El Transistor de Juntura Bipolar (BJT)

J,I. Huircn, R.A. Carrillo

Universidad de La Frontera
December 9, 2011

Abstract
El Transistor de Juntura Bipolar (BJT) es un dispositivo activo de
tres terminales, Base, Colector y Emisor, cuya corriente se debe a la com-
binacin de portadores e y h+ . El dispositivo es bsicamente una fuente
de corriente controlada por corriente. Para su funcionamiento requiere un
circuito de polarizacin externo. Tiene tres zonas de trabajo, activa, corte
y saturacin.

1 Introduction
Desde su invencin a nes de los 40, el transistor como elemento activo de
los sistemas electrnicos siempre ha estado presente, primero como elemento
discreto y luego como parte de un circuito integrado (IC). Es un dispositivo
ampliamente utilizado en control electrnico, amplicacin y en prcticamente
toda las aplicaciones de la electrnica. El objetivo de este documento es revisar
los aspectos bsicos, sin adentrarse ms que lo suciente en la fsica de los
semiconductores, con el n de establecer las relaciones de corriente y voltaje en
el dispositivo.

2 El transistor de juntura bipolar (BJT)

2.1 Caractersticas generales
El BJT es de naturaleza bipolar, pues la corriente producida es debido al aporte
de los portadores negativos (e , electrones) y positivos (h + , hoyos). Consiste en
dos junturas p-n y posee tres terminales los que son llamados Emisor (E), Base
(B) y Colector (C). El BJT puede ser tipo npn o pnp, su estructura y smbolo
se muestra en la Fig. 1, la echa indica la direccin normal de la corriente y
dene la polaridad de la tensin base-emisor. No es un dispositivo simtrico,
pues intercambiando el emisor por el colector se obtienen resultados distintos.

1
 n p n p n p
E C E C

B B

Emisor Colector Emisor Colector

Base Base

(a) (b)

Figure 1: Smbolos del transistor. (a) npn. (b) pnp.

2.2 Funcionamiento
Sea el BJT npn de la Fig. 1a, ste considera una regin n de volumen inter-
medio de alto dopamiento (gran cantidad de e ), una regin p muy delgada de
pequeo volumen de bajo dopamiento (poca cantidad h+ ), y una regin n de
gran volumen de dopamiento intermedio.
Para establecer su funcionamiento primero se polariza slo la juntura BE,
dejando el colector abierto. La juntura est polarizada directa, luego se produce
un ujo de e desde el emisor a la base, pero tambin uirn h + en menor
cantidad desde la base al emisor.

n p n n p n
IE
e- h+ IC

E C E C
h+ e-

B B
IB IB

+
+
VBE VCB
(a) (b)

Figure 2: (a) Colector abierto. (b) Emisor abierto.

La corriente IE se produce por la suma de los e mayoritarios y h + mayori-

tarios inyectados por el emisor y la base respectivamente. La corriente entre la
base y el emisor ser IE . Dado que la base es muy delgada, no soporta grandes
corrientes.
Polarizando solamente la juntura CB, dejando el emisor abierto, la juntura

2
pn est polarizada inversa, luego slo existe movimiento de portadores h + ninori-
tarios del colector y los e minoritarios de la base, produciendo una corriente
inversa de saturacin llamada ICBO , entre C y B.

n p n n p n
e- IE I nE e- I nE e- IC
e- InE (1- )
C I pB I CB0 C
E + h+ E
h h+

B IB
B

+ +
+ +
VBE VCB VBE VCB

(a) (b)

Figure 3: (a) Polarizacin completa. (b) Corrientes

Al polarizar de acuerdo a la Fig. 3a, los e mayoritarios inyectados por el

emisor atraviesan la base llegando al colector, un pequeo porcentaje se recom-
bina en la base con los h + mayoritarios aportados por sta. As, la corriente por
el emisor debido a los e mayoritarios ser InE , pero la corriente en el colector
debido a estos portadores ser InE ; donde es un nmero menor que 1, dado
que parte de los e se recombinan en la base.
As, la corriente del emisor IE , ser funcin de la corriente producida por los
portadores mayoritarios e y la corriente debida a los portadores mayoritarios
h+ inyectados por la base.

