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Apuntes Electronica
Apuntes Electronica
ELECTRNICA APLICADA
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Electrnica aplicada
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Electrnica aplicada
Principios de Electrnica
MALVINO, ALBERT PAUL
Edicin, 1997
Ed. Mc Graw-Hill. Espaa.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 4
Molcula:
Es la parte ms pequea en que puede dividirse la materia y seguir conservando sus caractersticas de
compuesto. Por ejemplo una molcula de H 2O.
tomo:
Es la parte ms pequea en la cual un elemento puede ser reducido y ser clasificado an. Por ejemplo un
tomo de Hidrgeno, un tomo de Oxgeno, un tomo de Cloro, etc., El tomo es similar a nuestro sistema
solar, en el cual el Sol es el ncleo y sus planetas las partculas que giran alrededor del ncleo
En el ncleo del tomo se encuentran:
Los protones con carga elctrica positiva
Los neutrones que como su nombre insina, no tienen carga elctrica o son neutros.
El la periferia se encuentran:
Los electrones con carga elctrica negativa.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 5
El fsico dans Niels Bohr, creo el modelo (despus llamado modelo de Bohr) donde se
nuestra la estructura del tomo.
Hay algunos electrones que se encuentran en las rbitas ms alejadas del ncleo, por lo
que podran liberarse fcilmente. Estos electrones son los llamados electrones de valencia
Electrn Electrones
Ncleo
-
+
+
+
Orbita Protones
Neutrones
Ejemplo:
El tomo de cobre tiene 29 protones y 29 electrones. De estos 29 electrones, 28 viajan en rbitas cercanas al
ncleo y 1 viaja en una rbita lejana. A este electrn se le llama: electrn libre. (electrn de valencia)
Ejemplo:
H , Ca , N , O , K , Cl , Cu, Na, etc
Ejemplo:
Agua, Sal, Acero, Bronce, etc.
5) Cada elemento bsico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor del ncleo, en
diferentes rbitas que se designan con las letras:
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 6
El tomo
PR
POSE
EL
POS
NEUT
POSEE
ELCT
N
ELECTRONES: POSEEN
CARGA ELECTRICA
NEGATIVA (-), GIRAN
NUCLEO K L M N O P Q ALREDEDOR DEL NUCLEO
Nucleus
Anillos Orbitales K
(K, L, M, N.) L
tomo de Oxigeno
Para comprender cmo funcionan los diodos, transistores y los circuitos integrados es
necesario estudiar los materiales semiconductores: componentes que no se comportan ni como conductores
ni como aislantes. Los semiconductores poseen algunos electrones libres, pero lo que les confiere un carcter
especial es la presencia de huecos.
CONDUCTORES
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 7
Orbitales estables:
El ncleo atmico atrae a los electrones orbitales, estos no caen hacia el ncleo debido a la
fuerza centrfuga (hacia fuera) creada por su movimiento orbital. Cuando un electrn se haya en un orbital
estable, la fuerza centrfuga equilibra exactamente la atraccin elctrica ejercida por el ncleo. Los electrones
de un orbital ms alejado se mueven a una velocidad menor, produciendo menos fuerza centrfuga. El
electrn ms externo viaja muy lentamente y casi no se siente atrado hacia el ncleo.
La parte interna:
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior, el cual tambin se denomina
orbital de valencia. ste es el que determina las propiedades elctricas del tomo. Por lo anterior, se define la
parte interna del tomo como el ncleo ms todos los rbitales internos. Para un tomo de cobre, la parte
interna es el ncleo (+29) y los tres primeros orbitales (+28).
La parte interna del tomo de cobre tiene una carga resultante de +1, porque tiene 29
protones y 28 electrones internos. El electrn de valencia se encuentra en un orbital exterior alrededor de la
parte interna y tiene una carga resultante de +1. A causa de ello, la atraccin que sufre el electrn de valencia
es muy pequea.
Electrn libre:
El electrn de valencia al ser atrado muy dbilmente por la parte interna del tomo, una
fuerza externa puede arrancar fcilmente ese electrn con una muy pequea tensin, al que se le conoce
como electrn libre, por eso el cobre es un buen conductor. Los mejores conductores son la plata, el cobre y
el oro
Cuando el electrn de valencia se va, la carga resultante del tomo es +1. Si un tomo
neutro pierde un electrn se convierte en un tomo cargado positivamente que recibe el nombre de in
positivo.
Cuando un electrn exterior entra dentro del orbital de valencia, la carga resultante del
tomo es -1. Si un tomo tiene un electrn extra en el orbital de valencia llamamos al tomo cargado
negativamente in negativo.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 8
AISLANTES:
Los tomos que tengan 5, 6 7 electrones en la rbita perifrica, tienen la tendencia de completar esta rbita
a ocho electrones. Estos tomos se vuelven iones negativos pues, elctricamente se vuelven negativos.
Este es el caso de los Aislantes (Azufre, Cloro, etc.)
