Captulo 13

AM
Semiconductores.

UN
Recordemos que los electrones en un solido pueden ocupar niveles de
energa agrupados en bandas, y que entre bandas disponibles hay brechas de
energa. A la banda ocupada de mayor energa se le llama banda de valencia, y
e z
a la banda desocupada de menor enera es la banda de conduccion. La energa
de la brecha o energa del gap Eg es la diferencia entre el extremo inferior
en
de la banda de conduccion y el extremo superior de la banda de valencia.
Diremos que un solido es un semiconductor cuando Eg es menor a unos
cuantos electron-Volts (digamos, 4 eV). Para T = 0 los electrones ocupan
m

la banda de valencia, y la banda de conduccion esta totalmente desocupada.

A una temperatura T > 0 hay excitaciones termicas de electrones de la
Ji

banda de la banda de valencia a la banda de conduccion. Se puede hacer

una estimacion de la ocupacion de la banda de conduccion por el factor de
Boltzmann exp(Eg/kB T ).
C

Tambien se pueden utilizar radiacion electromagnetica para excitar elec-

trones de la banda de valencia a la banda de conduccion. En este caso se
M

requiere que la energa del foton sea mayor o igual a la energa de la brecha.
En un solido hay que considerar ademas las posiciones relativas en espacio
recproco del maximo de la banda de valencia y el mnimo de la banda de
FA

conduccion. Cuando estos dos extremos ocurren en el mismo punto ~k se ha-

bla de una brecha directa, cuando ocurren en puntos diferentes ~k se tiene
una brecha indirecta. En la figura 13.1 se muestra de manera esquematica
la diferencia entre una brecha directa y una brecha indirecta. Para que ocu-
rra una transicion electromagnetica se necesita ademas de conservar energa
(h Eg ) tambien conservar momento lineal. En una transicion indirecta el
momento del cristal cambia (~k 6= 0), y si este cambio en momento es signifi-

319
 320 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

E(k)

conduccin

AM
k = 0 k 0

UN
valencia k
e z
en
Figura 13.1: Brecha directa y brecha indirecta en un aislante.
m

cativo, no puede ser proporcionado por el foton1 . Entonces, en una transicion

Ji

indirecta se debe tambien producir una interaccion con fonones, que son los
cuantos de las vibraciones de la red cristalina (ver siguiente captulo). Por
consiguiente la probabilidad de que ocurra una transicion indirecta es menor
C

a la probabilidad de una transicion directa.

Los semiconductores ocurren con distintas composiciones qumicas y con
M

diversas estructuras cristalinas [32]. Sin embargo, en esta tratamiento basico

del tema utilizaremos ejemplos de semiconductores que tienen en com un ser
FA

compuestos (elementales, binarios, ternarios...)formados por elementos de los

grupos III a V de la tabla periodica. Ejemplos de semiconductores elementales
son el silicio y el germanio. Estos dos atomos tienen una configuracion p2 que
da lugar a orbitales hbridizados. Su estructura cristalina es la misma que
la del diamante, en la que cada atomo tiene cuatro enlaces covalentes con
cuatro vecinos en las esquinas de un tetraedro (Fig. 11.9). Semiconductores
1
El momento lineal de un fot
on de energa h es p = h/c.
13.1. MASA EFECTIVA. 321

AM
UN
e z
en
m

Figura 13.2: Estructura cristalina tpica de un semiconductor binario como

GaAs.
Ji

binarios tpicos son los que se forman con atomos de los grupos III y V (GaAs,
AlAs, por ejemplo). Su estructura espacial se muestra en la figura 13.2. Se
C

trata de la misma estructura que la del diamante, pero con atomos diferentes
ocupando sitios diferentes (azul y amarillo en la figura).
M
FA

13.1. Masa efectiva.

Consideremos la relacion de dispersion en una banda electronica E(k).
Podemos definir una velocidad de grupo de un electron vg = d/dk =
(1/h)dE/dk. Esto suponemos que su funcion de onda es un paquete for-
mado por la superposicion de ondas. Queremos describir el movimiento del
electron en presencia de un campo electrico E. La aceleracion de este electron
 322 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

es, utilizando la segunda ley de Newton,

dp dk
eE = =h
(13.1)
dt dt
Por otra parte, la aceleracion es la derivada temporal de la velocidad de
grupo. Esto es:

AM
dvg 1 d2 E 1 d2 E dk
a= = = (13.2)
dt h
dtdk dk 2 dt
h
y de la ecuacion 13.1 dk/dt = eE/h por lo que tenemos la relacion

UN
h
eE = d2 E
a = m a (13.3)
dk2

que esta escrita en la forma de la segunda ley de Newton, con una masa
efectiva
2
h

