huecos).

Nd Concentracin de impurezas
donadoras (electrones).
Notacin
Prueba de diodos

Multmetro con funcin de prueba.

Resistencia entre nodo y ctodo.

Trazador de curvas.
 Curva caracterstica del diodo y la recta
de carga

(
I = I s e qV KT
)
1

Ecuacin del diodo

Circuitos lgicos con diodos

Compuerta OR Compuerta AND

Rectificacin de media onda
Rectificador de onda completa
Recortadores
Cambiadores de nivel
Multiplicadores de voltaje

Doblador de voltaje

Triplicador de voltaje
Proteccin con diodo
Detector de polaridad
Diodos para microondas

Los diodos ms conocidos son:

Diodo Gunn
Diodo PIN (se utilizan principalmente
como resistencias variables por
voltaje)
Diodo IMPATT
Los diodos Gunn e IMPATT se usan como
osciladores.
Otros tipos de diodos: TRAPATT,
BARITT, ILSA, etc.
Diodo PIN
Presenta regiones P y N fuertemente dopadas y
separadas por una regin de material casi intrnseco.

Se utilizan en frecuencias de microondas, es decir,

frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso
en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy
alta en polarizacin inversa y muy baja en polarizacin
directa. Los voltajes de ruptura estn comprendidos en
el rango de 100 a 1000 V.

Por sus caractersticas se pueden usar como interruptor

o como modulador de amplitud en frecuencias de
microondas. Tambin se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas y/o voltajes muy grandes.
Diodo zener
Ejemplo de aplicacin del diodo zener
 Diodo Schottky (diodo de barrera)

Estructura Comparacin
de respuesta
No tiene capa de empobrecimiento y por ello no
existen las cargas en la unin. La ausencia del
almacenamiento de carga implica que el diodo
Schottky puede cambiar (activar o desconectar)
ms rpido que un diodo ordinario. De hecho, un
diodo Schottky puede rectificar con facilidad
frecuencias superiores a los 300 Mhz.
Diodo varactor (varicap)
 Varistores
Proteccin contra:
corrientes,
voltajes y
calentamiento excesivo.
Los varistores, tambin llamados MOVs (Metal Oxide Varistor) o
supresores de transitorios, limitan el voltaje cortocircuitando cuando
se excede un voltaje mximo especificado. Su apariencia es similar a
los capacitores cermicos y funcionan como zeners bidireccionales.
Se usan mucho para proteccin de alimentacin de AC y disipadores
de calor. Los varistores se fabrican con un material no-
homogneo.(Carburo de Silicio).
Diodo tunel

Ejemplo de aplicacin
Semiconductores pticos
Fotoceldas. Dispositivos que convierten la luz en seales
elctricas. Pueden ser de dos tipos:
Conductivas (hechas generalmente de sulfuro de cadmio), cambian su
resistencia de acuerdo a la cantidad de luz incidente. Fotoresistencias o LDRs.
Fotovoltaicas (hechas de uniones semiconductoras), producen un voltaje
cuando son iluminadas. Por ejemplo, las celdas solares.

Semiconductores pticos. Dispositivos hechos de uniones NP

que producen luz o que basan su operacin en la cantidad de luz
incidente. Por ejemplo, fotodiodos, LEDs, fototransistores,
optoacopladores y visualizadores.
Celdas fotoconductoras
 Semiconductores pticos
Los LED emiten luz cuando se polarizan directamente.

La luz emitida por un LED puede ser: roja, verde, amarilla, azul, infrarroja o lser.
Los LED de luz visible se utilizan principalmente como indicadores, los infrarrojos
en deteccin o control a distancia y los lser en lectores de discos compactos.

Los fotodiodos y los fototransistores se utilizan principalmente en contadores de

objetos, medidores de luz, lectores de cdigos de barras.

Los optoacopladores estn formados por un emisor y un detector de luz infrarroja.