SEMICONDUCTORES:
Los mejores conductores tienen un electrn de valencia, mientras los mejores aislantes poseen ocho
electrones de valencia. Un semiconductor posee propiedades elctricas entre las de un conductor y un
aislante, por lo tanto, los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Los semiconductores ms conocidos son el germanio y el silicio, ambos tienen 4 electrones
de valencia. El germanio fue el primero en utilizarse siendo luego reemplazado por el silicio pues el primero
presentaba demasiada corriente inversa.
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BANDAS DE ENERGA
Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores deben
pasar a la banda de conduccin, ello implica entregarles una cierta cantidad de energa, que puede tener la
forma de calor, luz, radiaciones, etc. La magnitud de dicha energa es igual a la altura de la banda prohibida.
Se mide en eV. (1 eV = 1,6 1019 Joules)
CRISTALES DE SILICIO
Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen en una estructura
ordenada llamada cristal. Cada tomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los tomos de silicio
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital de valencia. Aunque el tomo tiene originalmente 4
electrones de valencia.
Enlace covalente:
Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central. De esta forma el tomo
central parece tener 4 electrones adicionales, sumando un total de 8 electrones de valencia. Los electrones
dejan de pertenecer a un solo tomo, ya que cada tomo central y sus vecinos comparten electrones.
Los pares de electrones que se observan en la figura se atraen con fuerzas iguales y
opuestas (ya que pertenecen a tomos distintos). Este equilibrio entre fuerzas es el que mantiene unidos a los
tomos de silicio.
El electrn constituye un enlace entre ncleos opuestos llamado enlace covalente.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 10
Saturacin de valencia:
El cristal de silicio contiene 8 electrones de valencia, esto produce una estabilidad qumica
que da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio. No se est aseguro de por qu el orbital
exterior de todos los elementos tiene una predisposicin a tener 8 electrones. Cuando no existen ocho
electrones de forma natural en un elemento, este tiende a combinarse y a compartir electrones con otros
tomos para obtener 8 electrones en su orbital exterior. Matemticamente se puede explicar la estabilidad
lograda al tener valencia 8 pero no se sabe la razn del porqu. Se trata de una ley experimental
establecindose que:
Saturacin de valencia: n= 8
El hueco:
Cuando la temperatura es mayor que el cero absoluto (-273C), el calor hace que los
tomos en un cristal de silicio vibren. A mayor calor, ms intensas sern las vibraciones mecnicas de dichos
tomos. Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de la vibracin de sus tomos. Estas vibraciones
pueden hacer que se desligue un electrn del orbital de valencia. Cuando esto sucede, el electrn liberado
gana energa para situarse en un orbital de nivel energtico mayor, pasando a ser un electrn libre.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 11
Pero la salida del electrn deja un vaco, que se denomina hueco , en el orbital de valencia,
y se comporta como una carga positiva por la prdida de ese electrn (in positivo).
En un cristal se crean igual nmero de electrones libres que de huecos debido al calor. Los
electrones libres se mueven en forma aleatoria dentro del cristal. En ocasiones un electrn libre se aproximar
a un hueco, ser atrado y caer hacia l. Esta unin entre un electrn libre y un hueco se llama
recombinacin .
El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un electrn libre recibe el
nombre de tiempo de vida que vara de unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos dependiendo
por ejemplo de la perfeccin del cristal.
El hueco de la izquierda atrae al electrn de valencia del punto A, lo que provoca que dicho
electrn se desplace hacia el hueco creando un nuevo hueco en este punto. El efecto es el mismo que si el
hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco del punto A puede atraer y capturar otro
electrn de valencia. De esta forma, los electrones de valencia pueden moverse en la trayectoria indicada por
las flechas y el hueco, en sentido opuesto actuando de la misma forma que una carga positiva.
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + + +
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 12
En la figura anterior la tensin aplicada forzar a los electrones libres a circular hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal
entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batera.
Por otro lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batera circularn hacia el
extremo derecho del cristal, en ese punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al
extremo derecho del mismo. As se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor. (no hay flujo por fuera del semiconductor).
Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominacin de portadores debido
a que transportan la carga elctrica de un lugar a otro.
Cuando el silicio ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor
tipo n. Como los electrones superan a los huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras
que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.
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Si
Si Al Si
Si hueco
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p.
Como el nmero de huecos supera al nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios
y los electrones libres son los minoritarios.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 14
Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal
absolutamente puro. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, se puede determinar con
precisin las propiedades del semiconductor.
Que sea un semiconductor tipo p o tipo n, no significa que sea positivo o negativo, pues
ambos se realizan de la unin de elementos originalmente neutros. Por ejemplo un semiconductor tipo N
se realiza con la unin del silicio (posee 14 protones y 14 electrones) con, por ejemplo el arsnico (33
protones y 33 electrones). Si se suman la cantidad de electrones y protones del semiconductor sigue
siendo elctricamente neutro
EL DIODO NO POLARIZADO
Un Cristal semiconductor (tipo p n) tiene la misma utilidad que una resistencia de carbn,
pero no ocurre lo mismo se dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo n y la otra tipo p.