Esto es, a
e m = d2 E
zdk2
(13.4)

un si tratamos a los electrones como libres en el solido, el efecto

en
de la red cristalina es modificar su masa (inercia). Para electrones libres la
relacion de dispersion es E = h 2 k 2 /(2me ) y la masa efectiva que se obtiene
es m = me . En general, la estructura de bandas determina la inercia de los
m

electrones en la red cristalina. Cerca del maximo en la banda de valencia la

masa efectiva esta dada por el recproco de la curvatura de la relacion de
Ji

dispersion E(~k).
C

13.2. Electrones y huecos.

M

13.3. Impurezas.
Las propiedades de transporte electrico de los semiconductores pueden
FA

ser modificadas de manera muy controlada cuando se introducen atomos de

impurezas en el compuesto. Por ejemplo consideremos un semiconductor de
silicio (3p2 ). Se le agregan impurezas de fosforo (3p3 ) que sustituyen a algunos
atomos de silicio. En la figura 13.3 se muestra de manera esquematica la esta
sustitucion en un sitio de la red. Como fosforo tiene un electron 3p de mas,
y ademas la banda de valencia esta totalmente llena (al menos para T = 0),
ese electron ocupa un lugar en la banda de conduccion. Esto es, se tiene un
13.3. IMPUREZAS. 323

electron movil mas en la red y tambien se tiene una carga positiva mas en el
sitio ocupado por el ion de fosforo. En la figura 13.3 se muestra de manera
esquematica este sistema. La interaccion Coulombiana entre estas dos cargas
da lugar a un estado de impureza que se parece mucho al atomo de hidrogeno.
Sin embargo hay que tomar en cuenta dos diferencias respecto al hidrogeno.
La primera es que la masa efectiva del electron en la red no es la masa del

AM
electron que usamos en la formula de Bohr. La segunda es que la dinamica no
ocurre en vaco, sino en un medio dielectrico formado por el resto del cristal.
Estas dos diferencias se incluyen facilmente en la ecuacion 2.63 si se sustituye
la masa del electron (o la masa reducida) por la masa efectiva me y se cambia

UN
la permitividad del vaco 0 por la permitividad del medio r 0 , donde r es
la permitividad relativa. Se obtiene as la siguiente expresion para los niveles
de energa de este estado de impureza.
!2
m e2 1 me 13.6 eV
 
En = e2 = (13.5)
n2 me 2r n2
2h 4r 0
e z
Con las mismas sustituciones tambien se obtiene el radio de Bohr del sistema
en
(ecuacion 2.62) :
2
!
4r 0 h me
a= = a0 r (13.6)
me e2 me
m

Como la masa efectiva es menor que la masa del electron y el valor de la

permitividad relativa esta entre 10 y 20 (Tabla 13.1), la energa del orbital
Ji

1s de un estado de impureza es mucho menor que los 13.6 eV que se obtuvo

para hidrogeno. De igual manera, el radio efectivo del estado 1s es bastante
mayor que el radio de Bohr del atomo de hidrogeno. De hecho, la energa
C

de amarre de un estado de impureza es comparable a la energa termica a

temperatura ambiente kB T . Por tanto, a temperatura ambiente los estados
M

de impureza estan ionizados y solo a bajas temperaturas es que se encuentran

ligados. Ademas, el nivel de un estado de impureza cambia de sitio en sitio,
dependiendo de la presencia de otras impurezas. Estos dos efectos combinados
FA

nos llevan a considerar mas bien una banda de impureza que se encuentra
debajo de la banda de conduccion.
Esta discusion de estados y bandas de impureza se puede repetir cuando
se introducen impurezas de atomos aceptores (por ejemplo aluminio) en el
semiconductor. En este caso se tiene un hueco movil en la banda de valencia,
con masa efectiva mh y un ion negativo en un sitio de la red. Las expresiones
obtenidas para impurezas donadoras se pueden aplicar a impurezas aceptoras.
 324 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

AM
UN
e z
en
m
Ji
C
M

Figura 13.3: Introduccion de un atomo donador (P) en un cristal de silicio.

FA

13.4. DENSIDAD ELECTRONICA. 325

Tabla 13.1: Propiedades de algunos semiconductores binarios III-V.

Semiconductor Eg (eV) a 0 K me /m mhl /m mhp /m r
GaAs 1.52 0.066 0.082 0.5 13.13
InP 1.42 0.073 0.078 0.4 12.37
GaSb 0.81 0.047 0.06 0.3 15.69

AM
InAs 0.43 0.026 0.025 0.41 14.55
InSb 0.23 0.015 0.021 0.39 17.88

Con los datos que se muestran en la tabla 13.1 se pueden calcular energas

UN
de amarre y radios efectivos para impurezas en distintos compuestos binarios
III-V. Aqu hay que aclarar que electricamente estos semiconductores son
equivalentes a los semiconductores elementales del grupo IV (silicio y germa-
nio). Por tanto un atomo de impureza del grupo V act ua como donador y
un atomo del grupo III se comporta como aceptor. Tambien es importante
se
z
nalar que se dan dos valores para las masas efectivas de los huecos. Hay
masa efectiva para huecos ligeros mhl y para huecos pesados mhp . En reali-
e
dad el comportamiento de las bandas de valencia de los semiconductores es
en
bastante complicado y da lugar a distintos tipos de huecos, ademas de ligeros
y pesados. Un tratamiento detallado de los huecos en semiconductores esta
fuera del alcance de este texto, y puede se consultado en los libros de Kittel
m

[22] y Yu y Cardona [32].

