1.- Conceptos de Fsica de Semiconductores.

1.1 Antecedentes y Aplicaciones.

La historia de los semiconductores se remonta a los tiempos de Faraday (1833) y Becquerel

(1839). Faraday descubre que el sulfato de plata tiene un coeficiente de temperatura negativo
y Becquerel estudia las propiedades de los electrolticos.

Ambrose Fleming (1905) en bsqueda de un detector de seales elctricas, desarrolla el diodo

de vacio, el primer dispositivo electrnico (vlvula) conocido. Casi simultneamente Gertel y
Einstein (1905) toman como base el efecto fotoelctrico y producen la primera clula
fotoelctrica la cual no cera utilizada en fines comerciales hasta 1920 cuando da comienzo la
investigacin del cine sonoro y la T.V.

Poco despus Lee de Foret (1907) inventa el trodo. Este dispositivo aparte de detectar seales
elctricas es ya capaz de amplificar seales (surge aadiendo un tercer electrodo a la vlvula).

Hacia el ao de 1915 se empieza a usar el cristal de galeana como detector de seales.

A principios de los aos 20 se empiezan a utilizar los rectificadores se selenio y de oxido de

cobre y las vlvulas de radio sustituyen el detector de cristal. Entre 1920 y 1940 por un lado se
desarrolla el tetrodo y el pentodo y por otro los fsicos elaboran teoras que explican algunos
de los fenmenos descubiertos hasta entonces.

En 1923 shchtlky publica la teora de los rectificadores secos y es la primera contribucin a la

teora de los semiconductores.

En esta teora se aprecia que el empleo de la mecnica cuntica se revela indispensable.

En 1928 Zworykin desarrolla un circuito capaz de transformar una imagen ptica en corriente
elctrica: el iconoscopio. Poco despus este dispositivo sufre modificaciones y as se obtienen
el tubo detector de imagen, una ves salvados los problemas tcnicos de experimentacin la T.V
comercial irrumpe en los hogares en 1945.

En 1940 durante la segunda guerra mundial se busca un detector de cristal que satisfaga las
necesidades del radar. La industria electrnica se desarrolla vertiginosamente y surgen
tcnicas de minituralizacion y empleo de materiales robustos y ligeros en los dispositivos
electrnicos o el diodo semiconductor recibe un nuevo impulso mientras que el diodo de vacio
queda relegudo. Pongamos en claro las ventajas del diodo de cristal y silicio.

Diodo semiconductor (p-n) frente el diodo de vacio. Dimensiones reducidas, capacidades en

paralelo muy reducidas, punbitividades de empleo y captar seales de alta frecuencia por el
radar y el estudio terico constituye una base indispensable en el estudio del transistor.

A finales de la dcada de los 40 estaban claras las desventajas de los dispositivos ternoionicos,
la nica salida posible estaba en los elementos en estado solido. A causa de que en estos se
podr modular la conductividad. Los inventos que destacan son:

Transistor Bipolar (Desarrollado por los fah bell) Transistor (transferer-resistor).

Transistor unipolar jFET (juntion field- effect transistor), construido por schockley en 1952.

Transistor unipolar MOS. (Metal Oxido Semiconductor). 1972.

Desarrollo experimental por la micro-electrnica.

Nivel de Integracin Fechas de # Puntos de chip. Aplicaciones

Introduccin.
SSI (Small Scale 3-30 Puertos Lgicos
Integration). Inicios 60s Bsicos.
MSI (Medium Scale A mediados y finales 30-300 Memorias de 216 bit
Integration) 60s de alta velocidad.
LSI (Large Scale Inicios 70s 300-3000 RAM 1-16K,
Integration) calculadoras.
ULSI (Uesi Large Scale Finales 70s Mas de 30000 RAM 64K
Integration)

1.2 Modelo de Bandas.

El modelo de Bandas permite explicar el fenmeno de la conduccin elctrica en los slidos,

segn este modelo, la material esta constituida por tomos, cuyos electrones se contribuyen
en bandas de energa.

La banda mas externa con electrones es la banda de valencia (Eu), para que un electrn escape
de la atraccin del ncleo es necesario que adquiera la energa suficiente (Eg) que le permita
soltar a la banda de conduccin (Ec). Por lo tanto Eg=Ec-Eu.

El espacio intermedio entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina banda

prohibida y representa valores de energa que no pueden tener los electrones.

Figura 1.0 Niveles de energa.

1.3 Semiconductores Intrnsecos y Extrnsecos.

Un semiconductor Intrnseco es un semiconductor puro, en los que la conduccin se debe al

aumento de electrones originados por la temperatura. Los portadores de carga son los
electrones y huecos. Los semiconductores intrnsecos no presentan impurezas en su estructura
y estn constituidos solo por el elemento semiconductor germanio o silicio puro.