La frontera entre ambos se le conoce como unin pn y a propiciado inventos como por
ejemplo diodos, transistores y circuitos integrados.
El semiconductor tipo p se representa como se aprecia en el lado izquierdo de la figura
siguiente. Cada signo (-) encerrado en un crculo representa un tomo trivalente y cada signo (+) es un hueco
en su orbital de valencia.
Lo contrario ocurre al lado derecho donde se representa un semiconductor tipo n.
La unin es la frontera donde se juntan las regiones tipo n y tipo p, por lo que se le llama
tambin diodo de unin.
Zona de deplexin:
Al unirse un semiconductor tipo n con uno tipo p, se produce un xodo de electrones del
lado n hacia el lado p por la repulsin de cargas iguales. Poco despus de entrar a la regin p el electrn libre
cae en un hueco. Cuando eso sucede el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en un electrn de
valencia crendose en esa difusin un par de iones, un in positivo en el lado n (abandon un electrn), y un
in negativo en el lado p (acept un electrn).
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BARRERA DE POTENCIAL
Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivos y negativos que lo forman;
por lo tanto, si entran electrones adicionales en la zona de deplexin, son rechazados hacia la zona n. La
intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta que se alcanza el equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
barrera de potencial . A 25C la barrera de potencial es aproximadamente 0,3 V para diodos de germanio y
0,7 V para diodos de silicio.
POLARIZACIN DIRECTA
La batera empuja los electrones libres y los huecos hacia la unin. Si la tensin de la
batera es menor que la barrera de potencial, los electrones no tienen suficiente energa para atravesar la
barrera de potencial, por lo tanto, no circula corriente a travs del diodo.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 16
Cuando la fuente de tensin continua es mayor que la barrera de potencial, los electrones
libres tienen suficiente energa para pasar a travs de la zona de deplexin y recombinarse con los huecos.
Para hacerse una idea bsica, imaginemos todos los huecos en la zona p movindose hacia la derecha y
todos los electrones libres desplazndose hacia la izquierda. En algn lugar cercana a la unin estas cargas
opuestas se recombinan. Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y
continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo, existe una corriente continua a travs del diodo.
POLARIZACIN INVERSA
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RUPTURA:
Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican. Por lo tanto,
existe un lmite para la tensin mxima en inversa con la que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo
de destruirlo.
Si se aumenta continuamente la tensin inversa, llegar un momento en que se alcance la
tensin de ruptura del diodo (generalmente 50V). sta se muestra en la hoja de caractersticas del diodo en
particular.
Una vez alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios
aparece repentinamente en la zona de deplexin y el diodo conduce descontroladamente por un efecto
llamado avalancha que aparece con tensiones inversas elevadas. Cuando la tensin inversa aumenta obliga a
los portadores minoritarios a moverse ms rpidamente, chocando contra los tomos del cristal. Si adquieren
la energa suficiente , pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, es decir, produce electrones
libres. Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y as sucesivamente, de forma
que el proceso contina hasta que la corriente inversa es muy grande.
V mV
2
T C
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NIVELES DE ENERGA:
Como el electrn es atrado por el ncleo, se requiere energa adicional para llevarlo a un
orbital mayor. Cuando un electrn salta del primero al segundo orbital, gana energa potencial con respecto al
ncleo. Algunos de los agentes externos que pueden hacer saltar a un electrn a un nivel de energa mayor,
son el calor, la luz y la tensin elctrica.
Despus de que un electrn ha saltado a un orbital mayor, puede regresar a su nivel de
energa inicial. Si lo hace devolver la energa sobrante en forma de luz, calor u otro tipo de radiacin.
El diodo LED es un ejemplo de ello (diodo emisor de luz). Dependiendo del material de
construccin del diodo, la luz es roja, verde, naranja o azul. Algunos diodos LED producen radiacin infrarroja
(invisible) que es til en sistemas de alarma antirrobo.
DIODOS:
No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar. Es
caracterstico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto
viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo,
prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal
ms prximo a la banda de color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el
nodo con la "a". Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos
LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que
emita. El nodo de estos diodos es ms largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento
prxima al ctodo es plana.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 19
RB RP R N
El valor de la resistencia interna es funcin del nivel de dopado y del tamao de las zonas p
y n. siendo normalmente menor que 1 .
Disipacin de potencia:
Se puede calcular la disipacin de potencia de un diodo de la misma forma que se hace
para una resistencia. Es igual al producto de la tensin del diodo y la corriente.
PD VD I D
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La limitacin de potencia indica cunta potencia puede disipar un diodo sin daarse.
Por ejemplo si un diodo tiene una tensin y corriente mxima de 1V y 2A, su limitacin de
potencia es de 2W.
Rectificador de onda:
R = 1 [k Ohm]
La figura muestra una fuente de corriente alterna (transformador) que entrega una tensin
sinusoidal. La mitad positiva del ciclo de la tensin de fuente polarizar el diodo de manera directa. Esto
equivaldra a un interruptor cerrado por lo que aparecer tensin positiva en la resistencia de carga. En la
mitad negativa del ciclo, el diodo se polariza de manera inversa comportndose como un interruptor abierto y
no hay tensin en la resistencia de carga.
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1 Ciclos
f ( H Z )( )
T seg
Vp
VRMS
2
Vp
Vm
Ip
Im
Ejercicio de ejemplo:
Se tiene una fuente alterna de 10 V (RMS) y 60 Hz 10 V RM S
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Diodo 1
10 V RM S
Diodo 3
Diodo 4
10 V RM S
Diodo 2
Valor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa, esta seal tiene el
doble de ciclos positivos, como lo visto en la grafica, por lo tanto el valor del voltaje rectificado es (VD):
El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es:
2 Vp 2 Ip
Vdc Im
A la salida de un rectificador se obtiene una tensin continua pulsante, para mejorar esta
seal y dejarla lo ms cercano a una seal continua pura, se utilizan los filtros.
Existen diferentes tipos de filtros, como son:
Filtros capacitivos (condensadores)
Filtros inductivos (bobinas)
Filtros inductivos - capacitivos, ambos o una mezcla de ambos.
Uno de los ms usados es el filtro capacitivo, que a continuacin daremos a conocer brevemente:
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 23
En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la mitad, como se
observa en la figura. Cuando una tensin de onda completa se aplica a un circuito RC, el condensador solo
descarga la mitad del tiempo. Por lo tanto, el rizado de pico a pico tiene la mitad de tamao que tendra con
un rectificador de media onda, la seal con el condensador mejora notablemente. El funcionamiento del
condensador consiste en lo siguiente:
El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a travs de la
tensin continua pulsante que entrega el rectificador, una vez que el condensador almacena un valor mximo
de tensin, comienza su descarga hasta que nuevamente la tensin continua pulsante alcance el valor del
condensador, comenzando nuevamente su carga
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 24
Se puede calcular el voltaje de rizado de pico a pico de cualquier filtro con condensador a la
entrada: I
Vr
fC
Donde:
Como observacin si se despeja en la frmula la capacidad del condensador para lograr un rizado igual a
cero, se darn cuenta que el resultado es infinito, por lo tanto no existe el condensador que nos permita
una corriente rectificada continua perfecta
El diodo adems de rectificar, se puede utilizar como elemento de proteccin, como por
ejemplo asegurar el paso de corriente en un solo sentido.
Diodo Zener:
El diodo Zener es un tipo de diodo diseado
especialmente para conducir satisfactoriamente el flujo de corriente en
sentido inverso. La principal caracterstica de este tipo de diodo, es que se
le inyectan ms impurezas de lo normal durante su fabricacin, con lo cual
se obtiene un gran nmero de hoyos (huecos) y electrones, lo que permite
al diodo Zener conducir corriente en sentido inverso sin sufrir dao, si se
usa en un circuito de diseo adecuado.
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El diodo Zener:
Estabiliza la tensin.
Para trabajar la corriente (I) tiene que ser mayor que la corriente (Iz) mnima.
Nunca debe pasar la Iz mxima.
Este diodo debe ser atravesado como mnimo por una corriente igual a Iz mnimo (dato entregado
por el fabricante).
No debe sobrepasar por ningn caso, la corriente Zener mxima (Iz mx.), ya que puede producir
daos en el componente.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 26
Aplicaciones:
Indicador posicionado de luces (color verde)
Testigo de funcionamiento del alternador (color rojo)
Indicador de funcionamiento de las bujas incandescentes (color amarillo)
Testigo de funcionamiento de las luces altas de carretera
Instrumentos de control
Etc.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 27
V Vf VLED 12 1,8
R 0,56 k
I ILED 18 10 3
Los Fotodiodos:
El fotodiodo funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en
los diodos emisores de luz. Se trata de un diodo semiconductor, en el cual la
corriente inversa vara con la iluminacin que incide sobre su unin N P.
Estos diodos trabajan al recibir una radiacin
luminosa y se deben polarizar en forma inversa.
TRANSISTORES:
El transistor es un dispositivo elctrico utilizado para controlar el flujo de corriente. En sta
seccin la operacin del transistor es descrita por observacin de las condiciones bajo las cuales el flujo de
corriente NO permite el paso de corriente.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 28
El emisor es la lnea con la flecha, la lnea gruesa es la base y la lnea sin flecha es el
colector. Note que la flecha va en la direccin de la teora convencional del flujo de corriente de positivo a
negativo en el circuito externo.
El transistor es de estructura simple, pero debe cumplir con ciertos requisitos de Dopado y
dimensiones especiales, que hacen que el dispositivo no se comporte como dos diodos.
