PATENTE US2569347

Sept. 25, 1951 w. SHOCKLEY 2,569,347

CIRCUIT ELEMENT unuzmc SEMICONDUCTIVE MATERIAL E Filed June 26, 1948 3

Sheets-Sheet 1 KiQMXW 'lllllllllllllllllllllln INVENTOR y n! SHOCKLEY ATTORNEY p 1951
w. SHOCKLEY 2,569,347

CIRCUIT ELEMENT UTILIZING SEMICONDUCTIVE MATERIAL Filed June 26, 1948 3

Sheets-Sheet 2 FIG. 9

/ M/VENTOR W. SHOCKLEV ATTOPNFV Sept. 25, 1951 w. SHOCKLEY 2,569,347

CIRCUIT ELEMENT UTILIZING SEMICONDUCTIVE MATERIAL Filed June 26, 1948 3

Sheets-Sheet 3 MIL/EN TOR By W. SHOCKLE) A T TORNE V Patented Sept. 25, 1951
CIRCUIT ELEMENT UTILIZING SEMICON- DUCTIVE MATERIAL William Shockley,
Madison, N. J assignor to Bell Telephone Laboratories, Incorporated, New York, N. Y., a
corporation of New York Application June 26, 1948, Serial No. 35,423

34 Claims.

Esta invencin se refiere a medios para y mtodos de la traduccin o el control de seales

elctricas y ms particularmente a elementos de circuito que utilizan semiconductores y para
sistemas que incluyen tales elementos.

Un objeto general de esta invencin es proporcionar nuevos y mejores medios para y mtodos
de control de la traduccin y, por ejemplo amplificar, generar, modular, inter modulacin o la
conversin, las seales elctricas.

Otro objeto general de esta invencin es permitir la traduccin o el control de la energa

elctrica eficiente, rpida y econmica.

De acuerdo con una amplia caracterstica de esta invencin, la traduccin y el control de seales
elctricas es detectado por la alteracin o la regulacin de las caractersticas de conduccin de
un cuerpo semiconductor. Ms especficamente, de acuerdo con una amplia caracterstica de
esta invencin, dicha traduccin y el control es detectada por el control de las caractersticas,
por ejemplo la impedancia, de una capa o barrera intermedia dos partes de un cuerpo
semiconductor de tal manera como para alterar ventajosamente el flujo de corriente entre las dos
porciones.

Una caracterstica de esta invencin se refiere al control del flujo de corriente a travs de un
cuerpo semiconductor por medio de portadores de carga de signo opuesto a los vehculos que
transportan la corriente a travs del cuerpo.
Otra caracterstica de la invencin se refiere al control de la corriente que fluye a travs de un
cuerpo semiconductor por un campo elctrico o campos adems de los responsables de flujo de
corriente normal a travs del cuerpo.

Una caracterstica adicional de esta invencin se refiere a un cuerpo de material semiconductor,

medios para realizar la conexin elctrica, respectivamente, a dos porciones de dicho cuerpo,
medios para hacer tercera conexin elctrica a otra porcin del cuerpo intermedio dichas
porciones y medios de circuito incluyendo las fuentes de energa mediante el cual la influencia
de la tercera conexin se puede hacer para controlar el flujo de corriente entre las otras
conexiones.

Otra caracterstica se refiere a un cuerpo semiconductor que comprende zonas sucesivas de

material de tipo de conductividad opuesta cada una separada de la otra por una barrera elctrica,
medios para realizar la conexin externa, respectivamente, a dos de dichas zonas, y medios para
hacer otras conexiones intermedias a los dos para controlar el flujo de corriente a travs de una
o ms de las barreras elctricas.

Una caracterstica adicional reside en un cuerpo de material semiconductor que comprende dos
zonas de material de tipo de conductividad opuesto separados por una barrera, medios para
realizar las conexiones elctricas externas, respectivamente, a cada zona y medios para hacer
tercera conexin con el cuerpo en la barrera para controlar la flujo de corriente entre las otras
dos conexiones.
Una caracterstica adicional se refiere a un cuerpo semiconductor que comprende dos zonas de
material de tipo de conductividad como con una zona intermedia de material de tipo de
conductividad opuesta, las zonas estn separadas por barreras respectivamente, medios para
realizar las conexiones elctricas, respectivamente, a las dos zonas, y medios para haciendo
tercera conexin a la zona intermedia para controlar la efectividad de una barrera para controlar
as el flujo de corriente entre las zonas de material similar.

Otra caracterstica de esta invencin implica un cuerpo semiconductor que puede ser utilizado
para la amplificacin de tensin y potencia cuando se asocia con medios para introducir
portadores mviles de carga al cuerpo en tensin relativamente baja y la extraccin como
portadores a una tensin relativamente alta.

Una caracterstica adicional de la invencin implica la creacin de tensin y de barrera

condiciones adyacentes una conexin de salida o punto de extraccin de la corriente mediante el
cual se puede obtener amplificacin de corriente adems de amplificacin de tensin.

Otros objetos y caractersticas de esta invencin aparecern ms completa y claramente de la

siguiente descripcin de realizaciones ilustrativas de la misma tomada en conexin con los
dibujos adjuntos:

Fig. 1 muestra en seccin una realizacin de la invencin con un circuito apropiado;

Fig. 2 muestra en seccin otra forma de realizacin de la invencin con conexiones de los
circuitos ilustrativos;

Fig. 3 muestra en seccin una forma de realizacin algo similar a la de la fig. 2 con ciertas
diferencias estructurales y con una disposicin de circuito adecuado;

Figs. 3A y 3B muestran en secciones fraccionarias modificaciones de la figura. 3:

Fig. 4 muestra en seccin una modificacin de la figura. 3 en el que se utiliza un electrodo

incorporado;

Fig. 5 muestra en seccin fraccionada una modificacin adicional del tipo de dispositivo que se
muestra en la Fig. 4 y que incluye caractersticas de detalle tambin aplicable a otras formas de
realizacin;

Fig. 6 muestra una realizacin de la invencin similar a la ilustrada en la Fig. 3 con una
disposicin diferente para realizar la conexin a una parte del dispositivo;
La figura 7 muestra una estructura de losa de ensamblado que contiene algunos detalles
estructurales particulares;

Fig. 8 muestra, con un circuito apropiado, una vista en seccin de una realizacin de la
invencin que tiene una porcin ms de un control;

Fig. 9 muestra en seccin un dispositivo similar al de la Fig. 8 con una disposicin de circuito
diferente.

Fig. 10 muestra un dispositivo de dos electrodos de otra forma similar a la de la Fig. 3,

adaptable como un diodo tiempo de trnsito con diagramas de niveles de energa til en la
explicacin de su funcionamiento;

Fig. 11 es una demostracin esquemtica de curvas asociados con elementos de circuito para
ayudar en la explicacin de ciertos principios de la invencin;

Fig. 12 es una demostracin esquemtica similar a la de la Parte A de la fig. 11 Para ilustrar el

efecto del uso de diferentes materiales para ciertas partes de los dispositivos contemplados por
THEV invencin; y

Fig. 13 es una ilustracin esquemtica de las condiciones en la parte de salida de los

dispositivos fabricados de acuerdo con las caractersticas actuales de amplificacin de la
invencin.

Como una ayuda para una comprensin completa de la descripcin en lo sucesivo, de

realizaciones especficas de la invencin, una breve discusin de algunos principios y fenmeno
pertinentes, y una explicacin de ciertos trminos empleados en la descripcin est en orden.

Como es conocido, vase, por ejemplo, Crystal Rectificadores "de HC Torrey y CA Whitmer, el
volumen 15 de la serie del MIT Radiation Laboratories, hay dos tipos de semiconduccin,
referido como intrnseca y extrnseca. Aunque algunos de los materiales semiconductores
contemplan dentro del alcance de esta invencin puede exhibir estos dos tipos de
semiconduccin, el tipo conocido como extrnseca es de importacin director
Semiconduccin puede ser clasificado tambin como de dos tipos, uno conocido como
conduccin por electrones o el exceso de proceso de la conduccin y la otra conocida como la
conduccin por agujeros o el proceso de defecto de la conduccin. El trmino "agujeros" que se
refiere a portadores de cargas elctricas positivas a diferencia de los portadores, tales como
electrones, de cargas negativas se explicarn con ms detalle en lo sucesivo.

Materiales semiconductores que se han encontrado adecuados para la utilizacin en los

dispositivos de esta invencin incluyen el germanio y el silicio que contiene pequeas
cantidades de impurezas significativas que comprenden una forma de determinar el tipo de
conductividad (ya sea N o de tipo P) del material semiconductor. El tipo de conductividad
tambin se puede determinar por las relaciones de energa dentro del semiconductor. Para que se
haga una referencia ms detallada explicacin de la aplicacin de J. Bardeen y WH Brattain
Serial No. 33466, presentada el 17 de junio de 1948, ahora Patente de Estados Unidos nmero
2.524.035, concedida 03 de octubre 1950.

