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FUNDAMENTOS
Fundamentos de electrnica
Materiales semiconductores
Dispositivos de estado slido
Diodos
Diferentes tipos de diodos
Fotodispositivos
Transistores de unin bipolar
Configuraciones comunes y acoplamiento de impedancias
Transistores de efecto de campo
Transistores de efecto de campo MOS
Fundamentos de electrnica
Transistores 1948
Microprocesador 1974
Microcontrolador 1982
FPGA 1985
Teora de Demcrito (460370 a. C.)
El universo est formado por espacio vaco y un nmero (casi)
infinito de partculas indivisibles, que se diferencian unas de
otras en su forma, posicin, y disposicin Toda la materia
est hecha de partculas indivisibles llamadas tomos.
Teora atmica de Dalton (1766-1844)
Los elementos estn formados por partculas muy pequeas e
indivisibles llamadas tomos.
Neutrn
Protn
tomo de hidrgeno
Neutrn
De Bohr. Los electrones se encuentran Electrn
Protn
en diferentes niveles de energa.
Partculas sub-atmicas
Partcula Masa Carga Smbolo Localizacin Ao
(u.m.a.)* desc.
Banda prohibida
Nmero mximo de electrones por
nivel de energa
Actualmente se tienen 7 niveles de energa, de K a Q, aunque
tambin se dispone de un nuevo mtodo llamado "el nmero
cuntico principal (n)" donde el nivel de energa va de 1 a 7.
Cada nivel de energa puede tener hasta un mximo de
electrones como se describe en la tabla siguiente.
No. Mximo de electrones 2 8 18 32 32 18 8
1 2 3 4 5 6 7
Nivel de energa
K L M N O P Q
Conductores
Semiconductores
Aislantes
Materiales semiconductores
Material intrnseco
Capas
Ncleo
Electrones en rbita
Niveles de energa
Bandas sin energa
+ ++ +
mayoritarios
+ + + mayoritarios
+ Portadores + + Portadores
++ + + + minoritarios + + minoritarios
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Extrnseco
Intrnseco Silicio (Si) = 0.005
Silicio (Si) = 1.1 Germanio (Ge) = 0.01
Banda de valencia
Germanio (Ge) = 0.67
Semiconductor
Corriente de saturacin !$
Corriente mayoritaria !#
+ + + + + +
+ + + +
+ + + +
+ + +
+ + + +
+ + + + +
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Regin de agotamiento
Corriente del diodo !"
"
!" = !# !$
Diodo en polarizacin inversa
Corriente de saturacin !$
Corriente mayoritaria !# = 0
+ + + + + + +
+ + +++++
+
+ + + + +
+++++
+ + + + + + + + +
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
Regin de agotamiento
Corriente de saturacin !$
"
Corriente elctrica
La corriente elctrica en un semiconductor est asociada a dos fenmenos fsicos:
Corriente Corriente
de fuga de difusin
Corriente total
La corriente total en un diodo de unin est dada por la
suma de la corriente de difusin y la de desplazamiento, es
decir,
I = I dif + I desp
[
I dif = A q D p (P( x ) x ) ]
I desp = A q p P( x ) E x
Barrera de potencial del diodo
Na Concentracin de impurezas
aceptoras (huecos).
Nd Concentracin de impurezas
donadoras (electrones).
Notacin
Prueba de diodos
Trazador de curvas.
Curva caracterstica del diodo y la recta
de carga
(
I = I s e qV KT
)
1
Doblador de voltaje
Triplicador de voltaje
Proteccin con diodo
Detector de polaridad
Diodos para microondas
Estructura Comparacin
de respuesta
No tiene capa de empobrecimiento y por ello no
existen las cargas en la unin. La ausencia del
almacenamiento de carga implica que el diodo
Schottky puede cambiar (activar o desconectar)
ms rpido que un diodo ordinario. De hecho, un
diodo Schottky puede rectificar con facilidad
frecuencias superiores a los 300 Mhz.
Diodo varactor (varicap)
Varistores
Proteccin contra:
corrientes,
voltajes y
calentamiento excesivo.
Los varistores, tambin llamados MOVs (Metal Oxide Varistor) o
supresores de transitorios, limitan el voltaje cortocircuitando cuando
se excede un voltaje mximo especificado. Su apariencia es similar a
los capacitores cermicos y funcionan como zeners bidireccionales.
Se usan mucho para proteccin de alimentacin de AC y disipadores
de calor. Los varistores se fabrican con un material no-
homogneo.(Carburo de Silicio).
Diodo tunel
Ejemplo de aplicacin
Semiconductores pticos
Fotoceldas. Dispositivos que convierten la luz en seales
elctricas. Pueden ser de dos tipos:
Conductivas (hechas generalmente de sulfuro de cadmio), cambian su
resistencia de acuerdo a la cantidad de luz incidente. Fotoresistencias o LDRs.