Modo de Funcionamiento:
En saturacin: Cuando el transistor conduce el mximo de Ic que puede tolerar. Esta disposicin
se utiliza cuando queremos el transistor funcionando como interruptor.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 29
Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de polarizacin Rb. Si el
diodo emisor base est polarizado en inversa no puede circular corriente alguna.
En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor base, circula una pequea corriente que
depende del valor de Rb, la que hace que se establezca otra mucho mayor entre el emisor y el
colector (Ic) proporcional a la corriente de base. De esta forma tenemos una corriente en el circuito
emisor colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho menor, el transistor funciona
como un amplificador de corriente.
Configuraciones de un transistor
Estas dependen del terminal que se elija comn a la entrada y a la salida.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 30
a) Como Rel: Para que funcione de esta forma basta solo conseguir dar rdenes a la base del transistor,
a travs de una dbil polarizacin, para conseguir el paso de una gran corriente entre emisor colector.
La gran ventaje en este caso, con respecto a un Rel mecnico, es que el transistor no posee contactos
ni resortes o mecanismos que se deterioren con el tiempo y la temperatura y que fcilmente pierden sus
cualidades iniciales.
Basado en este principio, el transistor tiene un amplio campo de aplicacin en el automvil y
un ejemplo de ello es el sistema de encendido, como se muestra en la figura
La corriente principal proviene de la batera, chapa de contacto y emisor (E) del transistor. i
los contactos del ruptor se encuentran abiertos, interrumpiendo el paso de corriente de base (B), de modo
que el transistor queda bloqueado. Cuando los contactos del ruptor se unen polarizando a masa
(corriente negativa) la base (B) del transistor, entonces ste se vuelve conductor, dando paso a la
corriente de emisor (E) a colector (C), hasta el arrollamiento primario de la bobina de encendido. Este se
alimenta y cuando se produce una nueva separacin de los contactos del ruptor, el transistor se bloquea
y se induce una corriente de alta tensin en el arrollamiento secundario (no se muestra en la figura) de la
bobina de encendido, lo que produce el salto de la chispa en la buja.
En el caso de la figura, se observa que el transistor trabaja como un Rel, porque una
pequea corriente de base (B) permite el paso de una gran corriente entre emisor (E) y colector (C).
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 31
El transistor permanece bloqueado hasta que se polarice la base del mismo y circule una
pequea corriente de base, la cual controla el transistor y lo vuelve conductor encendiendo la ampolleta.
b) Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir seales procedentes de sensores o
captadores, los cuales trabajan con seales muy bajas. Para que estas seales puedan ser incorporadas
a dispositivos electrnicos, tales como: mdulos de encendido, unidad de control electrnica de inyeccin
u otro microprocesador, deben amplificar las seales.
En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual una dbil corriente
producida por una fuente, hace provocar una fuerte corriente en la salida.
En la fig se muestra un ejemplo simplificado de cmo un transistor puede realizar las
funciones de un amplificador.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 32
Canal N
Enriquecimiento
Canal P
Dispositivo de
Fuerza instalado Canal N
(MOSFET)
Transistores de Deflexin
Efecto de Canal P
Campo MESFET
Dispositivo de
TRANSISTOR Puerta de Unin
JFET
NPN
Transistores
Bipolares
PNP
Sonda Sonda
positiva _ _ _ negativa
1 2 3
+ 1 _ 0,172 inf
+ 2 0,166 _ inf
+ 3 inf 0,788 _
realizadas las mediciones ( con el tester en escala de ohms), llenar los recuadros en blanco
En este caso la base se encuentra en el pin 2 ( ya que es comn para pin 1 y 2), el emisor es el pin
3, (ya que 0,788>0,172), considerando la siguiente relacin Resistencia base emisor resistencia
base colector
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 33
TIRISTORES:
Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales (conectores), una corriente
dbil en una de sus terminales (compuerta) permite que una corriente mucho mayor fluya a travs de los otros
dos conductores. La corriente controlada est encendida o apagada; estos no amplifican seales como los
transistores, sino que actan como interruptores de estado slido.
Existen dos familias:
a) Rectificador controlado de Silicio (S.C.R.): ste es similar a un transistor bipolar con una cuarta
capa, como lo muestra el dibujo siguiente (configuracin interna)
Funcionamiento de un SCR :
Si el nodo se hace ms positivo que el ctodo en un tiristor, las uniones externas (dos) se
polarizan, sin embargo la unin P-N del centro se polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. Una
corriente pequea en la compuerta polariza la unin P-N del centro permitiendo que una corriente mucho
mayor fluya a travs del dispositivo.
La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequea corriente,
que es limitada por esta resistencia,(R).
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 34
34
Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 35
35
Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 36
Valores tpicos:
2N4441
Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser capaz de suministrar
al menos 10 mA a 0,75 V. para que el SCR se mantenga cerrado. Con respecto a la corriente de
mantenimiento, si disminuye a menos de 6 mA el SCR se convertir en un circuito abierto.
La tensin de bloqueo de 50 V, nos indica que a menos de este valor el SCR no puede
cerrarse y la nica forma de hacerlo sera aplicando un pulso a la compuerta.
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Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 37
a) b)
a) b)
37
Electrnica Aplicada Unidad I Componentes Electrnicos 38
b) TRIAC ( triode alternating current): Este dispositivo es equivalente a dos SCR conectados en paralelo
en oposicin como lo muestran las siguientes figuras:
Smbolo:
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Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 39
Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo):
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Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 40
PIN
Descripcin y conexin de los pines del Timer 555:
1 Tierra o masa
2 Disparo: Es en este pin, donde se establece el inicio del tiempo de retardo, si el 555
esta configurado como monostable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin
va por debajo de 1/3 del voltaje de alimentacin. Este pulso debe ser de corta
duracin, pues si se mantiene bajo por mucho tiempo, la salida se quedar en alto
hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez.
3 Salida: Aqu veremos el resultado de la operacin del temporizador, ya sea que este
conectado como monostable, o astable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje ser
el voltaje de aplicacin (Vcc) menos 1,7 [V]. Esta salida se puede obligar a estar en
casi 0 [V] con la ayuda del pin 4 (reset).
4 Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0,7 [V], pone el pin de salida 3 a nivel bajo.
Si por algn motivo este pin no se utiliza hay que conectarlo a Vcc para evitar que el
555 se resetee.
5 Control de Voltaje: Cuando el temporizador se utiliza en el modo de controlador de
voltaje, el voltaje es este pin puede variar casi desde Vcc. (en la prctica Vcc menos
1 [V]) hasta casi 0 [V] (app. 2 [V]). El voltaje aplicado a este pin puede variar entre un
45 y un 90% de Vcc en la configuracin monostable. Cuando se utiliza en la
configuracin astable, el voltaje puede variar desde 1,7 [V] hasta Vcc. Si este pin no
se utiliza se recomienda instalar un condensador de 0,01 F para evitar las
interferencias.
6 Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para
poner la salida del (pin 3) a nivel bajo.
7 Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado
por el temporizador para su funcionamiento.
8 V+ : Tambin llamado Vcc, es el pin donde se conecta el voltaje de alimentacin que va
desde 4,5 [V] hasta 16 [V] (mximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan a
18 [V].
40
Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 41
Cuando la seal de disparo est a nivel alto (Ej. 5 [V] con Vcc 5 [V]) la salida se mantiene a
nivel bajo (0 [V]), que es el estado de reposo.
Una vez se produce el flanco descendente de la seal de disparo y se pasa por el valor de
disparo, la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuacin:
NOTA: en el modo monoestable, el disparo debera ser puesto nuevamente a nivel alto
antes que termine la temporizacin.
41
Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 42
Funcionamiento:
Cuando la seal que pasa por trigger baja de 1/3 Vcc, el condensador comienza su proceso de carga
puesto que el transistor interno esta con su base desenergizada. Salida alta.
El condensador esta conectado al pin 6 (umbral) y cuando este alcanza un valor de 2/3 Vcc,
internamente se activa el comparador B, se descarga el condensador y la salida del timer es cero.
El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del condensador.
T = 1,1RC
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Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 43
La seal cuadrada tendr como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0 [V].
Si se desea ajustar el tiempo que est a nivel alto y bajo se deben aplicar las frmulas:
La salida es una onda rectangular, como la constante de tiempo de carga es mayor que la
de descarga, la salida no es simtrica.
El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo, lo que cambia son las conexiones
externas.
La conexin de trigger y umbral estn unidas y dependen solo del voltaje y del condensador.
Cuando el condensador se esta cargando y llega a un voltaje 2/3 Vcc, la salida del integrado se hace
cero, la base del transistor interno se energiza y el condensador se descarga a travs de R B por el
pin 7.
Una vez que el voltaje del condensador llegue a 1/3 Vcc, se activa el comparador A pues la seal de
trigger baja de 1/3 Vcc. La base del transistor se desenergiza por lo que el condensador ahora
comienza a cargarse pero a travs de las resistencias RA y RB.
En este caso la salida del integrado es Vcc.
43
Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 44
CONDENSADORES
Un condensador est constituido por dos o ms placas, las cuales estn separadas entre si
por un material dielctrico (aislante). Cuando se aplica un voltaje a travs de las placas del condensador, la
corriente fluye de una placa hacia la otra, pasando a travs de la fuente de voltaje. En trminos ideales, no
existe un flujo de corriente a travs del dielctrico, que separa las placas del condensador.
La carga, en el condensador, se almacena en el campo elctrico que establecen las placas
cargadas opuestamente. Si el voltaje aplicado es de corriente continua DC, el condensador se carga con el
valor del voltaje aplicado. Si el voltaje aplicado es de corriente alterna AC, el condensador sigue
esencialmente los cambios de polaridad del voltaje aplicado, cargndose y descargndose alternativamente
en direcciones opuestas, cada medio ciclo (semiciclo), con ello se establece efectivamente el flujo de corriente
alterna.
