Tema2 DispositSC PDF

TEMA 2.
DISPOSITIVOS
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 1

TEMA 2. DISPOSITIVOS
2. Diodo de Unin (Unin P-N).
ees.wikispaces.com
www.esacademic.com
3. Transistor Bipolar de Unin (BJT).
4. Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-

Semiconductor (MOSFET).
5. Diodo emisor de luz (LED).
6. Ejercicios propuestos
upload.wikimedia.org
erenovable.com

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2. DIODO DE UNIN
2. El diodo de unin:
Es el dispositivo ms sencillo y bsico. Consiste en un
semiconductor con impurificacin no homognea:
Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P).
En el otro son impurezas donadoras (Tipo N).
Tiene dos terminales externos (dos metales):
nodo (conectado a la regin P)
Ctodo (conectado a la regin N)
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se

aplica al nodo una tensin V
Si la tensin aplicada entre terminales V=0 La unin
est en equilibrio.
Si la tensin aplicada entre terminales es diferente de
cero Diodo polarizado
Si la tensin V>0 Polarizacin directa
Si la tensin V>0 Polarizacin inversa
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

En el SC tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el SC tipo N hay
muchos electrones y muy pocos huecos.
A temperatura ambiente, los huecos
de la zona p pasan por difusin hacia
la zona n y los e- de la zona n pasan a
la zona p.
La difusin crea un exceso de carga

negativa (electrones) en el lado P y
exceso de carga positiva (huecos) en
el lado N.
Debido a estos excesos de carga se

crea, un campo elctrico que produce
corrientes de desplazamiento, que
compensan a las de difusin Dando
lugar a corriente total nula.
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction En equilibrio I = In + Ip =0

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction

2.b. La unin PN polarizada (V 0)
En polarizacin Directa:
El potencial aplicado externo se opone al campo I
elctrico que limita la difusin Disminuye el efecto
del arrastre) y aumenta la difusin de portadores. V>0
De electrones del lado N al P P N
De huecos del lado P al N
El resultado es una corriente neta elevada de
portadores mayoritarios hacia donde son
minoritarios.
En polarizacin Inversa:
V<0
El potencial externo refuerza el campo elctrico de
arrastre. P N

Las componentes de difusin son nulas.
Aumentan las componentes de arrastre (trasladan
x
los minoritarios): son corrientes muy pequeas I=0
que puede considerarse despreciables.

2.b. La unin PN polarizada (V 0)
Directa Inversa
ees.wikispaces.com ees.wikispaces.com
Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Analticamente se puede encontrar una relacin entre la corriente que circula por el
mismo y la tensin externa que se aplica:
k BT VT(300 K) = 25.85 mV
VT =
qe kB (Cte de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1
V
VT eV
KB T
I = I0 e 1 = I 0 e 1 VT : denominado potencial trmico

I0: Corriente inversa de saturacin (pocos nA)
En polarizacin directa: V>0 podemos I

admitir que la exponencial es muy superior al 1 Curva analtica
eV
KB T
I = I0 e
I0
En polarizacin inversa: V<0 podemos
despreciar la exponencial frente al 1. V
Inversa Directa
I = I0
Caracterstica esttica (I-V) del diodo


La caracterstica I-V de un diodo real es
ligeramente diferente:
Curva REAL
I
La corriente en inversa es prcticamente nula.
En directa existe un voltaje umbral V, que es una VR V

polarizacin mnima que hay que aplicar para que la
unin est en directa Caracterstica desplazada V
hacia la derecha.
Inversa Directa
Para polarizaciones muy elevadas en inversa
(inferiores a VR) aparecen fenmenos de
multiplicacin de portadores la corriente se hace Caracterstica REAL esttica
muy elevada (I-V) del diodo


Influencia de la temperatura
ees.wikispaces.com

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales
Ge: mejor en conduccin i [mA]

i [mA]
Si: mejor en corte 30 Ge
1 Si
Ge Si
V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 0.25 0.5 -4 0 1
i [
A] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 -0.5 0
Ge Si
-0.8 -10 www.uniovi.es/ate/manuel