Fotovoltaicas (hechas de uniones semiconductoras), producen un voltaje
cuando son iluminadas. Por ejemplo, las celdas solares.
La luz emitida por un LED puede ser: roja, verde, amarilla, azul, infrarroja o lser.
Los LED de luz visible se utilizan principalmente como indicadores, los infrarrojos
en deteccin o control a distancia y los lser en lectores de discos compactos.
Amplificadores
Interruptores
BJT,
FET,
MOSFET,
Transistor de unin bipolar
Un transistor de unin bipolar consta de la unin de tres
materiales, ya sea dos N y uno P (NPN) o bien dos P y
uno N (PNP).
Los BJT son transistores controlados por corriente y
presentan tres estados de funcionamiento: activo, corte
y saturacin.
En estado activo el transistor permite amplificar seales. Esta
L amplificacin puede analizarse fcilmente mediante las curvas
caractersticas del transistor y la recta de carga.
I N En estado de corte la corriente de salida a travs del transistor
P es igual a cero.
N En estado de saturacin el transistor est en un modo de
conduccin total y la cada de tensin entre sus terminales es
muy pequea (aproximadamente 0.2V).
Construccin bsica de un transistor
E C E C
n p n p n p
B B
Regiones de agotamiento
Portadores mayoritarios
E C
n p n
Portadores minoritarios
IE IB IC
VEE VCC
Configuracin base comn
E C
n p n
IE IC
IB IE IB IC
IE IC
VEE VCC
IB
E C
p n p
IE IB IC
VEE VCC
Configuracin base comn
Configuracin colector comn
Configuracin de colector comn
IE IE
IB IB
IC IC
IE IE
E E
VEE
VEE VEE
n
p
B B
p
n
IB IB
n
p
C VBB C
VBB
IC IC
Configuracin de emisor comn
IC IC
C C
VEE
VCC VCC
p
B B
n
IB IB
p
E VBB E
VBB
IE IE
IC IC
IB IB
IE IE
La configuracin de emisor
comn se utiliza en
I C amplificadores de voltaje,
ac = amplificadores diferenciales,
I B VCE = constante
amplificadores operacionales
y circuitos lgicos digitales.
Lmite de disipacin de potencia mxima
Prueba de transistores
Multmetro digital (prueba de uniones NP).
Trazador de curvas.
Encapsulado e identificacin de
terminales
Punto de operacin
Polarizacin fija
Polarizacin estabilizada en emisor
Polarizacin por divisor de voltaje
Polarizacin con retroalimentacin de
voltaje
Transistores PNP
Estabilidad de la polarizacin
Conmutacin con transistores
Circuitos integrados TTL
Compuerta NAND con 3 entradas
Amplificador en cascada
Respuesta frecuencial
Conexin darlington
Q1
Q2 QD
B B
E
Concepto de amplificador
Modulacin de una corriente grande en funcin de una
corriente pequea.
Amplificador
Seal pequea
Seal grande (potencia)
Fuente de energa
Clasificacin de los amplificadores
Amplificadores
De voltaje
Tipo B.
Tipo AB.
Tipo C.
Tipo D.
Amplificador clase A
Amplificador clase A
Amplificador clase A acoplado por
transformador
Amplificador clase B
Distorsin
Amplificador clase B
Distorsin
Minimizacin de la distorsin
Amplificador clase B
Corriente de colector de acuerdo a la
clase de amplificador
Comparacin de clases de
amplificadores
Clase de amplificador
A AB B C D
Rango de Menor a Operacin
360 180 a 360 180
operacin 180 de pulso
Entre 25% En general
Eficiencia de
25% a 50% (50%) y 78.5% - cerca del
potencia
78.5% 90%
El amplificador clase C por lo general no se utiliza para proporcionar grandes cantidades de potencia, por lo que la
eficiencia no importa aqu.
Disipadores de calor
Disipacin de calor del transistor de
potencia
Degradacin de potencia con la
temperatura
Caractersticas de transistores
86 0
9
Regin de saturacin o
8
96 de estrangulamiento.
Regin lineal u hmica.
86 :
96
<=
Polarizacin de un FET
Para 56 = 0
Cuando "6 se incrementa, la zona de
deflexin se hace ms ancha y provoca que la
resistencia del canal se incremente.
Cuando se alcanza la tensin "6 de
estrangulamiento, la corriente del drenaje se
hace prcticamente constante a pesar de los
incrementos de "6 .
El flujo de corriente provoca una cada de
tensin a lo largo del canal (especialmente en el
extremo del drenaje, donde el canal es muy
estrecho). Por lo tanto la tensin entre el canal
y la compuerta vara a lo largo de todo el canal.
En el extremo del canal correspondiente al
drenaje la polarizacin de la unin compuerta
canal es 5" = 56 "6 .
