26 ¢ InrnopucciON a tos semiconoucroREs EXAMEN DE VERDADERO/ FALSO EXAMEN DE ACCION, DE CIRCUITO las respuesta todos los problemas impares se encuentran al fina del iro 1. Ua atom es la pareala mis pequetia ea un elemento 2 Unclectrin es una parcula caguda negativarente 3. Un domo est compuesto por elecones,protnes y neutones os electomes son una parte del nleo de un tomo, Los elecirones de valencia existe en la capa externa de un dome, 6. Seforman crsales mediante el enlace de Som. 71 El silcio es un material seiconductor 8. Talos los diodostene una unin pn. 9. Las regione py nen un diodo se forman mediante un proceso llamado fnizacisn. 10, Las dos regiones de un diodo son el énods ye elector. 1H. Un diodo puede conducir corrente en dos direcciones con igual fciida, 12, Unciodo conducecoriene und est poarizado en dec 13, Cuando ess polanizado en invers, un dodo idealmente aparece como con 1M. Dos tipos de corrente en un diodo son lade electrones y Ia dehecos. Las respuests tots los problemas impares se encuentran al final el ro 1. Cuando un diode est polarzado. polarizacicn en direct: (a) seincrementa (b) sereduce_(€) No cambia 2 Cuando un diado estépolarizado en directa yel voltae de poarizscién se increments, el vote ta ‘6s del dioco (de seuerdo con el modelo préctic) (a) seincremensa (b) sereduve —_(@) No cambia 3. Cuando un diode ess polarizado en inversayel volta de polarizacién inversa (de acuerdo con el modelo préctico: (@) seincrementa—(b) se reduce (€) No cambia 44 Cuando un diodo estépoarizado en inveray el voltae de poarizacin se ineemen scaerdo con el modelo complet (a) seincremenia(b) se reduce (@) No-eambia diecta yel vole de polrizacin se increment, la corcente de 41a coment (de 5. Cuando un diodo estépolarizado en directa yel voltae de poarizacin se inremeata el vole ata ‘6s del diodo (de aeverdo com el modelo completo) (a) seincrementa —(b) sereduce _(€) No cambia 6, Sila coriente de poarizacn en directa en un dioda se inerementa, el voltaje en el dada (de acuerdo nel modelo préetico: {@) seincremensa (se reduce (@) Nocambia 17, Silacoriene de polarizacin en directa en un diodo se reduce, el vltaje en el dodo (de acuerdo con el modelo completo (@) seincremena —(b) se reduce (€) No cambia A. Sise excede el potencial de bates de un dodo, ls coment de polaizacisn en deca (a) seineremensa() se reduce (@) Noccambia AUTOEVALUACION _ tas respuesta todos los problemas impares se encuentran al final del bro seccién 1-1 1. Cada clement conocido ten {@) El mismo tipo de étomas—_ () EI mismo aimero de somos (6) Untipo nico de stomo (A) Varios ips diferentes de dtomos www.elsolucionario.netSecclsn 1-2 Seccién 1-3 “ 10. B 4“ 15, 16. AUTORVAWACION © 37 Un ome es compuesto por (a) Unniceo yssloun electron (b) Un neleo uno 0 més eleetrones (6) Protones eletrones y neurones (@) Respuestasb) ye) El nicl de wn some ests compuesto por (@) Protonesy neutrones QB) Electrones (6 Beetones y protones_(@) Electrones y neutrones Loselectones de valencia esi (a) En ia tite més coreara a ncleo (b) Fal bita mas distante del nleo (Bn vais bits alrededor del ncleo __(@) No atocados con us tomo particular Un ion positive se forma cuando (a) Un eleewsn se escapade domo () Hay mas naooos que electrones en la bit externa (6) Dos étomos se enlazan ene sf (@) Un tomo adguiere un clecrén de valence extra El material semiconductor mis wilzado en disposivos electeSnios el (@) Germanio (0) Carbine) Cobre (4) Silico La diferencia entre un sslane y un semiconductor es (@) Una banda prohibida més amplia entre la banda de valencia y la banda de conduesion () ElnGmero de electrons libres (©) Lacsructura at6mica (@) Respuesta). 