2.d. Diodo Zener
Si la tensin de polarizacin inversa VR

en la que se produce el fenmeno de
conduccin por avalancha es pequea I
(en mdulo) hablamos del diodo Zener Tensin
Tensin
Para una tensin inversa dada, llamada
Zener
Zener
tensin Zener, sta se mantiene
constante aunque la corriente vare. Vz
En polarizacin directa funciona como un V
diodo normal.
Su smbolo circuital:
FFI-UPV.es

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2.b Modelado DIODO DE UNIN
I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos
1 aproximacin: diodo ideal I

En el modelo del diodo ideal se
equipara ste a un cortocircuito o a un
circuito abierto, segn cmo est
conectado.
V
DIRECTA INVERSA
R R
I I
I
FFI-UPV.es FFI-UPV.es

2 aproximacin lineal
Se considera que el diodo conduce sin resistencia I
por encima de la tensin umbral, y no conduce por
debajo de la misma. Esto equivale a considerar un
diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie
con un receptor.
VO= 0.3 V para el diodo de Ge
VO= 0.7 V para el de Si.

VO V
DIRECTA
R=1k R=1k
Vf = 6V Vf = 6V
I VO=0.7 V
V f VO 6 0.7
I I= = = 5.3 mA
R 1k
FFI-UPV.es


3 aproximacin lineal
La 3 aproximacin es un diodo ideal con
una resistencia en serie y una fuente de
tensin.
0,15
0,15 V = Vo + IRd
DIRECTA Rd = V/I
I (mA)
I (mA)
R=1k I
0,05
0,05
V
Vf = 6V I IoI
o
0,2 0,4 0,6VO 0,8
-0,05
-0,05
Vf (V)
V (V)
R=1k FFI-UPV.es
Vf = 6V I V f VO 6 0.7
Rd = 500 I= = = 3.5 mA
VO=0.7 V R 1000 + 500
I I
Solo tensin
de codo
Ideal Ge = 0.3
Si = 0.6
V V
I I
Curva real
(simuladores,
Tensin de codo y
Resistencia directa anlisis grfico)
V V
www.uniovi.es/ate/manuel

Ejercicios propuestos.
D. Pardo, et al. 1999



TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.2.b DIODO DE UNIN
UE
2.e. PRACTICA N 1. Laboratorio
Rectificador de media onda Baja frecuencia
VR =is.R iS
VD
iS
+
UE R VR
ViD
S
VR =is.R I
Visualizacin de la caracterstica
I-V de un diodo real VR V
Curva REAL
V
VD
TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT)
3. El transistor bipolar de unin:
a. Introduccin
Los transistores son:
Dispositivos de tres terminales

La corriente o la tensin en un terminal
(terminal de entrada)
Controla el flujo de la corriente entre los ees.wikispaces.com
otros dos terminales.

Colector
Emisor
bellsystemmemorial.com
Base
www.alcatel-lucent.com
bellsystemmemorial.com

b. Tipos de transistores bipolares
Emisor Base Colector
Emisor Colector
P N P
Base
Emisor Base Colector
Emisor Colector
N P N
Base
Base poco dopada
Emisor ms dopado que colector

c. Tensiones y corrientes
Las corrientes entre terminales dependen de las tensiones que se apliquen. Para un
transistor NPN y tomando el terminal de emisor como referencia de tensin (el ms usual):
VBE= VB VE
IC
C VCE= VC- VE
IB VCE
B C Aplicando la ley de Kirchoff (corrientes que entran =
corrientes que salen):
IE= IB + IC
VBE IE E
E Se puede calcular la relacin entre las corrientes de
colector y de base:
F : factor de ganancia en corriente I C = F I B + (1 + F ) I C 0 F I B

F : 150-200 en transistores comerciales Indica que la corriente de colector es proporcional
a la de base

c. Caractersticas de salida de un transistor NPN
La representacin grfica de la ecuacin anterior:
IB = 80 A

