7 Sensores de Pelicula Gruesa Liliana B. Braigi 1. INTRODUCCION La tecnologia de pelicula grucsa permite fabricar, por medio de un proceso de serigrafiay sinterizado, microcircuitos hibridos sobre un sustrato aislado, generalmentecerémica, combinando componentes pasivos (resisto- res, capacitores ¢ inductores), dispositivos semiconductores monoliticos y partes discretas. La automatizacién y alta productividad que ofrece la tecnologia de pelicula gruesa; los cortos tiempos necesarios para pasar de prototipos 2 productos; el nivel medio de integracién que permite obtener dispositivos robustos, de bajo peso y econdmicos; la alta confiabilidad y la habilidad de manejar relativamente altas corrientes y voltajes son algunas de las razones de éxito de esta tecnologia en el campo de la electronica. Sin embargo, la utilizacién de esta tecnologia no se limita ala produc- cién de circuitos electrénicos miniaturizados. Por el contrario, la misma resulta particularmente adecuada para el desarrollo de nuevos sensores. Podemos mencionar tres areas significativas donde esta tecnologia interviene en el desarrollo de sensores [1,2]: 1. Como soporte electrénico, compacto y robusto, para ser incorporado dentro del cuerpo del sensor. 2672. La posibilidad de crear estructuras de soporte sobre las cuales se depositan materiales sensibles y prover nuevas formas de «array» de sensores. 3. Elusodelos materiales de pelicula gruesa, aprovechando las propieda- des intrinsecas de los diferentes tipos de pinturas 0 pastas, para el desarrollo de sensores primarios. Cabe mencionar que aunque estos aspectos de la tecnologia de pelicula gruesa pueden ser explotados separadamente, son atin mds potentes y econémicos cuando son usados en forma conjunta. Un factor que hace sumamente atractivo el uso de la pelicula gruesa para el desarrollo de sensores es el bajo costo de equipamiento necesario, frentea las altas inversiones de capital requeridos por otras tecnologfas, tales como la de sensores semiconductores. Una ventaja adicional frente a dichas tecnologias ¢s que los sensores hibridos pueden ser fabricados en series cortas sin incrementar los costos de produccién. Acontinuacién describiremos algunos aspectos basicos dela tecnologia de pelicula gruesa, para luego abordar los tres aspectos, arriba mencionados, que hacen que dicha tecnologia sea adecuada pata el desarrollo de sensores. En especial trataremos con mayor grado de detalle los sensores primarios de pelicula gruesa. 2. FUNDAMENTOS DE LA TECNOLOGIA DE PELICULA GRUESA Los microcircuitos hibridos de pelicula gruesa se obtienen al depositar, 1 través de una méscara con un formato dado, capas de pastas o pinturas especiales sobre un sustrato aislado que luego son sinterizadas. El cardcter distintivo de esta tecnologfa no esti en el espesor de las capas, sino en el método de impresién serigréfico. 2.1 Propiedades de lax pastas Tas pastas de pelicula gruesa tienen tes constituycnies principales:« Material de unién (binder): vidrio fritado. * Vehiculo: solventes orgénicos + Elemento activo: metales, alcaciones, éxidos o compuestos cerdmicos. as proporciones relativas del material de unién y del elemento activo definirdn las caracteristicas eléctricas de las pastas, pudiéndoselas clasificar principalmente en conductoras, dieléctricas y resistivas [3-5]. 2.1.1 Pastas conductoras Las pastas conductoras son las mds utilizadas en los microcircuitos hibridos; generalmente son usadas para interconexién de componentes, terminales de resistores y electrodos de capacitores de pelicula gruesa, terminales de unién para componentes discretos, etc. Deben tener funda- mentalmente baja resistividad (menores de 10 m/ 0), buena soldabilidad, comoasf también buena linea de definicién, compatibilidad con otras pastas y esencialmente buena estabilidad durante el proceso. Como elemento activo se utilizan metales preciosos (oro, plata, paladio co platino) con un tamafio de particula menor de 5 im y con una proporcién del 50 al 70 % del peso de la pintura; por su composicién son las mas caras de los tres tipos de pastas. El tamafio, distribucién y forma de las particulas metilicas en el vidrio determinardn las propiedades fisicas y eléctricas de la pasta. El vidrio mantiene las particulas metdlicas en contacto y une el film al sustrato. En la mayorfa de los materiales de pelfcula gruesa, incluyendo conductores, el vidrio fritado es un vidrio de bajo punto de ablandamiento; no tiene un punto de fusién definido debido a su estructura interatmica desordenada. A medida que aumenta la temperatura, la viscosidad del vidrio disminuye hasta alcanzar fluidez. Si se aumenta la cantidad de vidrio aumentala resistividad por unidad dedreadela pasta (menor conductividad); esto se debe a que las particulas metdlicas estarén mds aisladas. El porcentaje de vidrio es de 10 a 20% del peso de la pasta conductora. El vehiculo organico permite definir las caracteristicas de impresién. Los solventes tipicos usados incluyenalcoholes y accites de pino. La presencia del vehiculo no determina las propiedades cléctricas; sin embargo, 269es posible variar el espesor de la pelicula sinterizada al cambiar la fraccién de volumen del vehiculo. La pasta conductora paladio-plata (Pd Ag) es la mas utilizada pues cumple con los requerimientos mencionados anteriormente y es de menor costo que las de Au, Pd Au y Pt Au. El 80% de la demanda total de pastas conductoras es de Pd Ag, El inconveniente que presenta este tipo de pasta cs el de migracién de plata al resistor [6]. 2.1.2 Pastas dieléctricas Debido a que presentan una gran variedad de usos, la composicién de las pastas dieléctricas varfa de acuerdo a la aplicacién requerida. Son generalmente utilizadas como dieléctricos de capacitores de pelicula gruesa; como aislante entre cruces de conductores multicapa; como capa pasivante para la proteccién de resistores; y més recientemente como aislante de sustratos de acero. Independientemente de la aplicaci6n, el material debe tener una alta resistencia de aislacién (mayor que 10'°Q), alta tensién de ruptura (mayor que 10KV/mm), minima tendencia a formar agujeros y buena propiedad de impresién. Enel caso de capacitores de pelicula gruesa se requieren pastas de alta constante dieléctrica basadas en cerémicas ferroeléctricas, por ejemplo titanato de bario. En cambio, para aislacién de cruces de conductores serd necesario una baja constante dieléctrica para minimizar la capacidad de acoplamiento entre conductores; en general se basan en materiales no ferroeléctricos, por ¢). titanato de magnesio, titanato de zinc, éxidos de titanio. Laaplicacién de pastas dieléctricas como aislante en sustratos metélicos cs relativamente nueva y atin no se utiliza en la industria microelectrénica. Estas fueron inicialmente desarrolladas para ofrecer una alternativa de menor costo que los sustratos de acero esmaltado y actualmente juegan un rol importante en el desarrollo de sensores. Para este tipo de aplicaciones, estas pastas deben tener, ademds de las propiedades antes mencionadas, un buen coeficiente térmico de expansién lineal (TCE) apareado con el del sustrato y con los distintos tipos de pastas. 