UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS, ELECTRNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE ELECTRNICA Y COMUNICACIONES

Optativa II
Microondas
Nombre: Diego Llamuca
Consulta: Modos de funcionamiento del Diodo Gunn

Diodo Gunn
Los diodos Gunn son unos dispositivos electrnicos que emiten radiacin
electromagntica en el rango de las microondas. Es una clase particular de diodo, que,
junto con el diodo de efecto tnel, permite disponer solamente de una zona N en el
material Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia
de los diodos ordinarios Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el
rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas
(hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes
construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores y la sintonizacin
es realizada mediante ajustes mecnico, elctricos. Los diodos Gunn suelen fabricarse
de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro
de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. Los que estn disponibles hoy en da emiten
radiacin de una frecuencia de entre 10 y 100 GHz ms o menos 1 GHz se lee un
gigahercio y es una unidad que significa que la radiacin tiene una frecuencia de
1.000.000.000 Hz, que son 1.000.000.000 de hercios o 1.000.000.000 de oscilaciones
por segundo.
Los diodos Gunn funcionan haciendo uso del llamado efecto Gunn, una propiedad de
determinados semiconductores J. B. Gunn se dio cuenta de que, al aplicar una
diferencia de potencial constante en otras palabras, una tensin o un voltaje
constantes entre los extremos de un trocito de un semiconductor como el fosfuro de
indio (InP) o el arseniuro de galio (GaAs), dopados tipo n, la corriente que circulaba
por el material dejaba de ser continua y oscilaba a gran velocidad. [1]

Figura 1. Funcionamiento diodo Gunn

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(a) Esquema del diodo.

(b) Relacin entre la velocidad de los electrones y el campo elctrico. A un campo
elctrico aplicado E le corresponde una velocidad de electrones determinada, va.
(c) Dependencia de la densidad de electrones y el campo elctrico respecto de la
posicin dentro de la pieza de Ga As.

Aplicando el diferencial de voltaje en los extremos tenemos

Figura 2. Funcionamiento diodo Gunn

(a) Para unos determinados valores del campo elctrico dentro y fuera del dominio,
todos los electrones viajan a la misma velocidad.
(b) El dominio de carga espacial de Gunn ya no crece ms y sigue su viaje hacia el
electrodo positivo.
(c) El campo elctrico fuera del dominio no es suficientemente grande como para
que se formen ms dominios adicionales. [1]

Modos de Operacin:

Modo de acumulacin de carga

Cuando n0 L<1012 cm2 la inestabilidad de carga no llega a

desarrollarse completamente en el tiempo de trnsito. Se produce una zona
de acumulacin de electrones, electrones lentos del mnimo 2, lo que
cambia la distribucin de campo en el interior del dispositivo. Una pequea
fluctuacin en el ctodo genera un exceso local de electrones que va
aumentando a medida que es arrastrado hacia el nodo. [2]
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Figura 3. Modo de acumulacin.

Modo de dominio estable

Modo de operacin con pulsos cortos de corriente, dicho modo se caracteriza

por su pequeo rendimiento. [3]
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Figura 4. Curva caracterstica, Modo dominio estable.

Rendimiento mayor en cavidad resonante de microondas.

Figura 5. Cavidad resonante.

Modo de tiempo de trnsito

Periodo de oscilacin = tiempo de transito con un rendimiento ideal de 10%

= t

Figura 6. Modo de tiempo de trnsito.

Modo de dominio extinguido o retrasado

Modo de operacin, se recoge el pulso durante el semiciclo negativo, este

modo consigue un rendimiento del 20%
t
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Figura 7. Modo retrasado

Modo suprimido (quenched)

Para trabajar a frecuencias mayores se suprime el dominio antes de llegar

al nodo.

Figura 8. Modo suprimido, comportamiento voltaje y corriente.

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Figura 9. Modo suprimido.

Modo Acumulacin de carga espacial limitada (LSA).

No se da tiempo a formar dominio, buscando eliminar los electrones

cercanos al ctodo cuando la seal est bajo el umbral.
Los electrones llegan al nodo a travs de muestra de conductividad
negativa.

Figura 10. Modo LSA

Modo amplificacin
En este modo no existen portadores suficientes para dominios
n0 L<1012 cm2

Bibliografa:
[1] The Gunn Diode: Fundamentals and Fabrication, Robert van Zyl, Willem Perold,
Reinhardt Botha.
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[2] Apuntes Dispositivos Emisores De Microondas (Dispositivos Gunn).

[3] www.ugr.es/~tejada/manuales/DCIM/tema5.pdf
[4] Captulo III Dispositivos de estado slido en microondas