Está en la página 1de 32

Condensador

Capacidad y Dielctricos

La botella de Leyden es un dispositivo


elctrico realizado con una botella de vidrio
que permite almacenar cargas elctricas.
Histricamente la botella de Leyden fue el
primer tipo de condensador elctrico.

Figura 1. Botella de Leyden

En los circutos elctricos los condensadores son representados por

o
Condensador

Sean dos superficies conductoras, S1 y S2, inicialmente descargadas. Usando una fuente de
poder, transferimos una carga Q de S1 a S2. S1 queda con una carga Q. Como las dos
superficies son conductoras, las dos son equipotenciales. Sea Vi el potencial de Si. Definimos
la capacidad del sistema de conductores por:

Q
C= (1)
|V1 V2|

C
Las unidades de capacidad son 1 faradio(F)=1 V
Condensador de Placas Paralelas

despreciables, por lo tanto podemos usar


la aproximacin de rea grande para las
placas. Para encontrar el campo elctrico en
la placa con carga Q y rea A, con densidad
Q
superficial de carga = A , usamos la ley de
Gauss, aplicada a un caja de lados paralelos
a la placa, de superficie S, con los otros
Figura 2.
lados perpendiculares a ella.

Suponemos que los efectos de borde son

Por simetra el campo sale de la placa en ambos lados de ella:

S
ES + (E)(S) = 2ES = ,
0

~ = sgn(z)z
E
20
Condensador de placas paralelas

Por superposicin podemos calcular la Micrfono de condensador. Est hecho de


constribucin al campo debido a los dos
dos placas conductoras. Una fija y otra
conductores:
mvil, mantenidas a diferencia de potencial
1. Fuera de las placas, el campo se anula constante. Cuando el sonido mueve la
2. Al interior de las placas, el campo apunta placa mvil, cambia C, lo que produce un
de la placa cargada con Q a la placa movimiento de cargas que salen y entran

cargada con Q y vale E = al condensador. Esta corriente puede ser
0
amplificada posteriormente.
3. La diferencia de potencial entre las

placas es V = E d = d, donde d es
0
la separacin entre las placas.
Q A
4. La capacidad es C = V
= 0 d

Figura 3. Figura 4.
Condensador cilndrico

Consiste en dos cilindros conductores concntricos de largo L. El radio del cilindro interior
es a y tiene carga uniformemente distribuida Q. El radio del cilindro exterior es b > a y tiene
carga Q
1. Entre los cilindros el campo es radialmente hacia afuera y depende slo de la distancia
al eje del cilindro r. Aplicando la ley de Gauss a una superficie cilndrica de radio r,
Q Q
concntrica con los dos conductores obtenemos: E 2rL = , E = 2Lr
0 0

R b  
Q Q b
2. La diferencia de potencial es V = a dr 2 r = 2L ln a
0 0

2L0
3. La capacidad es C =  
b
ln a
Condensador esfrico

Consiste en dos esferas conductoras Q 1 1


40 a
b
.
concntricas. La interior de radio a y carga 40
Q; 3. La capacidad es C = 1 1
a
b

la exterior de radio b > a y carga Q.

1. El campo elctrico entre las esferas


se dirige radialmente hacia afuera y
depende slo de la distancia r al centro
de las esferas. Rodeamos la esfera
interior con una superficie gaussiana
Q
esfrica de radio r. E 4r 2 = , E =
Q 0

40r 2

2. La diferencia de potencial entre las dos Figura 5.


Q R b dr
esferas conductoras es:V = 4 a r2 = Condensadores Comerciales
0
Energa almacenada en un condensador

Recordemos que:
Z
1
U= d3x(x
~ )(x
~)
2 V

Dado que las placas del condensador son conductoras, son equipotenciales.La placa A (B)
est a un potencial A(B ).

1 Q2
Z
1 3 1 1 2
U= ~ )(A B ) = QV = CV =
d x(x
2 V 2 2 2 C

1 1 1 Q2
Energa almacenada en un condensador: U = 2 QV = 2 CV 2 = 2 C
Modelo molecular de la carga inducida

Fig. 6:Debido a la agitacin trmica las


molculas polares(con un momento dipolar
elctrico intrnseco), estn orientadas al
azar, por lo que el momento dipolar medio
se anula.
Figura 6.
Fig. 7 Cuando se agrega un campo elctrico
Molculas polares distribuidas al azar.
externo, los momentos dipolares de las
molculas se orientan en la direccin del
campo elctrico. Debido a la agitacin
trmica la orientacin de los dipolos
elementales no es perfecta. El momento
dipolar medio es distinto de cero.

Figura 7.
Molculas polares en presencia de un campo
elctrico externo
Modelo molecular de la carga inducida

Figura 8.
Figura 9.
Molculas no polares sin campo elctrico externo
Molculas no polares en presencia de un campo
elctrico externo.

Fig. 8 Las molculas no polares no poseen un momento dipolar intrnseco.


Fig. 9 Cuando se agrega un campo elctrico externo, en las molculas no polares se induce un
momento dipolar, porque el campo elctrico separa las cargas positivas de las cargas negativas
en la molcula.
Figura 10.
La esfera B sin carga elctrica es atrada por la esfera A debido a la polarizacin.
Polarizacin

Consideremos un pequeo volumen v al interior de un dielctrico, cuya carga total es cero.


Si el medio est polarizado, se ha producido una separacin entre las cargas elctricas positivas
y negativas dando lugar a un momento dipolar.
~ (x p
~
Definimos la polarizacin en el punto ~x del dielctrico por P ~ ) = lmv0 v , donde p
~
es el momento dipolar elctrico contenido en v.
~ son cargas por unidad de rea:C/m2.
Las unidades de P

Figura 11.
Pedazo de dielctrico polarizado.
Campo elctrico fuera del dielctrico

Como la polarizacin es momento dipolar 1 (r


~ ~
r )
Pero: |r~ ~r | = |r~ ~r |3
elctrico por unidad de volumen podemos
calcular el potencial elctrico lejos del Z
dielctrico sumando la contribucin de los ~ (r 1
(r~) = d3x P ~ ). =
dipolos elementales: V ~ ~r |
|r
Z
3
~
P (r
~ )
Z ~
3 .P (r ~ )
d x | d x
V |r
~ ~r V ~ ~r |
|r

Usando el teorema de la divergencia en el


penltimo trmino se obtiene:

I
n.P~ (r
~ )
(r~) = dS
S ~ ~r |
|r
Figura 12. ~
~ )
Z
3 .P (r
d x
Z ~ (r
~ ).(r
~ ~r ) V ~ ~r |
|r
3 P
(r
~)= d x
V ~ ~r |3
|r
Cargas de polarizacin

El potencial electrsttico debido a la polarizacin es debido a:


~ .n
Una densidad de carga superficial de polarizacin P = P
Una densidad volumtrica de carga de polarizacin P = .P
Campo elctrico al interior de un dielctrico

Figura 13.
Cavidad en forma de aguja fuera del dielctrico.

La trayectoria ABCD est contenida parcialmente dentro de la cavidad y dentro del dielctrico.
~ .d ~x = 0 tenemos que:
H
Dado que C E

EcdAB + E1dBC EddAB + E2dBC = 0

Pero dBC se puede considerar arbitrariamente chico. Entonces:

Ec = Ed

Como la orientacin de la cavidad con forma de aguja es arbitraria, encontramos que el campo
elctrico al interior del dielctrico coincide con el campo al interior de la cavidad, por lo que
est dado por(se ha considerado una cavidad arbitrariamente pequea).