IC ( mA)
Regin de saturacin
IB = 60 A
Regin activa
IB = 40 A Regin de corte
IB = 20 A Ruptura
IB = 0 A
FFI-UPV.es
VCE (V)
I C = (1 + F ) I C 0

d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin

Si un transistor trabaja dentro de un circuito Se dice que el transistor est polarizado.
El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN
Para resolverlo, se deben cumplir:
Las caractersticas de salida
Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre:
VBE 0,7 V
= 100
RC =1 k VBB= VBE + IB RB
VBB VBE 2 0,7
IB = = = 81,25 A
RB=16 k RB 16000
IC
Ic = IB = 8,125 mA
VBB = 2 V
VCE
IB VBE VCC=10 V VCC=VCE+ IC RC Lnea de carga
VCE = VCC - IC RC =
10 - 8,125 = 1,875 V
FFI-UPV.es

d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)

Punto de Operacin Estacionario: Ic = 8,125 mA
I B = 81,25 A
VCE = 1,875 V
IC
VCC Q IB4
RC
VBB (V) VCE (V) Ic (mA) IB (A)
Q IB3 0,7
0,8
10
9,375
0
0,625
0
6,25
Corte
0,9 8,75 1,25 12,5
Regin activa
1 8,125 1,875 18,75
IB2 l n 1,2 6,875 3,125 31,25
ea 1,4 5,625 4,375 43,75
de 1,6 4,375 5,625 56,25
ca 1,8 3,125 6,875 68,75
IB1 rg
a 2 1,875 8,125 81,25
Q 2,2
2,3
0,625
0
9,375
10
93,75
100 Saturacin
VCE
FFI-UPV.es VCC = 10 V

d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (III)
Ejercicio 4.

Ejercicio 6.

Ejercicio 7.

e. BJT en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales variables en el tiempo) debemos
tener en cuenta:
Que entre base y emisor tenemos una unin en directa.
En colector las variaciones de corriente son proporcionales a la corriente de base.
El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN
Cuando usemos el BJT en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por un
circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
VCC
Sedra/Smith 2004
I C (t ) Circuito equivalente de pequea seal:

RC RB ib RC
B C
C +
vi (t ) vbe ic
RB B
r F ib
vi (t ) I B (t ) VCE (t )
VBE (t ) E E
VBB
y (ganancia) son los parmetros del circuito.

r

Ejercicio 5.

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.4. TRANSISTOR MOSFET
a. Estructura de un transistor MOSFET

La corriente ID entre el contacto de fuente y el de drenador (la conductancia
o resistencia del semiconductor), puede ser modulada:
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
Mediante la variacin de tensin en

el electrodo de puerta.
El electrodo de puerta est aislado
elctricamente del Silicio mediante
un xido (SiO2).
Transistor MOSFET de Canal N (NMOSFET)
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,

donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.

b. Tipos de transistores MOSFET
Metal
S G D S G D
xido
Semiconductor
n n p p
p n
Metal FFI-UPV.es
Tipo N Tipo P
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de
xido del semiconductor - por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor.
Dos regiones dopadas de dopaje contrario al semiconductor que forma el substrato.
Posee tres electrodos:
Puerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.

La corriente en la puerta es nula siempre
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.

d. Modo de operacin : tensin umbral
Caracterstica de transferencia
Existe un potencial en la puerta mnimo que
debe superarse para que la corriente de
drenador sea distinta de cero:
Por debajo del valor umbral (VGS<VT) no hay

carga en el canal No hay conduccin
no hay corriente. ID=0.
Para valores de (VGS>VT) . Aparece la capa

de inversin Es posible la conduccin
entre fuente y drenador
VT=valor de en el que comienza a haber una
corriente no nula de drenador.
Valores tpicos de VT: 0.3 to 0.8 volts.
www.romux.com
c. Transistor MOSFET: smbolo circuital

Diferentes transistores MOSFET: signos de corriente en terminales,
tensiones en terminales, etc.

d. Comparacin de caractersticas de salida de BJT y MOSFET

En la forma las caractersticas de los MOSFETs son anlogas a las de los BJTs.
Eje x Eje y
BJT: tensin entre emisor y colector (VCE) BJT: corriente de colector (IC)
MOSFET: tensin entre fuente y drenador (VDS) MOSFET: corriente de drenador (ID)
Sin embargo, la diferencia est en el tercer terminal o terminal de control:

BJT: controla la corriente de base
MOSFET: controla la tensin de puerta.
BJT MOSFET
IB = 80 A
IC ( mA)

IB = 60 A
IB = 40 A
IB = 20 A
IB = 0 A
FFI-UPV.es
VCE (V)
e. Clculo del Punto de Operacin Estacionario (POE)

