Dispositivos

semiconductores
I
+

-
 semiconductores
Semiconductor intrnseco

Si Si Si 0K

Si Si Si Si: silicio
Grupo IV de la
tabla peridica

Si Si Si
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor intrnseco

Si Si Si 0K

+
Si Si Si 300K
Electrn
Hueco
Si Si Si
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico

- +
Si Si Si
- +

- + + +
Si Si Si
- +

- +
Si Si Si

- +
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico

Conclusiones:

La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de

portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES

La temperatura afecta fuertemente a las propiedades

elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor resistencia
 Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO N

Sb: antimonio
Si Si Si Impurezas del
grupo V de la
tabla peridica

Si Sb
Si Si
+
Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
Si Si Si de Sb

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO N

+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb
Impurezas grupo V
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
300K
+
Sb +
Sb +
Sb

Electrones libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
 Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO P

Al: aluminio
Si Si Si Impurezas del
grupo III de la
tabla peridica

Si Al
Si Si
+ - Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
Si Si Si de Al

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco: TIPO P

-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
Impurezas grupo III
-
Al -
Al
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
300K
-
Al -
Al -
Al

Huecos libres tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actan como portadores de carga positiva.
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio Zona de transicin

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de voltaje directo.
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentracin de huecos Concentracin de electrones

+

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
La unin P-N

Conclusiones:

Aplicando un voltaje inverso no hay conduccin de corriente

Al aplicar un voltaje en directo, en la unin es posible la

circulacin de corriente elctrica

P N

DIODO SEMICONDUCTOR
INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batera Fuente
Corriente
 CARACTERSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

I
I
+ PRESENTA UN
P COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V

N V
-

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
 DIODO REAL

i [mA]
nodo ctodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Smbolo -0.25
0
0.25 0.5

Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturacin Inversa
K = Constante Boltzman
VD = Voltaje en el diodo
VKDTq q = carga del electrn
I D = I S e 1 T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
 DIODO REAL (Distintas escalas)
Ge: mejor en conduccin
i [mA] Si: mejor en bloqueo i [mA]
30 Ge
1
Si Si
Ge

V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]

V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 -0.5 0

Si
Ge
-0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I
Solo voltaje
Ideal de umbral
Ge = 0.3
Si = 0.6
V V

I I
Curva real
Voltaje de umbral y (simuladores,
Resistencia directa anlisis grfico)

V V
 DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I
Voltaje inverso
Lmite trmico,
mximo
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Voltaje inverso mximo

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa mxima VR
VF = 1V Cada de voltaje directo
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Voltaje inverso mximo
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa mxima
VF = 1V Cada de voltaje directo 1N4007). Normalmente aparecern varios
IR = 25 nA Corriente inversa fabricantes para el mismo componente.
 DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

i
iS
UE
+
UE R Bajafrecuencia
Alta frecuencia

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
La unin P-N: paso de conduccin a bloqueo

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

+ +

Para que el diodo deje de conducir es necesario extraer los portadores

minoritarios de las proximidades de la unin. El diodo conduce en sentido
inverso durante un cierto tiempo: recuperacin inversa.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Voltaje I como una fuente de Voltaje
Zener (Voltaje Zener).
(VZ)
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

V Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.

Lmite mximo Aplicaciones en pequeas

fuentes de voltaje y referencias.
Normalmente, lmite
de potencia mxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN GSP1

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

A K
Diapositiva 26

GSP1 Arseniuro de galio

Lupita Serrano Prieto, 27/09/2005
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
Fotodiodos (Photodiode) una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
i Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
I = f(T)
V
corriente dependiente de la luz o de
T1 0
la temperatura segn el caso
T2>T1
 DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
Clulas solares (Solar Cell) cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de clulas
solares
DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto

schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores voltajes de ruptura.

Cadas directas mas bajas (voltaje de umbral 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en

1938 por Walter H. Schottky
 ASOCIACIN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofsico +
Diodo de alto voltaje
(Diodos en serie)

-
Trifsico
+

DISPLAY
-
 Electrnica de potencia

Se puede definir como las aplicaciones de la

electrnica estado slido para el control y la
conversin de energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa principalmente en
la conmutacin de dispositivos semiconductores.
Superdispositivo de potencia debera

1) tener un voltaje cero de estado cerrado,

2) resistir un voltaje infinito en estado abierto,
3) manejar una corriente infinita, y
4) tiempo cero de cerrado y abertura; es decir, una
velocidad de infinita de conmutacin.
Electrnica de potencia
Aplicaciones
 Electrnica de potencia
transformacin de la energa elctrica

Circuito de
Fuente Potencia Carga
Primaria
- Red - Resistencia
- Bateras - Bateras
- Panelas solares - Lmparas
- Generadores Elicos gobierno informacin
- Motores
- Etc. - Etc.

Circuito de
Control o mando
Tipos de conversin de la energa

CA / CC CC / CC
Rectificador Regulador
de continua

CA / CA CC / CA
Cicloconvertidor Inversor
Reg. alterna
 Rangos de potencia segn el tipo
de aplicacin
Baja: <100W
Alarmas
Balastras Electrnicos
(Fluorescentes)
Fuentes de alimentacin
Herramientas Elctricas.
Alta: 1kW 100kW
Hornos de Induccin
Accionadores para Locomotoras
Secadores
Soldadura automtica
Media: 100W 1kW
Cargadores de Bateras
Balastras Electrcos (HID)
Secadores
Reguladores de Velocidad
Muy Alta: 100kW 100MW
Reguladores de Tomas (Alta tensin)
Inversores para generadores
Inversores no autnomos para
generadores
APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera
 APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos

no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

VE VS
EJEMPLO TPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
VMAX VD
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
Caracterstica
VTH
del diodo
RTH
ID
Caracterstica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENTO (RECTA DE CARGA)

VD VTH V