Ji

13.4. Densidad electr

onica.
C

Recordemos que para el gas de electrones libres obtuvimos una densidad

de estados (ecuacion 12.18):
M

V
g(E) = (2m)3/2 E 1/2 (13.7)
3
2 2 h
FA

que puede ser utilizada para calcular la densidad de estados electronicos cerca
del mnimo de la banda de conduccion, siempre y cuando la energa se mida
respecto al vertice de la parabola, y en lugar de la masa se utilice la masa
efectiva me . Se obtiene as una densidad de estados para el semiconductor:

V
g(E) = 2
3/2
3 (2me ) (E Ec )1/2 (13.8)
2 h
 326 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

donde Ec es la mnima energa de la banda de conduccion. Para obtener la

densidad electronica a una temperatura T hay que multiplicar esta densidad
de estados por la ocupacion de Fermi-Dirac (ecuacion 12.21) e integrar sobre
los posibles valores de la energa. Si suponemos que (E ) /kB T >> 1
podemos aproximar la funcion de Fermi-Dirac como:

AM
1
e(E)/kB T (13.9)
e(E)/kB T +1
Sustituyendo esta expresion se obtiene una densidad electronica:

N Z
g(E) Z
(2me )3/2

UN
1/2 (E)/kB T
n= = (E)/k T
dE 3 (E Ec ) e dE
V Ec e B +1 Ec 2
2 h
(13.10)
Para calcular esta integral primero hacemos el cambio de variable y = (E
Ec )1/2 obteniendo

n=
e
3
2 2 h
e
z
(2me )3/2 (Ec )/kB T Z 2 y2 /kB T
0
2y e dy (13.11)
en
Esta u
ltima integral se puede calcular directamente, con lo que resulta una
densidad electronica en la banda de conduccion
m

!3/2
1 2me kB T
n= e(Ec )/kB T (13.12)
4 h2
Ji

Se puede obtener la densidad de huecos en la banda de valencia de una

manera similar. En este caso la ocupacion de Fermi-Dirac para huecos es
C

1
fF D (E, h) = 1 fF D (E, e) = 1 e(E)/kB T (13.13)
e(E)/kB T +1
M

El resto del calculo es identico al de la densidad electronica en la banda

de conduccion, teniendo cuidado de utilizar la masa efectiva del hueco y
FA

considerando que los lmites de integracion son (, Ec ). Si llamamos p a la

densidad de huecos (n umero de huecos por unidad de volumen), se obtiene:
!3/2
1 2mh kB T
p= e(Ec )/kB T (13.14)
4 h2
Es importante notar que tanto para los electrones en la banda de conduc-
cion como para los huecos en la banda de valencia, las respectivas densidades

13.4. DENSIDAD ELECTRONICA. 327

se escriben en terminos del potencial qumico . Sin embargo, si se toma el

producto de densidades se obtiene la expresion:
!3
1 kB T
np = (me mh )3/2 eEg /kB T (13.15)
2 h2

AM
que depende u nicamente de la energa de la brecha. Por su analoga con una
relacion para reacciones qumicas a esta relacion se le conoce como ley de
masas2 .

UN
13.4.1. Semiconductor intrnseco.
Las densidades de electrones (conduccion) y huecos (valencia) y la ley de
masas que acabamos de obtener no dependen de la composicion del semicon-

z
ductor. Esto es, estas relaciones son validas para semiconductores intrnsecos
y extrnsecos. Para semiconductores intrnsecos sabemos, ademas, que por
e
cada electron en la banda de conduccion hay un hueco en la banda de valen-
en
cia, por lo que n = p. Tomando en este caso el logaritmo del cociente de la
ecuacion 13.12 entre la ecuacion 13.14 se obiene:
m

Ec + Ev 3 m
= + kB T ln h (13.16)
2 4 me
Ji

Este resultado da la posicion del potencial qumico en funcion de la tempe-

ratura. Para T = 0 el potencial qumico se encuentra exactamente a la mitad
C

de la brecha.

Si llamamos I = ni = pi = np a la densidad de portadores de carga de
M

un semiconductor intrnseco, se obtiene

!3/2
1 kB T
FA

I= ni pi = (me mh )3/4 eEg /2kB T (13.17)

2 h2

Con este resultado y los datos que se encuentran en la tabla 13.1 se puede
calcular la densidad de portadores de carga en, por ejemplo, arseniuro de
indio (InAs) sin dopar, obteniendose I = 9.7 1019 m3 .
2
Se puede encontrar una explicaci
on de este nombre en el texto de Simon [28].
 328 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

13.4.2. Semiconductor extrnseco.

En el caso de un semiconductor dopado las densidades de portadores de
carga (electrones y huecos) tambien satisfacen la ley de masas. Dependiendo
del tipo de dopaje (donador o aceptor) se tendra un tipo de portador mayori-
tario, electron o hueco, y un tipo minoritario. Conocemos el producto de las

AM
densidades de portadores del semiconductor intrnseco ni pi (ecuacion 13.17),
que por la ley de masas es igual al producto np del semiconductor dopado.
Para fijar ideas3 supongamos que n > p y llamamos dopaje a la diferencia
D = n p. Entonces tenemos que resolver el sistema de ecuaciones:

UN
np=D
np = I 2 (13.18)
cuya solucion es

D2 + 4I 2 + D
en=

p=
2
z
D + 4I 2 D
2
(13.19)
en
2
Hay dos casos lmites de interes. Si el dopaje D es mucho menor que la
densidad de portadores del semiconductor intrnseco I entonces el dopaje
m

no juega un papel importante y las densidades n = p = I. Bajo estas
condiciones el potencial qumico queda a la mitad de la brecha. En el caso
Ji

opuesto, si D >> I entonces la densidad de portadores mayoritarios n = D y

para determinar la densidad de portadores minoritarios se utiliza la ecuacion
de masas. La densidad total de portadores carga esta dada por D. Para
C

dopado con donadores (D = n) la banda de impureza en conduccion se llena

de electrones, y el potencial qumico se mueve hacia arriba, cerca de la banda
M

de conduccion. Para dopado con aceptores (D = p) los huecos llenan la banda

de impureza de valencia, desplazando el potencial qumico hacia abajo, cerca
de la banda de valencia.
FA

13.5. Dispositivos semiconductores.

No hay mejor ejemplo del impacto directo de la fsica cuantica en el mundo
moderno que el de la microelectronica, y los dispositivos semiconductores son
3
Si p > n se obtiene la misma soluci
on si se invierten los papeles de n y p.
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 329

la base de la microelectronica. El progreso de la tecnologa se mide a la par del

avance de nuestra comprension de los dispositivos semiconductores y nuestra
habilidad para producir sistemas cada vez mas peque nos de manera precisa
y controlada.