2702.1.3 Pastas resistivas Los resistores de pelfcula gruesa son similares en naturaleza a los resistores tipo CERMET (cerémica/metal). En los comienzos se utilizaron metales tales como plata, paladio u éxido de cobre como fase conductora para luego ser reemplazados por dxido de rutenio, el cual tiene gran estabilidad a clevadas temperaturas, sin presentar reacciones quimicas durante el proceso de sinterizado del mismo. Modificando las proporciones del material conductor y del vidrio fritado se obtienen diferentes resistividades, desde aproximadamente 1 Qida 10 MQLo. Esta gran disponibilidad de valores permite «hibridizar» casi cualquier circuito anal6gico o digital utilizando pelfcula gruesa. Algunas de las propiedades requeridas para este tipo de pastas son: + Amplio rango de valores de resistores. * Compatibilidad con pastas conductoras y dieléctricas. * Bajo coeficiente de temperatura de resistencia (TCR). * Bajo coeficiente de tensién de resistencia (VCR). + Buen apareamiento térmico entre resistores (TCR tracking). + Estabilidad a largo plazo. * Bajo ruido. + Buena estabilidad durante el proceso. Laseleccién del vidrio es més critica para este tipo de pasta, puesto que afectara las propiedades eléctricas del resistor; factores tales como tamafio de particula y condiciones de cocido definirdn las caracteristicas del mismo. En cuantoasu composicién varia de fabricanteen fabricante. La formulacin en porcentajes del peso esté dada por: vidrio aproximadamente 40%, vehiculo 30% y material resistivo 30%. Las propiedades eléctricas de los resistores pueden estar afectadas por un fenémeno de migracién metalica desde Jos terminales. Es bien conocido quela plata migra bajo lainfluencia de tensién de polarizacién y queel efecto aumenta con la temperatura y la humedad. Por lo tanto, terminales que contengan plata pueden facilitar difusién del metal en la capa resistiva y asi cambiar las propiedades eléctricas del mismo, Esta tendencia de la Aga la migracién es mayor que la de otros metales preciosos como oro, paladio y platino. Estudios realizados por Cattaneo et al. [6] encontraron concentra- 271ciones mayores que 0,5% de plata hasta una distancia de 0,5 mm en la interfase resistor- terminal. También hallaron quela resistividad volumétrica decrecfa y que factores tales como coeficiente de temperatura de resistencia nominal y nivel de ruido se modificaban por la presencia de la plata. Las propiedades eléctricas de los resistores de pelicula gruesa también pueden, verse afectadas por el bismuto, clemento presente en las pastas conductoras. Por lo tanto debe tenerse en cuenta que atin en resistores con terminales libres de plata puede haber migracién metilica [7]. Para minimi- zar estos problemas, sino eliminarlos, se trata de mantener la longitud de los resistores a un valor mayor que 0,5 mm. 2.2 Mecanismos de conduccién El mecanismo de conduccién en los resistores de pelicula gruesa es un proceso complicado que atin hoy no esté totalmente entendido [8], aunque se sabe que presenta analogfas con el encontrado en semiconductores. Existen distintos modelos que tratan de explicar dichos mecanismos de conduccién. Siguiendo a G.E.Pike et al. [9] los distintos modelos pueden agruparse en cinco categorfas: ‘Modelo uniforme: en este modelo se presume que el constituyente metilico dopa el vidrio hasta Ilevarlo a un estado degenerado, dando lugar as{ a.un tipo de conduccién debido al alto nivel de impurezas. Modelo de canal uniforme:segiin este modelo la corriente eléctrica fluye solamentea través de caminos formados por el constituyente conductor. Las particulas conductoras se unen formando caminos durante el proceso de sinterizado, La caracteristica que distingue esta categoria de otros modelos de canal, es que los caminos por donde circula la corriente eléctrica son basicamente de composicién uniforme. En esta categorfa se incluyen todos los procesos de transporte de carga a través de barreras, excluyendo el efecto ttinel (inyeccién de portadores, conduccién extrinseca, efecto Poole-Frenkel, etc.). Modelo de barreras semiconductoras: aqui los canales de particulas metilicas estén en algunos tramos interrumpidos por barreras semicon- ductoras o aislantes, Estas regiones pueden ser inclusiones de la fase de vidrioque ha sido dopada por el constituyente metdlico. Modelo de barrera de efecto tinel:en este modelo los canales de corriente estén constituidos por particulas metdlicas separadas por barreras [10,11]. En este caso sin embargo, las barreras son suficientemente delgadas, de mo- do que la conductancia esta controlada por el proceso de efecto ttinel. Los mecanismos pueden incluir tuneleo directo particula a particula, como también tuneleo a través de uno o més estados intermedios en la barrera (efecto riinel resonante). ‘Modelo de percolacié. estrechamente ligado al modelo anterior, el mecanismo de conduccién descrito por la teorla de percolacién del electrén explica el transporte de carga en semiconductores amorfos [12]. La estruc- tura consiste de granos conductores con un diémetro de 0,1 a 0,31m separados por capas dieléctricas. Es posible clasificar los granos conductores en tres grupos: + un grupo de granos entre los cuales hay contacto shmico, + un segundo grupo de granos entre los cuales hay adn un contacto eléctrico con una cierta resistencia, + un tercer grupo con una muy alta resistencia de contacto. En a figura | se presenta una estructura simplificada de conduccién de los resistores de pelicula gruesa. Asi, es posible desctibir un resistor de pelicula gruesa como una red en la cual los electrones se mueven buscando el camino de menor resistencia. La conduccién se produce por “filtracién” de portadores de cargas eléctricas. El mecanismo de conduccién presentado, que es muy similar al encontrado en algunos materiales no cristalinos 0 amorfos, ha sido descripto mateméticamente. Se ha demostrado que para los resistores de pelicula gruesa la variacién de la resistividad p como una funcién de a temperatura T, esti dada por la expresin: p=yremn" a) donde T, esa temperatura tipica que depende de la estructura (densidad y dimensiones de los granos, tipos de vidrios, etc.). 2732.3 Sustratos Desde un punto de vista estructural, el sustrato es el soporte mecénico londe se conectan eléctricamente los componentes montados en él. Sus sropiedades afectan tanto el proceso usado como las caracteristicas finales de ircuito hibrido[13]. Podemos enumerar algunos de los requetimientos sicos que los sustratos deben tener [14]: © Ser mecdnicamente resistentes, para evitar tensiones y vibraciones. * Poseer buena estabilidad a las temperaturas de sinterizado hasta 1000°C, * Poser alta resistividad eléctrica (buena aislacién eléctrica). * Poseer un buen coeficientede temperatura deexpansién lineal apareado con la capa de pelicula gruesa. * Tener un adecuado acabado superficial, que permita obtener una buena adhesién, impresién uniforme y buena definicién. * Poser alta conductividad térmica, permitiendo disipacién térmica de los componentes de pelicula gruesa y de los dispositivos discretos. * Estar libres de curvaturas o cambios dimensionales durante el proceso. * Poseer alta resistencia a productos quimicos y humedad,* Ser quimicamente inerte. * Ser relativamente econdémicos. La mayorfa de los sustratos utilizados se basan en materiales tales como akimina, éxidos de berilio, éxidos de magnesio, zirconia o combinacién de tos, vidrio, cuarzo y nitruro de aluminio. El estandar industrial son cerémicas con alto contenido de alimina (94-97% Al,O,); siendo la alimina 96% la més utilizada. El éxido de derilio se emplea en algunas aplicaciones de alta confiabilidad. Los sustratos de vidrio tienen aplicaciones limitadas debido a que la temperatura de sinterizado es demasiado alta para este tipo de material. : Recientemente los sustratos de acero esmaltados han cobrado popula- ridad, particularmente para aplicaciones de alta potencia. Estos sustratos se preparan usando aceros de bajo contenido de carbono y una capa deesmalte, compuesta de una mezcla de polvos de cuarzo con boro. Este tipo de sustra- tos pueden ser fabricados a costos relativamente bajos en voltimenes gran- des de produccién; pero presenta como mayor desventaja cambios en las caracteristicas del esmalte cuando son horneados a temperaturas mayores que 700 °C. Esto hace que deban usarse pastas especiales con temperaturas de sinterizado menores de 650 °C. Frente estos inconvenientes, en las investigaciones mds recientes se ha puesto especial énfasis en el desarrollo de nuevas pastas dieléctricas que permiten ser aplicadas sobre acero inoxidable y obtener asi sustratos aislados de bajo costo y compatibles con pastas comercialmente disponibles. Esto es particularmente itil para el disefio de sensores que a menudo requerirén diferentes geometrias {15]. 