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Tema 63 PDF
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Circuitos Electrnicos
Digitales
Rel
Vlvula de
vaco
Circuitos digitales
Los circuitos digitales basado en rels (relevadores) utilizan el
concepto de conmutador para implementar las funciones lgicas.
y=x z=x
z=xy
z= x+y
Circuitos electrnicos digitales
Clasificacin por tamao:
Circuitos SSI (small-scale integration): menos de 10 puertas
lgicas .
Circuitos MSI (medium-scale integration): 10-100 puertas lgicas.
Circuitos LSI (large-scale integration): 100-1000 puertas lgicas.
Circuitos VLSI (very-large-scale integration) ms de 1000 puertas
lgicas. Ahora mismo se fabrican circuitos con millones de puertas
lgicas.
Vin1
Vin2 Vout
Vin3
Criterios que debe cumplir un circuitos
electrnicos digitales
1. La(s) salida(s) toman valores binarios en funcin de los
valores binarios aplicados en las entradas.
2. Los valores de tensin estn cuantificados en dos rangos
que dan lugar al 0 lgico y al 1 lgico, respectivamente. El
rango de voltajes fuera de estas zonas (valor X) debe ser lo
ms reducido posible.
3. La ganancia en tensin entre las entradas y las salidas
debe ser menor que 1 para los rangos de tensin vlidos y
mayor que uno para el rango de tensin que produce un
valor X.
4. Los cambios en las salidas no deben afectar a las entradas.
5. La salida de un circuito debe conducir (hacer operar
correctamente como entrada lgica) a ms de una entrada
de circuitos el mismo tipo.
Parmetros de caracterizacin de los
circuitos electrnicos digitales
Parmetros estticos: curva de transferencia en tensin Vout-Vin
(VTC):
Voh: Valor de tensin en la salida que equivale a tensin alta H.
Vol: Valor de tensin en la salida que equivale a tensin baja L.
Vih: Valor de tensin ms bajo de tensin en la entrada que se
reconoce como H.
Vil: Valor de tensin ms alto de tensin en la entrada que se reconoce
como L.
Vm ( Vth): Valor de tensin para el que Vin = Vout.
Vih y Vil se determinan por los puntos en que la pendiente de la VTC
sea 1 en valor absoluto (-1 en circuitos inversores y 1 en no
inversores).
Vth puede utilizarse como una caracterizacin sencilla de la VTC,
siendo L las tensiones menores de VTH y H las mayores.
Idealmente Voh = Vcc; Vol = 0; Vih = Vil = Vcc/2; Vth = Vcc/2.
Mrgenes de ruido: deben ser positivos en un circuito digital.
Margen de ruido superior: NMh = Voh Vih.
Margen de ruido inferior: NMl = Vil Vol.
Parmetros estticos
Vout Vout
Vcc Vcc
VTC ideal
Voh
VTC real
Vol
90%
50%
10%
- Iil: Intensidad que entra por una entrada del dispositivo cuando se le
aplica un nivel de tensin bajo.
- Iih: Intensidad que entra por una entrada del dispositivo cuando se le
aplica un nivel de tensin alto.
- Iol: Intensidad que entra por una salida del dispositivo cuando toma
un nivel de tensin bajo.
- Ioh: Intensidad que entra por una salida del dispositivo cuando toma
un nivel de tensin alto.
Circuito
Circuito
BiCMOS
GaAs
Circuito Bipolares
Id
Diodos
+ Vd -
P N
V3
VTC
5V
Puerta AND +V R1
1k
D1
in1DIODE out
V1
0/5V D2
DIODE
in2
10MHz
Circuito Bipolares
C
El transistor BJT B NPN
E
Circuito Bipolares
Modos de operacin del transistor BJT NPN en funcin C
de que las uniones BE y BC estn directamente B NPN
polarizadas (ON, 0.7V aprox.) o no (OFF, < 0.7V). IB
siempre entra por la base. E
R2
1k
V5 Vout
0/5V R3
Vin 10k Q2
HJnpn
20MHz
Puerta NOR
5V +V
V4
R2
1k
V5 V1
5/-5V R3 R1 5/-5V
Vin1 10k Q2 Q1 10k Vin2
HJnpn HJnpn
5MHz 10MHz
Vout
Circuito Bipolares
Lgica DTL (Diode-Transistor Logic)
Puerta NAND
V3 V1
0/4V 4V
VA
R1 R2
10MHz 2k 4k
D2 D4 D3 VF
V4 DioKK DioKK DioKK
0/4V Vb Q1
VB D1 HJnpn
DioKK Vx
R3
5MHz V2 5k
-2V
Pull-up
Pull-down
Vb
Va
Vout
Circuito Bipolares
Familias TTL. Medidas de intensidad en unidades de carga (U.L.)