AM
13.5.1. Ingeniera de bandas.
Un primer ejemplo de la capacidad de control en la fabricacion de dis-
positivos es el dise
no de la brecha prohibida. Por ejemplo, con escogiendo
las proporciones de aluminio, galio y arsenico se pueden generar aleaciones

UN
con la brecha deseada. El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor con
una brecha directa Eg = 1.5 eV y con la estructura de la zincblenda (figura
11.9. El arseniuro de aluminio (AlAs) tiene la misma estructura cristalina y
es un semiconductor con una brecha indirecta de Eg 2.7 eV. Al producir
una aleacion en la que una fraccion x de los atomos de galio es sustituida

z
por aluminio (denotamos el compuesto como Alx Ga1x As) se tendra un se-
miconductor con una brecha controlada. La variacion de la brecha con la
e
proporcion de aluminio x esta dada por (x 0.4) [14]:
en
Eg (x) = 1.42 + 1.087x + 0.438x2 eV (13.20)
m

13.5.2. Heteroestructuras.
Ji

Las heteroestructuras son sistemas formados por capas muy delgadas, de

espesor nanometrico, crecidas sobre un sustrato com un y con una estructura
cristalina que cambia de manera continua a traves de las superficies de se-
C

paracion. Esto permite el dise no y el control de las propiedades del sistema.

Entre las tecnicas comunmente empleadas para producir capas delgadas de
M

manera muy controlada se encuentran la epitaxia por haz molecular (MBE)

y deposicion de vapor qumico metal-organico (MOCVD). Para una descrip-
cion basica de estas tecnicas se pueden consultar los textos de de Fox [14] o
FA

Morrison [25].
Po ejemplo, en la figura 13.4(a) se muestra una heteroestructura formada
por una pelcula delgada de GaAs crecida entre dos capas de espesores mayo-
res de Gax Al1x As. El eje z se toma como la direccion de crecimiento de cada
capa. El comportamiento de la brecha a lo largo del eje z es el que se mues-
tra en la figura 13.4(b), y se puede explicar de manera simple. Por una parte
GaAs tiene una brecha fija de 1.5 eV, mientras que la brecha en las capas
 330 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

superior e inferior de AlGaAs son mayores y se controlan por la cantidad x

de impurezas de aluminio. En la figura se muestra una transicion abrupta
entre una region y otra, lo que se puede lograr gracias a la precision con la
que se puede controlar el crecimiento de cada capa. Con una heteroestructura
de este tipo se consigue entonces generar un pozo cuadrado de potencial en
una dimension para electrones en la banda de conduccion o para huecos en la

AM
banda de valencia. Es importante se nalar que en el plano xy perpendicular a
la direccion de crecimiento se sigue teniendo el comportamiento de partcula
libre de los electrones o huecos. Con esta heteroestructura es posible entonces
estudiar un gas de Fermi en dos dimensiones.

UN
Consideremos ahora la solucion de la ecuacion de Schroedinger para los
electrones en el pozo cuadrado de potencial que resulta de esta heteroestruc-
tura. Proponemos una solucion separable para la funcion de onda electronica:
(x, y, z) = (x, y)u(z) (13.21)
e z
La energa de este sistema se obtiene como la suma de la energa E(~k) de
partcula libre en el plano xy y la energa cuantizada por la barrera en la
direccion z.
en
2~k 2
h
E(n, ~k) = + En (13.22)
2m
m

donde m es la masa efectiva. La funcion de onda en el plano xy es de la

forma
1
~k (x, y) = exp(i~k ~r) (13.23)
Ji

A
donde A es el area de normalizacion4 . Para la solucion en la direccion z
suponemos un pozo de potencial de espesor d y que esta centrado en z = 0.
C

Tambien suponemos dentro del pozo V = 0 y que sus paredes en z = d/2

son infinitas. La ecuacion que hay que resolver es
M

2 d2 u
h
+ V (z)u = En u (13.24)
2m dz 2
FA

nyevamente, m es la masa efectiva de la partcula. La condicion de paredes

infinitas se traduce en la condicion de frontera
!
d
u =0 (13.25)
2
4
Se toma una caja de area A en el plano xy de dimensiones suficientemente grandes
para que en el sistema haya un n
umero muy grande de niveles de energa.
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 331

AM
UN
e z (a)
en
conduccin
AlxGa1-xAs AlxGa1-xAs
m

GaAs
Ji
E

(b)
C

valencia
M
FA

Figura 13.4: Esquema de una hereroestructura formada por una capa de

GaAs entre dos capas de Gax Al1x As.
 332 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

Si llamamos 2 = (2m E)/h2 , es facil ver que las soluciones son, por separa-
do:
uc (z) = cos z
us (z) = senz (13.26)

AM
e imponiendo la condicion de frontera en z = d/2 da lugar a la regla de
cuantizacion
2 n 2
h
 
En = (13.27)
2m d
donde n = 1, 2, 3 . . .. Para n par se utiliza la solucion coseno, y para n impar