Polarizacin. Anlisis de la recta de carga.
Igual que ocurre en el BJT, debemos polarizar el

MOSFET para tener entre sus terminales unas
diferencias de potencial y unas corrientes
determinadas.
Sedra/Smith 2004
laimbio08.escet.urjc.es/

d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)
Ejercicio 8.

e. MOSFET en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Igual que en el caso del BJT, para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales
variables en el tiempo) debemos tener en cuenta:
Si aplicamos un incremento VGS en la tensin de puerta, provocar un incremento fijo en la

corriente de drenador: ID.
I D
Podemos definir el parmetro TRANSCONDUCTANCIA: gm =
VGS
Cuando usemos el MOSFET en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por

un circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
Sedra/Smith 2004
V DD Circuito equivalente de pequea seal:
I D (t ) RD
G D
RD
D vi (t )
+ iD
G
vGS g m v GS

vi (t ) V DS (t ) S
VGS (t ) S
VGG

TEMA 2. DISPOSITIVOS 2.5. DIODO LED
a. Diodo emisor de luz: LED

V>0
Como hemos estudiado, en una Unin P-N,
en polarizacin Directa: P N
Aumenta la difusin de portadores (desde
donde son mayoritarios, hasta donde son
minoritarios).
En torno a la unin, aparecen unos excesos
de portadores, que sern mayores cuanto ms
polarizacin en directa se aplique.
El exceso de portadores va a dar lugar

PROCESOS DE RECOMBINACIN:
Tiene lugar una radiacin de los electrones

(al pasar de la BC a la BV) que pasa al
exterior como radiacin : fotones de
energa: h =GAP
El color de la luz del LED lo marca el

GAP del semiconductor.
Este proceso se denomina

Electroluminiscencia http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html


Luego un LED es un dispositivo que consume energa elctrica y nos devuelve
energa electromagntica.
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/7/7c/PnJunction-LED-E.PNG
Cuando hay suficiente voltaje en directa aplicado entre extremos de la unin fluye la
corriente:
Los electrones (y huecos) pasan de la regin n (p) a la regin p (n) por difusin
El LED se asemeja a un diodo normal, pero con importantes diferencias:
Un empaquetado transparente permitiendo que la energa (luz en el espectro del
visible o el IR) pase a su travs.
Area de la unin P-N muy grande.

Longitudes de onda de inters: Espectro electromagntico
Imagen de dominio pblico

b. Color de la luz de un LED
Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario

fabricar semiconductores con gaps elevados.
sensores y procesado IR
trmico
visible comunicacin
0.4 0.7 1.6 (m)

c
f =

UV NIR MIR
3 1.6 0.8 h (eV) = h

SiC GaP GaAs Si Ge
Eg (eV)
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario
fabricar semiconductores con gaps elevados.
IR
trmico
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html

c. Aplicaciones de los LEDs

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores (hoy por hoy su uso se ha generalizado en
general para aplicaciones de control remoto).
Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones

de fibra ptica
Los LEDs se emplean con profusin:

Indicadores de estado (encendido/apagado)
Dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.)
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ,
36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).

c. Aplicaciones de los LEDs

Calculadoras
Alumbrado de pantallas LCD de
telfonos mviles
Agendas electrnicas, etc.
Fotodetectores para lecturas de
cdigos de barras.
Displays de 7 segmentos
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
Display LEDs para aplicaciones numricas y

alfanumricas (a): Aplicacin numrica de 7 barras
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif

d. LASER Semiconductor
Si en vez de usar una unn p-n, se utiliza una
estructura semiconductora de heterouniones,
podemos crear un LASER.
Cuando se invent en 1960, se denominaron como

"una solucin buscando un problema a resolver".
Desde entonces se han vuelto omnipresentes.
Las propiedades ms importantes:

Corriente umbral
Eficiencia
Potencia
Rapidez
Monocromticidad
Estabilidad
Fiabilidad
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg

d. Aplicaciones del LASER

El tamao de los lseres vara ampliamente
Diodos lser microscpicos
Lser de cristales de neodimio (tamao similar al de un
campo de ftbol): investigacin sobre armas nucleares u
otros experimentos fsicos con altas densidades de
energa
En bastantes aplicaciones, los beneficios de los

lseres se deben a sus propiedades fsicas:
la coherencia
la alta monocromaticidad
la capacidad de alcanzar potencias extremadamente
altas.
Ejemplo: un haz lser altamente coherente puede ser enfocado http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser

a unos pocos nanmetros. Esta propiedad permite al
lser:
Grabar gigabytes de informacin en las microscpicas
cavidades de un DVD o CD.
Tambin permite a un lser de media o baja potencia alcanzar intensidades muy altas y usarlo
para cortar, quemar o incluso sublimar materiales.
Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en

cualquier sector de la sociedad actual:
Industrial
Sistemas de alineamiento o localizacin (posicionamiento)
Deteccin de bordes y medida de distancias.
Mecanizado, soldadura o sistemas de corte.
Tratamientos de calor para endurecimiento o recocido de superficies en
metalurgia o en chasis de automviles.
http://www.mtiinstruments.com/img/images/MicrotrakSpecDiagrams3Fig3.jpg
Aplicaciones de diodos lser de alta potencia

http://images.industrial.omron.eu
http://blog.photonic-products.com/wp-content/uploads/2007/11/laser_engraving_big.jpg


Cientfico:
Contadores de partculas, Dispersin de luz, Anlisis qumicos,
Fsica atmica
Mdico:
Mtodos de diagnstico, Anlisis de sangre
Posicionamiento de pacientes en sistemas de captacin de
imgenes mdicas.
Como instrumento de corte y cauterizacin o para realizar
fotocoagulacin.
La electrnica de consumo
Tecnologas de la informacin (informtica)
Artes grficas: impresoras lser y equipos de oficinas
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
Referencias
Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de
Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e
Intercambio Editorial.1999.
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/68/Diode-photo.JPG
http://ees.wikispaces.com/diodos
http://en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/64/Electronic_component_tran
sistors.jpg
http://www.uniovi.es/ate/manuel (Manuel Rico Secades, Javier Ribas Bueno).
Area de tecnologa electrnica. Universidad de Oviedo.
Universidad de Oviedo. Area de tecnologa Electrnica (ATE). Departamento de
Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas. Area de
Tecnologia Electrnica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt
http://erenovable.com/wp-content/uploads/2010/12/VarianteLED.jpg
http://www.alcatel-lucent.com/wps/portal/BellLabs
www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica
(FFI). Universidad Politcnica de Valencia.
http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html

Referencias
Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by
Oxford University Press, Inc.
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
www.romux.com/_files/image/projects/electronics/e-mosfet-tranfer-
characteristics-218x300.jpg
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication
http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/AFE/Tema5FETAFE0910.pdf
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif
http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
Computer desktop encyclopedia.
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg

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TEMA 2.

IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 1

2. Diodo de Unin (Unin P-N).

3. Transistor Bipolar de Unin (BJT).

4. Transistor de Efecto de Campo Metal-Oxido-

5. Diodo emisor de luz (LED).

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 2

Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 3

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

La difusin crea un exceso de carga

Debido a estos excesos de carga se

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 4

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 5

2.b. La unin PN polarizada (V 0)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 6

Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 7

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

En polarizacin directa: V>0 podemos I

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 8

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

En directa existe un voltaje umbral V, que es una VR V

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 9

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 10

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

Ge: mejor en conduccin i [mA]

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 11

2.d. Diodo Zener

Si la tensin de polarizacin inversa VR

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 12

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

1 aproximacin: diodo ideal I

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 13

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

VO= 0.3 V para el diodo de Ge

VO= 0.7 V para el de Si.

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 14

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 16

D. Pardo, et al. 1999

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 17

D. Pardo, et al. 1999

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 18

D. Pardo, et al. 1999

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Rectificador de media onda Baja frecuencia

3. El transistor bipolar de unin:

Los transistores son:

Dispositivos de tres terminales

Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es 21

3. El transistor bipolar de unin:

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3. El transistor bipolar de unin:

b. Tipos de transistores bipolares

Emisor Base Colector

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F : factor de ganancia en corriente I C = F I B + (1 + F ) I C 0 F I B

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Puerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.

Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones

Los LEDs se emplean con profusin:

Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ,