Act 5: Leccin Evaluativa No.

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Las tcnicas de integracin de circuitos se beneficiaron de los avances
tecnolgicos. Los procesos de implantacin inica y litografa permitieron
realizar lneas de conexin en la oblea de silicio con anchuras del orden de
micras. Adems, el avance en las tecnologas de integracin introdujeron
los circuitos PMOS y CMOS, con unas caractersticas de tiempos de
propagacin y potencia consumida cada vez mejores. La eficiencia,
velocidad y produccin han mejorado continuamente en los transistores de
unin y efecto de campo, a la vez que el tamao y el costo se ha reducido
considerablemente. En poco tiempo, se pas de construir elementos
discretos a sistemas integrados con ms de un milln de transistores en
una sola pastilla. La evolucin ha sido espectacular: as, en 1951 se
fabricaron los primeros transistores discretos, en 1960 se construyeron los
primeros circuitos monolticos con 100 componentes, en 1966 estos
circuitos alcanzaron 1000 componentes, en 1969 se lleg a 10000, y
actualmente se estn fabricando circuitos integrados con varios millones
de transistores.

Este tipo de preguntas consta de un enunciado, problema o contexto

a partir del cual se plantean cuatro opciones numeradas de 1 a 4, el
estudiante debe seleccionar la combinacin de dos ms opciones
que responda adecuadamente a la pregunta y marcarla en la hoja
de respuesta, de acuerdo con la siguiente informacin:

El avance en las tecnologas de integracin introdujeron los circuitos

PMOS y CMOS, dos de sus principales caractersticas son:

1. Menor consumo de potencia

2. Menor velocidad

3. Mejor tiempo de propagacin

4. Menos eficientes
Su respuesta :

1 y 3 son correctas
Una consecuencia no detectada desde el principio, pero relacionada
ntimamente con los procesos fsicos que ocurran en el transistor, fue que
la miniaturizacin implicaba un aumento de velocidad del procesamiento. En
la medida que las distancias a recorrer dentro del silicio por los lentos
portadores de carga eran cada vez menores, los transistores podan trabajar
cada vez a mayor velocidad. En el Cuadro 2 se presenta la historia de los
procesadores de Intel y alguna especulacin acerca del futuro.

Cuadro: Evolucin de los chips de Intel en sus diversas caractersticas]

chip lanzamiento precio transistores MIPS

4004 11/71 200 2,3 K 0.06
8008 4/72 300 3,5 K 0.06
8080 4/74 300 6K 0.6
8086 6/78 360 29 K 0.3
8088 6/79 360 29 K 0.3
286 2/82 360 134 K 0.9
386 10/85 299 275 K 5
486 4/89 950 1,2 M 20
Pentium 3/93 878 3,1 M 100
Pentium pro 5/95 974 5,5 M 300
786 ? 1997 1000 8M 500
886 ? 2000 1000 15 M 1.000
1286 ? 2011 ? 1 G 100.000

De acuerdo a la anterior informacin podemos afirmar sobre las

caractersticas de evolucin de los circuitos integrados que:
Su respuesta :

Entre ms pequeos ms rpidos

Eso es correcto!! adelante

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es
en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico
para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse
como resistencias controladas por voltaje.

La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de

semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina
semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFTs
(thin-film transistores, o transistores de pelcula fina), por otra parte, es
una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto
que la principal aplicacin de los TFTs es como pantallas de cristal lquido
o LCDs).

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET

(Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y

fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado
por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya
o no corriente entre drenador y fuente.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT.

En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los
BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en
comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede
ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y
diseo de circuitos.

De acuerdo a la lectura anterior, seleccione la respuesta correcta:

Su respuesta :

El transistor de efecto de campo se comporta como un

interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a
la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.

Correcto!
Comparador
Esta es una aplicacin sin la realimentacin. Compara entre las dos
entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede
usar para adaptar niveles lgicos.

Seguidor

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la

entrada

Inversor

Se denomina inversor ya que la seal de salida es igual a la seal de

entrada (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.

El voltaje de salida est dado por:

Vout = -Vin ( Rf/Rin )

En un amplificador inversor, si queremos tener una ganancia de 50,

los valores adecuados de Rf y Rin son respectivamente:
Su respuesta :

Rf=100 y Rin=2

Correcto!! la ganancia es Rf/Rin

En todos estos los pasos de diseo de circuitos integrados podemos
distinguir dos tipos de acciones: crear zonas de difusin y de well, que
alterar la composicin interna de la oblea; y la deposicin de material
sobre la oblea. La primera accin se puede conseguir a travs de dos
proceso diferentes: difusin e implantacin inica.