2.4 Proceso de fabricacién de pelicula gruesa La técnica de fabricacién de peliculas gruesas es esencialmente un proceso serigréfico, quelo podemos dividir en dos ctapas fundamentales: de impresién y de secado y sinterizado [16]. El proceso de impresién consiste en depositar la pasta sobre el sustrato por medio de un rodillo que es generalmentc de goma y sc desplaza transversalmente a través de una malla o mascara. El rodillo fuerza la pasca 275276 aatravesarlas abercuras de la malla, que puede ser deacero inoxidable, poliés- ter o nylon, Esta se mantiene paralela al sustrato a una distancia llamada «snap-gap» o «snap-off» y que controla el espesor del depésito (figura 2). Para obtener la mascaracon a figuradescada se procede acolocar la foto de dicha figura sobre fa malla cubierta de una emulsién forosensible y exponerlaaluzuultravioleta. Coneste método es posible obtener resoluciones de hasta aproximadamente 110m, dependiendo de! tipo de malla (imero de lineas por pulgada). presidn g Bee, substrato desplazamiento paste bo figura impreso é. Figura 2:Bsquema simplificade del proceso deimpresién. Enel proceso de secado y sinterizado, una vez completada la etapa de impresibn, los sustratos son aireados a temperatura ambiente por varios minutos y luego secados a temperaturas entre 100 y 150°C durante aproximadamente 10 minutos con el objeto de remover los solventes organicos del sustrato. A continuacién sigue la etapa de sinterizado a altas temperaturas para remover los solventes remanentes, fijar las caracteristicas eléctricas de las pastas y adherir los elementos al sustrato. El perfil de sinterizado depende del tipo de pasta, alcanzando tempe- raturas pico de hasta 1000°C. En a figura 3 se presenta un perfil de tempera tura tipico recomendado en la hoja de datos de una pasta resistiva comercial.$0090 ——_--— 3 a °) 8 10 1% 20 25 30 3G 40 45 60 G5 60 65 ‘Tern frin) Figura 3: Esquema de un perfil de cemperatura. Esta etapa es fundamental en el proceso de fabricacién de los resistores de pelicula gruesa, ya que es posible modificar sus caracter{sticas eléctricas al cambiar alguno de los parémetros involucrados, como por ejemplo temperatura maxima de sinterizado, tiempo de mantenimiento de dicha temperatura, etc. 3. SISTEMA ELECTRONICO DENTRO DEL SENSOR En los sistemas de instrumentacién distribuidos como en los de automatizacién industrial, la tendencia mundial es la de aliviar a la com- putadora de las actividades periféricas y desplazar la capacidad informatica hacia el elemento sensor. Paracllo cs necesario contar con unaelectrénica del lado del sensor y preferentemente dentro del cuerpo de! mismo. El concepto de los llamados sensores inteligentes 0 «smart sensors» es posible alcanzarlo con la tecnologfa de interconeccién de pelicula gruesa. Nos permite integrar en un mismo microcircuito el transductor, el acondi- cionador de sefial, la compensacién adecuada, la fuente de alimentacién, la microcomputadora interna y la interfase de comunicacién e identificacién. En particular, la compensacién en forma digital ha encontrado un gran 4rea de investigacién y desarrollo en los sistemas electrénicos dentro del 277sensor (17,18). En esta area ha tecnologia de pelicula gruesa hace una significaiva contribucién en voneccién con varias tecnologias de sensores. Podemos ‘mencionar como ejemplos los sensores de silicio micromaquinados [19], los instrumentos electroquimicos de pelfcula gruesa [20], los sensores para la industria de la aviacién [21]. ‘Todas estas aplicaciones tienen ventajas por la facilidad de interconeccién, la confiabilidad (ain en condiciones ambienta- Jes extremas), los bajos costos y la capacidad de ajuste o «trimminge funcio- nal de los circuitos integrados hibridos. Similares ventajas encontramos en los sistemas multisensor donde la elecerénica es necesaria para las funciones de barrido, chequeo y compensa- cién, Asi lo demuestra el ejemplo de detectores de gas como un sistema multisensor integrado de pelicula gruesa [22]. Estos alcances muestran Giertamente una flexilidad de disefio, convenienciay répidasadecuaciones, aparentemente no compartidas por otras tecnologfas integradas. 4, ARQUITECTURAS DE SOPORTE Es posible utilizar la tecnologia de pelicula gruesa para el disefio y desarrollo de estructuras de soporte de elementos sensibles. Esta versién de dicha tecnologia se usa dfa.a dfa con mds frecuencia para: © Realizar estructuras con temperatura controlada para sensores de gases, Los sustratos de cerémica son provistos con un resistor calefactor de pelfcula gruesa impreso en la parte posterior del sustratoy un termistor “o RTD de pelicula gruesa para el control de temperatura. Estas estructuras pueden trabajar continuamente a altas temperaturas, hasta cerca de 500 °C [23,24]. © Realizar sensores de gas calorimétricos [25,26]. © Preparar contactos interdigitales para sensores basados en materiales de baja conductividad tales como semiconductoresorginicos y dieléctricos porosos [27]. Preparar sistemas integrados multisensor [28] y «array» de sensores [29]. 78electrodo referencia contra electrodo alumina Figura 4:Sensor de glucosa sin la membrana GOD. En la igura 4 presentamos, como ejemplo dela potencialidad que tiene esta tecnologla para el desarrollo de estructuras de sensores, un sensor de glucosa voltamétrico de pelicula gruesa para andlisisin vitro [30]. Consta de tres electrodos de diéxido de rutenio (RuO,) y una membrana de glucosa oxidasa (GOD). El mecanismo de sensado se basaen la oxidacién deglucosa, cen presencia de oxigeno y glucosa oxidasa. Durante la rcaccién enzimatica se forma peréxido de hidrdgeno y dcido glucénico. Fl peréxido de hidrégeno se oxida cuantitativamente aplicando un voltaje adecuado al sistema de tres electrodes, sensando de esta forma la concentracién original de glucosa. 5. SENSORES PRIMARIOS El uso de la tecnologfa de pelicula gruesa en el desarrollo desensores no estd solamente confinada a la miniaturizaci6n de la electronica asociada oa la creacién de estructuras de soporte, como mencionéramos anteriormente. Investigaciones recientes nos han mostrado que las pastas poscen propieda- des en si mismas que las hacen idealmente adecuadas para usar como elementos scnsibles primarios. Los efectos que aparecen en las pastas bajo la accién de magnitudes fisicas y quimicas, como por ejemplo presién, tempcratura, humedad, cenergla radiante, etc, se aprovechan para el desarrollo de sensores [31]. ‘A continuacién presentamos las abreviaturas que simbolizan los prin- cipios bésicos 0 efectos intrinsecos de las pastas utilizadas en las tablas y 279ejemplos de aplicaciones descriptos més adelante. * AR, ,¢! Vatiacién de la resistividad de una resistencia semiconductora de pelfcula grucsa que disminuye casi exponencialmente a medida que aumenta la temperatura ( por ej. sensor de tempe- ratura, anemémetros, detectores de radiacién, etc.). + AR,: variacién aproximadamente lineal del valor delaresistencia con Ja temperatura (por ¢). anemémetro, sensor de caudal, etc). ° AR ao svariacién de la resistencia de pelicula gruesa debido a tensiones mecinicas (por ej. sensores de presién, strain gauges, de acele- racién, etc.). * AC: variacién de la capacidad entre electrodos de pelicula gruesa (por ej. sensor de presién). + AR,,: variacién de la resistencia con la temperatura aprovechando el alto valor TCR de la pastaconductora de platino (por ¢). sensor de temperatura). * AC,: variacién delaconstantedieléctrica de materiales erroeléctricos con la temperatura por