UN
se debe usar la solucion seno. Es importante notar la dependencia de estos
niveles de energa en la masa efectiva m , en el espesor de confinamiento d y
en el numero cuantico n.
Se puede relajar la suposicion de paredes infinitas. No presentaremos
aqu la solucion. En el ejercicio 4 de este captulo se discute con detalle la

z
solucion para un pozo de paredes finitas y se comparan los resultados con los
que se obtienen para el pozo de paredes infinitas.
e
Como un ejemplo, podemos utilizar estos resultados para calcular los
en
primeros niveles de energa de un pozo de potencial de 10 nm de espesor
para un electron cuya masa efectiva es de 0.10 m0 . Sustituyendo los valores
se obtiene h 2 /(2m )(/d)2 = 37.6 meV, con lo que resultan los tres primeros
m

niveles de energa E1 = 37.6 meV, E2 = 150.4 meV y E3 = 338.5 meV.

Cuando se considera un pozo con paredes finitas estos valores disminuyen
Ji

significativamente (ver ejemplos en [14]).

Recordemos que el pozo de potencial sirve de la misma manera para con-
finar electrones en la banda de conduccion como para confinar huecos en la
C

banda de valencia. Como las masas efectivas de electrones y huecos son dife-
rentes, la estructura de los niveles de energa de los huecos sera diferente. Los
M

niveles seguiran descritos por la ecuacion 13.27, pero con la masa efectiva del
hueco. Ademas, para los huecos los niveles de energa se grafican hacia abajo
en el escalon que sirve como pozo para los huecos. En la figura 13.5 se mues-
FA

tran los estados confinados en un pozo cuantico. En principio se puede tener

un sistema cuantico con un electron y un hueco confinados al mismo tiempo.
A este par electron-hueco se le denomina exciton. El exciton puede decaer
cuando el electron ocupe el hueco, dando lugar a la emision de radiacion
electromagnetica. A este proceso se le llama recombinaci on electr
on-hueco.
Los pozos cuanticos son ejemplos de sistemas confinados en una dimen-
sion o, de manera equivalente, son sistemas libres en dos dimensiones. La
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 333

electrn

AM
E

hueco

UN
co. Se muestra tambien un exciton.
e z
Figura 13.5: Estados confinados de un electron o un hueco en un pozo cuanti-
en
precision que se consigue en la preparacion de heteroestructuras a escalas
nanometrics permite construir sistemas confinados en dos de las dimensio-
m

nes y por tanto son sistemas libres en una dimension. Se trata en este caso
de alambres cuanticos. Tambien se pueden construir sistemas confinados en
Ji

las tres dimensiones, lo que constituye un sistema libre de dimension cero,

o punto cu antico. En la figura 13.6 se muestran de manera esquematica es-
tos sistemas cuanticos confinados. Por favor notar que para poder presentar
los sistemas confinados se tuvieron que quitar de la figura algunas de las
C

superficies de confinamiento.
Podemos estudiar el confinamiento en un punto cuantico. En este caso
M

la ecuacion de Schroedinger es para una caja de potencial de dimensiones

dx , dy y dz . Si suponemos paredes infinitas podemos utilizar los estados que
FA

obtenidos para el pozo cuantico. Extendiendo la ecuacion 13.27 a las tres

dimensiones, se encuentran niveles de energa dados por:
!2
2 nx
2h
2 2
ny nz
 
Enx ,ny ,nz = + + (13.28)
2m dx dy dz
donde nx , ny y nz son enteros positivos. Se tiene sistema con un conjunto
discreto de niveles de energia, como en un atomo o una molecula. La gran
 334 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

AM
UN
e z
Figura 13.6: Heteroestructuras de dimensiones 2, 1 y 0.
en
diferencia es que se puede controlar la estructura electronica de estos puntos
cuanticos mediante las dimensiones de confinamiento.
m

13.5.3. La uni
on p-n.
Ji

Recordemos que al anadir impurezas donadoras a semiconductor se gene-

ra un material tipo n en el que hay iones positivo fijos en la red y un exceso
C

de electrones libres. De igual manera, si se agregan impurezas aceptoras se

tendra un semiconductor tipo p con iones negativos y un exceso de huecos
M

moviles. En la figura 13.7a se muestran de manera esquematica semicon-

ductores tipo n y tipo p. Algo muy interesante ocurre cuando se unen un
material tipo n con un material tipo p de manera controlada (Figura 13.7b).
FA

Los electrones de la region tipo n tenderan a moverse hacia la region tipo

p donde podran recombinarse con los huecos disponibles. De igual manera,
los huecos en la region p se moveran hacia la region n para recombinarse
con los electrones. En la union p-n se genera entonces toda una zona libre
de electrones y huecos, pero con presencia de iones positivos (hacia la region
n) y negativos (hacia la region p). Estos iones generan un campo electrico
que se opone al movimiento de electrones y huecos. Se genera entonces en la
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 335

union np una region con la carga espacial (SCR) de los iones. En esta region
se tiene una disminucion (merma) significativa del n umero de portadores de
carga libres, ya sean huecos o electrones. Nos referiremos entonces a esta
como la region de merma de portadores.
Podemos tambien describir la estructura de bandas en la union p-n. Re-
cordemos que en un material n las impurezas donadoras, al agregar electrones

AM
libres, generan una banda de impurezas. El potencial qumico, que para un
semiconductor intrnseco e encuentra a la mitad entre la banda de conduc-
cion y valencia (ecuacion 13.16), se mueve hacia arriba, cerca de la banda de
conduccion. De igual manera, el potencial qumico de un semiconductor tipo

UN
p se encuentra cerca de la banda de valencia. La estructura de bandas de un
material tipo n y un material tipo p, por separado, se muestra en la Figura
13.8a. Al formar la union p-n los potenciales qumicos se alinean tal como
se muestra en la Figura 13.8b. La banda de conduccion en la region p queda
por encima de la banda de conduccion en la region n. Los electrones libres en

z
el semiconductor n no se mueven hacia el material p porque tienen que subir
una colina de potencial. La forma de esta colina se muestra de manera
e
esquematica mediante rectas, aunque para materiales reales la transicion es
en
suave y sin esquinas. Entonces, se necesita proporcionar energa para hacer
que los electrones se muevan de la region n a la region p. Algo similar ocurre
con los huecos libres de la region p. En este caso cuesta energa moverlos
m

hacia abajo de la colina que se forma en la banda de valencia. Esto tiene

sentido si se recuerda que huecos en la parte superior de la banda de valen-
Ji

cia tienen menos energa y hay que hacer un trabajo para moverlos hacia
abajo en la banda. Se puede pensar entonces que los huecos en una union
p-n se comportan como pelotas llenas de aire flotando en el agua. Hay que
C

empujarlas (hacer trabajo) para hundirlas.

Esta descripcion simple de la estructura de bandas de la union p-n sirve
M

para entender su utilidad en un gran n umero de dispositivos. Consideremos

ahora que pasa cuando se agrega una diferencia de potencial V a la union
p-n, tal y como se muestra en la figura 13.9a. Para fijar ideas supongamos
FA

que medimos el potencial respecto a la terminal n de la union. Esta diferencia

de potencial altera la situacion de equilibrio (V = 0) de la figura 13.9b en la
que ambos lados (p y n) tienen el mismo potencial qumico . El potencial
externo V modifica las pendientes de las colinas que tienen que subir los
electrones o bajar los huecos. Si con el potencial aumenta esa pendiente (lo
que implica eV > 0 o V < 0) se reduce a un mas el flujo de electrones de la
region n hacia la region p y el flujo de huecos de p hacia n (figura 13.9c).
 336 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

Tipo n Tipo p

AM
UN
(a)
e electrnz
ion donador ion aceptor
hueco
en
Unin n-p
m
Ji
C
M
FA

(b) regin con

carga espacial

Figura 13.7: Union de un semiconductor tipo n con un semiconductor tipo p.

13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 337

tipo n tipo p

AM
C C
EF

UN
(a) EF
V V

electrones
e z
en
huecos
m
Ji

EF
E

C
M

z
FA

(b)

Figura 13.8: Estructura de bandas en la union p-n.

 338 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

Si por el contrario la pendiente disminuye (eV < 0), aumenta el flujo de

electrones y huecos a traves de la union (figura 13.9d). 13.9.

Rectificadores.
Este comportamiento de la union p-n sometida a una diferencia de po-

AM
tencial V da lugar al primer dispositivo: el diodo o rectificador electrico.
Consideremos en primer lugar el movimiento termico de portadores de car-
ga a traves de la union p-n cuando V = 0 (figura 13.9b). Tomaremos como
corriente positiva al flujo de carga positiva (huecos) de derecha a izquierda o

UN
al flujo de carga negativa (electrones) de izquierda a derecha. Un electron en
el material p puede ser excitado, con una probabilidad exp(Eg /kT ), de la
banda de valencia a la banda de conduccion. Una vez en la banda de conduc-
cion el electron puede rodar cuesta abajo hacia el material n produciendo
una corriente (negativa) Ie1 exp(Eg /kT ), donde Ie1 es una constante. De

z
igual manera, un electron en n puede ser termicamente excitado y subir la
colina de altura Eg hacia el material p, produciendo una corriente (positi-
e
va) Ie2 exp(Eg /kT ), con una constante Ie2 . Como V = 0 la union esta en
en
equlibrio, por lo que el n umero de electrones que cruzan en una direccion
es el mismo que el n umero que cruza en la direccion opuesta. Por tanto las
constantes tienen que ser iguales Ie1 = Ie2 , por lo que a ambas constantes las
m

llamaremos Ie . Podemos hacer un analisis similar para el comportamiento de

los huecos. Un hueco en el material n puede ser termicamente excitado de
Ji

la banda de conduccion a la banda de valencia, desde donde flota hacia

el material p. Esto da lugar a una corriente (negativa) Ih exp(Eg /kT ).
A su vez un hueco en el material p puede termicamente hundirse hacia
C

el material n produciendo una corriente (positiva) Ih exp(Eg /kT ). En este

caso ya hemos usado la misma constante Ih que garantiza el equlibrio del
M

movimiento de los huecos cuando V = 0.

Analicemos ahora el caso cuando se aplica una diferencia de potencial
V a la union p-n. La excitacion termica de electrones en el material p o
FA

de huecos en el material n siguen siendo las mismas, ya que el potencial

no modifica la energa de la brecha. Se tiene entonces una corriente termica
(Ie + Ih ) exp(Eg /kT ) Sin embargo, las pendientes que los electrones tiene
que subir o que los huecos tienen que hundirse al pasar de un material al
otro s son modificadas por el potencial externo. Para calcular la corriente de
electrones y huecos se debe considerar este cambio en pendientes, haciendo
la sustitucion Eg Eg + eV en el factor de Boltzmann. La corriente debida
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 339

n p

AM

(b)

UN
+eV (V<0)
E

e z (c)
en
+eV (V>0)

m

(d)
Ji

n p
C
M
FA

V
(a)

Figura 13.9: Union p-n sometida a una diferencia de potencial V.