8) ye) La anda de energia en la cal existen los electrones libres es la (a) Primera banda (b) Segunda banda (@) Banda de conduecién _(@) Banda de valencia En un eristal semiconductor, los somos se mantenen unis por (a) La imeraceién de los electones de valencia (b) Las fuerza de aracin (6) Leosenlacescovalenes (8) Respuests 9), 6) Elindmeroatémico del slci es @s M2 ©4 HU El nner atémico del geemanio es @s M2 @4 WR La capa de valencia en un stomo de silico tiene la designacin de nimero de @o 1 ©2 @s ‘Cada itomo de un cristal de silico tiene (2) Cuatro electrones de valencia (©) Cua clectrones de conduceiéa (© Ocho electrones de valencia, cuatro propos y cuatro comparsidas (4) Ning ctectrbn de valencia porque tds son comparis con otros stomos Los pares de electrirhueco se prodcen por (a) Recombinacién (b) Bnergiatmmica(@) lonizacién _(@) Dopudo cure rcombinacibn cuando (@) Un elec cae en un hveco () Un ion posiivo yon negativa se enlazan (6) Un lectin de valencia se converte en un eletrén de eonducién (@) Se forma un cristal La coment en un semicondsctor es producida por (@) Séloelectrones (b) Solo huecos (€) Tones negatives (@) Tanto electones como hueeos ywww.elsolucionario.net38 InrnopUcci6N 4 Los semiconoucToREs Seccién 1-5 Seccion 1-6 ” Bs. 2. 2B. 26. nun semiconductor ntrinseco (@) Nohay cectones litres () Los eectones libres son producidostérmicamente (©) Séio hay huceos (@) Hay tantoselectrones como huecos (e) Respuestas ») yd) El proceso de agregar impurezas a un semiconductor intinseco se lama (@) Dopado —(b) Recombinacién _(¢) Modiiession atémica(@) Tonizacion Se agreganimpureznswivalente al iii para crear (a) Germano (0) Un semiconductor tipo p (© Unsemiconductor ipo (d) Une regién de empobrecimiento El propésito de una impureza pentaalente es (a) Reducir la conductividad de} (6) Increment el nimero de clectrones bres (@) Crear poradores minors [Los portadores mayortaris en un semiconductor tipo m son (a) Huceos (@) Blectrones de valencia (6) Blecrones de conduseisn —(@) Protones cio () Incrementar el nimero de huceos 3. Los huecos en un semiconductor ipo som (a) Pertadores minortrios producos trmicamente (@) Portadores minoritarosproducides por dopado (6) Poradores mayoritariosproducidos témicamente {@) Poetadores mayors produsidos por dopado ‘Se forma una unign pr mediante (a) La ecombinacion de electones y huecos (0) Fonizacin| (6) Bllinite de ua materi tipo ny wo tipo p (@) Blehogue de un prot6n y wo veutssn Laregion de empobrecimiento se cree por (a) Tonizacién —() DifusiGn —(e) Revombinaci6n_(@)Respuestas a), 9) ye) . Laren de empobrecimiento se compone de (a) Nadia mis que portadoresmineritarios _ (b) Toes positives y negativos {6} Nada de portadores mayeritarios (@) Respuesta b) ye) Eltérnino plarizacién es (@ Lirclacién dels portadores meyoritais sls portadores minoriarios (@) La camidad de comiente através de un diodo {} Un volsje de ce aplicad para contolar la opersci do un dispositive @ Nianidynie, Para polasiza en dines un dodo (@) Se aplica un vole extern positive en el énodo y negativo ene edtodo (©) Se aplica un volaj externo negativo en el dred y poitive en el citodo {6} Se aplica un voltae extern positiv en la regia p y nogativo en la regién n (@) Respucsas a) ¥6) . Cuando un diodo ests poarizad on directa (@) Laiiea coiente esa de huecos (©) La inicaconiente