encima de la temperatura de Curie- ‘Weiss especifica del material (por ej. sensor de temperatura). variacién de la constante dieléctrica de una pelicula gruesa dieléctrica por absorcién de agua (por cj. sensor de humedad). + AR,: variacién de la conductividad de un electrolito medida con electrodes de pelicula gruesa (por ¢j. medicién de con- centracién iénica). + AC: + AR, .:vatiaci6n de la resistencia de pelicula gruesa semiconductora producida por una reaccién redox sobre la superficie de la resistencia, quimicamente activa. * AV,_, :como en los termoelementos convencionales, caida de tensién en el punto de contacto entre dos caminos conductores de pastas apropiadas (por ¢j. sensor de temperatura). + AV,,+ tensién entre electrodos de celda electroquimica (por ¢j. sensor de pH, sensor de O,). La conversién de variables fisicas 6 quimicas a una sefial eléctrica se puede obtener por miiltiples efectos. Podemos considerar cualquiera deestos efectos como una conversién directa o indirecta de la energia mecinica, térmica, quimica, radiactiva o magnética a energfa eléctrica.a3 uv 4ojn6uo oyuawoz0)ds0q a3 av oBuy) owusjwozoidsag YOUZNOVA VIDU3NI a3 tlotoszegsag 139 ul n3 ®1P2/SP2 “GAY és 49108 0s,90053 a3 IdSPD ouy ¢ IQ'SIA 207, BUNVIOVE_VIOU3N3 ‘BIaNENquOD 7 aD UDIDDIEY 19 oiuoaNz 9p sopx0 Suonsip ovebsxo w web 7 Zod 03 2u9 19}01 o21Up pe a3 SOUPIA day roby mp peg 8801 # SOUDA SOpIx wpbyg FE?" 'sas0}onpau 9809 03 S0U0A 6091,}291 "Og popawny wl Sou0n’ Sop ay popawny YOININO_VIOW3NI a3 ony Tyy eaupbous oumoseduiay 03 sa0\0% wR ons) offs a so}0u0iH, 199 oumozadusey n ‘Saj0}0n ounjosedwa) n ‘DLN — SOpIXO ounjosadwa, YOUNaL VIOUINI Wa Sa/0]2/N rg sojousiny — Zong W3 sojousyny ~ Zony "3 sojouayny — Zqny na 21019" oavisa fae SOIdIONId Tieviva /NLINOWN S3WIN3LVN Tabla I: Estado del arte de sensores de pelicula gresa. 281En la tabla I se traté de resumir el estado del arte en fabricacién, implementacién y desarrollo de sensores de pelicula gruesa, agrupados bajo Ja forma de conversién de energia [32,33]. Esta tabla presenta la magnitud variable convertida, principios de transduccién y componentes funcionales principales de las pastas usadas en los dispositivos. La nomenclatura que utilizamos en la evaluacién de la implementacién de estos sensores es la siguiente: EM (en mercado) denota sensores comercialmente disponibles como componentes o partes de sistemas; M (maduros) expresa un sensor bien desarrollado con un amplio campo de aplicaciones; ED (en desarrollo) se considera un sensor muy promisorio, que estd en desarrollo o que requiere ensayos futuro. Como podemos observar en la tabla I, la mayorfa de los sensores de conversién de magnitudes mecinicas/térmicas se basan principalmente en losefectos piezorresistivos y termorresistivos. Profundizaremos més detalla- damente estos defectos. 5.1 Efecto piezorresistivo Una de las propiedades importantes que presentan las pastas resistivas de pelfcula gruesa es la piezorresistividad [34-36]; propiedad que tienen algunos materiales de cambiar su valor de resistencia cuando se los somete a deformaciones mecdnicas conocidas como «strain». Definiremos los paré- metros basicos que describen este efecto. La sensibilidad a las deformaciones esta dada por el factor extensomé- trico o factor de «gauge» (FG), el cual representa la variacién de la resistencia debido a ciertas deformaciones: _ aRIR € FG (2) donde ¢ (deformacién aplicada) ¢s Ja variacién d@/£ en la longitud del resistor. Para un resistor dado de resistividad p , longitud £, ancho w y espesor # (figura 5) su valor de resistencia estaré dado por:we (3) Figura 5:Cambio de las dimensiones de un resistor cuando se le aplica una tensién mecinica. ‘Como consecuencia dela relacién de Poisson, sise aplica una deforma- cién en una direccién se tendran deformaciones normalesa esa direccién, de signo opuesto y proporcional « ella; en otras palabras: &y = & = —vDE& (4) siendo v la constante de Poisson. Si se aplica al resistor una deformacién longitudinal ¢, de la ecuacién (4) se.tendra: (5) Si diferenciamos la expresién (3) y aplicamos la relacién de Poisson antes hallada, sc llega a: aR _dp Ss +(1+2 v0) Rp ¢ ) ©) 283Esta ecuacién nos muestra qué cambios relativos a la resistencia se deben a cambios en las dimensiones geomeétricas del resistor, y cudles a la resistividad del material. Reemplazando (6) en (2) y recordando que en la mayorfa de los materiales v= 0,3; luego FG seré: (7) Puede concluirse que en las bandas extensométricas de pelicula metd- ica convencionales (FG~2) los cambios en la geometrfa juegan un papel dominante frente a los cambios en la resistividad; no asi cn las bandas semiconductoras (FG entre 30 y 180) donde los cambios debidos a la resistividad son muchos mayores que los debidos a la geometria. En cuanto alas bandas de pelicula gruesa (FG=10) ambos cambios, geométricos y de resistividad, contribuyen al factor extensométricos [37]. Una evaluacién importante a considerar en este tipo de sensor es su variaci6n con la temperatura, tanto el coeficiente de temperatura del resistor (TCR) como el del factor de gauge (TCFG). En la tabla II se comparan las caracteristicas principales delos trestipos de bandas extensomeétricas basados en diferentes materiales y tecnologias de fabricacién disponibles comercial- mente. TECNOLOGIA | FG [TCR (ppm/°C) | TCFG (ppm/®C) | ESTABILIDAD Pelicula ~2 20 100 Excelente Semicon— | 50 1500 1000 Buena ductora Petfeule 2-18 30 200 Muy bueno Tabla II:Caracteristicas principalesde trestiposde resistores de pelicula ensiblesal esfuerzn. La figura 6 muestra distintos FG longitudinales. La ARR se obtuvo al someter un resistor pintado y sinterizado sobre una viga de alimina empotrado en un extremo (estructura cantilever) acompresiény elongacién,aumentando su valor linealmente con la traccién y disminuyendo con la compresi6n. Para este tipo de sustrato una deformacién de +1000 pe (el pe. se define como A£/£=10%), da atin una variacién lineal de AR/R, pero estaremos préximo a la fractura. En aplicaciones practicas, para el sustrato de altimina, se debe tener en cuenta un AR/R mucho menor. Se ve claramente que el factor extensométrico depende de la resistividad del material, como lo demuestra la ecuacién (7). El FG mayor corresponde a la pasta 100KQ/0 y su valor es de 13, mientras que para pastas de 10KQ/c corresponde a un FG de 10. Para pastas de 1KQ/Gel FG de 2,7 es comparable con el de las bandas de pelicula metélica. Por lo tanto para bajos valores de resistividad de lamina, los «strain gauges» de pelicula gruesa no presentan ventajas considerables sobre estos tltimos. > 100K + 10K =1K ~ Pot metal mero strain Figura 6:Variacién dela resistencia debidoa deformacionesde traccién ycompresién, Como se mencioné anteriormente (seccién 2.3) los sustratos de acero inoxidable son una alternativa tecnolégica viable para diversas aplicaciones; por lo que cabe efectuar algunas comparaciones entre los dos tipos de sustratos. En bandas extensométricas de pelfcula gruesa aplicadas sobre acero inoxidable no se detectaron diferencias de sensibilidad a la deformacién respecto a las aplicadas sobre alimina, En cambio, la dependencia con la 285° 6 SCO Temo (°C) a) Pigura 7-Coeficiente detemperatura dela resistencia vs temperatura de: 1b) resistor sobre aces able. a) resistor sobrealimi Enel rango de temperatura de 0 a 110°C, la variacién de la resistencia aplicada sobre altimina es negativa a bajas temperatutas; ¢s 0 alrededor dela temperatura ambiente y se hace positiva a temperaturas més altas. Para el 86susttato de acero inoxidable, en cambio Ia resistencia aumenta en forma contiita con la temperatura, por lo que tiene un TCR siempre positivo. La variacion de la caracteristica se debe principalmente al desapareamiento de os coeficientes térmico de expansién (TCE) entre sustrato-aislante y aislante-resistor, causando una deformacién térmica. 