Polarizacin de un FET
Para 56 < 0
La unin compuertacanal est polarizada inversamente,
incluso para "6 = 0. As la resistencia inicial del canal
es elevada; por lo tanto para valores pequeos de "6 el
FET se comporta como una resistencia situada entre
drenaje y fuente.
El valor de la resistencia entre drenaje y fuente est
controlado por 56 , s 56 es menor que la tensin de
estrangulamiento la resistencia se convierte en un
circuito abierto y decimos que el FET se encuentra en
corte.
Al igual que con 56 = 0, la corriente del drenaje para
otros valores de 56 al final llega a ser constante a
medida que aumenta "6 , debido al estrangulamiento
en el extremo del canal correspondiente al drenaje.
La regin en la que la corriente del drenaje es constante
se llama regin de saturacin o regin de
estrangulamiento. La regin en la que 7" depende de
"6 se denomina regin lineal o regin hmica.
FET de canal-p
Caractersticas de transferencia
2
VGS
I D = I DSS 1
VP
Polarizacin fija de los FET
Autopolarizacin
Regiones de operacin
Aplicaciones
Aplicaciones
MOSFET
Terminales : drenaje (D), compuerta (G), fuente (S) y sustrato (B).
La corriente de sustrato es despreciable en funcionamiento normal. Adems, si
el sustrato se conecta a la fuente slo se tiene un dispositivo de tres terminales.
La compuerta se encuentra aislada del sustrato por una fina capa de xido
(dixido de silicio Si2O) y la corriente entre estas dos terminales es
despreciable.
Funcionamiento del MOSFET
Cuando 56 > 0, los electrones son
atrados a la regin ubicada bajo la
compuerta inducindose una tensin
"6 . Si se aplica una tensin "6 fluye
una corriente 7" de la fuente a travs
del canal hasta la terminal drenaje; 7" es
controlada por 56 .
Las caractersticas de un MOSFET
dependen de la longitud y anchura del
canal, as como de los parmetros de
fabricacin tales como el nivel de dopaje
y la anchura del xido.
MOSFET
Conforme se incrementa "6 , el canal se estrecha en el extremo
del drenador e 7" se incrementa ms lentamente.
Para "6 > 56 24 , 7" permanece constante
Funcionamiento en la regin de corte
Si "6 > 0 y 56 0, en las interfaces drenaje-sustrato y fuente-
sustrato aparecen uniones PN. No fluye corriente hacia el drenaje ya
que la unin drenaje-sustrato est polarizada inversamente por el
generador "6 , a esto se le llama regin de corte. A medida que 56
aumenta, el dispositivo permanece en corte hasta que 56 alcanza un
valor suficiente llamado tensin umbral 24 .
7" 0 para 56 ? 24
Funcionamiento en la regin hmica
Para 56 > 24
El campo elctrico resultante repele los huecos de la regin situada bajo la
compuerta y atrae los electrones que pueden fluir con facilidad en la direccin
de polarizacin directa a travs de la unin fuente-sustrato. Esta repulsin y
atraccin simultneas producen un canal tipo N entre drenaje-fuente (bajo la
compuerta). Entonces al aumentar "6 , la corriente fluye hacia el drenaje a
travs del canal y de la fuente. Para pequeos valores de "6 la corriente es
proporcional a sta e 7" es proporcional al exceso de tensin de la compuerta
56 24 .
A medida que aumenta 56 , el canal se hace ms grueso. Para valores
pequeos de 56 , 7" es proporcional a "6 . El dispositivo se comporta como
una resistencia cuyo valor depende de 56 .
7"
Incremento de 5$
"$
Funcionamiento en la regin de
saturacin
Cuando "6 aumenta, 5" disminuye.
Cuando 5" = 24 , la anchura del canal en el extremo del drenaje
se hace cero. Para incrementos posteriores de "6 , 7" se mantiene
constante. A esto se le llama regin de saturacin, en la que tenemos
56 24 y "6 56 24
y la corriente viene dada por
7"
Triode Saturacin
7" = A 56 24 96 < 56 24 96 56 24
":
Tipo de MOSFETs
Canal N
Decremental
Incremental
Canal P
Decremental
Incremental
MOSFET de tipo decremental de canal N
Polarizacin y caractersticas de
transferencia
MOSFET de tipo incremental de canal N
MOSFET de tipo decremental de canal P
MOSFET de tipo incremental de canal P
Cuidados con el MOSFET
Estructura fsica y smbolo de un MOSFET
de potencia de doble difusin
MOSFET de tipo decremental
Polarizacin por retroalimentacin
Funcionamiento en la regin de
saturacin
A medida que aumenta "6 , 5" disminuye, cuando
5" = 24 , la anchura del canal en el extremo del
drenaje se hace cero.
Smbolo
Circuito equivalente