Los trminos de tipo iluminada y de tipo P se aplican a materiales semiconductores que tienden
a pasar corriente fcilmente cuando el material es negativa o positiva, respectivamente, con
respecto a un contacto conductor con la misma dificultad cuando lo contrario es cierto, y que
tambin tienen Saln consistente y efecto termoelctrico.

La expresin "impurezas significativas" se usa aqu para referirse a aquellas impurezas que
afectan a las caractersticas elctricas del material como su resistividad, fotosensibilidad,
rectificacin, y similares, a diferencia de otras impurezas que no tienen ningn efecto aparente
sobre estas caractersticas. El trmino "impurezas" pretende incluir constituyentes aadidos
intencionadamente, as como cualquier que puede incluirse en el material de base tal como se
encuentra, en la naturaleza o como disponibles comercialmente. Germanio y silicio son tales
materiales bsicos que, junto con algunas impurezas representativas, se observar en la
descripcin de ejemplos ilustrativos de la presente invencin. Defectos de la red tales como
sitios de celosa vacantes y tomos intersticiales cuando es efectiva en la produccin de agujeros
o electrones son para ser incluidos en impurezas significativas".

En los semiconductores que son compuestos qumicos, tales como xido cuproso o de carburo
de silicio, las desviaciones de composiciones estequiomtricas y defectos de la red, tales como
tomos que faltan o tomos intersticiales, puede constituir las impurezas significativas.
Pequeas cantidades de impurezas, tales como fsforo en silicio, y el antimonio y el arsnico en
germanio, se denominan impurezas "donantes" porque contribuyen a la conductividad de los
materiales de base mediante la donacin de electrones a una conduccin sin carga "banda de
energa en el material de base. El donado electrones negativos en tal caso constituyen los
portadores de corriente y el material y su conductividad se dice que son del tipo N. Esto tambin
se conoce como la conduccin por el exceso proceso. Pequeas cantidades de otras impurezas,
por ejemplo de boro en silicio o aluminio en germanio, se denominan impurezas, ya que
contribuyen a la conductividad mediante la aceptacin de "electrones de los tomos del material
bsico en la" banda llena". Tal aceptacin deja un hueco o agujero "en la" banda llena. "Por el
intercambio de los electrones restantes en la" mano llena, "estos positivos" agujeros
"efectivamente se mueven y constituyen los portadores de corriente y el material y su
conductividad se dice que son del tipo P. El proceso defecto trmino puede ser aplicado a este
tipo de conduccin.

Se conocen mtodos de preparacin de silicio de cualquier tipo de conductividad o un cuerpo de

silicio incluyendo ambos tipos. Tales mtodos se describen en la solicitud de JH Scafi y HC
Theuerer presentada el 24 de diciembre de 1947, No. de Serie 793.744, y las patentes de
Estados Unidos 2.402.661 y 2.402.662 a RS Oh. Tales materiales son adecuados para su uso en
conexin con la presente invencin. Material de germanio tambin se puede hacer en el tipo de
conductividad o en los rganos que contienen ambos tipos y puede ser tratada como para que
pueda soportar con altas tensiones en la direccin inversa desde el punto de vista de
rectificacin. Este material puede ser preparado de acuerdo con el proceso descrito en la
solicitud de JH Scaff y HC Theuerer presentada el 29 de diciembre de 1945, No. de Serie
638.351. Masas de material semiconductor para su uso en la prctica de esta invencin tambin
se pueden preparar por deposicin piroltica de silicio o de germanio con impurezas
significativas adecuados. Los mtodos de preparacin se describen en las solicitudes de patente
de los Estados Unidos de KH cigeas y GK Teal n de serie 496.414, presentada el 28 de julio
de 1943, ahora Patente de Estados Unidos No. 2.441.603, concedida 18 de mayo 1948; GK
trullo No. de Serie 655.695, presentada el 20 de marzo de 1946 ya la patente de Estados Unidos
nmero 2.556.991, concedida 12 de junio 1951, y GK trullo No. de Serie 782.729, presentada el
29 de octubre de 1947, ahora patente estadounidense No. 2.556.711, concedida 12 de junio de
1951.

El trmino "barrera" o barrera elctrica utilizada en la descripcin y discusin de los

dispositivos de acuerdo con esta invencin se aplica a una condicin de alta resistencia
interfacial entre en contacto con los semiconductores de tipos de conductividad opuestos,
respectivamente, o entre un semiconductor y un conductor metlico mediante el cual la
corriente pasa con relativa facilidad en una direccin y con dificultad relativa en el otro.

Los dispositivos que se describen son relativamente pequeo que ha hecho necesario un poco de
exageracin de las proporciones en aras de la claridad en las ilustraciones que son
principalmente o esencialmente esquemtica. Esto es particularmente cierto de la mediata inter.-
o intervenir capas que son generalmente muy delgada. En algunos casos esta capa, e. g. la capa
P en la figura. 11, se ha mostrado ms ancha que las capas que flanquean N con el fin de que los
diagramas de niveles de energa que se acompaan pueden ser ms claramente muestran. La
dimensin en la direccin perpendicular al papel puede variar de acuerdo con el rea de la
seccin transversal requerida.

El dispositivo mostrado en la Fig. 1 comprende un cuerpo o bloque de material semiconductor,

por ejemplo germanio, que contiene impurezas significativas. El bloque comprende dos zonas y
11, respectivamente, de N y materiales de tipo P separadas por la barrera 12 se proporcionan con
conexiones 13 y 14 que pueden ser recubrimientos metlicos, tales como pasta de plata curado,
un revestimiento metlico depositado por vapor o similares.

Los medios para realizar la conexin a la regin de la barrera del bloque comprenden una gota
de electrolito 5 tal como borato de glicol en el que se sumerge un asa de alambre IE, u otros
medios adecuados, tal como un disco de metal.

Conductor 11 conduce desde la conexin 14 a una carga R1. y de all a travs de una fuente de
energa, tales como la batera 18, y de vuelta a travs del conductor 19 al cuerpo en la conexin
13. Una fuente 21 de voltaje de la seal y una fuente de polarizacin 22 estn conectados de 16
en la barrera a la conexin 13 por medio de conductores 23, 24 y 25. En las zonas N y P como
se muestra en la Fig. 1, el polo negativo de la fuente 18 5 conectado a la zona P y el polo
positivo a la zona N.

La conexin con el cuerpo en la barrera a travs del electrolito 15 es un medio de impresionar

un campo en esta barrera y paralelo al mismo, y est en la naturaleza de una conexin capacitiva
ya que no es el aislamiento sustancial entre el electrolito y la superficie del cuerpo.

La fuente de polarizacin 22 se muestra con su polo negativo conectado a la conexin de

barrera 16 desde mejores resultados se han obtenido con tal conexin. Sin embargo, un sesgo
positivo puede ser utilizado con buenos resultados.

Un dispositivo operado con xito de este tipo fue de unos 2 centmetros de largo, 0,5 cm de
ancho y 0,5 centmetros de espesor. La barrera estaba a punto a medio camino entre las caras
extremas y sustancialmente paralelo a ellos. El voltaje de polarizacin en los electrodos 16 y 14
relativos al electrodo 13 eran del mismo orden de magnitud, entre 10 y voltios.

El uso de dispositivos como la de la Fig. 1, se hizo un cambio de corriente de unos pocos

microamperios en el circuito de control para producir un cambio de corriente de varios
miliamperios en el circuito de carga a travs de R1. De este modo se obtuvo amplificacin de
corriente. La ganancia de corriente era suficiente para producir la amplificacin de potencia a
las tensiones presentes.

