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(que puede estar en varias configuraciones diferentes y regirse por la misma ecuacin), el
voltaje obtenido puede ser derivado de:
Termopotencia
La Termopotencia, potencia termoelctrica, o coeficiente Seebeck de un material mide la
magnitud de un voltaje termoelctrico inducido en respuesta a una diferencia de
temperatura a travs de ese material, la termopotencia tiene unidades de (V/K), aunque en
la prctica es ms comn usar microvoltios por kelvin. Los valores en los cientos de V/K,
negativos o positivos, son tpicos de buenos materiales termoelctricos. El trmino
termopotencia es un nombre errado ya que mide el voltaje o campo elctrico inducido en
respuesta a la diferencia de temperatura, no a la potencia elctrica. Una diferencia de
temperatura aplicada causa portadores cargados en el material, si
hay electrones o huecos, para difundirse desde el lado caliente al lado fro, similar al gas
clsico que se expande cuando se calienta. Portadores mviles cargados migran al lado
fro dejando atrs su ncleo inmvil opuestamente cargado al lado caliente dando origen
as al voltaje termoelctrico (termoelctrico se refiere al hecho que el voltaje es creado por
una diferencia de temperatura). Puesto que una separacin de carga tambin crea un
potencial elctrico, la acumulacin de portadores cargados en el lado fro finalmente cesa
en algn valor mximo ya que existe una cantidad de portadores cargados derivados
movidos al lado caliente como resultado del campo elctrico en equilibrio. Solo un
incremento en la diferencia de temperatura puede reanudar una acumulacin de ms
portadores de carga en el lado fro y as conllevar a un incremento en el voltaje
termoelctrico. Casualmente la termopotencia tambin mide la entropa por portador de
carga en el material. Para ser ms especficos, la capacidad trmica electrnica molar
parcial se dice que es igual a la potencia termoelctrica absoluta multiplicada por el
negativo de la constante de Faraday.
La termopotencia de un material representada por S (o a veces por ), depende de la
temperatura y estructura cristalina del material. Tpicamente los metales tienen
termopotencias bajas porque la mayora tiene bandas medio llenas. Ambos electrones
(cargas negativas) y huecos (cargas positivas) contribuyen al voltaje termoelctrico
inducido as se cancelan cada uno con la contribucin al voltaje de otro y hacerlo pequeo.
En cambio, los semiconductores pueden estar dopados con una cantidad en exceso de
electrones o huecos y as se puede tener grandes valores positivos o negativos de la
termopotencia segn la carga de los portadores en exceso. El signo de la termopotencia
puede definir que portadores cargados domina el transporte elctrico en ambos metales y
semiconductores.
Si la diferencia de temperatura entre los dos extremos de un material es pequea,
entonces la termopotencia de un material se define (aproximadamente) como:
Refrigeradas
Emplean semiconductores exticos, que se encuentran al vaco y refrigerados, lo que
incrementa su sensibilidad. Los materiales ms comunes son el telururo de cadmio y
mercurio(CdHgTe o CMT -siglas en ingls-) y el antimoniuro de indio (InSb). Tambin se
pueden realizar detectores sensibles al infrarrojo con elementos del tipo pozo cuntico.
Se emplean enfriando a temperaturas del rango de 4 K hasta 110 K, siendo 80K el ms
comn; sin esta refrigeracin el propio ruido trmico del sensor es superior a la seal
detectada.
No refrigeradas
Funcionan a temperatura ambiente; se sacrifican prestaciones para obtener equipos ms
baratos y de menor consumo. Los materiales ms usados son silicio amorfo y xidos
de vanadio.