 340 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

a electrones que suben y los huecos que bajan a traves de la union es ahora
(Ie + Ih ) exp[(Eg + eV )/kT ]. Se tiene ahora una corriente neta que esta
dada por

I = (Ie + Ih ) exp(Eg /kT ) + (Ie + Ih ) exp [(Eg + eV )/kT ]

= Is [exp(eV /kT ) 1]

AM
(13.29)

donde Is = (Ie + Ih ) exp(Eg /kT ) es la corriente de saturacion. El compor-

tamiento de la corriente en funcion del potencial V dado por esta ecuaci n
se muestra en la figura 13.10. Para valores negativos de V (por tanto eV

UN
tambien es negativo) se tiene una corriente negativa pequea a traves de la
union. Se dice que se aplica una polaridad invertida a la union. Con valores
positivos de V se generan corrientes positivas cada vez mayores. En este caso
se habla de que la union se somete a una polaridad directa. La union p-n
se comporta entonces como un diodo o rectificador de corriente. Permite el

directa.
e z
paso de corriente en una direccion solamente, cuando se aplica la polaridad
en
13.5.4. Otros dispositivos semiconductores.
El n
umero y la variedad de dispositivos semiconductores crece da a da.
m

Por tanto en esta seccion solo se puede hacer referencia a dispositivos basicos,
pero que ademas son de gran utilidad practica. Su funcionamiento se basa
Ji

en los conceptos que hemos desarrollado sobre la union p-n.

Fotodiodos. Celdas solares.

C

Supongamos que exponemos unsemiconductor a luz con una energa de

M

fotones h mayor que la energa de la brecha. La luz podra ser absorbida,

generando electrones en la banda de conduccion y huecos en la banda de
valencia. Si ademas el proceso se realiza en una union p-n, los electrones
FA

y los huecos que se generen en la region de merma de portadores de carga

se moveran con el potencial de la union a su favor. Esto es, los electrones
se moveran cuesta abajo hacia la region tipo n y los huecos se moveran
cuesta arriba hacia la region tipo p. Si en el exterior se unen las terminales
p y n mediante un alambre conductor se tendra una corriente electrica que
puede ser medida. La corriente es proporcional a la intensidad de la luz. Este
es el principio de funcionamiento de los fotodiodos. Por otra parte, entre
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 341

AM
UN
30

25

e 20
z
I/I0

15
en
10
m

5
Ji

0
-3 -2 -1 0 1 2 3
C

-eV/kT
M

Figura 13.10: Comportamiento de la corriente en un rectificador.

FA
 342 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

AM
electrones
h
Eg
Energa

UN
huecos

tipo n
e z tipo p
en
Figura 13.11: Principio del funcionamiento de fotodiodos y celdas solares.
m

las terminales p y n se genera una diferencia de potencial, que puede ser

Ji

empleada en una celda solar. El proceso de generacion de una fotocorriente

en una union p-n se muestra de manera esquematica en la figura 13.11
C

Diodos emisores de luz. Diodos l

aser.
M

El principio inverso puede ser empleado para generar luz en una union p-n.
Cuando se aplica un voltaje directo (esto es, la terminal p esta a un potencial
mayor que la terminal n) se pueden forzar a los electrones en la parte n a
FA

ingresar a la zona de merma de portadores. De igual manera, se inyectan

huecos de la region p a la zona de merma. Ah se produce la recombinacion
electron-hueco dando lugar a la emision de luz con una frecuencia h Eg .
Este es el principio basico del diodo emisor de luz (LED) que se muestra en
la figura 13.12. Por ejemplo, con GaAS se producen LEDs que emiten en el
infrarrojo cercano, con longitudes de onda 850 nm. Con Al1x Gax As se
puede cubrir el intervalo de emision entre 630 y 780 nm.
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 343

AM
UN
(a) - +
e z
en
electrones
recombinacin
m

h huecos
Ji

(b)
tipo n tipo p
C
M

Figura 13.12: Diodo emisor de luz.

FA
 344 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

Muchos esfuerzos se han concentrado en lograr cubrir de manera eficiente

la region visible del espectro electromagnetico. El principal problema ha sido
fabricar diodos con semiconductores de brecha mayor para producir LEDs en
el azul. Se saba desde hace tiempo que entre los compuestos binarios III-V,
los nitruros son los de brecha mayor. Por ejemplo, GaN tiene una brecha de
3.4 eV a temperatura ambiente. En la figura 13.13 se muestran las brechas

AM
de distintos compuestos binarios III-V en funcion de la constante de red. Los
semiconductores con P, As y Sb cristalizan en la estructura de cinc-blenda de
la figura 13.2. En cambio los nitruros forman una red cristalina hexagonal.
Ademas, los nitruros presentan serias dificultades para formar semiconduc-

UN
tores tipo p estables, que son un ingrediente indispensable en la fabricacion
de LEDs en el azul. Hacia mediados de la decada de 1990 se hicieron avances
significativos en estabilizacion del dopaje p de nitruros de galio e indio, lo que
significo la posibilidad de fabricar diodos emisores de luz azul. As como la
invencion del transitor revoluciono la industria electronica, la posibilidad de

z
cubrir la region del visible con diodos emisores de luz esta revolucionando la
industria de la iluminacion. Esto se debe, fundamentalmente, a que los LEDs
e
son fuentes eficientes de luz, con bajo consumo de energa. Los descubridores
en
de los LEDs azules recibieron el premio Nobel en fsica en 2014.
m