es a de eleerones (©) La inca comientees in producia por los portadores mayoritarios (4) La conente es producid tanto por os huecos como por los electrones ywww.elsolucionario.netSeccion 1-7 Seccion 1-8 Seecién 1-9 ». aL. 2 a. 38. a. a 1. Para un diado de siiio el valor del voltae de pl AUTORVALWACION © 39 Aunque la coriente est bloqueada con polarizacidn en inversa (a) Hay algo de cortentedebido a os potadores mayoxitaros () Hay una corrente muy pequefa debido a los portaéores minociarios (6) Hay wna corente de avalancha isc en directa en general (a) Debe ser mayor que 0.3 V () Debe ser mayor que 0.7 V (© epende el ancho dela rein de empobrecimiento (@) Depende de la concensracién de portadores mayoritarios Cuando se polaiza en directa un dodo (2) Bloques la coriente (©) Conduce corione (© Tiene una alta esisteacia(@) Reduce un voltae grande Un diodo opere normahmente en: (a) La condicién de ruptra con poarizacién en inversa, () Laregisn de polanzacion en dzceta (© Laren de polarizacia en inversa @ Respuesta 8) 0(0 La resistencia dinimica puede ser importante cuando un die (a) Se polarzaen inverse () Se polariza en deta, (6) Seeneuentra en la condicin de ruprra con polrizacin en inversa (@) No esti polarizat, La curva Vr para un dodo muests (a) El volugje a wavés del diodo con una corinte dada () La camtidad de comiente con un volaje de polarizacién did (6) Lasipacin de poencia, (@) Ninguna de estas stuciones, Idealmente, un diodo puede see representado por (@) Una fuente de volte (b) Una resistencia (© Unimerruptor (4) Tod las anteriores Enel modelo prictico de diode: (a) Fi potencal de harera se toma en events (@) La resistencia dinimica con polarizacién ea directa s toma en cueata (6) Ningunas dela anteriores (@) Tanto) como») Enel modelo completo de dodo: (a) El potencial de barera se toma en event (©) La resistencia dindmica con polarizacsn en directa se toma en cuenta (6) La resistencia con polarizacién en inversa se toma en cuenta (@) Todas las anteriores ‘Cuando un diodo de silico funciona apropiadaments, un DMM pueso en la posiciéa prucha de dodo indians: @ov () OL (© Aproximadamente.7'V_(@) Aproximadamente 0.3 V Cuando un diodo de silico est aierto, un DMM indicaré en general ov () OL (© Aprosimmadamente0.7V—(@) Aproximadamente 0.3 V ywww.elsolucionario.net40. IvtroDUCciON 4 cos sewiconDUcroRES PROBLEMAS Las respuesta todos los problemas impares se encuentran al fina el ro PROBLEMAS BASICOS Secciém 1-1 tstructura atomica 1, Sielnimeroaxémiso de un stomo neuzoes 6 ousntoseletrones tiene el Some? ;Cusntos protons? 2, {Cuil ese nimero méxio de electtones que pueden existren la 34 capa de un stem? Seccién 1-2 _Aislantes, conductores y semiconductores ‘3. En ceda uno de los diagrumas de enerpia que aparecon en la Figura 1-3, determine la clase de material on base en comparaciones relatives seat bot mann | a | ed rain | mcew] |esione; oe 4, Cert stom tiene cuatro electones de valeneis, Qué tip de tome es? 5, En unis de silico, goudntos enlaces covalentes forma un slo stomo? Seccién 1-3 Coriente en semiconductores 6, {Qué saved cus se agregn calor al ilisio? 