El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente
de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada.
Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal
N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N Smbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERSTICA

Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente

figura:

Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas
importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin V GS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V GS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta
comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin de seales dbiles.
CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y
surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador
que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA

Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.

HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET

En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.
IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
PD.- potencia total disipable por el componente.
IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.
IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en
sentido inverso.

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MXICO

FACULTAD DE INGENIERA

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRNICOS

TAREA # ___

Transistor FET

Nombre:

Semestre 20001-1
TRANSISTOR FET (Introduccin).

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un
solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicacin de la combinacin de portadores.

Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn
la configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unin canal - puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los
electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento
de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los
terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la
instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos.
3) Explicacin de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su
longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms
una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa
de saturacin de la unin PN.

La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la
zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del
valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata
de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica

que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Impedancia de entrada alta y de

Aislador o separador (buffer) salida baja Uso general, equipo de medida, receptores

Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones

Mezclador Baja distorsin de intermodulacin Receptores de FM y TV,equipos para

 comunicaciones

Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de seales

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba

Amplificadores de cc, sistemas de control de

Troceador Ausencia de deriva direccin

Amplificadores operacionales, rganos

Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje electrnicos, controlas de tono

Amplificador de baja
frecuencia Capacidad pequea de acoplamiento Audfonos para sordera, transductores inductivos

Oscilador Mnima variacin de frecuencia Generadores de frecuencia patrn, receptores

Integracin en gran escala, computadores,

Circuito MOS digital Pequeo tamao memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase
por el drenador sea la tensin de puerta.

Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1-VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.

IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la
polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada
inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen
una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma
El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el
grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).

El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas
que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio