1.

ADJUNTAR LA HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES VISADA POR EL

DOCENTE.
2. EN BASE A LAS TABLAS N 1 Y 2, DIBUJAR EL ENCAPSULADO DEL
DIODO E INDICAR SU NODO Y CTODO.

3. TABULAR Y GRAFICAR EN UN SOLO PAPEL MILIMETRADO LAS DOS

REGIONES DE POLARIZACIN DEL DIODO PARA OBTENER SU CURVA
CARACTERSTICA I-V. USAR DOS TIPOS DE ESCALAS DE CORRIENTE,
UNA EN mA PARA LA REGIN DIRECTA Y EN A PARA LA REGIN
INVERSA. USAR DATOS DE LA TABLA N 3 Y 4.

V I (mA) I (mA) P.D. I (A) P.I.

0.200 0 0 0
0.300 0 0 0
0.400 0 0 0
0.500 0 0 0
0.550 0 0 0
0.608 11 11 0
0.650 13 13 0
0.700 21 21 0
0.757 23 23 0

I-V
25 23
21
20

15 13
I (mA)

11
10

5
0 0 0 00
0
-1.000 -0.800 -0.600 -0.400 -0.200 0.000 0.200 0.400 0.600 0.800 1.000

V (V)
4. PARA LA CURVA CARACTERSTICA OBTENIDA ANTERIORMENTE,
INDICAR PARA EL VALOR DE V=0.72 V EL VALOR DE LA RESISTENCIA
ESTTICA Y DINMICA.
VD
Restatica =
ID

0.72 V
Restatica= =32.73
22103 A

V d 26 mV
Rdinamica= =
Id ID

( 0.7570.700) A
Rdinamica = =28.50
(2321 )103 A

5. TENIENDO EN CUENTA QUE LA RESISTENCIA PROMEDIO r AV DE UN

DIODO ES DEFINIDO ENTRE DOS PUNTOS DE TRABAJO Y ASUMIENDO
QUE DICHOS PUNTOS SON: V1=0.62 V y V2=0.72 V; ENTONCES USANDO
LA CURVA CARACTERSTICA OBTENIDA EXPERIMENTALMENTE,
MODELAR EL DIODO PARA EL CASO QUE TENGA UNA FUENTE VT ,

UNA RESISTENCIA r AV Y UN DIODO IDEAL. NOTA: ASUMIR VT

COMO UNA PROLONGACIN DE LA RECTA DE CONDUCCIN QUE
CORTA AL EJE DE LAS ABSCISAS.
Vd
r AV = Punto a punto
Id

VT
r AV =
Id

Entonces:

( 0.720.62 ) V
r AV =
Id

La resistencia promedio de nuestra experiencia es:

( 0.7570.200 ) V
r AV = =46.42 m
( 2311 )103 A
 I-V
25 23
21
20

15 13

I (mA)
11
10

5
0 0 0 0 0
0
0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700 0.800

V (V)

6. AUMENTA O DISMINUYE LA RESISTENCIA DINMICA DE UN DIODO AL

DISMINUIR LA INTENSIDAD DE CORRIENTE DEL PUNTO DE TRABAJO
DEL DIODO? CONTESTE ESTA PEGUNTA ANALIZANDO LA PENDIENTE
DE LA CURVA EXPERIMENTAL OBTENIDA EN LOS DIFERENTES PUNTOS
DE TRABAJO.
Observando la grfica se concluye que la resistencia dinmica aumenta al
disminuir la intensidad de corriente en el punto de trabajo

I-V
25 23
21
20

15 13
I (mA)

11
10

5
0 0 0 0 0
0
0.100 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700 0.800

V (V)
7. INDICAR UN VALOR APROXIMADO DE LA RESISTENCIA QUE PRESENTA
EL DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE.
Tenemos la misma equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor
abierto. En conclusin, la resistencia del diodo en polarizacin inversa es:

VD
R polarizacioninversa = =
ID

8. EXPLICAR POR QUE APARECE LA CORRIENTE INVERSA DE

SATURACIN.
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la
terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al
material tipo p como se muestra en la figura 3, el nmero de iones positivos
revelados en la regin de empobrecimiento del material tipo n se incrementar
por la gran cantidad de electrones libres atrados por el potencial positivo del
voltaje aplicado. Por las mismas razones, el nmero de iones negativos no
revelados se incrementar en el material tipo p.
9. INDICAR ALGUNOS PUNTOS Y O SUGERENCIAS
a) Hacer tema introduccin antes de comenzar el experimento.
b) Los diodos son dispositivos muy utilizados en la electrnica.

10. INDICAR ALGUNAS CONCLUSIONES

a) Del experimento observa que el diodo en polarizacin directa conduce, pero
en polarizacin inversa no conduce y aparece la corriente inversa de
saturacin.
b) Existen diodos de varias nominaciones por lo cual cada uno de ellos tiene
una cualidad determinada ejm. 1N4001, 1N4007.