El proceso de difusin consiste en depositar sobre la oblea un material

desde el cual obtener las impurezas deseadas y calentarla oblea a una
temperatura elevada. De esta forma, los espacios intersticiales del
semiconductor aumentan, y as las impurezas pueden ocupar estos
espacios.

El proceso de implantacin inica consiste en bombardear la oblea con

las impurezas que se quieren difundir. Dicha difusin slo se producir en
las zonas que no se encuentren protegidas por una mscara de material.

En cuanto a la segunda accin, el proceso ms utilizado es la

fotolitografa. Dicha tcnica consiste en depositar por todo el circuito una
capa de material en cuestin (polisilicio o metal, tambin se utiliza con el
xido para separar las diferentes capas, pero dicho proceso es
transparente para el diseador, la nica accin del diseador en esta capa
son los contactos en los que no debe haber dicha capa de xido), y encima
de ella una mscara fotorresistiva, la cual evitar la prdida del material
que se encuentre bajo ella. Despus de haber eliminado el material
sobrante del circuito, se elimina la mscara dejando el circuito preparado
para una nueva capa.

Por lo tanto, para cualquiera de los procesos anteriores, es necesario

conocer y verificar una serie de caractersticas geomtricas como son el
tamao del material depositado sobre el circuito. Dichas caractersticas
son denominadas reglas de diseo, y gracias a ellas se asegura que los
dispositivos descritos en el layout estarn en el circuito fsico. Si algunas
de estas reglas son violadas no se asegura la correcta creacin del circuito
electrnico.

El proceso de implantacin inica consiste en depositar sobre la

oblea un material desde el cual obtener las impurezas deseadas y
calentarla oblea a una temperatura elevada.
Su respuesta :

Falso

Correcto
Una compuerta NOR CMOS se forma agregando un P-MOSFET en serie y
un N-MOSFET en paralelo al inversor bsico Figura abajo.

Una vez ms este circuito se puede analizar entendiendo que un estado

BAJO en cualquier entrada enciende P-MOSFET (QP1 y QP2 entran a
conduccin) y apaga el N-MOSFET (QN1 y QN2 entran a corte)
correspondiente. La salida pasa a alto (1) a travs de QP1 y QP2.

Las entradas en un estado ALTO, hacen que los transistores QP1 y QP2
entren en corte y ambos transistores QN1 y QN2 en conduccin (la salida
pasa a bajo (0) a travs de QN1 y QN2).

En las parejas de transistores ya sean de canal n de canal p, si cualquier

entrada es baja, uno de los transistores entra a corte y otro a conduccin.
La salida pasa a bajo (0) acoplndose a travs de transistores en
conduccin a tierra.

Para obtener un alto a la salida, los valores de A y B deben ser

respectivamente:
Su respuesta :

A=0 y B=0

Correcto
Al llegar una seal a la entrada de una puerta lgica, la respuesta a dicha
seal no aparece instantneamente en la salida, sino que existe un cierto
tiempo de retardo; este tiempo es diferente segn la transicin de estado de
la puerta sea de 0 a 1 o de 1 a 0:

Retraso de propagacin de bajo a alto, tPLH

Retraso de propagacin de alto a bajo, tPHL

.- tiempo transcurrido desde que la seal de entrada sube

(pasa por el 50%) hasta que la seal de salida baja (pasa por el
50%)..- tiempo transcurrido desde que la seal de entrada baja
(pasa por el 50%) hasta que la seal de salida sube (pasa por
el 50%).

El hecho de subida y bajada se debe a que las principales familias son

negativas, es decir, la salida que obtenemos es el valor negado de dicha
funcin.

Retraso de propagacin
Tiempo de transicin de bajo a alto, tTLH.
Tiempo de transicin de alto a bajo, tTHL
 .- tiempo transcurrido desde que la seal empieza a bajar
(pasa por el 90%) hasta que llega a un nivel bajo (pasa por el
10%).- tiempo transcurrido desde que la seal empieza a subir
(pasa por el 10%) hasta que llega a un nivel alto (pasa por el
90%)..- valor medio de tPLH y tPHL.

Es decir, se considera que una transicin se ha completado cuando

pasamos de los umbrales del 10% y el 90%. Este hecho es debido a que la
forma de onda a partir de esos valores cambia, pudiendo no llegar nunca a
los valores del 0% o al 100%.

