2N6073A

Especificadores mximas
Disipacin total del dispositivo (pc): 0.36
Tensin colector-base (Ucb): 25
Tensin colector-emisor (Uce):25
Tensin emisor-base (Ueb):5
Corriente del colector DC mxima (Ic): 0.1
Temperatura operativa mxima (Tj), C: 125
Caractersticas elctricas
Producto de corriente ganancia ancho de banda (ft): 100
Capacitancia de salida (Cc), pf:13
Ganancia de corriente continua (hfe): 100
Empaque/estuche: T098-1
C106D
Caractersticas:
Rectificador controlado de silicio de compuerta sensible
Corriente total RMS mxima: 4 A (con ngulo de conduccin
de 180)
Corriente pico no repetitivo mxima: 20 A (25 C, onda seno,
ciclo, 60 Hz)
Voltaje inverso pico reductivo mximo: 400 V
Sensibilidad de compuerta: 0.2 mA
Corriente pico de corriente mxima: 200 mA
Encapsulado: T0-255AA (T0-126)
IRF640
Caractersticas
MOSFET, N, 200 V, 18 A, T0-220
Polaridad del transistor: N
Max voltaje Vds: 200 V
Resistencia activada: 0.18 ohm
Potencia de disipacin: 125 W
Transistor case estilo: T0-220AB
SVHC: no SVHC
Tipo de caja: T0-220AB
Corriente ID: 18 A
Unin a encapsulado resistencia trmica R: 1 C/W
Disipacin de energa Pd: 125 W
Pulso Idm corriente: 72 A
Tipo de terminacin: agujero pasante
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de voltaje Vds: 200 V
Tipo de voltaje Vgsth: 4 v
Voltaje RDS medicin: 10 V
IRF740
Caractersticas
Uso en UPSs, SMPs conmutacin (suicheo) de alta velocidad,
etc.
Canal: N
Vgs: 30 V, Ias: 10 A,