IE = IpB + InE (1)

La corriente que se desva a la base ser (1 )InE = InR ; luego la corriente
en la base ser la corriente de los portadores mayoritarios h+ de la base mas la
corriente InR menos la corriente ICBO como se muestra en la Fig. 3b.

IB = IpB + InR ICBO (2)

Finalmente, la corriente por el colector IC ser la proveniente del emisor ms
la corriente de saturacin inversa ICBO .

IC = InE + ICBO (3)

Considerando despreciable el efecto de ICBO , se tiene

IB = IpB + (1 )InE (4)

IC = InE (5)

3
 Luego (1) se reemplaza IpB en (4) obtenindose la clsica ecuacin

IB = IE IC (6)
Por otro lado dado que IC = InE ; reemplazando (1)

IC = InE = (IE IpB )

Considerando que la corriente IpB debido a h+ generada por la base es mucho
menor que InE ; entonces se llega a

IC = IE (7)
Donde es la ganancia de corriente en base comn.

2.3 Modos de Trabajo

Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una
de las junturas, se tienen distintos modos de operacin. En el modo activo, el
BJT opera como amplicador. Los modos corte y saturacin permiten usar el
transistor como interruptor.

Table 1: Zonas de trabajo del BJT.

pnp npn
Modo JEB JCB JBE JBC
Corte Inv Inv Inv Inv
Activo Dir Inv Dir Inv
Saturacin Dir Dir Dir Dir

Para el trabajo en zona activa, la alimentacin debe ser de acuerdo a la

Fig. 4. La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo;
en cambio la juntura base-colector debe polarizarse en forma inversa. Cuando
se cumplen simultneamente ambas condiciones, el BJT se encuentra en zona
activa. As para un transistor npn, VBE > 0; luego VEB > 0 para un transistor
pnp.
En zona activa, la corriente del colector est dada por
vBE
ic = Is e VT
(8)
Donde Is es la corriente de saturacin inversa. Luego, la corriente de base
se expresa como
iC
iB = (9)

Donde es una constante propia del transistor, la cual vara entre 100 y 200
para algunos casos, pero puede llegar a valores muy elevados (o bajos 40 y 50),

4
 + +
V V
CB EB

+ +
V V
BE BC

(a) (b)

Figure 4: Polarizacin del Transistor. (a) npn. (b) pnp.

y recibe el nombre de ganancia de corriente de emisor comn. De acuerdo a

(6), se tiene

iE = iC + iB
+1
Luego iE = iC ; lo que se puede expresar como iC = iE . Donde es
llamada la ganancia corriente en base comn y su valor es muy cercano a 1
(0.99 para = 100).

2.4 Representacin grca de las caractersticas del BJT

Como iC vara de acuerdo a (8), se construye la curva de entrada iB vBE ,
o la curva iC vBE , pues slo diere en una constante de acuerdo a (9). La
caracterstica de salida se expresa a travs de una curva iC vCE . Dicha curva
muestra como vara la corriente de colector para distintos valores de la corriente
de base. Cada curva indicada es debido a un valor de iB en particular.
iC [mA]
i [uA]
B
I
B3
I ICQ IB =IBQ
BQ 2
I
B1

[V] [V]
V
BE vBE v
CE

(a) (b)

Figure 5: (a) Caracterstica de entrada iB vBE . (b) Caracterstica de salida

iC vCE :

De acuerdo a la Fig.5, cuando el transistor est operando, se establece un

voltaje en la juntura BE llamado VBE(ON ) , ste permite establecer una corriente
en la base llamada IBQ : Debido a la caracteristica de amplicacin, la corriente
de colector ser ICQ = IBQ . El voltaje vCE en la zona activa ser mayor que
cero pero menor que la fuente de alimentacin que se use para tal efecto.

5
 iC [mA] Zona
D de P mxima

IB5
Regin de Saturacin

IB4
IB3
IB2
IB1

[V]
VCE (Sat)
Regin de Corte vCE

Figure 6: Zonas de funcionamiento del BJT.