5.2 Efecto termorresistivo El efecto termorresistivo es la propiedad que presentan algunos mate- riales de cambiar el valor de su resistencia eléctrica con la temperatura. Los sensores de temperatura que sc utilizan en metrologla clasica se basan en el principio termorresistivo de metales tales como Pt, Cu, Ni, que tienen esta caracteristica de variacién de su resistencia en forma lineal con la tempera- tura, Este comportamiento se puede representar por las expresiones genc- rales: Ke K.P i eagi hol (8) (9) donde R, es Ja resistencia a la temperatura T, R, ¢s la resistencia a la temperatura de referencia T, y 0: es el coeficiente de temperatura de la resistencia (TCR). El platino se ha utilizado por muchos afios como elemento para medir temperaturas, pues es un material muy estable y puede ser expuesto a altas temperaturas, en una gran variedad de ambientes, sin degradarse. Su TCR es de 3927 ppm/"C para platino de extrema pureza. La Escala Internacional de Temperatura (ITS 90), puesta recien- temente en vigencia, establece a la termorresistencia de Pt como elemento interpolador en el rango 0 a 930°C. Esto significa que el platino se utiliza para establecer la temperatura termodindmica entre los puntos fijos de referencia en ese intervalo de temperaturas. El alambre de platino se monta 287detal modo que no quede tensionado mecénicamente durante las variaciones de temperatura a la que es sometido y se lo coloca dentro de una vaina de cuarzo. Las resistencias que se emplean son de 25Q nominales a O°C, siendo el material de maxima pureza que se puede conseguir. Las termorresistencias de platino de uso industrial estén generalmente bobinadas sobre un soporte cerdmico y su TCR es de 3850 ppm/*C segtin normas BS1904 0 DIN43760. Este coeficiente de menor valor queel antes mencionado se debe a las tensiones mecénicas ¢ impurezas tanto dela materia prima como de las introducidas en el proceso de fabricacién. La manufactura de estos sensores es costosa esencialmente por la mano de obra de tipo artesanal y por el material empleado. En cambio las termorresistencias de Pt planares [38], tanto de pelicula gruesa como fina, usan cantidades minimas de metal precioso, tienen mayor velocidad de respuesta y la tecnologfa empleada permite automatizar el proceso de produccién. Las termorresistencia planares de pelicula gruesa, segtin el tipo de material, presentan distintas caracteristicas de sensibilidad (TCR) y rango de medicién. Similarmente, lostermistores de pelicula gruesa de coeficiente negativo (NTC) exhiben alta sensibilidad sobre un razonable, pero a veces limitado, rango de temperatura, La respuesta es generalmente de la forma: T,-T, R, = R, exp[ B( Tr)! (0) donde R, y R, son respectivamente las resistencias a las temperaturas T, y de referencia T.,. Bes una constante que depende del material y puede tener tpicamente un valor de 2000, resultando ast grandes cambios de resistencia para relativamente pequefias variaciones de temperatura. Las pastas que se utilizan en la fabricaci6n de los termistores de pelicula gruesa tienen un alto valor de resistividad, lo que permite obtener valores de resistencias adecuados con dispositivos fisicamente pequefios. Una desventaja significativa que presentan los termistores frente a las termorresistencias de platino, ademés del reducido rango de operacién, es su inherente no linealidad. Esto puede ser compensado usando un circuitoelectrénico de relativamente baja complejidad. La respuesta dindmica de los termorresistores de pelicula gruesa es generalmente mejor que sus equivalentes discretos, tal como los dispositivos dealambre bobinados. La constante de tiempo térmica de un termorresistor es de la forma: qa) siendo M la masa y C la constante térmica especifica del material usado, ‘A cl 4rea superficial y t un coeficiente de transferencia térmico deter- minado empiricamente para un medio dado ( por ¢j. el flujo de aire). Se deduce que al reducirla masa yaumentar el érea se optimizala respuesta para el caso de sensores de pelicula gruesi. Es apropiado recalcar las ventajas de la tecnologia de pelicula grucsa para el desarrollo de termorresistencias: alcanzan un buen ajuste de toleran- cias por medio del "trimeado" de resistencias, de facil integracién con los circuitos integtados y amplia variacién de formas, tamafio, valores de referencia y de sensibilidad. 6. APLICACIONES Presentaremos a continuacién algunas aplicaciones de scnsores de pelicula grucsa, agrupadas bajo las formas de conversién de encrgfa segiin el dominio de la sefial de donde se extraerd la informacién para luego set convertida en seftal cléctrica. 6.1 Energia mecdnica Diferentes tipos de sensores basados en el efecto piezorresistive de los resistores de pelicula gruesa ya haa sido desatrollados. Algunos de estos sensores se comercialiran, micntras que orros estan en la etapa de desarrollo. 289Sensores de presin El efecto piezorresistivo reversible que presentan los resistores de pelicula gruesa ha sido estudiado desde los comienzos de 1970, pero su ttilizacién para el desarrollo de sensores de presién comenz6 alrededor de 1980. Desde entonces se Ilevaron a cabo investigaciones sobre «strain gauges» de pelicula gruesa, su influencia con la temperatura y su estabilidad con el tiempo; desarrollindose distintos tipos de sensores de presién de pelicula gruesa sobre aliimina para distintas aplicaciones, en particular para la industria automotriz. [39]. El sensor de presién piczorresistivo de pelicula gruesa se basa en el modelo clésico de diafragma circular con borde empotrado, donde cuatro resistores de pelicula gruesa conectados en configuracién puente de ‘Wheatstone son adecuadamente posicionados [40-43]. Cuando la placa es sometida a una diferencia de presidn entre suscaras, se prodiicen tensiones mecénicas radiales y tangenciales y una distribucién de deformaciones. Para obtener maximo desbalance del puente dos resistores deben ser posicionados alrededor del centro y los otros dos cerca del empotramiento, con una orientacién tal que su eje longitudinal coinci- dacon la direccién radial del diafragma, Como la maxima tension (,,,) 5€ produce en el borde de !a placa, es posible calcular la maxima presién admisible en funcién de la relacién radio-espesor; dada por la expresién: n vax = 3 max 7 (12) a siendo hy r, el espesor y radio del diafragma respectivamente. La tensién de salida del puente completo por unidad de tensién de alimentacién, para una dada posicién de los resistores y una dada deformacién a fondo de es- cala, sera Me _ 0,3944, V, FGa rg. E a-7) 3) Rsiendo q la presién aplicada y E la alimentacién del puente. Las ecuacio- nes (12) y (13) nos permiten sistematizar el disefio del sensor al obtener familias de curvas que relacionan presin a fondo de escala en funcién del -adio 0 espesor del diafragma teniendo como parimetro h (figura 8) or, (figura 9) respectivamente; y tensiones de salida versus r,/h teniendo como parametro el FG escogido para este sensor (figura 10). a 04 05 0.6 0,7 0809 1 1,1 1213 14 tm) Figura 8: Presién a fondo de escala versus radio del diafragma, con distintosespesores ‘como pardmetro. Estos dos parimetros, radio y espesor, deben ser elepidos cuida- dosamente para estar seguros que se esta dentro del limite eldstico del diafragma y evitar su fractura mientras se maximiza Ja tensién de salida del puente. 2012 8 0 ro) oon (mm) Figura 9:Presién a fondo de escala versus espesor, con distintos radios, ‘como pardmetto. FG =2 +FG=s *Fo=8 +FGo=1 Fgura 10: Tensién de salida en funcién de radio/espesor del diafragma, con distintos FG comopardmetro. 