El detector puede ser un fotodiodo, un fototransistor o un fototiristor. Se aplican
para aislar las etapas de control y de potencia, en la deteccin de velocidades,
movimientos, etc.
Diodo emisor de luz
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 0.7 V hasta 2.5 V, y la corriente
necesaria para que emita la luz va de 8 mA a 20 mA.

En cualquier unin NP polarizada directamente, dentro de la estructura y

principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la energa
que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las
uniones NP una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para
fabricar los LEDs, como Fosfuro Arseniuro de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio
(GaP).
Tipos de LEDs

Material Longitud de onda Color Vd tpico

AsGa 904 nm IR 1V
InGaAsP 1300 nm IR 1V
AsGaAl 750 850 nm Rojo 1.5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1.6 V
InGaAlP 560 nm Verde 2.7 V
Csi 480 nm Azul 3V
Fotodiodos
Optoaisladores u optoacopladores
Diodos infrarrojos
Fototransistor
FotoSCR
 Diodo lser
Comparacin entre el espectro de un LED y el de un diodo lser.
Termistores
Semiconductor que presenta un coeficiente de temperatura
negativo (a mayor temperatura, menor resistencia) y se usa
como sensor de temperatura.
Diodos de corriente constante
Diodos de corriente constante o reguladores de
corriente. Funcionan de manera opuesta a los diodos
Zener, es decir, en vez de mantener constante el voltaje,
estos diodos mantienen constante la corriente.

Por ejemplo, el 1N5305 es un diodo de corriente

constante con una corriente tpica de 2 mA en un
intervalo de voltaje de 2 a 100 V.
Diodos de recuperacin en escaln

Tienen un perfil de impurificacin no usual ya que la densidad de

portadores disminuye cerca de la unin. Esta distribucin poco
comn de portadores es el origen de un fenmeno llamado
desplome de reversa.

Durante el semiciclo positivo, el diodo conduce igual que un

diodo de silicio. Pero durante el semiciclo negativo, la corriente
inversa existe slo durante un tiempo muy corto, desplomndose
repentinamente a cero. La corriente de desplome de un diodo de
recuperacin en escaln es rica en armnicos y se puede filtrar
para producir una onda sinusoidal de frecuencia ms alta. Debido a
esto, los diodos de recuperacin en escaln son tiles en
multiplicadores de frecuencia.
Diodos invertidos
El voltaje de ruptura de los diodos Zener es normalmente mayor a 2 V.
Si se incrementa el nivel de impurificacin se logra que el efecto Zener
ocurra en un voltaje muy cercano a cero. La conduccin en polarizacin
directa an ocurre aproximadamente a los 0.7 V, pero la conduccin
inversa (ruptura) comienza ms o menos a 0.1 V.

Un diodo con estas caractersticas recibe el nombre de diodo invertido

porque conduce mejor en la direccin inversa que en la directa.

Los diodos invertidos se emplean para rectificar seales peuqeas cuyas

amplitudes pico se encuentren entre 0.1 y 0.7 V.
TRANSISTORES

Amplificadores
Interruptores

Bipolares (controlados por corriente)

Unipolares o de efecto de campo (controlados por voltaje)

Transistores de baja, media y alta potencia

Transistores de conmutacin
Transistores de baja, media y alta frecuencia
Tipos de transistores

BJT,

FET,

MOSFET,

 Transistor de unin bipolar
Un transistor de unin bipolar consta de la unin de tres
materiales, ya sea dos N y uno P (NPN) o bien dos P y
uno N (PNP).
Los BJT son transistores controlados por corriente y
presentan tres estados de funcionamiento: activo, corte
y saturacin.
En estado activo el transistor permite amplificar seales. Esta
L amplificacin puede analizarse fcilmente mediante las curvas
caractersticas del transistor y la recta de carga.
I N En estado de corte la corriente de salida a travs del transistor
P es igual a cero.
N En estado de saturacin el transistor est en un modo de
conduccin total y la cada de tensin entre sus terminales es
muy pequea (aproximadamente 0.2V).
Construccin bsica de un transistor

0.150 pulg. 0.150 pulg.