7. Nombre dos bandas de enerpla done se produce corrente en silico Seccién 1-4 Semiconductors tipa Ny tipo P . Deseribael proceso de dopade y expique cfm alter la estructura atémica del sitio 9, {Qué es! atmo? :Qué es el boro? Seccién 1-5 Eldiodo 10. ;Cimo se exeac campo elétrico a wavés de I unica pa? 11, Debido a su potencial de barera, cpuede ser utlzado un dodo como fuente de voltae? Exphgue Seecién 1-6 Polarzacién de un diodo 12, Par polarizaren directa un diodo, a qué regia se debe conectar a terminal positivade una fuente de vole? 13, Explique por qué se equiere un resistor en serie cuando un dodo se polaria en direct Seedon 1-7 G ceristica de vollajecorrente de un diodo 14, Explique como se genera la pate de polarizacin en directa dela curva carctristica, r Que provocaria que el potecil de herera de un dodo de sliciodisminuyera de 0.7 V 86 V? www.elsolucionario.netProstemas #41 1e0v FIGURA 1-42 & Db aye cp 10k PROBLEMAS DE SOLUCIGN DE FALLAS RESUELTOS CON MULTISIM Estos archivos se encuenzan en la carpets “Iroublesbootng Problems" desu CD-ROM, 22. Abra cl archivo TSPO1-22y determine a falls 23, Abra el archivo TSPO1-28y determine a fll 2M, Abra cl archivo TSPOL-24y determine Ia fll 25, Abracl archivo TSPOI-25 y determine la fla, 26, Abra el archivo TSPO1-26 y determine a fll 27, Abra archivo TSPOI-27 y determine la fala, 28, Abra cl erchivo TSPOI-28 y determine afl 29._ Abra! archivo TSPOI-29 y determine I falls 130, Abra el archivo TSPO1-20 y determine la fll RESPUESTAS REPASO DE SECCION Secciém 1-1 Estructura atomica 1. Un tomo sla parcule ms poquefa de un elemento que reten las carctristics de dicho elemento 2, Un elect es a pariulabésia de carga eléctrica negativa, |. Un clectrin de vslenca es un elec stad en lt capa ms extema de un tomo, 4. Unclectsn lie es uno que a adgutida suicente ene para escapase de la bunds de valenia dl some pads 5. Cuando un stomo neutopierde un electn el Stomo se convert en un ion postive. Cuunde un sto ‘mo neuto adguier un elects, el tomo se converte en un ion nezaiv, Seccién 1-2 _Alslantes, conductores y semiconductores 1. Los conductores tenen muchos clectones libres y conducen coriente com faciidad. Las sslantes en esenca no tienen electroes libres y no conducen cortente semiconductors no condacencorrente tan bien com lo hacen los conductores. Fa func des condactividad, se encuentran entre los conductores y los sslantes, Los conductores tals com el cobre tenea un elect de valencia Los semiconductors enen cuatro electrones de valencia loro 1a plata ye cob som los majores conductoces, E silico es el semiconductor mis ampliament ulizado yA Los electrones de valencia de un sezicondvctor estén mis estechamente ealizades al somo que Aquellos de Tos conductores, www.elsolucionario.netResrussas #43 8. Losenlacescovalentes se fran cuando los eletrones de valencin se comparten on Somos vecinos, 9. Un material itrinseco ex uno que se encuentra en estado puro, 10, Un cristal es un material slide formado por Stomosenlazados ene sf en una configure simetica, Seccién 1-3 Corrente en semicanductores 1. Los clvtones libres we encucnian en la banda de conden, 2. Los lectrones libres (de conduccin) son responsables de a coriene de electrones en silico, 3. Un huoco es a ausencia do un elastin en la banda de valencia, 4 Una corriente de hueoos seu a nivel de valenia Seccién 1-4 Semiconductores tipo Ny tipo P 1. Dopado ese proceso de agregar tomos de impureza.aun semiconductor para modifica sus propieda des conductors, 2. Un stomo peatavalene (donador tiene cinco eletrones de valencia y un stom tvalente(acepto) tiene res elesteones de valencia, 3. Se forms un material tipo n con Ia sign de struos de impurezapentavalents al material semicon Ahucoeintinseeo, 4 Se forms un material ipo p con la aici de éomos de impreza tvalentes al material semiconduc tor iurfsseco 5, I portador mayoritario en un semiconductor tipo ne el elacus ire 6. 