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Capacidad y Dielctricos
o
Condensador
Sean dos superficies conductoras, S1 y S2, inicialmente descargadas. Usando una fuente de
poder, transferimos una carga Q de S1 a S2. S1 queda con una carga Q. Como las dos
superficies son conductoras, las dos son equipotenciales. Sea Vi el potencial de Si. Definimos
la capacidad del sistema de conductores por:
Q
C= (1)
|V1 V2|
C
Las unidades de capacidad son 1 faradio(F)=1 V
Condensador de Placas Paralelas
S
ES + (E)(S) = 2ES = ,
0
~ = sgn(z)z
E
20
Condensador de placas paralelas
Figura 3. Figura 4.
Condensador cilndrico
Consiste en dos cilindros conductores concntricos de largo L. El radio del cilindro interior
es a y tiene carga uniformemente distribuida Q. El radio del cilindro exterior es b > a y tiene
carga Q
1. Entre los cilindros el campo es radialmente hacia afuera y depende slo de la distancia
al eje del cilindro r. Aplicando la ley de Gauss a una superficie cilndrica de radio r,
Q Q
concntrica con los dos conductores obtenemos: E 2rL = , E = 2Lr
0 0
R b
Q Q b
2. La diferencia de potencial es V = a dr 2 r = 2L ln a
0 0
2L0
3. La capacidad es C =
b
ln a
Condensador esfrico
40r 2
Recordemos que:
Z
1
U= d3x(x
~ )(x
~)
2 V
Dado que las placas del condensador son conductoras, son equipotenciales.La placa A (B)
est a un potencial A(B ).
1 Q2
Z
1 3 1 1 2
U= ~ )(A B ) = QV = CV =
d x(x
2 V 2 2 2 C
1 1 1 Q2
Energa almacenada en un condensador: U = 2 QV = 2 CV 2 = 2 C
Modelo molecular de la carga inducida
Figura 7.
Molculas polares en presencia de un campo
elctrico externo
Modelo molecular de la carga inducida
Figura 8.
Figura 9.
Molculas no polares sin campo elctrico externo
Molculas no polares en presencia de un campo
elctrico externo.
Figura 11.
Pedazo de dielctrico polarizado.
Campo elctrico fuera del dielctrico
I
n.P~ (r
~ )
(r~) = dS
S ~ ~r |
|r
Figura 12. ~
~ )
Z
3 .P (r
d x
Z ~ (r
~ ).(r
~ ~r ) V ~ ~r |
|r
3 P
(r
~)= d x
V ~ ~r |3
|r
Cargas de polarizacin
Figura 13.
Cavidad en forma de aguja fuera del dielctrico.
La trayectoria ABCD est contenida parcialmente dentro de la cavidad y dentro del dielctrico.
~ .d ~x = 0 tenemos que:
H
Dado que C E
Ec = Ed
Como la orientacin de la cavidad con forma de aguja es arbitraria, encontramos que el campo
elctrico al interior del dielctrico coincide con el campo al interior de la cavidad, por lo que
est dado por(se ha considerado una cavidad arbitrariamente pequea).
P (r~ ) ~ )
I Z
3 P (r
(r~)= dS + d x
S ~ ~r |
|r V ~ ~r |
|r
Usar el teorema de la divergencia para
transformar el ltimo trmino en una
integral de superficie sobre S1, S2, S3, S. La
contribucin de S1, S2, S3 cancelaH el primer
trmino
de QP , por lo cual QP = S dS
~ .n
P
~ +
H
Figura 14. La ley de Gauss es, ahora: S 0E
~ .d ~
Superficie gaussiana S que rodea un volumen V en P S = Q. Introduciendo el
un medio dielctrico desplazamiento elctrico
Consideremos tres conductores con cargas ~ = 0 E
~ +P
~ , tenemos finalmente:
D
q1, q2, q3 con superficies S1, S2, S3. La ley de
Gauss da: I
I ~ .d S
D ~ =Q (2)
E ~ = 1 (Q + QP ), Q = q1 + q2 + q3
~ .d S S
S 0
I Z
QP = dS P ~ .n + d3x(.P ) Q representa slo las cargas libres al interior
S1 +S2 +S3 V del dielctrico.
Susceptibilidad elctrica
~ se anula cuando E
Para la mayora de los materiales P ~ =~0. En este curso slo consideramos
materiales isotrpicos. Por lo tanto:
~ = (E)E
P ~
Material K (adimensional)
Aceite mineral 19,5
Agua 78,5
Caucho de 20 a 50
Acetona 191
Aire 1, 000589860.00000050(en CNPT, para 0,9 MHz)
Papel duro 49,5
Agua destilada 88, 0a0 C
55,3 a 100 C
PVC de 30 a 40
Baquelita de 50 a 80
Vidrio de 40 a 60
Mica 5,4
CNPT=Condiciones normales de presin y temperatura.
campo elctrico variable. El dipolo est
constituido po una carga q en ~x + l n y una
carga q en ~x l n. El momento dipolar
es ~p = 2ql n
Fi = q (Ei(x
~ + l n) Ei(x~ l n)) =
q( jEi(x~ )2ln j + ....) =
p j jEi(x~)
~ = ~p .~ E ~ (x
F ~)
~pB = P~ VB ~ = E
P ~
~ = VB E
~ .~ E~ (x
F ~)
Figura 15. Q
E = k 2 r
r
La esfera B sin carga elctrica es atrada por la esfera Q Q
A debido a la polarizacin. ~ = rVBk rk
F =
r 2 r 2
2 Q2
Fuerza sobre un dipolo en presencia de un 2k VB 5 r
r
Forma Diferencial de la ley de Gauss en dielctricos
I
~ .D
dS ~ =Q
Z S Z
~ .D
d3x ~ = d3x
V V
~ .D
~ =
Energa del campo elctrico en presencia de dielctricos
Recordemos que:
~ =
E ~ ,
~ .D
~ =
Se tiene:
Z Z Z Z
1 1 ~ = 1
~ .D ~. D
~ 1 ~ .
d3x(x d3x d3x d3x D
U= ~ )(x
~)=
2 V 2 V 2 V I 2 VZ
1 ~ + 1 d3x D
~ .D ~ .E
~
dS
2 S 2 V
~ se anula all:
Si V incluye todo el espacio. S es la esfera de radio infinito. El flujo de D
2
2Q2
I
1 ~ 1 2 Q
dS.D = 4R 3 = 0, si R
2 S 2 R R
Podemos decir que la energa se acumula en el campo elctrico con una densidad:
1~ ~ (x
~)= E
u(x (x
~ ).D ~)
2
Condensadores en dielctricos
A
(d) (0) = d , C =
d
Condensador esferico: radio interior a,radio exterior b,lleno con dielctrico de permitividad
:
Z b
q q q 1 1 4
E= , V = dr = , C = 1 1
4r 2 a 4r2 4 a b
a b
Condensador cilndrico
Consiste en dos cilindros conductores concntricos de largo L. El radio del cilindro interior
es a y tiene carga uniformemente distribuida Q. El radio del cilindro exterior es b > a y tiene
carga Q. El espacio entre a y b est lleno con un dielctrico de permitividad .
1. Entre los cilindros el campo (y el desplazamiento) es radialmente hacia afuera y depende
slo de la distancia al eje del cilindro r. Aplicando la ley de Gauss a una superficie cilndrica
Q
de radio r, concntrica con los dos conductores obtenemos: D 2rL = Q, E = 2 rL
R b
Q Q b
2. La diferencia de potencial es V = a dr 2 rL = 2L ln a
2L
3. La capacidad es C =
b
ln a
C
En todos los ejemplos se tiene que C = K, donde C es la capacidad del condensador en
0
presencia del dielctrico y C0 es la capacidad del condensador sin dielctrico. Midiendo la
capacidad en los dos casos podemos determinar el valor de K.
Condensadores en paralelo
Dado que el campo elctrico se anula fuera de los condensadores, la carga contenida en cada
condensador es la misma Q, pero se genera una diferencia de voltaje Vi en el condensador
i. Se tiene:
Q Q Q Q 1 1 1 1
V = V1 + V2 + V3 = + + = , = + +
C1 C2 C3 C C C1 C2 C3
1 P 1
Condensadores en serie: C
= i Ci
Red de condensadores
Figura 18.
1 1 1 3 1
a) En serie. C = 12 + 6 = 12 = 4 , Ca = 4F
a
b) En paralelo. Cb = 3 + 11 + 4 = 18F .
1 1 1 3 1
c) En serie. C = 18 + 9 = 18 = 6 , Cc = 6F .
c
Fuerzas y Torques
1X X
dW = dWb dU , dU = jdQ j dWb = jdQ j
2
j j
Ejercicio 1:Considere un condensador Este resultado es vlido para las dos zonas.
de placas paralelas aislado. En ste se Como la diferencia de potencial es la
introduce un dielectrico de constante misma (un conductor forma una superficie
K1. Encuentre la fuerza que actua sobre equipotencial), se encuentra E1 = E2.
el dielctrico. 1 2
Esto es 1
= 2
. La energa contenida en el
1
volumen es U = 2 QV . V = 1 d.
1
2
Q = 1bx + 2b(a x) = 1b x + (a x)
1
Q Qd
1 = .V = b
Figura 19. K2
b x + K (a x) 0(xK1 + K2(a x))
1
La fuerza es:
bV 20(K1 K2)
Figura 20. F=
2d
Como en el ejercicio 1, tenemos que la
energa contenida en el volumen es U = Nuevamente la fuerza es hacia el interior del
1 1
2
Q V con V =
d. El proceso sucede a condensador.
1
Ejercicio 3
Q
DA = A D = E = , =
A
Figura 23.
Ruptura dielctrica en un bloque de Plexigls.
Rotura dielctrica