UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

LABORATORIO N4: SEGUIDOR DE LINEA

CURSO: SENSORES Y ACONDICIONAMIENTO DE SEALES

ALUMNO: EVANGELISTA BUSSO CARLOS COD. 20141022E

LIMA-PER
2017
 RESUMEN
El presente trabajo muestra de forma descriptiva el laboratorio N4 que
consiste en la construccin de un mvil seguidor de lnea con dos sensores
pticos infrarrojos que detectara si esta sobre una superficie oscura (lnea
negra) o una superficie clara.
 OBJETIVOS
Comprender el funcionamiento y analizar la importancia de los
sensores pticos, en este caso el sensor CNY70.
Realizar un proyecto de diseo mecnico del chasis para el seguidor
de lnea.
MATERIALES

Circuito Integrado 74LS32

Contiene 4 operadores lgicos OR. Tiene un
VIH Min. (Input High) de 2V, VIL Max. (Input
Low) 0.7V. y un Delay de 22ns Mximo

Circuito Integrado 74LS04

Contiene 4 operadores INVERSOR. Tiene un
VIH Min. (Input High) de 2V, VIL Max. (Input
Low) 0.7V. y un Delay de 22ns Mximo

2 Potencimetros de 10K
Sensores pasivos que cambian su valor de
resistencia basndose en la posicin
mecnica de su perilla. Los usados son de
norma B, por lo que son de tipo lineal.

Diodos emisores de luz

Diodos que por las propiedades de sus
materiales, presentan radiacin luminosa.

Resistencias de 330 y 1K
Resistencias usadas para establecer las
corrientes en los diferentes tramos del
circuito. Se usaron de potencia W.

Transistor 2N2222A
Transistor NPN de encapsulado plstico, de
baja potencia. Entre sus caractersticas
tenemos una corriente de saturacin base
emisor y base colector de 10uA y una
corriente mxima de corte 10nA.

Cables Jumper
Cables macho-macho de fcil sujecin a la
breadboard.
 Breadboard
Tablero con orificios conectados
internamente que permite una
implementacin ms rpida y provisional de
circuitos electrnicos.

Multmetro
Destinado a medir voltajes y resistencias que
nos permitan calibrar el circuito objetivo.

CNY70
Sensor ptico infrarrojo bidireccional
(diodo emisor y el detector fototransistor se
montan en el misma direccin).

MOTOR DE 6V
Pequeo motor trabaja con 6V y una
corriente de 80mA, tiene una velocidad con
carga de 175 RMP, torque de salida de 1.1
Kg.cm y un peso de 50g

FUNDAMENTO TEORICO
TRANSISTOR NPN

Transistor NPN

Es un tipo de transistor BJT, por lo cual est constituido de silicio o

germanio, en el cual la capa tipo P se ha colocado entre 2 capas tipo N.
Debido a esta configuracin se tienen las igualdades mostradas en la figura
1, donde tambin podemos observar la representacin electrnica de este
elemento.
 Figura 1. Esquema y caracterizacin de un
transistor BJT NPN.
Este componente requiere de una polarizacin. Las caractersticas de la
polarizacin nos determinan la zona de trabajo en la que nuestro transistor
funciona. Estas zonas se pueden observar en las curvas de trabajo del
transistor, las cuales se encuentran en el datasheet del mismo. En este
datasheet tambin encontramos los valores de voltaje y corriente crticos
para poder trabajar en las zonas de corte y saturacin. En la figura 2 se
ilustra una curva de trabajo de un transistor, en donde se identifican las tres
zonas de trabajo.

Figura 2. Curva y zonas de trabajo de un

transistor BJT NPN.
Cuando se pasa de la regin de corte a saturacin y viceversa, se puede
decir que el transistor se comporta como un switch electrnico, el cual es
controlado por la corriente de base. En la experimentacin de laboratorio, el
transistor 2N2222A fue usado de esta forma, por lo que los parmetros
deban obedecer a un cumplimiento de una corriente de base de saturacin
adecuada.

SENSOR CNY70

Se trata de una solucin compacta donde la fuente de luz (diodo

emisor) y el detector (fototransistor) se montan en la misma
direccin.
La deteccin del objeto se consigue por la reflexin (o no) del haz
infrarrojo sobre la superficie del objeto.
Existen sensores denominados de Barrera donde la fuente de luz
est enfrentada al detector y lo que se detecta es el bloqueo del haz
por parte del objeto.

DIAGRAMA INTERNO DEL SENSOR

CARACTERISTICAS DEL SENSOR CNY70

Longitud de onda del haz infrarrojo de 950nm

Intensidad del diodo emisor Iak=50mA.
Intensidad de colector Ic=50Ma
Tensin colector emisor Ice=32V
Tensin emisor colector Vec=7V.
Comsumo aproximado de 200mW.
Distancia de deteccin de 0.3cm a 0.5cm
ESQUEMA DE CONEXIN
Con esta conexin el nivel de tensin de la seal en funcin del color del
objeto ya sea este claro u oscuro ser: para color oscuro (Negro) tendremos
un aproximado de 5V y para un color claro (Blanco) un aproximado de 0v.

Luego utilizamos un inversor 74LS04 para poder obtener la seal negada y

armamos el mismo circuito para el segundo sensor en la siguiente imagen
se muestra el diagrama de conexiones.
Armamos el circuito para un sensor sin usar el negador 74LS04 y
verificamos la seal, en superficie blanca el led no se prende y el motor esta
apagado, para superficie oscura en este caso donde no hay reflexin al
aire se prende el led y el motor empieza a girar.

Superficie blanca el motor se apaga

 Superficie blanca el motor empieza a girar
*El armado del chasis se realizara despus del parcial, hasta el
momento se prob el funcionamiento de los sensores.

CONCLUSIONES
-Se dise e implemento el circuito de un robot seguidor de lnea, el
funcionamiento resulta el adecuado para superficies de colores opuestos,
solo es cuestin de calibrar el potencimetro de 50k para tener una buena
seal.

-Se logr el objetivo principal el cual fue aprender el funcionamiento de un

sensor ptico, en este caso el CNY70.

Se not que la precisin del circuito depende de las resistencias y la

velocidad del motor se puede variar con la resistencia que llega a la base
del segundo transistor 2n2222.

RECOMENDACIONES
Se encontr que los sensores infrarrojos pueden enviar estados lgicos
errneos, esto depende de las fuentes externas o ruidos se sugiere
trabajar en ligares cerrados donde no hay mucha iluminacin as poder
mitigar lo mayor posible estos factores externos.

Se debe probar primero cada sensor sin el negador asi poder observar si las
resistencias conectadas son las mejores para dar una seal que este dentro
del rango de trabajo de los integrados, revisar el datasheet de cada uno de
ellos para ver los valores de HIGH y LOW y asi evitar la zona prohibida.