292En la liguea 1) ye anuevua un ven de puevide le ndliiple de taupe. salar abi seantciads dencrs del ene rps tel on aennan. Figura 1 1:Sensor de presién de miiltiple de escape (cortesia Hibricom S.A). Si bien la alimina ha sido el sustrato utilizado en forma casi excluyente en la fabricacién de sensores de presién de pelicula gruesa, las nuevas exigencias tecnolégicas indican la conveniencia de usar, en determinados casos, sustratos metdlicos adecuadamentte aislados. En particular la utiliza~ cién de acero'inoxidable como sustrato presenta una de fas mas recientes innovaciones’a nivel mundial en el tema, permitiendo alcandar mayores sensibilidades [44]. El acero inoxidable presenta ventajas considerables, comparado con los sustratos de altimina usados actualmente en el desarrollo de transductores de pelicula gruesa, dado que tiene mejores caracteristicas mecinicas. de tensién de flexién y maxima deformacién permitida. Otra ventaja a considerar es que el acero puede ser maquinado y permite obtener en una entérminos tinica pieza tanto el diafragma como el cuerpo del sensor, siendo un componente seguro y de facil industrializacién. En la figura 12 se presentan sensores de presién sobre acero inoxidable desarrollados en el CITEI, de 0-5 bar y 0-200 bar a fondo de escala. Las ventajas principales de estos tipos de sensores es su simple estructura, muy 293194 Arun Tiuealiduahs bis slperntencun ats jo y ly posibilidad de cuustuii stiusviey de puck aha arto cou Ta temperat m itu, telarivay tra importante caracteristica de este tipo de sensor es la posibilidad de cubrir un amplio rango de presién con sélo modificaciones menores de la estructura bésica; asf es posible obtener un sensor de baja presin con deteccién de 0,1 mbar (de 8mm de didmetro y 1,5mm de espesor); y también de alta presién de hasta 600 bar con solo cambiar el espesor y el diémetro del diafragma. Otro tipo de sensor de presién de pelicula gruesa que merece ser mencionado ese! tipo capacitivo [31]. Consiste dedos cerdmicas enfrentadas ysselladas en sus extremos, donde se depositan en el interior de sus superficies los dos electrodos del capacitor (figura 13). Cuando se aplica presién el diaftagma delgado se deforma y varia el valor de la capacidad. Es posible correlacionar, con una electronica adecuada, la deflexién y por ende la variacién de capacidad con la presién. La principal ventaja de los sensores de presién capacitivos frente a los piezorresistivos es su excelente estabilidad con el tiempo y su baja dependencia con la temperatura. Las mayores desventajas que presentan son: la necesidad de contar con una electrénicasofisticada que puede detectar variaciones minimas de una capacidad pequeiia (pocos pH en unas pocas decenas de pF) yla necesidad de mantener la distancia entre los electrodos dentro de valores muy precisos, lo que dificulta la construccién. setodo de seria Gatrogme electrodes cuncpe ssetoao (preaién obeatute) Figura 13:Bsquema de un scusur capacitive de presién Sensores de fuerza Lacelda de carga, ampliamente utilizada en laindustria como transduc- tor de pesado, es esencialmente un elemento clistico que al aplicarle una fuerza 0 peso se deforma. Por medio de «strain gauges» se mide dicha deformacién obteniéndose una sefial eléctrica proporcional a la fuerza aplicada. Algunas de las consideraciones principales de disefio de una celda de carga que debemos tener en cuenta son: facil fabricacién, construccién en una tinica pieza, costo delos «strain gauges» instalacién delosmismos, efec- tos de excentricidad de carga, como asi también estabilidad con el tiempo, linealidad, histéresis y consideraciones térmicas. La facilidad de fabricacién. es uno de los factores importantes en la determinacién del costo total del transductor; asi un disefio geométrico simple tendra un considerable be- neficio. La construccién en una tinica pieza mantendré las caracteristicas de linealidad y repetibilidad. El costo final de la celda estar influenciada por el costo de los «strain gauges» y de la factibilidad con que ellos puedan ser instalados. Los efectos de excentricidad de carga aplicada deben ser minimi- zados sin incrementar los costos de fabricacién. 295El uso de los «strain gauges» de pelicula gruesa sobre acero inoxidable csmaltado, como elemento elastico, es usado como transductor de fuerza en los tractores agropecuarios [47]. Para esta aplicacién, la tecnologia hibrida ¢s particularmente adecuada, no solo debido a su inmunidad a la contami- nacién y a la resistencia mecénica, sino también por su amplio rango de temperatura de operacién, donde el uso de strain gauges de silicio podria ser riesgoso. Asimismo, el uso de strain gauges de pelicula gruesa evita el problema de pegado sobre el elemento cléstico, que se requiere para las bandas extensométricas discretas. Otros desartollos sobre acero inoxidable que merecen ser citados son los basados en el principio de vigas en voladizo: celdas de carga de vigas doble acopladas y de triple viga (figura 14), diseftos que presentan ventajas sobre la simple viga cantilever (48). Fgura 14: Esquema de celdas de carga: a) dedoble vigasacopladas, b) de triple vigas. En ambos casos se utilizaron «strain gauges» de pelicula gruesa como sensores de deformacién. El transductor de triple viga consiste de tres vigas cantilever similares sujetasen el centro donde tres «strain gauges» de pelicula gruesa son pintados en ambos lados de la estructura y conectados en serie, para conformar dos ramas activas del puente de Wheatstone. En el extremolibre de cada viga se apoya por medio de «pines» un platillo de pesas. Los tres gauges» ubicados en la parte superior experimentan una deformacién positiva (tensién), mientras que los tres ubicados en la parte inferior estén sujetos a deformacién negativa (compresién). Con dimensiones geométricas de Imm de espesor y de 25mm de longitud de cada viga se pueden medir cargas de hasta 2Kg. Esta configuracién evita la excentricidad de carga pucs la fuerza en cada brazo es directamente proporcional a la deformacién me- dida y a los cambios de resistencia relativa de los piezorresistores 6.2 Energia térmica Describiremos a continuacién algunos ejemplos de aplicacién de sensores agrupados bajo esta forma de conversién de energia. Sensores de temperatura En la tabla III se presentan las principales caracteristicas de los sensores de temperatura de pelicula gruesa [33,49,50]. Las pastas conductoras de pelicula gruesa exhiben propiedades termorresistivas similares a la de sus respectivos metales de volumen. Las pastas comerciales basadas en Ni, Cu, Pt, Au-Pt, Ag-Pd, pueden ser usadas para la conversién de temperatura en una sefial cléctrica. Sin embargo, debido a la alta conductividad que presenta este tipo de pastas, cuya carga metdlica en peso varia de 60 a 90%, su utilizacién para el desarrollo de termorresistencias es dificultosaen términos de area requerida por unidad de resistencia, Se obtendrfan asi dispositivos grandes de baja respuesta y bajo TCR, no respondiendo, generalmente, en forma exacta a las curvas de calibracién de las normas. En cambio, las pinturas resinadas de platino conocidas como organo- metilicas, con una carga metilica de 10%, presentan una resistividad superficial de 1 a 4Q/0 permitiendo producir elementos sensibles de ta- mafio razonable. Este tipo de pastas son compuestos orgénicos que tienen radicales de uno 0 varios elementos metilicos [51]. 