0.001 pulg. 0.001 pulg.

E C E C
n p n p n p

B B

VEE VCC VEE VCC

Polarizacin de un transistor

Regiones de agotamiento

Portadores mayoritarios

E C
n p n
Portadores minoritarios

IE IB IC

VEE VCC
 Configuracin base comn
E C
n p n
IE IC

IB IE IB IC

IE IC
VEE VCC

IB

E C
p n p

IE IB IC

VEE VCC
Configuracin base comn
Configuracin colector comn
 Configuracin de colector comn
IE IE

IB IB

IC IC

IE IE
E E

VEE
VEE VEE
n

p
B B
p

n
IB IB
n

p
C VBB C
VBB

IC IC
 Configuracin de emisor comn
IC IC
C C

VEE
VCC VCC

p
B B

n
IB IB

p
E VBB E
VBB

IE IE

IC IC

IB IB

IE IE

La configuracin de emisor
comn se utiliza en
I C amplificadores de voltaje,
ac = amplificadores diferenciales,
I B VCE = constante
amplificadores operacionales
y circuitos lgicos digitales.
Lmite de disipacin de potencia mxima
Prueba de transistores
Multmetro digital (prueba de uniones NP).

Resistencia entre uniones.

Trazador de curvas.
Encapsulado e identificacin de
terminales
Punto de operacin
Polarizacin fija
Polarizacin estabilizada en emisor
Polarizacin por divisor de voltaje
Polarizacin con retroalimentacin de
voltaje
Transistores PNP
Estabilidad de la polarizacin
Conmutacin con transistores
Circuitos integrados TTL
Compuerta NAND con 3 entradas
Amplificador en cascada
Respuesta frecuencial
Conexin darlington

Q1
Q2 QD
B B

E
Concepto de amplificador
Modulacin de una corriente grande en funcin de una
corriente pequea.

Amplificador

Seal pequea
Seal grande (potencia)

Fuente de energa
Clasificacin de los amplificadores

Audiofrecuencia (banda audible o de baja frecuencia)

Radiofrecuencia (altas frecuencias)

Amplificadores
De voltaje

De potencia (voltaje y corriente)

Tipos de amplificadores
Tipo A.

Tipo B.

Tipo AB.

Tipo C.

Tipo D.
Amplificador clase A
Amplificador clase A
Amplificador clase A acoplado por
transformador
Amplificador clase B
Distorsin
Amplificador clase B
Distorsin
Minimizacin de la distorsin
Amplificador clase B
Corriente de colector de acuerdo a la
clase de amplificador
 Comparacin de clases de
amplificadores
Clase de amplificador
A AB B C D
Rango de Menor a Operacin
360 180 a 360 180
operacin 180 de pulso
Entre 25% En general
Eficiencia de
25% a 50% (50%) y 78.5% - cerca del
potencia
78.5% 90%
El amplificador clase C por lo general no se utiliza para proporcionar grandes cantidades de potencia, por lo que la
eficiencia no importa aqu.
Disipadores de calor
Disipacin de calor del transistor de
potencia
Degradacin de potencia con la
temperatura
Caractersticas de transistores

BJT de pequea BJT de potencia

seal (2N2222A) (2N3055A)
PDmax (W) 1.8 115
ICmax (A) 0.8 15
VCEmax (V) 40 60
min 35 - 100 5 - 20
VEBmax (V) 6 7
Ft (MHz) 300 0.8
Cobo (pF) 8 60 - 600
 Transistor de efecto de campo o FET
(Field-Effect Transistor)
Tipos de FET: de canal N y de canal P.