La inyeccion de electrones y huecos mediante una corriente electrica puede

ser empleada para generar una inversion de poblacion en la region de merma
Ji

en una union p-n. Hay faltante de electrones en la parte superior de la banda

de valencia, mientras que hay exceso de electrones en la parte baja de la banda
de conduccion. Se puede aprovechar esta inversion de poblacion para generar
C

radiacion laser a la frecuencia h = Eg . Ademas se pueden pulir a calidad

de espejo las caras de la union, formando as la cavidad resonante. Como
M

en el caso de los LEDS, los primeros laseres semiconductores se fabricaron

con diodos de GaAs con una longitud de onda de emision de 850 nm.
Estos laseres tuvieron una aplicacion directa en los reproductores de discos
FA

compactos (CD). Con la familia de semiconductores ternarios Al1x Gax As

se pueden fabricar diodos laser con longitudes de onda de emision entre 650
y 1050 nm. Los laseres semiconductores a 650 nm son los que se emplean
en los reproductores de discos de video digital (DVD). Nuevamente, con los
procesos de estabilizacion de dopado p en nitruros ha sido posible fabricar
laseres semiconductores con una longitud de onda de 405 nm, en el azul.
Estos son los que se emplean en los reproductores Blu-Ray.
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 345

AM
UN
6
AlN

4
GaN
e AlP
z
Eg (eV)

AlAs
GaP
en
AlSb
2 InN
GaAs InP
m

GaSb
Ji

InAs
InSb
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5

Constante de red ()
C
M

Figura 13.13: Comportamiento de la brecha para semiconductores con dife-

rentes constantes de red.
FA
 346 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

Transistores.
El transistor es sin duda el dispositivo semiconductor mas usado y que
mas ha revolucionado nuestras vidas. Toda la electronica moderna se basa en
transistores y su version miniaturizada, que permite contruir circuitos inte-
grados con millones de transistores en volumenes cada vez mas peque nos.5 En

AM
pocas palabras, un transistor es un elemento electronico en el que se controla
la conductividad electrica entre dos puntos (fuente y sumidero) mediante el
voltaje que se aplica a un tercer punto, la compuerta.
Desde su invencion en 1947, el transistor ha evolucionado de manera
continua. En la actualidad el transistor de uso mas com un el MOS-FET, que

UN
quiere decir transistor por efecto de campo de metal, oxido y semiconductor
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). En la figura 13.14 se
muestra la estructura basica de un MOS-FET tipo n sin voltaje aplicado a
la compuerta. La fuente y el sumidero son conexiones electricas que estan
en contacto con semiconductores tipo n. Estas dos regiones estan rodeadas
e z
por el cuerpo del transistor, que es un semiconductor tipo p. Usualmente
el cuerpo se conecta a la tierra electrica del circuito. Sabemos que entre el
en
cuerpo y las regiones n de fuente y sumidero se forma una region de merma de
portadores de carga. La compuerta es una capa metalica separada de fuente
y sumidero por una capa aislante de oxido. En los transistores comunes el
m

material semiconductor es silicio y la capa aislante es de dioxido de silicio

(SiO2 ). Cuando la compuerta esta al mismo potencial que el cuerpo se tiene
Ji

la situacion de la figura. La zonas de merma impiden el paso de corriente

entre fuente y sumidero.
Cuando se aplica un voltaje positivo a la compuerta, la capa metalica
C

act
ua como la placa positiva de un capacitor, y el cuerpo funciona como la
placa negativa. La capa metalica atrae electrones del cuerpo justo debajo
de la capa de oxido. Por efecto del campo electrico de este capacitor, si el
M

voltaje en la capa metalica es mayor a un voltaje umbral V0 debajo de la capa

de oxido se forma una region semiconductora que se comporta como tipo n.
FA

La zona de merma se deforma extendiendose entre fuente y sumidero. Se

genera as un canal semiconductor tipo n que conecta fuente y sumidero. El
comportamiento del MOS-FET en estas condiciones se muestra en la figura
13.15. Por tanto, con el voltaje aplicado a la compuerta de un MOS-FET es
posible controlar el flujo de corriente entre fuente y sumidero.
5
Recordemos aqu la llamada Ley de Moore (1975), que dice que el n
umero de transis-
tores en un circuito integrado se duplica cada dos a
nos.
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 347

AM
UN
e z
en
m
Ji
C
M

Figura 13.14: Transistor por efecto de campo con metal, oxido y semicon-
ductor (MOSFET).
FA
 348 CAPITULO 13. SEMICONDUCTORES.

AM
UN
e z
en
m
Ji
C
M

Figura 13.15: MOSFET en operacion.

FA
13.5. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. 349

Es posible fabricar tambien MOS-FET tipo p, en los que ahora el cuerpo

es un semiconductor tipo n. En este caso la fuente y el sumidero son semicon-
ductores tipo p, el voltaje que se debe aplicar a la compuerta es negativo, y
son huecos los que se atraen hacia la pelcula de oxido. Los circuitos digitales
de uso com un utilizan una combinacion de MOS-FET tipo n y MOS-FET ti-
po p fabricados en la misma oblea de silicio. En electronica se habla entonces

AM
de logica MOS complementaria, o CMOS.

UN
e z
en
m
Ji
C
M
FA