P (r~ ) ~ )
I Z
3 P (r
(r~)= dS + d x
S ~ ~r |
|r V ~ ~r |
|r
Usar el teorema de la divergencia para
transformar el ltimo trmino en una
integral de superficie sobre S1, S2, S3, S. La
contribucin de S1, S2, S3 cancelaH el primer
trmino
 de QP , por lo cual QP = S dS
~ .n
P
~ +
H
Figura 14. La ley de Gauss es, ahora: S 0E
~ .d ~

Superficie gaussiana S que rodea un volumen V en P S = Q. Introduciendo el
un medio dielctrico desplazamiento elctrico
Consideremos tres conductores con cargas ~ = 0 E
~ +P
~ , tenemos finalmente:
D
q1, q2, q3 con superficies S1, S2, S3. La ley de
Gauss da: I
I ~ .d S
D ~ =Q (2)
E ~ = 1 (Q + QP ), Q = q1 + q2 + q3
~ .d S S
S 0
I Z
QP = dS P ~ .n + d3x(.P ) Q representa slo las cargas libres al interior
S1 +S2 +S3 V del dielctrico.
Susceptibilidad elctrica

~ se anula cuando E
Para la mayora de los materiales P ~ =~0. En este curso slo consideramos
materiales isotrpicos. Por lo tanto:
~ = (E)E
P ~

(E) se llama la susceptibilidad elctrica del material.


~ = (E)E
Se tiene D ~

(E) = 0 + (E) es la permitividad del material.



La constante dielctrica o permitividad relativa es K =
0

, 0, tienen las mismas dimensiones.

Para dielctricos lineales es una constante.


Constante Dielctrica

Material K (adimensional)
Aceite mineral 19,5
Agua 78,5
Caucho de 20 a 50
Acetona 191
Aire 1, 000589860.00000050(en CNPT, para 0,9 MHz)
Papel duro 49,5
Agua destilada 88, 0a0 C
55,3 a 100 C
PVC de 30 a 40
Baquelita de 50 a 80
Vidrio de 40 a 60
Mica 5,4
CNPT=Condiciones normales de presin y temperatura.
campo elctrico variable. El dipolo est
constituido po una carga q en ~x + l n y una
carga q en ~x l n. El momento dipolar
es ~p = 2ql n

Fi = q (Ei(x
~ + l n) Ei(x~ l n)) =
q( jEi(x~ )2ln j + ....) =
p j jEi(x~)
~ = ~p .~ E ~ (x

F ~)

~pB = P~ VB ~ = E
P ~
~ = VB E
~ .~ E~ (x

F ~)
Figura 15. Q
E = k 2 r
r
La esfera B sin carga elctrica es atrada por la esfera Q Q
A debido a la polarizacin. ~ = rVBk rk
F =
r 2 r 2
2 Q2
Fuerza sobre un dipolo en presencia de un 2k VB 5 r
r
Forma Diferencial de la ley de Gauss en dielctricos

I
~ .D
dS ~ =Q
Z S Z
~ .D
d3x ~ = d3x
V V

Como el volumen V es arbitrario, se satisface que

~ .D
~ =
Energa del campo elctrico en presencia de dielctricos

Recordemos que:
~ =
E ~ ,
~ .D
~ =

Se tiene:
Z Z Z Z
1 1 ~ = 1
~ .D ~. D
~ 1 ~ .
d3x(x d3x d3x d3x D

U= ~ )(x
~)=
2 V 2 V 2 V I 2 VZ
1 ~ + 1 d3x D
~ .D ~ .E
~
dS
2 S 2 V

~ se anula all:
Si V incluye todo el espacio. S es la esfera de radio infinito. El flujo de D

2
2Q2
I
1 ~ 1 2 Q
dS.D = 4R 3 = 0, si R
2 S 2 R R

Podemos decir que la energa se acumula en el campo elctrico con una densidad:

1~ ~ (x
~)= E
u(x (x
~ ).D ~)
2
Condensadores en dielctricos

Condensador de placas paralelas conductoras gruesas, lleno con dielctrico de permitividad



: D = z(z crece hacia la carga negativa);E = z

A
(d) (0) = d , C =
d

Condensador esferico: radio interior a,radio exterior b,lleno con dielctrico de permitividad
:
Z b  
q q q 1 1 4
E= , V = dr = , C = 1 1
4r 2 a 4r2 4 a b
a b
Condensador cilndrico

Consiste en dos cilindros conductores concntricos de largo L. El radio del cilindro interior
es a y tiene carga uniformemente distribuida Q. El radio del cilindro exterior es b > a y tiene
carga Q. El espacio entre a y b est lleno con un dielctrico de permitividad .
1. Entre los cilindros el campo (y el desplazamiento) es radialmente hacia afuera y depende
slo de la distancia al eje del cilindro r. Aplicando la ley de Gauss a una superficie cilndrica
Q
de radio r, concntrica con los dos conductores obtenemos: D 2rL = Q, E = 2 rL
R b  
Q Q b
2. La diferencia de potencial es V = a dr 2 rL = 2L ln a
2L
3. La capacidad es C =  
b
ln a

C
En todos los ejemplos se tiene que C = K, donde C es la capacidad del condensador en
0
presencia del dielctrico y C0 es la capacidad del condensador sin dielctrico. Midiendo la
capacidad en los dos casos podemos determinar el valor de K.
Condensadores en paralelo

Consideremos el circuito siguiente:Figura 16. Condensadores en paralelo

La diferencia de voltaje V es comn a todos los condensadores. La carga total acumulada en


las placas conectadas a A es:

Q = Q1 + Q2 + Q3 = C1V + C2V + C3V


Q
C = = C1 + C 2 + C3
V
P
Condensadores en paralelo:C = i Ci
Condensadores en serie

Figura 17. Condensadores en serie

Dado que el campo elctrico se anula fuera de los condensadores, la carga contenida en cada
condensador es la misma Q, pero se genera una diferencia de voltaje Vi en el condensador
i. Se tiene:

Q Q Q Q 1 1 1 1
V = V1 + V2 + V3 = + + = , = + +
C1 C2 C3 C C C1 C2 C3

1 P 1
Condensadores en serie: C
= i Ci
Red de condensadores

Figura 18.

1 1 1 3 1
a) En serie. C = 12 + 6 = 12 = 4 , Ca = 4F
a

b) En paralelo. Cb = 3 + 11 + 4 = 18F .
1 1 1 3 1
c) En serie. C = 18 + 9 = 18 = 6 , Cc = 6F .
c
Fuerzas y Torques

Sistema aislado: ~ .dx


dW = F ~ ; como es aislado d W = d U (U es la energia
electrostatica).
~ =
Se tiene: F ~ U.
dU
Si el sistema puede rotar, se tiene dW = d. Luego = d .

Conductores mantenidos a potencial constante por una fem exterior:

1X X
dW = dWb dU , dU = jdQ j dWb = jdQ j
2
j j

Luego dWb = 2dU


~ =
Se tiene que F ~ U (Notar la diferencia de signo entre las dos situaciones).
dU
Similarmente = d
Ejercicio 1

Ejercicio 1:Considere un condensador Este resultado es vlido para las dos zonas.
de placas paralelas aislado. En ste se Como la diferencia de potencial es la
introduce un dielectrico de constante misma (un conductor forma una superficie
K1. Encuentre la fuerza que actua sobre equipotencial), se encuentra E1 = E2.
el dielctrico. 1 2
Esto es 1
= 2
. La energa contenida en el
1
volumen es U = 2 QV . V = 1 d.
1
 
2
Q = 1bx + 2b(a x) = 1b x + (a x)
1

Q Qd
1 =   .V = b
Figura 19. K2
b x + K (a x) 0(xK1 + K2(a x))
1

Asignamos densidades de carga 1 a


la zona con dielctrico y 2 a la zona 1 Q2 d
U=
sin dielctrico.Tomemos como superficie 2 b0(K1x + (a x)K2)
gaussiana un cilindro con la tapa superior
Se obtiene:
sumergida en la superficie conductora roja,
la tapa inferior sumergida en el dielctrico. 1 Q2d(K1 K2)
El manto del cilindro es perpendicular a las F=
2 b0(K1x + (a x)K2)2
placas. La ley de Gauss da:
Esta fuerza tira al dielctrico hacia el interior
DA = A D = E = del condensador, dado que K1 > K2 = 1.

Ejercicio 2

Ejercicio 2: Considere un condensador diferencia de potencial constante V. Por lo


de placas paralelas cuyas placas estn 1V
tanto 1 = d
, Q = 1b x + 2b(a x) =
conectadas a los polos de una batera.

2 b0V
1b x + (a x) = (K1x + K2(a
En ste se introduce un dielctrico de 1 d

constante K1. Encuentre la fuerza que x))


actua sobre el dielctrico.
bV 20((a x)K2 + xK1)
U=
2d

La fuerza es:

bV 20(K1 K2)
Figura 20. F=
2d
Como en el ejercicio 1, tenemos que la
energa contenida en el volumen es U = Nuevamente la fuerza es hacia el interior del
1 1
2
Q V con V =
d. El proceso sucede a condensador.
1
Ejercicio 3

Ejercicio 3: Un capacitor de placas paralelas perpendicular a las placas. La ley de Gauss


se llena con dos dielctricos en serie da:
horizontal con permitividad 1 y 2 de reas

S1 y S2 . Las placas estn separadas una DA = A D = E =

distancia d. Encontrar C.
Este resultado es vlido para las dos zonas.
Como la diferencia de potencial es la
misma (un conductor forma una superficie
equipotencial), se encuentra E1 = E2.
1 2
Esto es 1
. Adems V = 1 d.
= 2 1
Figura 21. Asignamos  
2
densidades de carga 1 a la zona con Q = 1S1 + 2S2 = 1 S1 + S2
1
permitividad 1 y 2 a la zona con
Q Qd
permitividad 2.Tomemos como superficie 1 = .V = (
S1 + 2 S2 1S1 + 2S2)
gaussiana un cilindro con la tapa superior 1

sumergida en la superficie conductora R:


superior, la tapa inferior sumergida en (1S1 + 2S2)
el dielctrico. El manto del cilindro es C=
d
Ejercicio 4

Ejercicio 4: Un capacitor de placas paralelas conductora inferior, la tapa superior


se llena con dos dielctricos en serie vertical sumergida en el dielctrico. El manto del
con permitividad 1 y 2, rea A y largos cilindro es perpendicular a las placas. La ley
a y b.Encontrar C. de Gauss da:

Q
DA = A D = E = , =
A

Este resultado es vlido para las dos zonas.



a b
Se tiene que V0 = E1a + E2b = +
1 2
 
Q a b
Figura 22. V0 = A +
1 2

Sea la densidad superficial de carga R:


en la placa inferior y V0 > 0.Tomemos
A
como superficie gaussiana un cilindro con C= a b
la tapa superior sumergida en la superficie 1
+
2
Ruptura dielctrica

La ruptura dielctrica se produce cuando Entendemos por rigidez dielctrica o rigidez


el campo elctrico entre dos conductores electrosttica el valor lmite de la intensidad
supera un valor crtico E c, saltando una del campo elctrico Ec en el cual un material
chispa en el vaco, o quemando el dielctrico pierde su propiedad aislante y pasa a ser
que pueda haber en medio. Esto limita la conductor. Se mide en voltios por metro
carga que se puede almacenar en las placas V/m (en el SI). Tambin podemos definirla
de un condensador. como la mxima tensin que puede soportar
un aislante sin perforarse. A esta tensin
se la denomina tensin de rotura de un
dielctrico.

Figura 23.
Ruptura dielctrica en un bloque de Plexigls.
Rotura dielctrica

Sustancia Rotura dielctrica (MV/m)


Helio 0.15
Aire 0.4 - 3.0 (depende de la presin)
Alumina 13.4
Vidrio de ventana 9.8 - 13.8
Aceite de silicio, Aceite mineral 10 - 15
Benceno 16
Poliestireno 19.7
Polietileno 18.9 - 21.7
Goma de Neopreno 15.7 - 27.6
Agua pura 30
Vaco 20 - 40 (depende de la forma del electrodo)
Vaso de cuarzo 25 - 40
Papel de cera 40 - 60
Teflon 60
Mica 20 - 70
Pelcula delgada de SiO2 > 1000
Parafina 13.9
Papel parafinado 32 - 40 (depende del grosor de cada material)

También podría gustarte