1 porador mayoritario en un semiconductor tipo p es el hueco. 7. Los portadores mayortarios se producen mediante dopado, 8, Los portadores minontaros se prodcen térmicamente cuando se generan pres de eletrén-huceo. 9. Un semiconductor pura es inxinseco, Un semiconductor dapado (ean impurezas) et exeinsceo Seecién 1-5 Eldiodo 1. Une unin ps el limite entre semiconductors tipo py tipo m en un dodo, 2, Difusin es el movimiento de lectrones libres (potadores mayoritaris) en la regién através dela ‘unin pm hacia a regi p 3. La regién de empobrecimieno est constituida por las delgadas pas de fones positives y negtivos «qe enisten ambos lads de a nin pr 4. FI potencal de barera as Ia diferencia de potencial del campo eléstico en Ia regia de empobnec siento es la canidad de energiarequerida para dosplszar os electrones a tavés de Ta egin de em- pobrecimiento '. El potencial de barers para un diodo de silico es de aproximadamente 0.7 V. 6. 1 potenciat de barera para un diodo de germanio es de aproximadamente 0.3 V Seccién 1-6 Polarizacén de un iodo 1 Cuando est poarizado en direct, un diodo conducecortcnte. Los eleetrones libres eI ein nse \desplazan a tas de la unin py e eonbinun eon Jos huscos presents en la rein p 2. Para poarzaren directa un dodo, lado postive de un vollaje de polarizacé exten seaplica ala regi py el lado negative a larga m 3. Cuando se poarizaen inversa, un diodo no conduce crrente excepto por una coriente en inversu ex teemidamente posts, 4 Par polarizar ea inverse un dodo, el ldo positive de un vote de polarizacin extero se aplica ala regién my el lado negative a laregén p. 5. La region de empobrecimiento para poltiacisn en dizesta es mucho mis angosta que par poatza a en inversa 6, Mediantepolarizacin en directa se produce coiete de portadores mayositaio, Los portadres minortarios producen cortente en faves ‘8 Gcarreruptura en inverse cuando el voaje de polrizacin en inversa es igual ao excede cl volaje de pura de a unin pn de un dodo, 9. 1 efecto avalancha ela muipicacién rpida de pertadores de correste en rupura en inversa ywww.elsolucionario.net“4 IntnopUccion a tos semiconoucroRes Seecién 7 Seccién 1-8 Seedién 1-9 Caracterstica de voltae corrente de un diode 1. La inflexién de la curva carctristca de polarizacin en directa es el punto en el que el potencial de brrera es veneidoy Is comriene se incrementa dristicament, Un dodo polarizado en directa opera normalimente por encima do I inflexin de a curva El volaje de rupture siempre ex macho mis grande que el potencal de rer Un iodo polarizado en inversa opera normalmente entre OV y el voltae de ropa El potencal de barreradismimye a medida que se increment a temperatura Modelos del diodo 1. Un diodo es operade con polarizacin en ‘Un diado nunce debe ser opera en Ia condicin de muptura en inverss, tay con poarizavién en inversa 2 3. El diodo idealmente puede ser comsderado como un ineruptor 4 Un diodo incluye potencial de barer, resistencia dindmica y resistencia en inversa en el modelo complet, 5 El modelo completo de dodo es Ia aproximacién mss precisa del diodo Prueba de un diodo 1, 05 Va09V 2 OL PROBLEMA RELACIONADO COMO EJEMPLO 1A Vp = SVs Naicon = OV EXAMEN VERDADERO/FALSO LFO2RVY ORV 4F &V BY RE SVvo98F IF PF BY BP mY EXAMEN DE ACCION DE CIRCUITO L@ 20 30 4@ S5@ 60 710 Be AUTOEVALUACION LQ 2 3@ 4% £0 6H 20 KO .@ HO LW) BO BE MO Ik BO 1.0 BE BO UO LE BA BE ww 5.) HO GO RG BH WO) ILO) WO BO #@ %O KO MO BO WO) www.elsolucionario.net