Informe Previo N1: Amplificador Multietapa

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica U.N.I.

Laboratorio de Electrnica II (EE442M) 2017II
Backus Mauricio Israel
Isra_back_4@hotmail.com

Resumen Los amplificadores multietapa son circuitos 2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio,
electrnicos formados por varios transistores (BJT o FET), que escriba la ecuacin dIc2 dT, tal que Ic2 = (ICB0, VBE ) y
pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. considerando que los BJT son de silicio
Las configuraciones clsicas son el par Darlington (alta
impedancia de entrada e incremento de la ganancia de corriente),
Tomando en cuenta solo la primera etapa del amplificador,
el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada), el
tomaremos el circuito de la Fig.1. Desarrollaremos la variacin
amplificador cascode (alta impedancia de salida). Todas estas
de la corriente del colector (IC2) con la temperatura, tambin
etapas amplificadoras pueden ser integradas y encapsuladas en un
conocida como estabilidad en el punto de trabajo.
chip semiconductor llamado Circuito Integrado (CI). En el CI las
polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, Teniendo en cuenta que la corriente de polarizacin inversa
debido a la mayor facilidad de construccin (a travs de de la juntura Base-Colector (ICB0) es fuertemente dependiente
transistores). de la temperatura la tendremos en cuenta al momento de
desarrollar las mallas en el circuito. Sabemos que:
Objetivos Diseas, simular, implementar y analizar, la
ganancia y respuesta en frecuencia de un amplificador. IC2=IE2 + ICB0 (1)
I. INTRODUCCION Adems:
IE2=IC2+IB2 (2)
Un amplificador se describe como un circuito capaz de
procesar las seales de acuerdo a la naturaleza de su aplicacin. =/(1-) (3)
El amplificador sabr extraer la informacin de toda seal, de
tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin del +1=1/(1-) (4)
sistema que genera la seal (sensor o transductor usado para la
aplicacin). Reemplazando ecuacin (2) en ecuacin (1):
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que
IC2 = (IC2+IB2) + ICB0 (5)
tienen mltiples transistores y adems pueden ser conectados
entre si Zin, Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden IC2 = /(1-)IB2 + 1/(1-)ICB0 (6)
ser tanto de cc. como de ca.

II. INFORME PREVIO

1. Detallar las condiciones para los que un bjt y/o fet puede
operar en baja frecuencia.

Para que un BJT o FET opere a frecuencias bajas debe cumplir

ciertas condiciones:
Primero: estos dispositivos deben trabajar en su zona lineal, lo
que quiere decir que deben estar correctamente polarizados. Fig. 1. Primera etapa del circuito amplificador. Se analizar la
Segundo: La tensin en la juntura base-emisor no deber estabilidad en el punto de trabajo de Q2.
exceder los 26mV (constante trmica) para evitar distorsiones
Reemplazando (3) y (4) en (6):
en la seal de salida.
IC2 = IB2 + (+1)ICB0 (7)
Ahora desarrollaremos las mallas del circuito de la Fig. 1. Para
relacionar IC2 con VBE.
Analizando Q1 obtenemos lo siguiente:
Vth VBE = IB1 (R1//R2) + IE1 R4
Vth VBE = IB1 [(R1//R2) + (+1)R4]
IB1 =(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4]
IE1 =(+1)(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4]
Analizando Q2 obtenemos:
3. Fundamente las razones por los que se disea la ganancia
y otros parmetros de un amplificador independiente del
hfe , hie , etc., del BJT por ejemplo.
Es conveniente que al realizar el diseo de un circuito
(8) amplificador, la funcin de ganancia no sea dependiente de
trminos como hfe , hie, etc. , ya que estos trminos son
(9) variable ante los cambios de temperatura, y en un momento
dado podemos obtener valores ptimos de amplificacin y
(10) luego resultados muy pobres.
Es mejor que trminos como la ganancia sean funciones
(11)
constantes dependientes de los resistores, para obtener
resultados fiables.

IE1 R4 = VBE + IE2R6 (12) 4. Disee un circuito amplificador ARGOS 1 bajo las
siguientes premisas:
Usando (11) en (12):
- Fuente de operacin DC 12v
(+1)(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4] - VBE = IE2R6 (13) - Elementos activos 2N2222A
- Seal de prueba 1kHz 10mv, resistencia 10k
IB2 = (1/R6)[(Vth VBE)/ [(R1//R2) + (+1)R4]-VBE/(+1)] (14) - Corrientes ICQ mayores o iguales a 1mA
- Frecuencia de corte fi = 100Hz y fs = 5kHz
IB2 = A - BVBE (15) - Ganancia a frecuencias medias 350
Donde A y B son constantes cuyo valor depende de los valores
de R1, R2, R4, R6, y Vth. Ahora reemplazaremos (15) en (7)
ARGOS 1
IC2 = (A-BVBE) + (+1)ICB0 (16)

Para ver la variacin de IC2 con la temperatura diferenciaremos

la ecuacin (16) con respecto a la temperatura.

) ) )
= (17)

)) ) )
= (18)

Se considera como regla prctica:

(19)

Adems:

(20)

) ) (21)

Entonces reemplazando (19) y (21) en (18)

) ) ) (22)
5. Simular el circuito y graficar los principales parmetros 6. Comprobar que las junturas Base Emisor trabajan en el
del amplificador rgimen lineal y de mnima distorsin armnica, basado
en los diagramas de bode del circuito ARGOS 1 obtenidos
de la simulacin.

Se observa que los transistores estn polarizados

linealmente.

7. Presente los diagramas de bode obtenidos de la

simulacin.

V2 vs V1:

Respuesta del Amplificador ARGOS 1 a una onda de

prueba de 1kHz.
V6 vs V1: V15 vs V12:

V7 vs V6: V16 vs V12:

V9 vs V1:
V16 vs V1:

V12 vs V9:

8. Implementacin

Equipo y Material Bsico

1 Osciloscopio
1 Generador de Seales
1 Multmetro digital
1 Fuente DC
Lista de Componentes:
Transistores:
Q1, Q2, Q3, Q4 2N2222A
 Resistencias
R1, RL 10 K
R2 100 K
R3, R9 68 K
R4, R8 2.2 K
R5, R11 3.9 K
R6, R13 3.3 K
R7, R14 100
R9 68 K
R10 22 K
R12 1.5 K
R15 680
Capacitores
C1,C4 0.22 F
C2,C5 47 F
C3 0.15 F
C6 1.8 nF
C7 1.2 nF

9. Bibliografa

[1] Rashid, Muhammad H, Circuitos Microelectrnicos,

Mxico D.F. Internacional Thomson Editores , 2000.
[2] Kunst Zurich. Amplificadores diferenciales. [En lnea].
http://www.slideshare.net/Volta/tema-7amplificador-diferencial-
presentation