ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Preparatorio #10

Tema: Transistor de Efecto de Campo

Estudiantes: Bonilla Lema Cristian A., Uribe Herrera Jorge Alexander
Paralelo: GR6
Fecha: 25/07/2017
 Transistor de Efecto de Campo
Bonilla Lema Cristian A.
Uribe Herrera Jorge Alexander
c.cristian37@hotmail.com
alexuribe200996@gmail.com

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos, Departamento Electrnica, Telecomunicaciones y Redes de Informacin, Escuela

Politcnica Nacional

Quito, Ecuador

Objetivos: por voltaje

Analizar e implementar un circuito de Sirven para amplificar voltaje. Los FETs son
trmicamente ms
polarizacin para JFET. estables.
Analizar e implementar un amplificador usando
JFET. Presentan respuestas similares Los TBJs son bipolares y
a las entradas que se los FETs son unipolares
introduzcan.
PREPARATORIO
I.
CONSULTAR LAS PRINCIPALES
II. REVISAR LAS HOJAS DE DATOS DE AL
CARACTERSTICAS DE LOS
MENOS 4 TRANSISTORES DE EFECTO DE
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Y
CAMPO Y PRESENTAR UN CUADRO CON
PRESENTAR UN CUADRO CON LAS
LOS VALORES DE LOS PARMETROS
SEMEJANZAS Y DIFERENCIAS ENTRE
MS IMPORTANTES
ESTE TIPO DE TRANSISTORES Y LOS DE
JUNTURA BIPOLAR.

Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es Tabla de valores caractersticos de los FETs
su alta impedancia de entrada con niveles que pueden
Numeracin VGS (off) mx. VGS(tpico) IDSS mx.
variar desde uno hasta varios cientos de mega ohmios,
muy superiores a la que presentan los transistores 2N5457 -5[v] -2.5[v] 5[mA]
bipolares que presentan impedancias de entrada del orden
2N5458 -8[v] -3.5[v] 9[mA]
de unos pocos kilo ohmios. Esto proporciona a los FET
una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en 2N5484 -3[v] -1.5[V] 5[mA]
circuitos amplificadores.
2N5485 -4[v] -2.5[v] 10[mA]
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor 2N3819 -8[v] ----- 20[mA]
sensibilidad a los cambios en la seal aplicada, es decir,
la variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT
que en los FET para la misma variacin de la tensin
aplicada. Por ello, tpicamente, las ganancias de tensin III. RESOLVER LA POLARIZACIN DEL
en alterna que presentan los amplificadores con BJT son SIGUIENTE CIRCUITO:
mucho mayores que las correspondientes a los FET.

En general los FET son ms estables con la temperatura

y, normalmente, ms pequeos en construccin que los
BJT, lo que les hace particularmente tiles en circuitos
integrados (sobre todo los MOSFET).

Una caracterstica importante de los FET es que se

pueden comportar como si se tratasen de resistencias o
condensadores, lo que posibilita la realizacin de
circuitos utilizando nica y exclusivamente transistores
FET. [1]

Semejanza Diferencia

Alta impedancia de entrada Los FETs son controlados

 = 0
=

25 22
= 2 = = 0.166[]
22 + 3.3

= 4

2.7 2
= 10 103 (1 + )
3

= 0.849[]
= 2.13[]
= 25 680 = 24.42[]
= 2700 = 2.29[]
= = 24.26[]

IV. RESOLVER EL SIGUIENTE CIRCUITO EN

DC Y AC, DIBUJAR LOS VOLTAJES DE
SALIDA:

= 0
=

30 68
= 6 = 1.3[]
68 + 1.5

= 8

1 2 VI. PRESENTAR LOS VOLTAJES DE

= 2 103 (1 + ) POLARIZACIN Y LAS GRFICAS EN
8
PAPEL MILIMETRADO.
= 1.77[]
= 0.47[] Anexo 1.
= 30 1 = 28.22[]
= 1 = 1.77[]
= 0.471
= 1000||1.8
= 4.7
REFERENCIAS
[1] Transistores de Efecto de Campo [Online]. Available:
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/conten
t/1/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf

V. REALIZAR LAS SIMULACIONES DE LOS

CIRCUITOS PRESENTADOS.