TRANSISTORES

El transistor bipolar (BJT)

Flujo de las corrientes en
transistores NPN y PNP.
Flujo de las tensiones en
transistores NPN y PNP
 Transistor real

Emisor ha de ser
una regin muy
Colector es una dopada (de ah la
Base debe ser muy
zona menos indicacin n+).
estrecha y poco
dopada que el
dopada.
emisor.
 En la utilizacin de un transistor NPN deben respetarse las siguientes reglas:
1. El colector debe estar a una tensin mayor que el emisor.
2. Los circuitos base-emisor y base-colector se comportan como diodos. Normalmente,
el diodo base-emisor esta polarizado directamente, y el base-colector en inversa, es
decir, contrario a la direccin de flujo de corriente. La flecha en el smbolo del
transistor indica el diodo polarizado en directa.
3. Cada transistor tiene un valor mximo de IC , IB y VCE que no puede excederse sin
correr el riesgo de destruirlo. Hay tambin otros lmites, como la potencia disipada
IC*VCE, temperatura, VBE, sealados en las hojas de datos.
4. Cuando se obedecen las reglas 1 a 3, la corriente IC es proporcional a IB y puede
escribirse como:

donde es la ganancia de corriente. Adems,

Tanto IC como IB fluyen hacia el emisor, y esta ganancia proviene de una fuente
conectada entre colector y emisor. Esta propiedad le da al transistor su utilidad: una
corriente pequea en la base controla una corriente mucho ms grande en el colector.

Que IE= IC+IB tambin es aplicable a los transistores PNP.

 Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un
elemento ideal:

Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (on , off), para conseguir una alta
frecuencia de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE
mxima elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y

concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de
bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino
que siempre hay un retardo (t on , t off). Las causas fundamentales
de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector
- base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de
los portadores.
Transistor como conmutador en un sistema de encendido
Curva de entrada general de un transistor BJT
 Curvas de salida
transistor BJT

ICBO: Mxima corriente en zona de corte.

ICmax : Mxima corriente de colector a base en zona lineal.
VCEO : Mximo voltaje colector emisor en zona lineal.
Pdmax : Potencia mxima disipada.
Funcin de amplificacin:
Esta configuracin no produce ganancia de corriente, pero, si produce ganancia
de tensin. En este caso el factor de amplificacin se denomina .
La intensidad entre E y C son muy parecidas.
VCB est en fase con VBE.
Esta configuracin es la que se encuentra ms a menudo.
Puede utilizarse para amplificacin de voltaje, corriente o potencia. En aplicacin como
interruptor.
Con una corriente de 10A pueden obtenerse 1mA, sin embargo no se tiene la
estabilidad de la configuracin de base comn.
La salida VCE es desfasada respecto a VBE.
En esta configuracin la amplificacin de corriente es similar a la de emisor comn, sin
embargo la ganancia de voltaje es pequea. En este caso la salida esta en fase con la
entrada. Permite una alta impedancia de entrada y baja de salida por lo que se utiliza
como convertidor de impedancias y aislador.
 Transistores de potencia
BJT Bipolar junction transistor
MOS Metal oxide semiconductor
FET Field efect transistor
IGBT Isolated gate bipolar transistor o transistor
bipolar de puerta aislada Transistor IGBT NPN

Transistor BJT PNP Transistor FET NPN Transistor MOS NPN

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la
capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Caractersticas:

Aparece en dcada de los 80

Entrada como MOS, Salida como BJT

Velocidad intermedia (MOS-BJT)

Tensiones y corrientes mucho
mayores que MOS (1700V-400Amp)

Geometra y dopados anlogos a
MOS (con una capa n- ms ancha y
menos dopada)

Soporta tensiones inversas.

Existen versiones canal n y canal p
 Transistor FET (canal N)

Son muy eficientes en la amplificacin de potencia.

Al elevar la tensin negativa de la puerta (B) se amplan las capas de deplexin por lo
que se produce un canal de corriente estrecha.
 Transistor Darlington
El transistor Darlington es un circuito compuesto por dos transistores
colocados en cascada para obtener una ganancia de corriente
elevada, dentro de un encapsulado similar al de los transistores
ordinarios.
Un Par Darlington tiene como
caracterstica que la ganancia total
de cada transistor se multiplica,
note que la corriente emisor de T1
es la corriente base de T2.

D=T1T2
 ENCAPSULADOS

Interior de un transistor
encapsulado en TO-3. Llama la
atencin el reducido tamao
del material semiconductor en
comparacin con la cpsula.
Esto es as para facilitar la
evacuacin del calor
producido en el ncleo.
El soporte del semiconductor y de los terminales de conexin de un transistor se llama
cpsula o encapsulado y su forma, tamao y material depende de las caractersticas del
transistor, especialmente del calor que tiene que disipar. Los transistores de elevada
potencia son metlicos para facilitar el flujo de calor y reducir as la temperatura del
ncleo y suelen ir montados sobre disipadores que facilitan el paso del calor al aire.
Disipadores de calor

Algunos disipadores para

acoplar a distintos tipos de
transistores. Son de
aluminio y a veces van
pintados de negro para
favorecer el intercambio
de calor.
Transistor Darlington con un
disipador acoplado. Si el
transistor y el disipador han de
estar aislados, se coloca entre
ambos una lmina aislante
(antiguamente mica). Tambin
se suele aplicar pasta trmica
entre los dos elementos para
favorecer el flujo de calor.
FIN