En los extremos del canal, N P, tienen contactos

hmicos conocidos como drenador (drain) y
fuente (source). A los lados del canal se tienen
regiones de material semiconductor de tipo
contrario al del canal y estn conectados
elctricamente. A la terminal de este material se Estructura fsica
le denomina compuerta (gate).

La unin entre la compuerta y el canal se

comporta de la misma manera que la unin de un
diodo.
Smbolo
 Transistor de efecto de campo
En casi todas las aplicaciones de este tipo de
transistores, la unin compuertacanal est
polarizada inversamente. Esta polarizacin
controla el tamao del canal y as se controla la
corriente entre el drenador y la fuente.
La circulacin de portadores del canal a la
compuerta es despreciable.
Si la diferencia de potencial entre la
compuerta y la fuente (Vgs) se hace muy
grande y supera un valor lmite, la regin de
deflexin cubre todo el canal, lo que se conoce
como estrangulamiento. El valor lmite se
conoce como voltaje pinch-off 2 24 .
 Polarizacin de un FET
Para 56 = 0
A medida que aumenta "6 , aumenta 7" .
Para valores pequeos de "6 existe una relacin
lineal entre 7" y "6 ,
Para valores grandes de "6 la corriente del
drenaje empieza a saturarse. Esto se debe a que el
extremo del canal ms prximo al drenaje se halla
polarizado inversamente a causa de la fuente de
tensin "6 y el canal se estrecha ( 5" 56
"6 ).
;9
;9 El canal alcanza el pinch-off.

86 0
9
Regin de saturacin o
8
96 de estrangulamiento.
Regin lineal u hmica.
86 :
96
<=
 Polarizacin de un FET
Para 56 = 0
Cuando "6 se incrementa, la zona de
deflexin se hace ms ancha y provoca que la
resistencia del canal se incremente.
Cuando se alcanza la tensin "6 de
estrangulamiento, la corriente del drenaje se
hace prcticamente constante a pesar de los
incrementos de "6 .
El flujo de corriente provoca una cada de
tensin a lo largo del canal (especialmente en el
extremo del drenaje, donde el canal es muy
estrecho). Por lo tanto la tensin entre el canal
y la compuerta vara a lo largo de todo el canal.
En el extremo del canal correspondiente al
drenaje la polarizacin de la unin compuerta
canal es 5" = 56 "6 .
 Polarizacin de un FET
Para 56 < 0
La unin compuertacanal est polarizada inversamente,
incluso para "6 = 0. As la resistencia inicial del canal
es elevada; por lo tanto para valores pequeos de "6 el
FET se comporta como una resistencia situada entre
drenaje y fuente.
El valor de la resistencia entre drenaje y fuente est
controlado por 56 , s 56 es menor que la tensin de
estrangulamiento la resistencia se convierte en un
circuito abierto y decimos que el FET se encuentra en
corte.
Al igual que con 56 = 0, la corriente del drenaje para
otros valores de 56 al final llega a ser constante a
medida que aumenta "6 , debido al estrangulamiento
en el extremo del canal correspondiente al drenaje.
La regin en la que la corriente del drenaje es constante
se llama regin de saturacin o regin de
estrangulamiento. La regin en la que 7" depende de
"6 se denomina regin lineal o regin hmica.
FET de canal-p
Caractersticas de transferencia
2
VGS
I D = I DSS 1
VP
Polarizacin fija de los FET
Autopolarizacin
Regiones de operacin
Aplicaciones
Aplicaciones
 MOSFET
Terminales : drenaje (D), compuerta (G), fuente (S) y sustrato (B).
La corriente de sustrato es despreciable en funcionamiento normal. Adems, si
el sustrato se conecta a la fuente slo se tiene un dispositivo de tres terminales.
La compuerta se encuentra aislada del sustrato por una fina capa de xido
(dixido de silicio Si2O) y la corriente entre estas dos terminales es
despreciable.
 Funcionamiento del MOSFET
Cuando 56 > 0, los electrones son
atrados a la regin ubicada bajo la
compuerta inducindose una tensin
"6 . Si se aplica una tensin "6 fluye
una corriente 7" de la fuente a travs
del canal hasta la terminal drenaje; 7" es
controlada por 56 .
Las caractersticas de un MOSFET
dependen de la longitud y anchura del
canal, as como de los parmetros de
fabricacin tales como el nivel de dopaje
y la anchura del xido.
 MOSFET
Conforme se incrementa "6 , el canal se estrecha en el extremo
del drenador e 7" se incrementa ms lentamente.
Para "6 > 56 24 , 7" permanece constante
 Funcionamiento en la regin de corte
Si "6 > 0 y 56 0, en las interfaces drenaje-sustrato y fuente-
sustrato aparecen uniones PN. No fluye corriente hacia el drenaje ya
que la unin drenaje-sustrato est polarizada inversamente por el
generador "6 , a esto se le llama regin de corte. A medida que 56
aumenta, el dispositivo permanece en corte hasta que 56 alcanza un
valor suficiente llamado tensin umbral 24 .

7" 0 para 56 ? 24
 Funcionamiento en la regin hmica
Para 56 > 24
El campo elctrico resultante repele los huecos de la regin situada bajo la
compuerta y atrae los electrones que pueden fluir con facilidad en la direccin
de polarizacin directa a travs de la unin fuente-sustrato. Esta repulsin y
atraccin simultneas producen un canal tipo N entre drenaje-fuente (bajo la
compuerta). Entonces al aumentar "6 , la corriente fluye hacia el drenaje a
travs del canal y de la fuente. Para pequeos valores de "6 la corriente es
proporcional a sta e 7" es proporcional al exceso de tensin de la compuerta
56 24 .
A medida que aumenta 56 , el canal se hace ms grueso. Para valores
pequeos de 56 , 7" es proporcional a "6 . El dispositivo se comporta como
una resistencia cuyo valor depende de 56 .

7"
Incremento de 5$

"$
Funcionamiento en la regin de
saturacin
Cuando "6 aumenta, 5" disminuye.
Cuando 5" = 24 , la anchura del canal en el extremo del drenaje
se hace cero. Para incrementos posteriores de "6 , 7" se mantiene
constante. A esto se le llama regin de saturacin, en la que tenemos
56 24 y "6 56 24
y la corriente viene dada por
7"
Triode Saturacin
7" = A 56 24 96 < 56 24 96 56 24

":
Tipo de MOSFETs

Canal N
Decremental
Incremental

Canal P
Decremental
Incremental
MOSFET de tipo decremental de canal N
Polarizacin y caractersticas de
transferencia
MOSFET de tipo incremental de canal N
MOSFET de tipo decremental de canal P
MOSFET de tipo incremental de canal P
Cuidados con el MOSFET
Estructura fsica y smbolo de un MOSFET
de potencia de doble difusin
MOSFET de tipo decremental
Polarizacin por retroalimentacin
Funcionamiento en la regin de
saturacin
A medida que aumenta "6 , 5" disminuye, cuando
5" = 24 , la anchura del canal en el extremo del
drenaje se hace cero.

Para incrementos posteriores de "6 , 7" es constante. A

esto se le llama regin de saturacin, en la que tenemos
56 24 y "6 56 24 y la corriente viene
dada por 7" = A 56 24
Curvas caractersticas del drenador de
un MOSFET de potencia
Curvas caractersticas de un MOSFET
de potencia
Caractersticas del MOSFET
Las caractersticas dependen de
Lo largo y ancho del canal
Los parmetros de fabricacin
nivel de dopaje
ancho del xido
Circuito CMOS
Transistores IGBT
Transistor como interruptor en circuitos elctricos de
electrnica de potencia.
Tiene las ventajas de entrada de un transistor de efecto de
campo y de salida de los transistores de unin bipolar.

Smbolo
Circuito equivalente