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DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERIA
ACADEMIA DE BIOINGENIERIA
Elaborado por:
M. en C. Engelbert Eduardo Linares Gonzlez
PLAN 2006
UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERA
ACADEMIA DE BIOINGENIRA
Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I
INDICE
Indice 2
Prologo 3
APENDICES 75
2
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA DE BIOTECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERA
ACADEMIA DE BIOINGENIRA
Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I
PROLOGO
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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I
OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva
caracterstica.
OBJETIVOS PARTICULARES
Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multmetro.
Determinar el estado del diodo (conduccin) aplicando la polarizacin directa e
inversa.
Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores.
INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de
los aos cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la
electrnica. La miniaturizacin que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus
alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces
ms pequea que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo ms simple de
dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempea un papel
importante en los sistemas electrnicos; Con sus caractersticas que son muy similares a la
de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las ms
sencillas a las ms complejas.
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos
de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante tcnicas especiales. En el
momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de
la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a
la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unin, debido a la disminucin de
portadores en ella.
ANODO CATODO
---------------------->
Figura 1.
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A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llama corriente
de saturacin inversa (IS). Mediante el empleo de la fsica del estado slido se ha llegado
a encontrar que la corriente a travs del diodo semiconductor es una funcin del voltaje
aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera:
ID= IS [ e KV/T- 1]
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MATERIAL
DESARROLLO EXPERIMENTAL
a) Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que esta
utilizando, dibuje y anote sus observaciones.
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Figura 2.
TABLA 1
ID mA
VD VOLTS
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VOLTMETRO
XMM2
AMPERMETRO
XMM1
1 4 2
D1
V1 12 V R1 1.0k
Figura 3:
TABLA 2
ID mA
VD VOLTS
Figura 3.
TABLA 3
ID mA
VD VOLTS
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VOLTMETRO
AMPERMETRO XMM2
XMM1
P1
10 K
1
4 2
50%
3 D1
V1 8V R1 1.0k
Figura 4.
AMPERMETRO
XMM1
2
R1 1 3 A
VOLTMETRO
XMM2
1.0k
D1
Zener
V1 15 V
Figura 5.
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d) Para cada valor de VAB y su correspondiente ID, calcule la resistencia RZ del diodo
( RZ = VAB/ID ), anote sus resultados en la columna correspondiente.
AMPERMETRO
XMM1
2
R1 1 3 A
VOLTMETRO
XMM2
1.0k
Zener
V1 15 V D2
B
Figura 5
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TABLA 5
c) Grafique la resistencia del diodo en funcin del voltaje tanto para la configuracin
de polarizacin Directa como en polarizacin Inversa.
EXPERIMENTO 5.
CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN FRECUENCIAS ALTAS.
OSCILOSCOPIO
GENERADOR DE XSC1
SEALES G
XFG1
T
A B
4 5
R1
220
Figura 6.
b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5 VPP, partiendo de 10 Hz,
realice incrementos en la frecuencia hasta un maximo de 20 MHz.
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CUESTIONARIO
12. Cuales son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.
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OBJETIVO GENERAL
Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor como elemento de rectificacin
para una seal senoidal e interpretar la respuesta caracterstica.
OBJETIVO PARTICULAR.
Utilizar el diodo semiconductor como rectificador de media onda y sus
diferentes configuraciones para rectificacin de onda completa.
Identificar las etapas de una fuente de voltaje regulada.
Experimentar con los elementos que conforman cada una de las etapas de la
fuente de voltaje regulada.
Observar y medir las formas de onda en la salida de cada uno de los
rectificadores: de media onda, de onda completa, con filtro capacitivo, y con
dispositivo regulador de voltaje.
INTRODUCCIN
Diodo Rectificador.
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Es la aproximacin mas simple; se utiliza para obtener respuestas rpidas y es muy til
para la deteccin de averas, esta aproximacin consiste en suponer que en la zona directa
el diodo se comporta como un conductor perfecto resistencia nula y en la zona inversa
como un aislante perfecto con resistencia infinita, cuando la tensin es muy elevada y la
corriente muy pequea el diodo real se comporta como un diodo ideal.
Segunda aproximacin.
Tercera aproximacin.
Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, rB, adems de la tensin de umbral.
Una vez que el diodo entra en conduccin se considera que la tensin aumenta
linealmente con la corriente.
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Existen tres configuraciones bsicas de rectificadores que son las siguientes: media onda;
onda completa con derivacin central y onda completa.
Diodo Zener.
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MATERIAL
Osciloscopio.
Multmetro.
Puntas de prueba.
Generador de seales.
Fuente de voltaje.
1 Clavija.
1 Transformador de 120 VCA a 12VCA 18VCA en el secundario con derivacin
central a 500 mA.
Un puente rectificador a 1 A.