En la Fig. 6 se pueden identicar las tres zonas de funcionamiento, luego

se tiene la zona de corte, para la cual se cumple que iB = 0, esto implica una
corriente de colector iC = 0, dicha zona se encuentra en la parte inferior del
cuadrante. En la zona de saturacin, donde en el BJT npn, la juntura BE est
polarizada directa y la juntura BC tambin, esto produce un incremento de la
corriente, lo que lleva a una disminucin del voltaje colector emisor, sta ser
la zona a la izquierda en el primer cuadrante. En trminos ideales vCE 0; sin
embargo, en terminos prcticos es establece que el transistor estar en saturacin
para un valor del voltaje colector emisor menor a VCE(Sat) , donde este valor se
establece en 0.2[V ].
En la zona derecha se tiene la curva de mxima disipacin de potencia del
dispositivo, si el transistor traspasa la zona de mxima disipacin, ste se de-
struye. El punto de operacin deber ubicarse entre las zonas indicadas.

2.5 Conguraciones bsicas con el BJT

Dado que el BJT es un dispositivo de 3 terminales, existen tres posibilidades
diferentes para referirse al comn (referencia comn de los potenciales) del cir-
cuito, base comn, emisor comn y colector comun.

i iE i
C E i
C
i i
B B
+ _ _
+
v v v v
+ CE + CE BE _ CB
v
+
BE_ _ v +
BC _

(a) (b) (c)

Figure 7: Conguraciones del BJT. (a) Emisor comn. (b) Colector comn. (c)
Base comn.

Cada una de las conguraciones bsicas tendr distintas curvas de salida.

6
2.6 Caractersticas principales del BJT
La iE , ser siempre mayor a la iC :
Por medio de una pequea tensin directa en JBE, se logran controlar
grandes por el colector.
iB es bastante pequea ( A) en cambio, iE y iC son del orden de los mA.
iE desfasa a iC en 180o .

3 Polarizacin Bsica
Sea el circuito de la Fig. 8a. Se analiza para tres valores distintos de RB , lo
que permite establecer sus zonas de trabajo. Para el ejemplo se plantean la en
la base del transistor y luego una malla que pasa por el colector, de esta forma
se tiene las siguientes ecuaciones.
10[V]

RC RB
iC 470
470
10[K ]
RB +
+
+ + v iC
10[K ] +
v CE 10[V]
10[V] i BE _
v B _
+ CE
v _
i BE_
B

(a) (b)

Figure 8: Polarizacin del BJT.

10 [V ] = iB 10 [K ] + vBE (10)
10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE (11)

Considerando que VBE(ON ) = 0:7 [V ] y = 100; se tiene que

10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 930 [ A]
10 [K ]
Luego, como iC = 100iB = 93 [mA] ;

vCE = 10 [V ] 93 [mA] 470 [ ] = 33 [V ]

De lo que se concluye que el transistor est en zona de saturacin.

Cambiando el RB por 680 [K ], se tiene

7
 10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 13:67 [ A]
680 [K ]
iC = 100iB = 1:367 [mA]
vCE = 10 [V ] 1:367 [mA] 470 [ ] = 9:36[V ]

Casi se encuentra en corte, pues iB 0:

Finalmente, para un valor de RB = 100 [K ], es factible tener el transistor

en zona activa.

10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 93 [ A]
100 [K ]
iC = 100iB = 9:3 [mA]
vCE = 10 [V ] 9:3 [mA] 470 [ ] = 5:63[V ]

4 Conclusiones
El BJT puede ser tipo npn y pnp, se comporta como una fuente de corriente
controlada por corriente. Tiene tres zonas de trabajo, zona activa donde se
cumple que iC = iB y el transistor amplica; corte, en la cual iC = 0 e
iB = 0, el transistor est "desconectado" y nalmente la zona de saturacin,
donde el transistor tiene un vCE VCE(sat) o vCE 0, considerado como un
"cortocircuito" entre los terminales de salida. El anlisis inicial consistir en
establecer el punto de operacin del transistor, para lo cual se requiere contar
con un circuito externo de polarizacin.

References
[1] Savant, C, Roden, M., Carpenter, G. 1992, Diseo Electrnico.Circuitos y
Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana.
[2] Schilling, D., Belove, . 1993. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados.
Mc Graw- Hill
[3] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford Press.