Funcin y Clasificacin:
Los condensadores son dispositivos que tienen la propiedad de almacenar energa
elctrica, siendo de vital importancia en los circuitos electrnicos.
La energa elctrica almacenada por el condensador, es retenida en el material dielctrico.
Los materiales dielctricos, normalmente utilizados, son: aire, papel encerado, materiales plsticos, mica y
materiales cermicos.
Para el almacenamiento de la carga, las molculas dielctricas, pueden ser consideradas
en forma equivalente al electroesttico de barras imantadas, pero teniendo polos elctricos positivo y
negativo. Cuando el condensador esta descargado, los polos de las molculas se anulan unos con otros, de
manera tal que no existe energa almacenada. Cuando se aplica un voltaje estable, entre las placas del
condensador, la fuerza elctrica acta sobre las molculas, alinendose con el campo elctrico, apuntando en
la misma direccin de ste. En este instante, la placa que esta conectada al polo positivo de la fuente, tiene
deficiencia de electrones, mientras que la placa que esta conectada al polo negativo, se encuentra con un
exceso de stos. Cuando se desconecta la fuente, las molculas del dielctrico permanecen en un estado
tensin y, esta energa es almacenada dentro del condensador.
Despus de haber desconectado la fuente de alimentacin del condensador, puede medirse
una diferencia de potencial entre los terminales de ste. Dicho diferencial, se mantiene constante por un
determinado perodo de tiempo, el cual puede variar entre unos minutos y varios das. La permanencia de la
diferencial de potencial depende de la resistencia de fuga del dielctrico.
Los condensadores que poseen un valor capacitivo elevado, deben ser descargados al
momento de manipular, de otro modo el usuario se expone a sufrir una descarga elctrica. Adems, en el
caso de reemplazar un condensador, se debe tener en cuenta la capacidad de ste, ya que si funciona fuera
de su rgimen, existe el riesgo de que estalle, debido a la posibilidad de generacin de gas en su interior.
En el caso de condensadores, la propiedad de almacenar carga elctrica se conoce como
capacidad C. La unidad que permite cuantificar la capacidad de un condensador es el Faradio (F).
El Faradio es una unidad de capacidad muy grande y, en la prctica, se utilizan
submltiplos, tales como: microfaradio [F], nanofaradio [F] y picofaradio [F].
1 F = 10 -6 F = 0,000001
1 F = 10 -9 F = 0,000000001
1 F = 10 -12 F = 0,000000000001
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Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 45
C=Q/V
45
Electrnica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrnica Integrada 46
T = 4,6
=RC
Colocar un ampermetro en serie y observar el momento donde la corriente deja de circular. (segn el
grafico cuando la corriente deja de circular, es porque el condensador ya se cargo)
Se puede colocar un voltmetro en paralelo con la resistencia y observar cuando el voltaje llegue a
cero.
Al hacerlo de esa forma se observara que jams llegara a cero, pues siempre habr una pequea
corriente de fuga que pasa por el voltmetro.
Es recomendable hacerlo con un ampermetro y mas aun con un ampermetro anlogo.
Conclusin:
Podemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador controlando el valor
de resistencia y capacidad del condensador.
46
Electrnica aplicada
Existen dos familias que trabajan dentro de los circuitos integrados, dos tecnologas
ampliamente utilizadas:
TTL: Corresponde a la familia 7400, fue introducida por la Texas Instruments en el ao 1964. Estos
circuitos han ido evolucionando, conduciendo a nuevas subfamilias las cuales estn disponibles en la
National Semiconductor.
Las caractersticas de tensin en todas las subfamilias TTL son las mismas (Vcc + 5 [V]), sin
embargo, cambian sus caractersticas de velocidad y de potencia.
Las marcas en los circuitos integrados TTL varan segn el fabricante, a continuacin se
muestra una figura de ejemplo:
Circuitos integrados CMOS (Metal xido complementario) : Fue introducido por la RCA en el
ao 1968, su popularidad deriva a que tienen un extremado bajo consumo de potencia, alta
inmunidad al ruido y pueden funcionar con una fuente econmica no regulada.
Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS, que incluyen la antigua serie o
familia 4000, la familia 74C00 y la familia 74HC00.