297By "omy at uy cetng) u's *y* @ ody Ten O./A7 Ob | AW ' Id * Pd UpIDoaIy odnsowsa) ojuidss ody @Xyy) woyzor -,01 = 9 | c0z+ - os~ wooos-o0se =a ny - 09 - UW 30951039) sieuidsa ody Puy) B/u,01 00z+ - OS- 4 0002 = ny = UW soysiwsa}, Cay) D/ow ozt - 06 =a ooz - 0 De /udd 0625 = N aus Cav) G/ow se - se 002 - 0 de/udd Guz =O Sv * eg au (uv) D/uw 06 - 08 =4 002 - 0 |d./udd oose-ooce =» id as (uy) O/o4 oO =u 002 - 0 |d./udd oore-oorz =» nv aly Cay) Oud zt - 0% De /wdd O42) = 0 Fong -ouz ane eo) ‘OLN ozt ~ 02 Q./wdd aoor- =» | Fou ~ Fone -Zouz ow sejodjoulg SOUOIDDAIOSGO (D0) oBuoy POPI|}qIsuas, sojueuodwiog dosues incipales caracteristicas dealgunastermorresistencias.En la figura 15 sc presentan distintas termorresistencias de Pt desarro- ladas en el CITEL. Los prototipos se realizaron sobre aliimina 96% y se utilizaron pastas de Pr metal-orgénicas de la serie Heraeus RP10000. Se imprimieron capas dobles secadas a 100°C. en estufa de IR durante 10 minutos y sinterizadas con temperaturas pico de 850 y 950°C durante un ciclo de una hora. A todas las muestra se les agregé terminales de platino de 0,2mm de diémetro. El valor de TCR medido para este tipo de termorre- sistencia fue de 3799 ppm/*C. Figura 15:Prototiposde termorresistenciasde Pt desarrolladasen CITELINTI. Existen otros materiales que pueden ser usados para producir termorre- sistencias de pelicula gruesa con distintos TCR , como se presenta ena tabla Ill [52-54]. Las pastas basadas en Ni son utilizadas para producir sensores de mayor TCR, pero traen aparejado un aumento de complejidad cn cl proceso de fabricacién, pues se debe prevenir la oxidacién del metal durante el sinterizado [55,56]. Ourotipo desensores de temperatura queutilizan el efecto termorresistivo son los termistores de pelicula gruesa [57,58]. Las pastas que sc utilizan son sistemas de éxidos tipo espinela, gencralmente Mn-Co-Ni, en una matrizde vidrio, A esta composicién bisica se suele agregar éxidos de metal precioso como por ¢j. éxido de rutenio. Gran parte de la investigacién en la 299formulacién de estas pastas se centra en la variacién de la composicién de las espinelas ya que afectan marcadamente la resistividad superficial desde 1K Q/G a 10M Qiny la constante del termistor B de 500 a 5000K. También es posible medir temperatura por medio de termocuplas realizadas en pelicula gruesa. Para ello se imprimen sobre un sustrato una juntura de dos metales disimiles y por el efecto Seebeck se desarrolla una tensién entre esta juntura y la juntura de referencia formada entre el camino conductor en el sustrato y el cable externo cuando se hace contacto. La dificultad que se presenta en esta clase de sensor radica en el material del sustrato que debe dar suficiente aislacién térmica entre las dos junturas para as{ poder medir la diferencia de tensién. Probablemente por esta razén no se encuentran mayores evidencias en la literatura sobre termocuplasde pelicula grucsa [59]. Sin embargo se han detectado esfuerzos puestos en el efecto inverso para fabricar junturas Peltier con el propésito de enfriar electréni- camente una regién localizada en un sustrato. Sensor de flujo térmico Otro tipo de sensor térmico que podemos mencionar es el sensor de flujo térmico de pelicula gruesa. La versién de sensores de flujo térmico de pelicula gruesa frente a los ya desarrollados con otras tecnologfas presentan propiedades interesantes tales como altas temperaturas de operacién, altos flujos térmicos y baja resistencia térmica. Para esta configuracién e! flujo térmico es perpendicular al sustrato. Debido a la baja resistencia térmica la caida de temperatura es baja y Ja influencia del sensor en la distribucién 0 forma del flujo es despreciable [60]. El sensor tiene una estructura, como se muestra en la figura 16, de multicapas de termocuplas y capa dieléctrica que esta térmica y eléctrica- mente aislada. El flujo se mide indirectamente por diferencia de temperatura entre las junturas dela termocupla través del dieléctrico. Si suponemos que el flujo tiene una direccién desde la parte inferior ala superior, la juntura fria estard arriba y la caliente estard sobre el sustrato, conectadas a través del dieléctrico, ‘Como las pastas conductoras comerciales utilizadas presentan una baja tensién termoeléctrica por cupla y una baja resistencia térmica, es que seconectan un ntimero de termocuplas eléctricamenteen seriey térmicamente en paralelo. Ast se obtiene una mayor tensién de salida por unidad de flujo térmico sin incrementar la resistencia térmica del sensor. Se han obtenido prototipos de 15x30 mm de drea sensible, resultando una pila con 509 uniones para un rango de flujo de hasta 100kW/m?. Figura 16:Esquema transversal de un sensor de flujo térmico. 6.3 Energia Quimica La tecnologia de pelicula gruesa ha permitido desarrollar un amplio rango de sensores aplicados al campo de la energfa quimica. Presién parcial de agua (humedad), pH, pO,, y gas 0 concentraciones de vapor son algunas de las cantidades quimicas que son necesarias sensar tanto en los sistemas de control de procesos industries como en el control del medio ambiente y aplicaciones domésticas. A través de innumerables investigaciones, llevadas a cabo por distintos grupos de investigacién, se ha puesto especial esfuerz0 en estudiar y alcanzar sensores de pelicula gruesa para esta forma de conversin. A continuacién presentamos algunos ejemplos. Sensor de humedad Lahumedades uno delos pardmetros de proceso mésimportantestanto en procesos industriales como agro-industriales. Sehan desatrollado y estén comercialmente disponible una gran cantidad de sensores de humedad basados en diferentes principios de operacién, que se pueden agrupar en cuatro clases: higrométricos, psicrométricos, de punto de rocio y de absor- cidn de radiacién.Los sensores de humedad de pelicula gruesa se basan en el principio higrométrico, donde la respuesta del sensor se debe a un cambio de las propiedades fisicas del material debido a la adsorcién/desorcién del vapor de H,O. Generalmente se mide variacién de capacidad o de resistividad en funcién de la HR. Como clementos sensibles se utilizan éxidos semiconductores y materiales cerdmicos [61-64]. La resistividad de varios éxidos semiconductors muestra un decrecimiento logaritmico con el aumento de la humedad. Diferentes pastas han sido formuladas y ensayadas para esta aplicacién, como por ejemplo NiWO, ZrCr,O, con vidrio, MgCr,O, con vidrio [22]. En la figura 17 se presenta los cambios de la resistencia como una funcién de la humedad de tun sensor de pelicula gruesa de MnWO, dopado con V,O, sin un vidrio de unién para diferentes temperaturas atmosféricas. Puede observarse que para 50% HR se obtiene un adecuado valor de resistencia de 50K Q, con una buena sensibilidad de 8,8% de variacién de resistencia por %HR. lohm! R 0 20 40 60 80 100 H i%RH1 Figura 17: Caracteristicas de sensores de humedad de pelicula gruesa [22].Los sensores resistivos basados en semiconductores son sensibles en el rango de 5-95% HR, mientras que los sensores basados en cambios de capacidad exhiben una respuesta saturada a baja HR (alrededor de 35-40%) de acuerdo a la microestructura (porosidad) de las capas. En el CITEI se llevaron a cabo estudios sobre el comportamiento de distintos dieléctricos sensibles ala presién parcial de HO, paraser utilizados como detectores de humidificacién en ensayos de corrosién atmosfética. El detector se basé en un capacitor planar de dos electrodos interdigitales, realizados con pastas conductoras sobre aliimina, recubiertos con pasta dieléctrica. La figura 18 ilustra los resultados obtenidos con material dieléctrico H9027W sobre electrodos de Ag. Las muestras, sinterizadas a 750°C, muestran una marcada caida dela conductividad como también una mayor estabilidad, comparadas con las muestras sinterizadas a menor temperatura. Para este tipo de detector la variacién de capacidad en condiciones extremas de 100%HR a inmersién en H,O fue de 30pF a 800pF. Experiencias preliminares se llevaron a cabo con el propésito de discriminar niveles de humedad en el rango de 60-100%HR. Los resultados mostraron una variaci6n del 15% dela capacidad paracambiosdel 90-100% HR [65-67]. Gus) SEC © OSS — 750 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 28 2B idles) Figura 18: Influencia de a temperatura pico de sinterizado en la conductividad del detectordehumidificacién. 