El tiempo transcurrido desde que la seal empieza a subir (pasa por

el 10%) hasta que llega a un nivel alto (pasa por el 90%) es llamado:
Su respuesta :

Tiempo de transicin de bajo a alto, tTLH

Correcto
Est compuesto por dos compuertas NAND encargadas de enviar la seal
de habilitacin a las compuertas OR (al igual que el flip- flop SR se puede
construir con otras compuertas lgicas). La salida de una compuerta OR se
transforma en la entrada de la otra (retroalimentacin). Se puede observar
la similitud con el flip- flop SR, solamente difieren en una entrada de
habilitacin y en que la entrada de Reset es igual a la de Set negada.

Diagrama lgico del FF D:

Tabla de verdad del Flip-Flop D:

 De acuerdo a la tabla mostrada para el Flip Flop D, la salida Q se
pone en alto slo cuando la entrada D=1 y ocurre un flanco de reloj.
Su respuesta :

Verdadero

Correcto
Las FPGAs (Field Programmable Gate Arrays) contienen bloques lgicos
relativamente independientes entre s, con una complejidad similar a un
PLD de tamao medio. Estos bloques lgicos pueden interconectarse,
mediante conexiones programables, para formar circuitos mayores. Existen
FPGAs que utilizan pocos bloques grandes (Pluslogic, Altera y AMD) y otras
que utilizan muchos bloques pequeos (Xilinx, AT&T, Plessey, Actel).

A diferencia de los PLDs, no utilizan arquitectura de matriz de puertas AND

seguida de la matriz de puertas OR y necesitan un proceso adicional de
ruteado del que se encarga un software especializado.

La primera FPGA la introdujo Xilinx en el ao 1985. La programacin de las

FPGAs de Xilinx basadas en RAM esttica es diferente a la programacin de
los PLDs. Cada vez que se aplica la tensin de alimentacin, se reprograma
con la informacin que lee desde una PROM de configuracin externa a la
FPGA. Una FPGA basada en SRAM (RAM esttica) admite un nmero
ilimitado de reprogramaciones sin necesidad de borrados previos.

En general la complejidad de una FPGA es muy superior a la de un PLD. Los

PLD tienen entre 100 y 2000 puertas, las FPGAs tienen desde 1200 a 20.000
puertas y la tendencia es hacia un rpido incremento en la densidad de
puertas. El nmero de flip-flops de las FPGA generalmente supera al de los
PLD. Sin embargo, la capacidad de la FPGA para realizar lgica con las
entradas suele ser inferior a la de los PLD. Por ello: "los diseos que
precisan lgica realizada con muchas patillas de entrada y con pocos flip-
flops, pueden realizarse fcilmente en unos pocos PLDs, mientras que en
los diseos en los que intervienen muchos registros y no se necesita
generar combinaciones con un elevado nmero de entradas, las FPGAs
pueden ser la solucin ptima".

En la fabricacin de PLDs se utiliza tecnologa bipolar TTL o ECL y

tecnologa CMOS. Los dispositivos bipolares son ms rpidos y consumen
ms que los

dispositivos CMOS. Actualmente los PLDs bipolares presentan retardos de

propagacin inferiores a 7 nsg y los consumos tpicos rondan los 100-200
mA para un chip con 20-24 patillas.

Mientras los PLDs bipolares slo pueden programarse una vez, la mayora
de los PLDs CMOS son reprogramables y permiten una fcil verificacin por
parte del usuario. A los PLDs CMOS borrables por radiacin ultravioleta se
les denomina EPLD y a los borrables elctricamente se les conoce por
EEPLD. Los EEPLD con encapsulados de plstico son ms baratos que los
EPLD provistos de ventanas de cuarzo que obligan a utilizar encapsulados
cermicos.

Tambin existen las PALCE16V8Q (Quarter Power Icc = 55 mA) y las

PALCE16V8Z (Zero Power) con un bajsimo consumo esttico de potencia.

Acostumbrados a trabajar con dispositivos CMOS con un consumo

prcticamente nulo a frecuencia cero, resulta sorprendente una PAL CMOS
con un consumo de 90 mA a la mxima frecuencia de operacin (15 Mhz),
pero que todava tendr un consumo apreciable a frecuencia cero. En la
actualidad, solamente una pequea fraccin de los PLDs del mercado se
anuncian como Zero Power.

Mientras los PLDs CMOS slo pueden programarse una vez, la

mayora de los PLDs bipolares son reprogramables y permiten una
fcil verificacin por parte del usuario.
Su respuesta :

Falso

Correcto