1 U.L. => 40uA(H), 1.6mA(L)
LTTL: TTL de baja potencia, resistencias x10 y se elimina D1
HTTL: TTL de alta velocidad, resistencias a la mitad, mejor pull-up.
Familias TTL Schottky: con transistores Schottky. Familias S, LS, AS, ALS, F.
Schottky (S)
Low-power
Schottky (LS)
Circuito Bipolares
Otros circuitos TTL (puertas AND, OR, NOR, EXOR, etc).
En
Va
Vb
Vout
Circuito Bipolares
Circuitos ECL. Utilizan transistores acoplados por emisor para hacer
las funciones lgicas, el que tenga tensin de base ms alta est en
ZAD, el resto de transistores est en corte.
La intensidad circula por el transistor en
ZAD, produciendo una cada de tensin
en la resistencia, lo que genera la
tensin baja L. Por los transistores en
corte no hay cada de tensin en la
resistencia lo que produce un nivel de
tensin alto H.
Entradas Tensin de
Referencia
Vx -1.3V
Vil -1.4V
Vih -1.2V
Vee = -5.2V
Circuitos MOS NMOS
El transistor MOS
En circuitos digitales se PMOS
usa un dispositivo de 3
terminales Cambiando N por P, y P por N
NMOS
! VT 1V !
Zona de corte: Vgs < VT, Id = 0.
Zona lineal: Vgs > VT y Vds < Vgs - VT,
Id = K/2 [2(Vgs - VT) Vds - Vds2]
Zona de saturacin: Vgs > VT y Vds > Vgs -VT,
" #$ " #$
Id = K/2 (Vgs - VT)2
PMOS
! VT -1V Zona de corte: Vgs > VT, Id = 0.
!
!! Zona lineal: Vgs < VT y Vds > Vgs VT
Id = K/2 [2(Vgs - VT) Vds - Vds2]
Zona de saturacin: Vgs < VT y Vds < Vgs VT
" #$ " #$
Id = K/2 (Vgs - VT)2
Circuitos MOS
El transistor MOS
D
w
= % L G
&
= = = S
Capacidades MOS
+
+
$
' (
' (
* ,' (
$
$
)' ( Z=AB+CD *
$ !!
&' (
$
,' (
!!
' ( *
*
&' (
)' ( Z = (A + B ) (C + D)
$
$
Circuitos MOS
Llaves de paso puerta de transmisin MOS
Un transistor MOS puede utilizarse como una llave de paso
bidireccional, con una entrada de control que abre o cierra la llave. Las
llaves de paso NMOS ( PMOS) generan una degradacin de voltaje
en la salida. Las llaves de paso CMOS no producen esta degradacin.
.
$
. .
$
$
!! !! $
!!
Llave CMOS
Llave NMOS
Z2 = 0 A B + 1 A B + 1 A B + 0 A B =
=AB+AB
Circuito MOS
Familias Lgicas MOS.
Icc ideal 0 (Icc real por fugas, max. 80uA) => potencia esttica nula
(muy baja).
Ii ideal 0 (Ii real por fugas, max. 1uA) => fanout esttico infinito (muy
alto).
Familias BiCMOS
Alimentacin a 5V. Series BCT (tp 3ns, Io =188 mA), ABT (tp 5ns,
Io = 64mA).
Alimentacin a 3.3V. Series ALB (tp 2.2ns, Io =25 mA), LVT (tp
3.5ns, Io = 64mA), ALVT (tp 2.5ns, Io = 64mA).