303Sensores de gases Los sensores quimicos en general, y en particular los sensores de gases, son tratados en detalle en otros capitulos de este libro; sélo se dard aqu{ una breve referencia de la potencialidad de la tecnologia de pelicula gruesa para la deteccién de gases. Los materiales sensibles utilizados en los sensores de concentracién de gases de pelicula gruesa son generalmente éxidos semiconductores, a menu- do asociados con un metal catalitico. El catalizador permite mejorar la selectividad y sensibilidad del sensor hacia'una de las varias reacciones que curren. Dentro de los materiales més utilizados deben destacarse SnO,, TiO, [68-73]. Laadsorcién reversible del gas a sensar produce un cambio temporario y reversible en la estequiometrfa de los éxidos; que se refleja en un cambio en la concentracién (y a veces en el efecto produce una variacién en la resistividad del material que se relaciona directamente,con la concentracién del gas. La posibilidad de contar con microestructuras porosas (sinterizado 0) de los portadores de carga. Este pobre) y calefaccién del sensor en las condiciones de operacién son caracte- risiticas que realzan las ventajas de estos sensores de gases de pelicula gruesa. Las temperaturas relativamente altas dan un tiempo de respuesta més corto, puesaceleran el proceso de difusién superficial asf como reacciones cataliticas entre las especies quimicas involucradas. Poresta causa suelen incluirse en el transductor el calefactor y un sensor de temperatura que junto a un sistema de control a lazo cerrado mantiene la temperatura constante. Investigaciones realizadas en los tiltimos afios permitieron desarrollar sensores de ox{geno tanto potenciométricos como amperométricos utilizan- do la tecnologia de pelicula gruesa. El sensor potenciométrico consiste de capas de un electrolito de zircornia, un electrodo de medicién de platino, un electrodo de referencia de Pd/PdO, una capa de vidrio protectora para el electrodo de referencia y un elemento calefactor de platino pintado en la cara posterior del sustrato @- altimina (74]. Las dimensiones tipicas de un sensor de este tipo son aproximadamente 7 mm x 10 mm y la temperatura de trabajo de 500°C (figura 19).Pratine t Goleocior Substrata Alg05 Figura 19:Sensor de oxigeno potenciométrico con electrolita sélido de zirconia. En el caso de sensores amperométricos, el clectrolito consiste en Zirconia con unaestructura de poros bien definida, figura 20. Elsensor opera bajo condiciones de corriente limite, la que esta dada por la velocidad de difusién del gas en la matriz porosa de ZrO, 20, Piating poroso Pratino Ccolelactor Substrate Figura 20:Sensor deoxigenoamperométrico. Los sensores amperométricos presentan algunas ventajas sobre los potenciométricos debido a quie no es necesario contar con un electrodo de referencia. Sin embargo estos sensores deben ser calibrado. ‘También se han llevado acabo investigacionesen sensoresdehidrégeno potenciométricos con electrolito sélido Nasicon [75]. El sensor, que presen- ta una configuracién similar al sensor de O,, se obtiene imprimiendo sucesivamente sobre -alimina las siguientes capas: Nasicon, terminal de ‘Au, electrodo de medicién de Pt, terminal de Ag para el calefactor, el calefactor de RuO,, el electrodo de referencia Na, WO, y finalmente un vidrio protector que lo cubre. El sustrato es de lem x 2cm x 0,2cm y la temperatura de trabajo es de 200°C. El sensor puede detectar concen- traciones de gas H, en el aire desde 100ppm a 100%; la tensidn de salida del sensor varfa en unos 300mV al pasar de aire a una mezcla de aire enrique- cido en H, (4% del volumen). El tiempo de respuesta de este tipo de sensor es de 1 segundo. 305‘También se han desarrollado sensores para la medicién de CO,, NO,, SO,y Cl, utilizando tecnologfa de pelicula gruesa. En estos casos se utilizan electrolitos sélidos modificados superficialmente de manera de mejorar la sensibilidad de deteccién de gasa sensor. Sensores de pH En muchas industrias manufactureras, especialmente en la industria alimentaria, se requiere un control cuidadoso del pH. En todas las reaccio- nes enzimaticas ¢s necesario un monitoreo continuo del pH, debido a que tuna pequefia variacién de su valor puede modificar la direccién de la reaccién. Enla produccién de quesos, leche, salchichas, cervezay jugos esesencial la medicién y control del pH. También es importante el control del pH durante la produccién de cosméticos y papel. Estos sensores son asimismo aplicables en la proteccién del medio ambiente, tal como control de agua potable, agua residual industrial y municipal, agua de pozo, etc. Como alternativa de los convencionaleselectrodos de pH de vidrio se han realizado estudios para la construccién de sensores de pH de pelfcu- Ia gruesa [76]. La estructura basica del electrodo estudiada consiste de una capa conductora y otra de vidrio, sobre un dado sustrato. En esta aplicacién se pone especial cuidado en la seleccién del sustrato que debe tener un coeficiente de expansién térmico compatible con el del vidrio. Diferencias en el TCE puede causar fisuras en la capa de vidrio durante el periodo de enfriamiento del sinterizado. Los resultados experimentales alcanzados mostraron una sensibilidad entre 45-55mV/pH, con un tiempo de respuesta lineal en un rango de 1- 12pH (33). 6.4 Energla magnetics wlon eu jatopiedades magnéticas de los matersales se Los sensures bos urilizan para la deceecién de proxmmubal y velocidad de roacién Sinembargo este campo de aplicacién no ha recibido tanta atencién como en los casos anteriores. Por ejemplo, se han investigado las propiedades eléctricas de peliculas basadas en Ni, preparadascon pastas comerciales sobre altimina, sinterizadas a la atmésfera [77]. Especialmente se estudié el efecto magnetorresistivo como una funcién de la temperatura, la intensidad y la direccién del campo magnético. Para ello se prepararon muestras con una configuracién serpen- teada y se definieron 3 orientaciones relativas entre la corriente Ly el campo magnético B. Los magnetorresistores, ya scan normales (cl campo magnético es perpendicular al sustrato) como con I en el mismo plano de B (sean longitudinaleso transversales) son dependientes de la temperatura ambiente y de la temperatura pico de sinterizado. Existen algunas aplicaciones en el drea de monitoreo del medio ambiente. Se han formulado pastas magnéticas semiconductoras partiendo de polvos de ferrite (Mn, Cu,Fe,O,) de baja temperatura de Curie de 50°C, compuestos de rutenio (RuO), vidrios inorganicos (PbO-SiO,B,O,) ms algunos solventes. Dichas pastas fueron sinterizadas a relativamente bajas temperaturas (850°C durante 10 minutos); y mostraron propiedades ferromagnéticas y semiconductoras, dependientes dela temperatura, hume- dad y concentracién de gases. Esto permite desarrollar sensores para el monitoreo del medio ambiente {78}. AGRADECIMIENTOS En primer lugar agradezco a la OEA por el subsidio para el Proyecto "Sensores y Actuadores para Control de Procesos y Contaminacién Am- biental” (1992). Asimismo, desco expresar mi profundo agradecimiento ala ‘Tec. Maria L. Malatto por la preparaci6n de los distintos sensores desarro- Hados en el CITEL, cuyos resultados fueron aqui presentados; como asi también por la realizacién de los dibujos que figuran en el presente trabajo. Por tiltimo quiero manifestar mi agradecimiento a los integrantes del CITEI que, de una u otra manera, han colaborado en los trabajos descriptos en este capftulo. 3077. REFERENCIAS 1. J.E.Brignell, N.M.White and A.W,J.Cranny, Sensor applications of thick-film technology. IEEE Proceeding Vol.135 Pt.I,No 4, 1988, pp 77-84. 2. M.Prudenziati, Thick film technology. EurosensorsIV Conf, Karlsruhe, FRG, October 1990. 3. RD Jones, Hybrid circuit design and manufacture. Marcel Dekker, Inc. 1982. 4. P.Moran, Hybrid microelectronic technology. 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