Transistor unipolar jFET (juntion field- effect transistor), construido por schockley en 1952.

Transistor unipolar MOS. (Metal Oxido Semiconductor). 1972.

Desarrollo experimental por la micro-electrnica.

Nivel de Integracin Fechas de # Puntos de chip. Aplicaciones

Introduccin.
SSI (Small Scale 3-30 Puertos Lgicos
Integration). Inicios 60s Bsicos.
MSI (Medium Scale A mediados y finales 30-300 Memorias de 216 bit
Integration) 60s de alta velocidad.
LSI (Large Scale Inicios 70s 300-3000 RAM 1-16K,
Integration) calculadoras.
ULSI (Uesi Large Scale Finales 70s Mas de 30000 RAM 64K
Integration)

1.2 Modelo de Bandas.

El modelo de Bandas permite explicar el fenmeno de la conduccin elctrica en los slidos,

segn este modelo, la material esta constituida por tomos, cuyos electrones se contribuyen
en bandas de energa.

La banda mas externa con electrones es la banda de valencia (Eu), para que un electrn escape
de la atraccin del ncleo es necesario que adquiera la energa suficiente (Eg) que le permita
soltar a la banda de conduccin (Ec). Por lo tanto Eg=Ec-Eu.

El espacio intermedio entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina banda

prohibida y representa valores de energa que no pueden tener los electrones.

Figura 1.0 Niveles de energa.

1.3 Semiconductores Intrnsecos y Extrnsecos.

Un semiconductor Intrnseco es un semiconductor puro, en los que la conduccin se debe al

aumento de electrones originados por la temperatura. Los portadores de carga son los
electrones y huecos. Los semiconductores intrnsecos no presentan impurezas en su estructura
y estn constituidos solo por el elemento semiconductor germanio o silicio puro.
Los semiconductores extrnsecos son aquellos semiconductores que han sido sujetos al
proceso de dopado, es decir, al semiconductor puro se le han adicionado una impureza.

Existen 2 materiales extrnsecos de gran importancia para los dispositivos semiconductores: El

tipo N y el tipo P.

El material tipo B se crea a travs de la introduccin de elementos de impureza que poseen 5

electrones de valencia (portavalentes) como el antimonio, arsnico y fosforo

Figura 2.0 Impureza de antimonio en un

material tipo N.

El material tipo P se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
tomos de impureza que aparecen 3 electrones de valencia. Los elementos mas usados son el
boro, el galio y el indio.

El efecto de alguno de estos elementos, como el boro sobre el silicio se indica en la siguiente
figura:

Figura 3.0 Impureza de boro en un material

tipo P.

En un material tipo N el electrn se llama portador mayoritario el hueco minoritario.