CD 4028 B E
Cdigo del
Fabricante para CMOS digital
Los fabricantes sugieren que al trabajar con dispositivos CMOS, se consideren los
siguientes datos; para evitar daos provenientes de descargas estticas y tensiones transitorias, se debe
seguir el siguiente procedimiento:
1. La compuerta AND
2. La compuerta OR
3. La compuerta NOT
a) Compuerta AND: La compuerta AND llamada Todo o nada en los esquemas se muestran su
smbolo y el circuito AND usando conmutadores:
S A B
La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica OR, es la siguiente:
S A B
c) Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce tambin como un inversor. La compuerta NOT
tiene solamente una entrada y una salida, en los esquemas se muestran su smbolo y el circuito
NOT usando conmutadores:
La expresin Booleana que define una compuerta o condicin lgica NOT es la siguiente:
A A
Las leyes que condicionan una compuerta lgica NOT son las que se definen:
0 1
Si A = 1, entonces A 0
Si A = 0, entonces A 1
Combinaciones de compuertas:
Tabla de Verdad
Tabla de Verdad
Realizar:
a) Compuerta NAND
b) Compuerta NOR
c) Compuerta OR EXCLUSIVA
d) Compuerta NOR EXCLUSIVA
a) Compuerta NAND: Esta se puede alterar a travs de una compuerta AND y una compuerta
NOT, como se ve en el esquema:
Smbolo
Smbolo
Combinacin
Smbolo
Tabla de Verdad
Expresin Booleana
Combinacin
Smbolo
Tabla de Verdad
Expresin Booleana
Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lgicos ya que toman
decisiones lgicas, las compuertas tienen con frecuencia mas de dos entradas; un aumento de ellas (N de
entradas) implica un mayor poder de toma de decisiones.
Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una red.
Circuitos lgicos combinacionales: Estos responden a los datos que entran y pueden ser (0
1)
Estas tienen la funcin de ser el cerebro, para comandar los diferentes elementos en el
automvil. Estos elementos reciben informacin de sensores y luego pueden calcular y elegir en
el mnimo de tiempo, la decisin ms conveniente.
Esquema del principio de mando de una unidad electrnica de control : Todo aquello que
deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas puede ser regulado con
gran facilidad por una unidad electrnica de control.
Con el tiempo se pretende llegar a construir un automvil capaz de conseguir una centralizacin
total de las rdenes cursadas al automvil. Dentro del campo de la electrnica existen los
dispositivos para lograr estos fines sin mayores problemas.
La pregunta o inquietud que resalta es Cmo una mquina con dispositivos electrnicos puede
tomar decisiones?, la respuesta no es simple, sin embargo se puede hacer una analoga con el
pensamiento humano:
- En frio = 3 Volts ( al hacer funcionar y dejar un rato , baja a 2,2 o 1,8 volts)
- Si la resitencia delsensor de t es muy alta, el computador manda un mayor ancho de pulso,
por lo tanto la mezcla que manda es muy rica y el motor se ahoga ( tira humo negro)
- En simulacin: el motor parte cada vez mejor en la medida que se varia la resistencia y por
ende la temperatura del motor.
- Sensor t ntc; Temperatura alta resistencia baja
- R aprox 3000 ohms a 20C y si la t varia a 90C resistencia = 250 ohms
- ( mide t del agua del motor, llamado ECT)
- Motor frio 4,8 v
- Motor a 20C 12 v
4. Inyectores
Multipunto, trabaja con 12 volts
Monopunto, trabaja con otro voltaje ( 1 inyector)
Entrada de combustible aprox a 45 psi
Resistencia de inyector aprox 15 ohms, caso de multipunto puede ser de 13,7 ohms
Si al medir el inyector , por ejemplo marca 5 v y deberia marcar 9 0 10 volts, entonces el
inyector debe tener baja resistencia o sea esta defectuoso
Nota:
Un motor puede tener el IAT y el MAP juntos o no, en el segundo caso, los tienen separado, o
sea el IAT en la tapa filtro de aire y el MAF adosado a la garganta.
MAF: puede tener un hilo de alambre caliente, mide la cantidad de aire que entra al motor (actua
por enfriamiento) t =70 C
En los motores bencineros, el inyector se mantiene un tiempo accionado.
Sistema DIS entrega dos chispas
Sistema tandem= 2 inyectores al mismo tiempo
Sistema mixto = 4 inyectores al mismo tiempo
5. Sonda de oxigeno:
Motor en circuito cerrado = significa que el sensor de oxigeno esta trabajando bien
Tipos:
4 cables dos son para alimentacin a calefactor ( 12 volts), otros 2 son del sensor
3 cables 1 tierra comun
2 cables entrada y salida del sensor
1 cable seal sensor y masa
(La seal que entrega el sensor de oxigeno oscila entre 0 y 1 volt) tiene un rango de 2000 mv
Si se comprueba que la mezcla es pobre entonces la manguera del MAP puede estar rota
MAP: seal del sensor de presion absolutadel multiple de admisin
ECU: unidad de control electronica o ECM
Ancho de pulso
Ejs Inyector
100 v
Inyector
cerradao
12 v Inyector
abierto
0v
IAC = valvula de control de aire en valenti ( se mide con motor RUN) , solo entrega aire para el
Valenti, o sea No entra aire por la toma principal.
Claves de falla tipicas: DTC = codigo falla almacenada, FSS1= sensor de oxigeno