El dispositivo descrito en la Fig. 2 comprende dos bloques o cuerpos y 31 de material aislante,

tal como una cermica, con un electrodo 32 interpuesto entre estos bloques y los electrodos 33 y
34 fijados a sus extremos exteriores. Una pelcula de tipo P de germanio se aplica a una cara del
conjunto de electrodo de cermica hacer contacto hmico Los extremos opuestos del bloque con
los electrodos. Esta pelcula es exagerada en cuanto a espesor en la figura. El electrodo 32
puede estar hecho de una aleacin de antimonio o cojinete de fsforo, tal como una aleacin de
bronce o de fsforo-cobre de antimonio para que el tratamiento de calor har que el antimonio o
fsforo a difundirse en el germanio de tipo P cambindola a tipo N en una zona de 35 entre dos
zonas de tipo P 36 y 31. Las tres zonas estn separadas por barreras 38 y 39, respectivamente. El
tratamiento trmico para la difusin de antimonio desde el electrodo 32 en la zona 35 puede ser
aproximadamente a 650 C. y para la difusin de fsforo de bronce fosforoso a aproximadamente
la misma temperatura. La difusin de la impureza significativa en la pelcula puede ser tan
controlado, tal como mediante la regulacin del tiempo del tratamiento trmico, que el material
en la superficie de la zona 35 opuesta a la que en contacto con el electrodo 32 es
sustancialmente neutro o slo ligeramente tipo N o, por el otro lado, a la izquierda como de tipo
P. Siguiendo la nomenclatura que se ha utilizado para dispositivos de este tipo, los electrodos
32, 33 y 34 puede ser llamado, respectivamente, base, emisor y colector. Las designaciones B, E
y C se han aplicado a estos y como electrodos en otras figuras para ayudar en la comprensin de
la estructura.

El dispositivo de la Fig. 2 puede ser operado como un amplificador o de control del dispositivo
mediante la aplicacin de un relativamente pequeo sesgo positivo, por ejemplo del orden de un
voltio, y una seal de fuentes tales como la batera 41 y la seal de fuente 42, respectivamente,
al electrodo 33 a travs de conexiones de entrada 43 y 44, el lado negativo de la batera 41 est
conectado al electrodo de base 32 incluye una fuente de voltaje relativamente alto, por ejemplo
de la tensin entre 10 y voltios, tales como la batera 45 con su polo negativo conectado a 34 y
su polo positivo de electrodo de base 32. Incluido en este circuito es una carga representada por
una resistencia Rr.

Si no hay ningn material de tipo P permanece en la zona 35 la operacin es como sigue: Una
corriente positiva o agujero fluir en la zona P 36 bajo la influencia de las fuentes 41 y 42. El
sesgo negativo en la zona N 35 de la batera 41 inyecta electrones en esta zona y reduce la
impedancia a travs del mismo agujero actual. El sesgo negativo de la batera 45 en el electrodo
34 provoca entonces una corriente de huecos fluya hacia la salida a travs del electrodo 34.
Suficiente de los electrones y los agujeros permanecer sin combinar de manera que se obtiene
un control anlogo a la de un tubo de vaco de tres electrodos. La corriente de entrada es en la
direccin de fcil flujo travs de la barrera 38 de modo que la impedancia de esta barrera a la
misma es relativamente bajo. La corriente de salida est en la direccin del flujo difcil a travs
de la barrera operada en sentido inverso 39 lo que la salida es de alta impedancia. La corriente
de salida es comparable a la corriente de entrada sino a travs de una impedancia mucho mayor;
Por lo tanto, la potencia de salida es mayor que en la entrada. Una explicacin ms completa de
la operacin de este y los otros dispositivos se dar despus de una descripcin de las otras
realizaciones de la invencin. Si una capa delgada de material de tipo P se deja en la superficie
opuesta a donde hace contacto 32, el campo de control puede variar el espesor efectivo de esta
capa para afectar el flujo de corriente.

El dispositivo de la Fig. 3 comprende una capa o zona de SI de material de tipo P, tal como
germanio, interpuesta entre dos capas o zonas 52 y 53 de material de tipo N que tambin puede
ser de germanio , separados , respectivamente, por las barreras 54 y 55. Las conexiones se
realizan a cada capa por el circuito de salida y el electrodo colector, electrodos respectivamente
ll , L1, y II, respectivamente, que puede denominarse como en el caso del dispositivo de la Fig .
2 , (It) emisor , ( 51 ) base, y ( 58 ) del colector.

Estos electrodos pueden formarse como en el dispositivo de la Fig. 1. l conexiones del circuito
son similares a los de la Fig. 2 con polaridad invertida debido a la intercambiabilidad de las
zonas N y P. En este dispositivo la capa P puede hacerse susceptible de control por lo que es
muy delgada, e. g. 1x10 centmetro o menos o slo ligeramente de tipo P o ambos. La
impedancia de la zona P de flujo de electrones ser lo suficientemente baja para que la
introduccin de agujeros en la zona de P por el sesgo positivo all en tendr un considerable
efecto de control. Los electrones pueden por lo tanto hacerse fluir con relativa facilidad a travs
de la zona de P debido al efecto de la tensin en el electrodo de base y sern atrados hacia el
colector 58 y abstracta. Aqu, como en el caso de la fig. 2, de un modo de funcionamiento, la
entrada es de baja impedancia, la salida de alta impedancia, y las corrientes de entrada y salida
comparable con el resultado de la amplificacin de potencia.

En la Fig. 4 se muestra un dispositivo similar a la de la Fig. 3 pero con un medio diferente para
la conexin a la zona intermedia de material semiconductor. En esta modificacin, la zona P BI
est interpuesta entre las zonas N 62 y 63. Una rejilla metlica, secciones de las cuales se
muestran en 64, est incrustado en la zona P y tiene una porcin Jecting pro- 65 para que pueda
hacerse la conexin externa . Esta rejilla sirve como el electrodo elec base. Los electrodos
emisor y colector 65 y 61, respectivamente, y las zonas respectivas de N son similares a los del
dispositivo de la Fig. 3. Este dispositivo puede funcionar como el dispositivo de la figura 3 con
conexiones adecuadas a los electrodos de emisor, base y colector.
La vista fraccionada, Fig. 5, muestra una Ortion de un dispositivo similar al de la Fig. 4 con
modificaciones en detalle. Con el fin de asegurar un buen contacto, sustancialmente hmico
entre los electrodos y el material semiconductor, una capa relativamente delgada de material
semiconductor adyacente a cada electrodo est hecho de material que tiene una mayor
concentracin de impurezas significativas del tipo que caracteriza el tipo de conductividad.
Estas capas de impurezas alta tendrn mayor conductividad que el resto del material
semiconductor en la zona dada y por lo tanto menos tendencia a la formacin de la barrera en la
interface electrodo-semiconductor. Estas capas son 68, 68, y para el emisor, base (rejilla), tales
capas de alta de impureza pueden utilizarse en las otras realizaciones de la invencin.

Con el fin de proteger a la rejilla o base del electrodo 64 de los efectos del campo del emisor,
una capa de aislamiento 11, se aplica a un lado de la red frente al electrodo emisor. El flujo de
portadores de carga se dirige as a travs de la red entre sus conductores.

El dispositivo mostrado en la Fig. 6 es similar a la mostrada en la Fig. 3 con una capa 53a de
extensin reducida que permite una 51a de contacto en una cara de la capa P 5.

En la Fig. "Se muestran una pluralidad de capas semiconductoras o losas ensambladas a H0 H1,
inclusive. Una H4 losa aislante est incluido en lugar de la parte de la capa P intermedia y la
capa N en el lado del colector se estrecha hacia el aislador para reducir el flujo lateralmente de
electrones en el mismo y por lo tanto longitud de la trayectoria de B a la capa de N en el lado
del colector.

Otras funciones pueden ser realizadas por los dispositivos que contienen ms capas y
electrodos.

Fig. 8 muestra una configuracin que puede utilizarse como un mezclador o un convertidor.
Cinco capas o zonas 11 a la misma, inclusive se muestran que son alternativamente N y P. Capas
{1 y 11 son similares a las capas de emisor y colector de los tres dispositivos de electrodos, e. g.
de la Fig. 3. Sin embargo, hay dos capas P, 0,2 y O4, separadas por la capa de electrodos 83. N
separan y 11 estn conectados respectivamente a las dos capas P, por lo que un dispositivo de
cuatro electrodos en la que es y son los electrodos de emisor y colector. La corriente alcanzar 89
ser una funcin de los voltajes aplicados a 16, 11 y 81, 98 est considerado como conexin a
tierra. Esta funcin ser no lineal en los voltajes y contendr trminos cuadrticos que
involucran productos de las tensiones en 96 y 11. Estos trminos de productos jugarn el mismo
papel que en otros mezcladores no lineales o convertidores y dar lugar a componentes de la
corriente de colector que tiene frecuencias que son combinaciones de los aplicados a los 86 y I1.

Las tensiones se pueden aplicar, respectivamente, a 96 y 81 a partir de fuentes IN, I y 102,

"siendo estas tensiones de polarizacin y de seal como se indica.

- Los voltajes de seal podra ser de un oscilador local y una seal entrante, por ejemplo, o
haber otras seales que se mezclan. La salida se toma de 106 y 101 y la fuente III proporciona la
polarizacin de colector. 1e y estn aislando las estrangulaciones y el bloqueo de los
condensadores respectivamente.

En la Fig. 9 un dispositivo como el de la figura. 8 est provisto de un electrodo adicional 108 en

la regin media N y dispuestos de modo que las capas 91, 92 y 93 con conexiones adecuadas
como se muestra comprenden un oscilador. 'La entrada se aplica a la capa 94 y la salida
mezclada tomado de I06 y 101. Las fuentes de energa corresponden a los de la Fig. 8 con
fuente "se aade como el colector" sesgo para la seccin del oscilador. En y estn afinando los
elementos de la seccin de oscilador l y CB son los inductores y condensadores de bloqueo y T
del transformador de acoplamiento.
Adems de la tensin y por lo tanto amplificacin de potencia que puede obtenerse con los
dispositivos de este tipo, de amplificacin de corriente se puede obtener mediante la creacin en
el electrodo de colector una condicin similar a la requerida para la rectificacin. Esto se puede
realizar haciendo que el electrodo de colector un contacto rectificador del punto o grande tipo de
rea en lugar de un contacto sustancialmente hmico. Otra forma de hacer esto es dejar el
contacto real en el electrodo hmico e introducir una pequea regin del material de tipo
opuesto al de la zona de colector alrededor del electrodo colector. Por ejemplo, en un dispositivo
como el de la Fig. 3 una zona de material tipo P puede ser introducido entre el electrodo colector
58 y la zona 53 N, como se muestra en la Fig. 3A o, una muestra en la Fig. 33, un punto de
contacto 81 podr ser sustituido por el electrodo 58 o electrodo 58 se puede aplicar de una
manera de establecer una barrera Con conexiones del colector de este tipo, que la corriente de
salida se puede hacer mayor que la corriente de entrada como ser explicado posteriormente.
Estructuras similares a los descritos, pero que tiene slo dos electrodos pueden ser utilizados
como elementos de resistencia negativa a muy altas frecuencias que hacen uso de los efectos del
tiempo de trnsito. Fig. 10 representa un dispositivo de este tipo. Se compone de tres capas
sustancialmente paralelos Ne, P y No, de alternar contenido de impurezas con dos electrodos
metlicos, una a cada lado. En el ejemplo mostrado, la conductividad se supone que es
enteramente debido a los electrones. Cuando se aplican voltajes como se indica en A en la Fig.
10, habr una corriente de electrones que fluye de Ne No. Esto voluntad actual, por supuesto,
aumentar con el aumento de potencial aplicado. Cuando el potencial V; se incrementa habr un
aumento correspondiente en el Vs. potencial Como consecuencia de [esto, el flujo de electrones
desde V1 a travs de la regin P de V; ser INOF fase con la tensin en V3. Bajo estas
condiciones, la impedancia del dispositivo como se ve mirando en la V: terminal exhibir
resistencia negativa".

La teora de los dispositivos electrnicos relacionados que implican algo de resistencia negativa
debido al tiempo de trnsito es conocido en la literatura. Vase, por ejemplo, del sistema de Bell
Tcnica Diario 01 1934 (vol. 13) y octubre de 1935 (vol. 14). A fin de que tales dispositivos
para operar es necesario que la respuesta transitoria de un cambio de voltaje en V; tener una
caracterstica adecuada. El requisito principal de esta caracterstica es que la acumulacin de la
corriente tras el cambio de V3 debe ocurrir con un cierto retraso despus de que el cambio en
V3. En el tipo de dispositivo que se muestra en la Fig. 10, esta caracterstica deseada se
producir de forma automtica. La razn de esto es que los electrones se desvan relativamente
lentamente a travs de la regin P, mientras que van a atravesar la P a brecha rpidamente
debido al alto campo elctrico presente all Nc. Como consecuencia de esto, los electrones que
fluyen desde Ne a P durante una fase de V3 llevan su actual director de P a n en un momento
posterior y por lo tanto se pueden hacer fluir ms de 90 grados fuera de fase con la tensin
aplicada a V3 y de esta manera proporcionar resistencia negativa.

Estos efectos pueden potenciarse an ms mediante el uso de una estructura de la forma

mostrada en la Fig. Que tiene una barrera tal como se ilustra por el diagrama de la Fig. 108. Esta
muestra una situacin en el colector similar a la descrita anteriormente en conexin con las
figuras. 3A y 3B. En este caso no es una barrera para el flujo de electrones de NE a C. Los
electrones que se acumula en el potencial mnimo a la izquierda de C mejorar el flujo de
agujero de C de vuelta a P y por lo tanto a los efectos del tiempo de trnsito E. se producir
tanto en el flujo de electrones de P a NC y en el desarrollo de una diferencia de potencial a
travs de la barrera frente a C debido a la acumulacin de electrones y al agujero de tiempo de
transmisin a travs de la regin Ne. Estos efectos pueden ser utilizados de nuevo para producir
una resistencia negativa para el dispositivo a una frecuencia ajustada adecuadamente al tiempo
de trnsito sobre todo eficaz y la forma de la curva de respuesta actual.

Se cree que una explicacin lgica de la operacin de los dispositivos hechos de acuerdo con
esta invencin puede administrarse con respecto a un dispositivo como el de la Fig. 3. A pesar
de las corrientes elctricas de inters en los semiconductores son. de acuerdo a la teora, llevado
por los electrones, tambin es bien conocido de acuerdo con tal teora de que los electrones
pueden transportar la corriente, ya sea por el exceso de proceso, llamado por los electrones de
conduccin, o por el proceso defecto, llamada la conduccin por agujeros.

Para fines de explicacin, se estudiar la posibilidad de cmo dos procesos de conduccin de

electrones permite un tubo de vaco convencional para operar. En el caso del tubo de vaco, los
dos procesos son (1) de conduccin metlica y (2) la emisin termoinica seguido por el flujo a
travs del espacio. Cuando se cambia la tensin en la rejilla del tubo, su carga se cambia por un
flujo de corriente en sus cables y alambres por conduccin metlico. Esta carga ejerce un campo
que atrae o repele la carga espacial de electrones termoinica sobre el ctodo y por lo tanto la
corriente espacio de paso a travs de la rejilla a la placa. Una caracterstica importante y til un
tubo de vaco es que estas dos corrientes no se mezclen; la funcin de trabajo de alta y baja
temperatura de los alambres de rejilla impiden que la corriente de conduccin metlico se
escape de la red y que fluye a la placa. El hecho de que la red es negativo con respecto al ctodo
evita que el actual espacio de llegar a la red. As, el flujo de electrones por conduccin metlico
en la red controla la corriente del ctodo al espacio de la placa. Sin embargo, prcticamente no
se consume energa por la red desde su corriente de carga se separa del espacio actual que
controla. Esta discusin, que deja de lado algunos elementos de la teora de tubo de vaco (tales
como corrientes de desplazamiento, efectos de tiempo transitorio, etc.) servir como base para
indicar cmo los dos procesos de la conduccin en semiconductores pueden efectuar un control
til similar de una forma de corriente por otra.

En la Fig. 11 se muestra una representacin de una estructura semiconductora que es anloga a

un tubo de vaco de tres electrodos. En esta figura, los diagramas a, c y d muestran las energas
de los electrones en las bandas de rellenos y de conduccin en el semiconductor en la forma
habitual. La estructura fsica del semiconductor est representado en E y consta de tres regiones
de semiconductor con electrodos de conexin correspondientes al ctodo, rejilla y la placa de un
tubo de vaco como se muestra en f. Las diferentes partes del semiconductor estn en contacto
ntimo, de modo que no hay estados de superficie (tal como ocurre en las superficies libres de
los semiconductores) u otras imperfecciones importantes en los lmites. La variacin principal
en propiedades debe surgir de la concentracin variable de impurezas, como se muestra en B
que representa la concentracin de los donantes menos la concentracin de aceptores.

En una, no hay potenciales aplicados a los electrodos y el nivel de Fermi es independiente de la

posicin. (El "nivel de Fermi," a veces llamado el potencial qumico para los electrones, es el
parmetro c en la funcin de distribucin de Fermi-Dirac /: 1 / [1 + Xp (ec '/ CT)] Se puede
interpretar como un potencial. dividiendo por la carga en el vehculo, en este caso la carga
negativa del electrn.) Para el caso ilustrado, la conductividad en las capas n es debido a los
electrones y en la capa de P a los agujeros. El diagrama se ha elaborado para mostrar una
concentracin de electrones mucho mayor en N de agujeros en P. De hecho la concentracin de
N es tan alta que un gas degenerado se forma como en un metal.

Si los electrodos E y B (Diagrama E de la Fig. 11 se mantienen a una V1 potencial y C se hace

ms positiva a un potencial V2, la situacin se muestra en el diagrama 0 se produce. Esto
corresponde a la aplicacin de tensin en la direccin inversa a travs de la P Nc unin de
diagrama de e. En este caso, pequeo flujo actual porque los voltajes son tales como para tirar
de los electrones de izquierda a derecha y los agujeros de derecha a izquierda. Los electrones
que se puede tirar a la derecha son los disponibles en la regin P. Ellos representan un nmero
muy pequeo en comparacin con los agujeros presentes, ya que el nivel de Fermi se encuentra
mucho ms cerca de la banda llena que a la banda de conduccin y (exceptior el caso
degenerado) el nmero 01 "portadores disminuye a medida que exp (QAV / kT) donde AV es la
separacin entre el nivel de Fermi y la banda en cuestin, y q es la carga electrnica. Como
consecuencia de los orificios de pequeo nmero en la regin Ne y electrones en la regin P,
corrientes muy pequeas baja travs de la barrera y la direccin inversa tiene alta resistencia.
En el diagrama de la figura d. 11, se muestra a los elegidos adicional de aplicar una tensin en la
direccin de avance a travs de la barrera de la izquierda No-P o. Esta es la direccin de avance
para esta barrera, y los electrones tienden a fluir de N. P. Esta corriente se acumula
exponencialmente con la diferencia de tensin entre V1 y V1. Al mismo tiempo orificios de
flujo de a N0. Sin embargo, para la estructura que se muestra, la corriente de huecos ser mucho
menor que la corriente de electrones; la razn de esto es que, dado que esencialmente ms
electrones estn disponibles en Ne de agujeros en P segn lo determinado por la configuracin
del dispositivo, ms electrones fluir de agujeros para una diferencia de potencial dada. Los
electrones que fluyen a P voluntad Luse trmicamente en P. Tambin van a la deriva en
cualquier ileld que est presente. Como resultado obtendrn el mximo en P y baja en No, y de
all al electrodo C.

Cabe sealar que hay varias otras maneras de reducir la corriente de huecos de P a NE Dos de
stos se ilustran en la Fig. 12. Diagramas A y B de esta figura corresponden al equilibrio o cero
situaciones actuales para el dispositivo bajo consideracin. Bajo estas condiciones, el nmero de
agujeros en la regin de Ne se determina por el potencial de energa diferente Ul. Es la
diferencia de potencial se aplica entre N. y P en la direccin hacia adelante travs de la barrera
como se muestra en la Fig. 11D por ejemplo, entonces la concentracin de agujeros en N.
debido al flujo de P tender a aumentar exponencialmente con la diferencia de tensin Va-Vr.
Del mismo modo la concentracin 01 'electrones fluyen del N. de P tendern a aumentar de
manera exponencial en la misma forma a partir de un valor determinado por Uz. Por lo tanto,
U2 es inicialmente menos de U1 la tendencia de los electrones fluyan de N. a P ser mayor que
la tendencia de los agujeros para el flujo de P a NO- Todos los casos considerados en las Figs.
11 y 12 estn diseados para producir estas diferencias deseables entre U: y U1. En las Figs. 11
y 120 esto se logra por tener diferentes concentraciones de impurezas en N. y P de tal manera
que la concentracin neta de los electrones en N, es mayor que la concentracin de agujeros en
P. En la Fig. 11 la concentracin de electrones es tan alta que existe una situacin degenerada
mientras que en la Fig. Se muestra 120 una situacin no degenerado. En la Fig. 12b este efecto
es an mayor por el uso de dos semiconductores diferentes. El semiconductor que se utiliza para
N. tiene una brecha de energa ms amplia, ya que es de tipo N. Esto aumenta el valor de U1 en
comparacin con U: en la regin P. Por ejemplo, la N, la zona puede ser de tipo N de silicio y
las otras dos zonas de P y tipo N germanio respectivamente.

Si idealizamos la estructura para el momento y descuidamos ninguna resistencia en los

contactos metlicos semiconductores y la corriente de huecos entre P y Ne, la comparacin entre
este dispositivo y un tubo de vaco se hace evidente. En lugar de la rejilla, existe la regin P, que
se puede cargar con respecto a N por agujeros. Este modula el flujo de electrones a partir de N
en P tal como la carga en la red modula el flujo de electrones desde el ctodo. La corriente de
carga a P, que consiste en agujeros, no fluye en No ms de lo que lo hace la corriente de carga a
la red. As, el 12 hecho de que hay dos procesos de conduccin a travs de la regin permisos de
control p a tener lugar de una manera similar a la del tubo de vaco.

Antes de considerar la forma en la descripcin anterior debe ser moldeado cuando se tienen en
cuenta las caractersticas desatendidas, podr tomarse en consideracin a la caracterstica comn
a los dispositivos que amplifican la alternancia actual utilizando una fuente de alimentacin de
corriente continua. Estos dispositivos tienen una entrada y un circuito de salida, y (o fines de
discusin pueden ser considerados como dispositivos terminales gira. En el par o la entrada de
los terminales no fluye corriente continua y alterna de energa actual (Pm y pino) y en los
terminales de salida existe un flujo similar (vainas y Pace) Para una condicin de estado estable,
la segunda ley de la termodinmica establece que la suma o todos estos poderes es positivo.

Para un amplificador, sin embargo, Pm + Pu es negativo, lo que significa que el dispositivo da a

cabo alterna de energa actual. En un circuito convencional de la potencia se saca entre la placa
y el ctodo y la corriente alterna y el voltaje en condiciones de operacin son como los 3 o una
resistencia negativa. Es decir, cuando el potencial de placa oscilante es negativo, las corrientes
de placa (es decir, la corriente en el tubo, v. O electrones fuera) es positiva. El reasontor este
comportamiento es que la impedancia de la placa es relativamente "alta. Por lo tanto, cuando el
columpio rejilla es plus. Las corrientes de placa aumentaron durante el valor de la corriente
directa y restos aumentaron a pesar de que una media vuelta placa negativa se produce. Por lo
tanto, la potencia puede ser entregada a la placa.

La barrera Nc-P acta de la misma manera que la cuadrcula de regin de placa Foh-la; tubo de
vaco. Hay una corriente inversa constante; sin embargo esto es relativamente insensible a la
placa potencial. La corriente de electrones debido a la diferencia de potencial entre E y B,
tambin es relativamente insensible a tensin de colector ya que una vez que los electrones han
pasado el punto mximo potencial en P son prcticamente seguro que ser dibujado a C. Por lo
tanto la corriente alterna a travs de Ne -P barrera se puede hacer fuera de fase con el voltaje en
C y potencia de salida puede ser entregado.

A continuacin, pueden tenerse en cuenta simo hecho de que no es en realidad una corriente
que fluye a B que puede absorber la energa de entrada. Esta corriente surge de varias fuentes.
Agujeros de Ne fluyan a P y tambin algunos agujeros de P fluyan a ne- Tanto 01 estas
corrientes tienden a disminuir la impedancia de B y requieren ms energa para conducirlo.
Adems, dado que B es positivo algunos electrones que entran P tienden a fluir hacia el
electrodo B contribuyendo as an otra fuente de absorcin de potencia. Huecos y electrones
tambin se combinarn en P a una tasa mejorada en comparacin con el equilibrio trmico
debido a que tanto el agujero y las concentraciones de electrones en P son sensiblemente mayor
de lo normal. Esto requiere una corriente de huecos adicionales en P hierro B. Sin embargo, los
requisitos geomtricos adecuados pueden ser satisfechas por lo que estas corrientes estn
suficientemente reducen al mnimo para permitir la amplificacin de potencia considerable.

La razn de esto es que mientras la capa de P no es demasiado gruesa, una fraccin apreciable
de los electrones que fluyen de N. en P seguir No. Esto significa que los componentes de la
corriente alternas de corriente en C sern comparables a la corrientes en E y B. Como alterna se
seal ms tarde, una condicin adecuada un electrodo C puede conducir realmente a la
alternancia de grandes componentes de la corriente en C que en E o B. Adems, la impedancia
entre E y B es relativamente bajo ya que la Ne-P Unin es operado en la direccin de avance.
Dado que la energa es PR, y ya que se vienen las corrientes de entrada y salida de la potencia
de salida es tambin mucho mayor.

Se estudiar la prxima se dar a un medio ms de la utilizacin de la divisibilidad de los dos

procesos de conduccin en semiconductores con el fin de aumentar la corriente alterna 1: en C
en comparacin con el ndice de inteligencia actual en E y 1b en B. En la Fig. 13, diagrama (a),
la regin justo en frente del electrodo metlico C se muestra, como si una capa de tipo P Pc
materiales se inserta entre Ne y C. Esto se puede hacer por el hecho de insertar una fina capa de
tipo P material entre Ne y el electrodo C o sustituyendo el electrodo C por un punto de contacto
tal como se ha mostrado en la fig. 3B. Cuando el voltaje en B se hace positiva, el Nc-Pc
Junction es operado en la direccin de avance. Por lo tanto, una fraccin apreciable de la
corriente entre Fe y Ne puede ser agujeros, y esta fraccin se incrementar 11 Pc se hace ms de
tipo P. Para los efectos considerados en este prrafo para mejorarse, es deseable una corriente de
huecos de Pc en Ne y luego a P. De ah que el dibujo est hecho como si Pc tena ms agujeros
que tena Ne electrones. La ventaja de esta estructura es que va a conducir a una multiplicacin
de la corriente de electrones de llegar al colector.

Diagrama b en la Fig. La figura 13 muestra la situacin de no voltajes aplicados a escala

ampliada con los electrones y los huecos representados. En este caso las corrientes de corriente
de huecos y de electrones netos son cada uno cero. En el diagrama 0, Fig. 13, la situacin se
muestra cuando una corriente de electrones est fluyendo desde P. A fin de que esta corriente a
fluir hacia la derecha, la colina de potencial entre Ne y C debe ser reducida. Esto se logra por
los electrones que se acumulan en X hasta su carga aumenta el potencial suficientemente. A
continuacin, el flujo de aceite a C. Este cambio en el potencial tambin aumenta la facilidad
con la que los agujeros de Fe pueden entrar Ne y luego fluir a P. La situacin es totalmente
similar con las funciones de los huecos y electrones inversa, para que en el emisor. Hay la
corriente de electrones se incrementa por una carga de agujeros en la regin P. Aqu, la corriente
de huecos se incrementa por una acumulacin de electrones en la regin NC. Tambin, como
antes, la corriente de huecos puede ser mucho mayor que la corriente de electrones desde ms
agujeros estn disponibles en este caso. Por lo tanto, una corriente de electrones pequea puede
inducir una corriente de huecos mucho ms grande.
No es necesario, sin embargo, para la capa de PC tenga un exceso de aceptores para la mejora
actual se discuti anteriormente llevarse a cabo. La caracterstica esencial es que el contacto
entre el metal y la regin NC presenta una barrera para el flujo ms pequeo hoyo que para el
flujo de electrones. Esto se puede lograr como se describe anteriormente mediante la adicin de
un nmero suficiente de aceptores de al PC. Sin embargo, tambin se producir si el contacto
entre C y n tiene una barrera suficientemente alta de rectificacin, como se muestra en la Fig.
13D y que se pueden producir por ejemplo mediante el uso de un contacto de rectificacin como
en la Fig. 3B. En este caso los electrones fluyen desde P tendern a acumularse a la izquierda de
la barrera hasta que producen una carga de espacio que eleva la energa potencial de los
electrones, como en la Fig. 13C.

14 Este cambio de potencial entre Ne y C aumentar la corriente de huecos de C a P como se

describe anteriormente.

Por medio de este proceso, la parte de corriente alterna de la corriente Ic puede hacerse mucho
mayor que la de la corriente It y, en consecuencia, la relacin de potencias en los circuitos de
salida y de entrada puede incrementarse por amplificacin actual, as como por amplificacin de
voltaje.

Existen ciertas limitaciones en cuanto a las dimensiones de las piezas de las unidades bajo
discusin. Estos pueden ser ilustrados con respecto a las Figs. 3 y 3A. En condiciones de
funcionamiento, una determinada corriente ser atrada por la zona P 51. A fin de que el
potencial de 51 sea sustancialmente uniforme, su resistencia en la direccin del flujo de
corriente, es decir, desde el electrodo de base 51 hacia arriba en la figura, no debe ser demasiado
genial. Para cualquier anchura dada y la conductividad en 51 esto pone una limitacin sobre el
espesor mnimo, 1. e., La distancia entre las barreras 54 y 55. Otro requisito estrechamente
relacionado en el grosor es que presentan una resistencia sustancial al flujo de electrones desde
la zona N 52 a la zona N 53. Si la zona P es demasiado delgada, la capa de carga espacial
producida por funcionamiento en el empalme 55 en la direccin inversa penetrar casi la
totalidad de la zona P, eliminando as sus agujeros y su conductividad deseada paralelo a la
barrera.
Una limitacin mxima en el espesor de la zona P se establece por la recombinacin de huecos y
electrones. La zona P no debe ser tan que los electrones que entran desde la zona N 52 con-b ne
con agujeros antes de pasar por la zona P y llegar a la zona N 53. La experiencia de la alta
tensin de germanio volver indica que distan es al menos tan grande como 10 centmetros son
aceptables esta limitacin, aunque las ms pequeas son ventajosas. Una limitacin similar es
fijado por los efectos del tiempo de trnsito. En la zona P habr campos elctricos que tiende a
causar una deriva de los electrones, tambin debido a la concentracin de gradientes de los
electrones Debido a estos efectos un tiempo transcurrir entre un cambio en el potencial sobre el
Si y el cambio en el flujo de electrones 51-53 . Un tiempo adicional que transcurra antes de que
estos electrones llegar a la zona P adicional (capa 80, Fig. 3A) y producir el flujo agujero de
nuevo a 51. Si alguno de estos tiempos de trnsito son comparables a un periodo de la seal
aplicada, la prdida en la amplificacin de la voluntad resultado.

El tiempo de trnsito y otros efectos capacitivos pueden ser reducidos aumentando b todas las
concentraciones de aceptores y donantes y la reduccin de la escala del dispositivo. La
tendencia general del comportamiento puede ser visto por los argumentos de carcter
dimensional. As, si cada dimensin lineal en el dispositivo se incrementa por un factor y cada
densidad de carga por un factor A, la distribucin de potencial ser inalterado en valor sino
simplemente extendida en escala. (Si po (.l2, y, z) es el antiguo de carga y pn ($, 1 /, z) = A- o (:
r / A, y / A, z / A) es el nuevo, entonces la nuevo potencial en un punto A10, A110, A20 es lo
que demuestra que la distribucin potencial es simplemente magnifica en su extensin lineal
para adaptarse a la nueva estructura. Todos los tiempos de trnsito sern aument en un factor
de A. Esto se deduce del hecho de que tanto el constante de difusin y la movilidad implican la
dimensin de la longitud de la ms dos poder, i..e., CMF / seg. y CMF / volt-seg. Todas las
densidades de corriente aumenta a medida que p veces el campo elctrico para la corriente de
deriva, i e., como A, y como gradiente de concentracin para la corriente de difusin, es decir,
AS / longitud o A. Por lo tanto todas las conductancias por unidad de rea varan como A. Todas
las capacidades de uniones NP, etc., varan como 1 / A por unidad de rea de carga de modo que
todos constantes de tiempo, la capacidad / conductiance, varan como A. Este mismo resultado
se puede obtener para la unidad como un todo, ya que la resistividad es proporcional a 1 / p o a
A y la resistencia es la resistividad dividida por la longitud, la resistencia de la unidad vara
como A. La capacidad tambin vara como A, de nuevo dando una constante de tiempo
proporcional a A.

El resultado de este anlisis es por lo tanto que todas las constantes de tiempo varan como A. Si
se producen dos unidades, que se diferencian por el factor A escala como se describe, sus
impedancias externos deben variar como A y sus ngulos de trnsito efectivos o los ngulos de
fase de sus impedancias, debe ser igual a frecuencias variables como A efectos de la
recombinacin de electrones y huecos no debe ser alterado de manera importante por el cambio
de escala. Esto se deduce del hecho de que la probabilidad por unidad de tiempo de un electrn
combinar con un agujero, ya sea directamente o por ser atrapado por un donante o aceptor, es
proporcional a la concentracin de agujeros, donantes o aceptores, y por lo tanto a A Sin
embargo, el tiempo de permanencia en cualquier regin es proporcional a A. Por lo tanto la
probabilidad de que un electrn, o agujero, que atraviesa una cierta capa sin recombinacin es
independiente de un aumento de la temperatura depender de A. Suponiendo que la
conductividad trmica es independiente de la conductividad elctrica, una situacin que ser de
aproximadamente cierto para los semiconductores de alta resistencia razonablemente, la
conductancia trmica de la unidad variar como A. Dado que las corrientes y en consecuencia la
potencia varan como A, el aumento de temperatura variar como A. Esta variacin se debe
considerar en el diseo de unidades particulares y puede requerir que opera unidades de
pequea escala en los voltajes menos favorables que las unidades de gran escala con el fin de
reducir los aumentos de temperatura. Cualquier efecto de tiempo trmicas, como es bien
conocido de la teora, y derivable como anteriormente varan como A y por lo tanto cambiar su
frecuencia con la escala tal como lo hacen los efectos elctricos.

Esta teora de la similitud muestra que habr grandes ventajas en el tratamiento de materiales
que contienen concentraciones relativamente altas de los donantes o aceptores desde el punto de
vista del comportamiento de alta frecuencia. Incluso en principio, sin embargo, el cambio de
escala puede no ser empujado demasiado lejos, porque si las estructuras se vuelven demasiado
pequea, el carcter esencialmente discreto de la densidad de carga se hace ms importante.
Tambin el recorrido libre medio de los electrones o agujero se vuelve comparable con el
espesor de las capas. Adems, para las concentraciones suficientemente altas, se formarn gases
de electrones o agujeros degenerados. Sin embargo, aunque estos modificarn los detalles del
argumento, ellos no invalida la conclusin de que operar a frecuencias superiores ser el
resultado de concentraciones crecientes y la disminucin de escala

Hay un alto grado de simetra entre el comportamiento de los electrones y agujeros. (Ver. Por
ejemplo, 1". Seitz," Teora Moderna de Slidos ", McGraw-Hill, 1940, pp. 456 y 457.) Por esta
razn todos los resultados discutidos anteriormente sern aplicable si los donantes se
intercambian con aceptadores y agujeros con los electrones y los diagramas de energa se
considera que representan las energas potenciales para los agujeros en lugar de para los
electrones. Es evidente que este cambio de ninguna manera alterar una caracterstica importante
de esta invencin que es el cambio en la dificultad de recorrido por los portadores de un tipo de
una regin del otro tipo de conductividad variando elctricamente la concentracin de
portadores normalmente presentes en la regin.

Es de entenderse que las realizaciones especficas de las invenciones mostradas y descritas no

son ms que ilustrativas y que pueden hacerse diversas modificaciones en la misma sin
apartarse del alcance y el espritu de esta invencin.

Se hace referencia a las aplicaciones Serial No. 91.593, presentada el 5 de mayo de 1949, y N
de Serie 91594, presentada el 5 de mayo de 1949, cada una divisin de esta solicitud en la que
ciertas caractersticas de los dispositivos y mtodos descritos anteriormente se reivindican.

Lo que se reivindica es:

1. Un dispositivo conductor slido para el control de energa elctrica que comprende un cuerpo
de material semiconductor que tiene dos zonas de un tipo de conductividad separados por una
zona del tipo de conductividad opuesto, dichas dos zonas de estar contigua con las caras
opuestas de dicha zona de tipo de conductividad opuesta, y medios para realizar la conexin
elctrica a cada zona.

2. Un dispositivo como el expuesto en la reivindicacin 1 en el que una de las zonas separadas

es de un material semiconductor que tiene una brecha de energa ms amplio que el del material
en las otras zonas.

3. Un dispositivo como el expuesto en la reivindicacin 1 en el que una de las zonas separadas

es de silicio que contiene impurezas significativas, y las otras dos zonas son de germanio que
contiene impurezas significativas.

4. Un dispositivo de traslacin elctrico que comprende un cuerpo de material semiconductor

incluyendo zonas de tipo de conductividad opuesto y una barrera intermedio, medios para
establecer conexiones elctricas a dichas zonas, y significa que incluye una tercera conexin a
dicho cuerpo para producir en dicho cuerpo un campo elctrico sustancialmente paralela a dicha
barrera.

5. Un dispositivo para controlar la corriente elctrica que comprende un cuerpo de material

semiconductor incluyendo zonas de tipo de conductividad opuesto separados por una barrera, un
par de conexiones a dicho cuerpo en las regiones en lados opuestos de dicha barrera, un circuito
de carga conectada entre dicho conexiones, y medios que incluyen una tercera conexin a dicho
cuerpo para modificar la distribucin del electrn dicha barrera adyacente de ese modo para
controlar la corriente en dicho circuito de carga.

6. Un dispositivo para controlar la corriente elctrica que comprende un cuerpo conductor que
incluye zonas de tipo opuesto de conductividad elctrica separados por una barrera, medios para
realizar la conexin elctrica a dicho cuerpo en lados opuestos de dicha barrera, y medios para
establecer en dicho cuerpo un campo elctrico sustancialmente paralela a dicha barrera para
controlar la distribucin de electrones en una regin adyacente a la barrera y as la resistencia de
la barrera al flujo de corriente entre dichos medios de conexin elctrica.

7. Un dispositivo para controlar la corriente elctrica que comprende un cuerpo de material

semiconductor que tiene un par de zonas separadas del mismo tipo de conductividad y una
tercera zona del tiempo de conductividad opuesto cada uno de dicho par de zonas que forman
una barrera con dicha tercera zona, electrodos conectados respectivamente a cada una de dichas
zonas, un circuito de carga conectada entre dos o dichos electrodos, y medios para controlar la
corriente en dicho circuito de carga que comprende un circuito de entrada conectado entre uno
de dichos dos electrodos y el tercer electrodo.

8. Un mtodo para controlar la corriente elctrica que comprende la produccin de al menos tres
campos elctricos en un cuerpo semiconductor que comprende zonas de material conductor de
tipos de conductividad opuestos, respectivamente, dos de dichos campos son de un sentido para
provocar el movimiento de portadores de carga para producir una corriente elctrica fluir de un
lado a otro del cuerpo y de una zona a la otra y otro de dichos campos siendo variable para
controlar la distribucin de electrones entre dichos lados de modo que la corriente elctrica es
variable en respuesta a la misma.

9. Un dispositivo conductor slido para el control de la corriente elctrica que comprende un

cuerpo de material semiconductor que tiene zonas de material de un tipo de conductividad
separados por una zona intermedia de material de tipo de conductividad opuesta, medios para la
aplicacin de campos elctricos a dicho cuerpo por medio de conexiones respectivamente a cada
zona, los campos asociados con las conexiones a dichas zonas separadas estando cada uno en un
sentido para provocar un flujo de corriente elctrica en la misma direccin a travs de dichas
zonas separadas siendo variable cuerpo y el campo asociado con la barrera entre la zona
intermedia y una de dichas para controlar el flujo de corriente a la zona restante.

10. Medios para controlar el flujo de la corriente elctrica que comprende un cuerpo
semiconductor que incluye dos zonas de material de un tipo de conductividad separados por una
tercera zona de material del tipo de conductividad opuesto, medios para hacer contacto hmico
sustancialmente a cada una de dichas zonas, medios para la interconexin de los medios de
contacto, incluidas las fuentes de alimentacin conectadas a las zonas separadas para hacer que
un flujo de corriente desde una zona a la otra a travs de la zona intermedia, y medios de
produccin de campo variable para controlar la distribucin de los electrones en la zona
intermedia para variar de ese modo la corriente entre los separados zonas.

11. medios de amplificacin que comprende un cuerpo semiconductor que incluye dos zonas de
material de un tipo de conductividad separados por una zona intermedia de material del tipo de
conductividad opuesto, medios para hacer contacto con cada una de dichas zonas, significa para
la interconexin de los medios de contacto que incluye una fuente de relativamente baja tensin
conectado a una de las zonas separadas, una fuente de voltaje relativamente alto conectado a la
otra de las zonas separadas, el sentido de la alta tensin es tal como para provocar un flujo de
corriente elctrica hacia la conexin de alta tensin, y medios para controlar el flujo en la zona
intermedia.

12. medios de amplificacin tal como se expone en la reivindicacin 11 en el que el material en

la zona en el extremo de baja tensin del cuerpo tiene una brecha de energa diferente a la del
material en las otras zonas
13. medios de amplificacin como expuesto en la reivindicacin 11 en el que el material en la
zona en el extremo de baja tensin del cuerpo es de silicio que contiene impurezas significativas
y que en las zonas restantes es de germanio que contiene impurezas significativas.

14. medios de amplificacin que comprende un cuerpo semiconductor que incluye dos zonas de
material de un tipo de conductividad separados por una zona del tipo de conductividad opuesto,
dichas zonas estn separadas respectivamente por una barrera, medios para aplicar una tensin
relativamente alta en la direccin inversa a travs de una barrera y medios para aplicar una
polarizacin variable a travs de la otra barrera.

15. El mtodo de amplificacin de energa elctrica que comprende la introduccin de los

transportistas de carga de un determinado signo en un cuerpo semiconductor en un punto
relativamente bajo voltaje, la extraccin de portadores del mismo signo del cuerpo a otro punto
en el relativamente alto voltaje, incluyendo dicho cuerpo una rectificacin de barrera y dicho
puntos que se estn respectivamente en lados opuestos de la barrera, - y el control de la
resistencia al paso de dicho portadores en una porcin del cuerpo entre dichos puntos mediante
el control de la densidad de portadores de signo opuesto en dicha parte del cuerpo.

16. El mtodo de amplificacin de energa elctrica que comprende la introduccin de los

transportistas de carga de un determinado signo en un cuerpo semiconductor en una conexin
que ofrece una baja impedancia de entrada de dichos transportistas, extrayendo como portadores
de dicho cuerpo en una conexin que ofrece una alta impedancia de salida de dicho portadores,
incluyendo dicho cuerpo una barrera rectificacin y conexiones siendo respectivamente en lados
opuestos de la barrera, y el control de la impedancia para el paso de dicho portadores en una
porcin del cuerpo de dichas conexiones intermedias dijo.

17. Un dispositivo conductor slido para amplificar la energa elctrica que comprende un
cuerpo de germanio que tiene dos zonas de un tipo de conductividad contigua con las caras
opuestas de y separados por una zona del tipo de conductividad opuesta, y medios para realizar
la conexin elctrica a cada zona.

18. Un dispositivo conductor slido para amplificar la energa elctrica que comprende un
cuerpo de germanio que tiene dos zonas de material de tipo N separados por una zona delgada
de material de tipo P y formando dos barreras separadas con la misma, estando separados dichos
barreras del orden de 1x10 centmetros y medios para realizar la conexin elctrica a cada zona.

19. Un dispositivo conductor slido para amplificar la energa elctrica que comprende un
cuerpo de germanio que tiene dos zonas de material tipo P separadas por y contiguas con las
caras opuestas de una zona de material de tipo N, y medios para realizar la conexin elctrica a
cada zona.

20. Un dispositivo conductor slido para amplificar la energa elctrica que comprende un
cuerpo de silicio que tiene dos zonas de un tipo de conductividad separadas por y contiguas con
las caras opuestas de una zona del tipo de conductividad opuesta, y medios para realizar la
conexin elctrica a cada zona.

21. Un dispositivo conductor slido que comprende un cuerpo de material semiconductor

incluyendo una zona intermedia de material de un tipo de conductividad flanqueado por zonas
de material de la otra tipo de conductividad, una rejilla incrustada en la zona intermedia, y las
porciones conductoras de cada zona de flanqueo.

22. Un conductor slido que comprende tres capas superpuestas de material semiconductor de
tipo de conductividad opuesto alternativamente medios para realizar la conexin elctrica a cada
capa, y medios para interconectar externamente dichos medios de conexin mediante el cual el
flujo de energa elctrica entre dos de dichas conexiones puede ser cono, controlados por la
interaccin de influencias elctricas de la tercera conexin.

23. Un elemento de circuito que comprende un cuerpo semiconductor que tiene zonas contiguas
de tipos de conductividad opuestos y caracterizado por una alta resistencia de la regin de
transicin entre dichas zonas, medios que incluyen una conexin relativamente baja impedancia
de entrada para provocar que la corriente fluya en un 01 dichas zonas, y medios incluyendo una
conexin de salida de impedancia relativamente alta para con el dibujo actual de otra de dichas
zonas.

24. Un elemento de circuito para controlar el flujo de corriente elctrica que comprende un
cuerpo de material semiconductor, medios para realizar las conexiones, respectivamente, a las
porciones separadas del cuerpo, medios adicionales para hacer la conexin a un flujo porcin
corriente inhibicin del cuerpo dicho compuesto intermedio porciones espaciadas y medios,
incluyendo fuentes de energa elctrica para la interconexin externa de las conexiones
mediante el cual el efecto de inhibicin puede ser controlada por los medios adicionales.

25. Un elemento de circuito para controlar el fiujo de la corriente elctrica que comprende un
cuerpo de material semiconductor que tiene zonas alternas que llevan a cabo electrnicamente
por el exceso y los procesos de defectos respectivamente la transicin de una zona a que se
caracteriza por una alta impedancia de medios para hacer que la corriente fluya desde una zona
a travs del cuerpo y medios para variar la impedancia de transicin para controlar la corriente
de zona a zona.

26. Un elemento de circuito que comprende una pluralidad de zonas de material semiconductor
de tipos de conductividad opuestos alternativamente incluyendo una primera losa de un tipo una
losa de otro tipo y una losa de cubierta aislante en forma conjunta una cara de la primera losa de
una losa cnica de dicho un tipo en dichos ltimos losas con nombre con su parte ms delgada
adyacente a la losa aislante una losa de dicho otro tipo en este ltimo losa y medios para realizar
las conexiones, respectivamente, a dicho primero y segundo citados en ltimo lugar losas
semiconductoras, dichas losas semiconductoras estn separadas, respectivamente, por las
barreras .

27. Un dispositivo de traduccin elctrico que comprende un cuerpo de material semiconductor

que tiene dos zonas de un tipo de conductividad y una tercera zona del tipo de conductividad
opuesto entre y en contacto con dichas dos zonas, un circuito de salida conectado entre dicha
tercera zona y una de dichas dos zonas y un circuito de entrada conectado entre dicha tercera
zona y la otra de dichas dos zonas.

28. Un dispositivo de traslacin elctrico de acuerdo con la reivindicacin 27 en el que dicho

tercero y dos zonas son de germanio.

29. Un dispositivo de traslacin elctrico que comprende un cuerpo de material semiconductor

que tiene dos zonas o diferencia de tipo de conductividad separados por una barrera, medios
para establecer el flujo de corriente entre dichas dos zonas, y los medios separados de dichos
primeros medios para controlar la impedancia al flujo de corriente tal introdujeron por dicha
barrera.

30. Un dispositivo de traslacin que comprende un cuerpo de material semiconductor

incluyendo tres zonas sucesivas 01 tipos de conductividad alternativamente opuestos y
caracterizado por una relativamente alta impedancia de transicin entre las zonas, la utilizacin
de un circuito conectado entre las zonas exteriores y medios para variar la impedancia de
transicin.

31. Un elemento de circuito que comprende un bloque de material semiconductor, una parte de
dicho bloque de ser de un tipo de conductividad, un ser parte adyacente de tipo de
conductividad opuesta, un electrodo en contacto con cada una de dichas partes, otro electrodo,
un circuito de trabajo de interconexin dos o dichos tres electrodos y las conexiones para la
aplicacin de una seal a la tercera de dichos electrodos, por lo que la corriente en dicho
circuito de trabajo se modifica bajo el control de dicha seal.

32. Un dispositivo de traslacin que comprende un cuerpo de material semiconductor que tiene
una barrera en el mismo, por lo menos tres electrodos conectados a dicho cuerpo, un circuito de
salida que incluye dos de dichos electrodos, dicha barrera y una fuente de polarizacin, y
significa que incluye una fuente conectado entre uno de dichos dos electrodos y el tercer
electrodo para variar el gradiente elctrico de dicha barrera adyacente de conformidad con una
seal para variar el flujo de corriente entre dichos electrodos.
33. Un dispositivo de traduccin de seal que comprende un cuerpo de material semiconductor
de conexiones tipo de emisor y colector uno de conductividad a dicho cuerpo de una conexin
de base sustancialmente hmico a dicho cuerpo, un circuito de salida conectado entre dicho
conexiones de colector y la base y que incluyen una personalizacin de la fuente dicha conexin
colector en la direccin inversa y un circuito de entrada conectado entre dichas conexiones de
emisor y base y que incluyen una personalizacin de la fuente dicha conexin de emisor en la
direccin hacia adelante, una de dichas conexiones de emisor y colector material semiconductor
incluyendo un cuerpo oi del tipo de conductividad opuesta contigua con y formando una barrera
con dicho primer cuerpo, y la otra de dichas conexiones de emisor y colector est separada de
dicha barrera.

34. cuerpo que tiene una segunda zona del tipo de conductividad opuesto formando una primera
unin con dicha primera zona y una tercera zona de dicho tipo de conductividad opuesto
formando un Un dispositivo de traduccin de seal que comprende un cuerpo de material
semiconductor que tiene una primera zona de un tipo de conductividad dijo segundo cruce con
dicha primera zona de una conexin de base a dicha primera zona de una conexin de emisor a
dicha segunda zona de una conexin de colector a dicha tercera zona, y medios de
interconexin, incluyendo las fuentes de dichas conexiones para aplicar una polarizacin en la
direccin hacia adelante a travs de dicha primera unin y un sesgo en la direccin inversa a
travs de dicha segunda unin.

WILLIAM SHOCKLEY.

REFERENCES CITED The following references are of record in the file of this patent:

UNITED STATES PATENTS Number Name Date 1,745,175 Lilienfeld Jan. 28, 1930 1,877,140
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July 16, 1940 2,328,440 Esseling et al. Aug. 31, 1943 2,402,661 Ohl June 25, 1946 2,402,839
Ohl June 25, 1946 2,476,323 Rack July 19, 1949 2,486,776 Barney Nov. 1, 1949