6 Diodos 1N4004.
2 pares de Diodos zener para 3, 9 y 12 volts.
1 Capacitor de 1000 F a 25 V.
2 circuitos integrados LM7812 o LM7808 con hojas de caractersticas.
Resistencias varias, mayores a 1K.
Tablilla de experimentacin (protoboard).
DESARROLLO
EXPERIMENTO 1.
EL DIODO SEMICONDUCTOR COMO RECTIFICADOR DE ONDA.
Figura 1
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EXPERIMENTO 2.
Figura 2
EXPERIMENTO 3.
PUENTE RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Figura 3
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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I
EXPERIMENTO 4.
a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
puente rectificador, dibuje e indique a que polaridad corresponde cada terminal,
agregue al circuito rectificador de voltaje el capacitor (Filtro), teniendo cuidado de
respetar la polaridad de las terminales, como se muestra en la figura 4.
Figura 4
EXPERIMENTO 5.
a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
regulador de voltaje.
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Figura 5.
c) Con el osciloscopio observe, dibuje y mida las seales que se obtienen entre los
puntos A y B, C y D.
EXPERIMENTO 6.
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE.
Figura 6
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CUESTIONARIO
6. Explique cual es la diferencia entre las series 78xx y 79xx, de los circuitos
reguladores de voltaje.
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OBJETIVO GENERAL
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCION
El estado ON (de paso, de polarizacin directa) puede ser considerado como un corto
circuito.
El estado OFF (de bloqueo, de polarizacin inversa) puede ser tratado como un circuito
abierto.
RECORTADOR SERIE:
Cuando se tiene el diodo en forma directa sugiere que la seal de entrada debe ser
positiva para encenderlo. La fuente DC requiere que el voltaje de entrada sea mayor que
el voltaje en el circuito. La regin negativa de la seal de entrada est presentando al
diodo hacia el estado apagado, soportado ms aun por la fuente DC.
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Para un voltaje mayor de entrada que el de la fuente interna del circuito el diodo est en
estado de corto circuito, mientras que para los valores de entrada menores esta en circuito
cerrado o apagado.
RECORTADOR PARALELO:
CAMBIADORES DE NIVEL:
Una red cambiador de nivel es la que cambia una seal a un nivel diferente. La red debe
tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo; pero tambin puede usar una fuente
de DC independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional.
La magnitud de R y C debe elegirse de tal formar que la constante de tiempo t = RC es lo
suficiente grande para asegurar que el voltaje a travs del capacitor no se descargue de
manera significativa, durante el intervalo en que el diodo no esta conduciendo. A travs
de todo el anlisis se asumir que para propsitos prcticos, el capacitor se cargara o
descargar totalmente en cinco constantes de tiempo.
Durante el periodo en que el diodo esta en estado encendido, se asumir que el capacitor
se cargar de manera instantnea al nivel de voltaje que determine la red.
Se debe tener en mente la regla general de que la excursin total de voltaje de salida debe
ser igual a la excursin de voltaje de la seal de entrada.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
Figura 1
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d) Remplace la fuente V1 de 1.5 volts por otra de 3 volts, en serie con el diodo,
auxilindose con el osciloscopio, observe la seal de salida en los extremos del
diodo y la fuente en serie y dibuje la seal obtenida. Bajo esta nueva condicin
mida el voltaje pico a pico en la resistencia R1.
e) Calcule la seal de salida en el arreglo serie fuente diodo para ambos casos y
determine el porcentaje de error entre la seal experimental y la calculada.
EXPERIMENTO 2.
RECORTADOR POLARIZADO
Figura 2
c) Ajuste la perilla del potencimetro de tal forma que el voltaje en cada extremo del
potencimetro sea igual.
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Figura 3
b) Calcular los valores de la resistencia y del capacitar de tal manera que la constante
de tiempo del circuito , sea equivalente a la frecuencia de 60Hz, con este clculo
se obtiene que el capacitor no descargue antes de que la seal de entrada
complete el ciclo.
Nota: T >> 5
c) Mida la seal de salida en el diodo, anotar la forma de voltaje que tiene la seal de
salida y dibuje la forma de onda.
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CUESTIONARIO
10. Cmo contribuye la fuente de voltaje en serie con el diodo en el cambio de nivel?
11. Se puede disear un cambiador de nivel de tal manera que pueda modificar el
nivel tanto positiva como negativamente?
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OBJETIVOS
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser
un PNP.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones; una entre el emisor
y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados:
"Diodo de emisor" y "Diodo de colector". El transistor NPN, primeramente cuando est
sin polarizar se produce una "Difusin", donde los electrones cruzan de la zona N a la
zona P, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan.
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Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera
de potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin C-
B.
Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes.
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.
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Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus ese
electrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.
Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es
ms de los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan en
la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.
La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el
"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es
la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por
ejemplo el 1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un
dispositivo de control.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
2N2222
Figura 1.
Figura 2
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ;
para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor
mximo del potencimetro.
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Figura 3
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ,
a cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.
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Figura 4
c) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del
voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
EXPERIMENTO 5
f) Con el Multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.
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Figura 5.
CUESTIONARIO
1. Indique en que seccin de las curvas de operacin del transistor se encuentran las
zonas de saturacin y de corte.
2. Explique porque en cada una de las curvas de operacin del transistor existe una
relacin de voltaje con respecto a la corriente.
3. Indique cuales son los parmetros que se deben considerar para variar la regin
de trabajo en un transistor.
5. De las corrientes que circulan a travs del transistor, Cul es la mayor, cual es la
menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?
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OBJETIVO GENERAL
OBJETIVO PARTICULAR
INTRODUCCIN.
Transistor Transistor
NPN PNP
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1
Figura. 2
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EXPERIMENTO 2
Figura. 3
b) Calcule los valores de las resistencias de polarizacin R1, R2, RC Y RB, de tal
manera que el transistor se encuentre operando en la regin activa.
EXPERIMENTO 3
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Figura. 4
Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.
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OBJETIVO GENERAL:
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
- vcc
RC RC
V1 V2
T1 T2
-
- VI 2
VI 1
+
+
RE
-VEE
Figura. 1
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Observe que el circuito posee dos entradas separadas, dos salidas separadas y los
emisores estn conectados entre si, mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar
utilizando solo una de ellas. Es posible obtener un nmero de combinaciones de
seales de entrada si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra
entrada conectada a tierra, la operacin se denomina " terminal simple'.
Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuente regulada de 0 a 30 VCD.
2 Resistencias de 1 K, 47 K, 10 K y otros valores.
2 Capacitores de 1 F, 470 F, 12 nF.
6 Transistor 2N222.
6 Transistores BC547 o BC548.
1 Transformador de 127 VCA a 12 VCA a 500mA con derivacin central.
2 Potencimetros de 10 K y 50 K.
Protoboard
Multmetro.
Un juego de cables para conexin.
Tres puntas para osciloscopio.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
+ vcc=15V
<------------
<-----------
IC1 IC2
RC RC
Vo
IB1 IB2
------------> <------------
+ -
T1 T2
-
IE1 IE2
- V2
VI 1 ----------> <-----------
+
+
<-------------
IEE
RE
-VEE = 15V
Figura. 2
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b) Con el Multmetro mida el voltaje de salida V0, las corrientes de emisor IE1, 1E2,
IEE, las corrientes de colector Ic1, Ic2 y las corrientes de base IB1, IB2; para los
siguientes casos:
EXPERIMENTO 3
+VCC = 15V
<------------
IC
RC
IB1 IB2
V0
-----------> <------------
T1
T2
IE 1 IE 2
----------> <----------
RB1 RB2
<------------
RE IEE
-VEE = 15
Figura. 3
b) Calcule tericamente las corrientes de emisor IE1, IE2, IEE , la corriente de colector
IC, y las corrientes de base IB1, IB2,
e) Empleando transistores con beta (hfe) distinta, repetir los incisos anteriores.
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Figura. 4
c) Partiendo del valor mnimo del generador de seales, ajuste la salida hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador.
d) Con el osciloscopio obtenga las formas de onda y los valores pico a pico de
voltaje VBE1, VBE2, VCE1, VCE2.
e) Obtenga la forma de onda del voltaje de salida (Vsal) pico a pico entre los puntos
A y B, anote sus observaciones.
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c) Partiendo del valor mnimo del generador de seales, ajuste la salida hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador.
d) Con el osciloscopio observe y mida el valor pico a pico del voltaje de las bases
de los transistores Q1, Q2 respecto a tierra y comprelos con la seal de entrada.
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Figura 5.
CUESTIONARIO
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OBJETIVO GENERAL
Determinar el funcionamiento de un transistor de efecto de campo
OBJETIVOS PARTICULARES
Determinar la dependencia exponencial dada por la ley de SHOCKLEY entre la
corriente I0 y el voltaje VGS.
INTRODUCCIN:
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
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La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N
entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa
estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas
desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva (Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en
toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la
ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de ste disminuye.
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1 Generador de funciones
1 Osciloscopio.
3 puntas para osciloscopio.
1 Fuente de voltaje variable.
6 Transistores 2N5457, 2N5458 2N5484.
Resistencias de 12 K, 27 1/2watt.
3 Bateras de 1.5 V.
1 Portapilas.
Tablilla de experimentacin (Protoboard).
Multimetro Digital.
1 Juego de alambre para conexin.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
Figura. 1
d) Con el Multmetro mida el valor de lDSS, para cada uno de los incrementos.
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c) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.25
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.25 volts).
d) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VDD hasta obtener valores de VDS de 0 a
15 Volts en intervalos de tres volts cada uno.
Figura 5.
h) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts).
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Figura.3
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CUESTIONARIO
10. Explique la operacin del FET en las zonas de corte y saturacin en las curvas
de caractersticas.
14. Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.
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OBJETIVO GENERAL:
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
Diodos de Potencia
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad ( o de
recuperacin rpida) y Schottky, los diodos de uso general estn disponibles hasta
3000V, a 3500, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar
hasta 3000 V, 1000 A, el tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 S, los
diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores
de potencia a altas frecuencias, un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo,
los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga
aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A, un diodo
conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada
de voltaje en directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V, si el
voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en
modo de bloqueo.
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Tiristor (SCR)
Figura 2. SCR
La interpretacin directa de la curva del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin
entre nodo y ctodo es cero, la intensidad de nodo tambin lo es, hasta que no se
alcance la tensin de bloqueo (VBo), el tiristor no se dispara, cuando se alcanza dicha
tensin, se percibe un aumento de la intensidad en nodo (IA), disminuye la tensin
entre nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente.
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DIAC
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de
sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensin de cebado o de disparo, hasta que la tensin aplicada entre sus terminales
supere la tensin de disparo, la intensidad que circula por el componente es muy
pequea, al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente.
Figura 4. DIAC
TRIAC
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Figura 6. TRIAC
Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuentes reguladas de voltaje 0 a 30VCD.
2 Resistencias de 220, 470, 560, 1K, 5.1K, 10K, 15, 100 y otros
valores.
2 Fotorresistencias.
2 Presets o potencimetros de 10K, 500K, 1M.
2 Capacitores de 0.027F, 0.33F, 33F, 47F, 100F, 220F, 470 F, 12 nF.
2 Diodos rectificadores 1N4002
4 Diodos Rectificadores 1N4004
3 Diodos LED varios colores.
2 SCR MCR106 o C106 o TIC106 .
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
C1 C3
C 5 6
D
4
47uF-POL 220uF-POL
+
D1 D2 D3 D4
Linea de 1N4004 1N4004 1N4004 1N4004
alimentacin 12 O 18
127 VCA VCA MULTIMETRO
XMM1
- C2 C4
1 2 3
A 100uF-POL B 470uF-POL E
Figura 8.
c) Con el Multmetro mida los voltajes en los puntos A-B, C-D y A-E.
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Manual de Laboratorio: ELECTRNICA I
C1 D3
5 6
MULTIMETRO
XMM1
33uF-POL 1N4004 C3
D1
1N4004 33uF-POL
+
Linea de +
alimentacin 12 O 18
VCA 2 SALIDA
127 VCA
-
- D2 C4
1 1N4004 33uF-POL
C2 D4
3 7
33uF-POL 1N4004
Figura 9.
EXPERIMENTO 3 SCR
R3
LED1 220
S1
R1
4 3 2
A S2
8
R2
560
1
7
G
6 10K
K
V1 50%
12 V
5
Figura 10.
h) Verifique que el voltaje en las terminales del SCR decrece a un valor muy bajo,
alrededor de 0.1 a 3 volts.
j) Realice las mediciones de IG, VAK e IK, desde 0 volts hasta que el LED enciende y
construya la grafica correspondiente al SCR.
EXPERIMENTO 4
R1
560
S1
15
9 4
B
R3 A
R4
220 11
127 VCA 12 o 18 V1
5.1k G
VCA 12 V 3
5 R5 K
R2 1.1k
10K
50%
0
Figura. 11
c) Cierre el interruptor S2, a partir de cero vari poco a poco el potencimetro R2,
y observe con el osciloscopio en los puntos B y C el efecto que existe en la seal.
d) Anote los ngulos de conduccin, mida IG, IK para tres diferentes ngulos y
comente sus observaciones.
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EXPERIMENTO 4 TRIAC
LED1
S1
R2 R3
R1 5 4
3 1 0 6
MT1 560
510 10K 50% VDD
VGG 12 V
12 V 2
MT2
0
Figura 12.
6 2 Amp
V1 R1 Neon
10k 5
120 V
3
60 Hz R2
0Deg SALIDA
500 K 4 MOTOR
LAMPARA
50%
C1
0.33uF-POL
250V
7
Figura 13.
63
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e) Construya una tabla con los diferentes valores de corriente y voltaje obtenidos
en el potencimetro y en la salida.
Figura 14.
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Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.
CUESTIONARIO
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OBJETIVO GENERAL:
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
Foto Diodos
El foto diodo, se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial; es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica de acuerdo a la cantidad de luz que incide sobre el, esta corriente
elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo (est corriente se llama,
corriente de fuga), en sentido opuesto a la corriente en los diodos semiconductores
normales.
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Foto Transistor
2. Como foto transistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base (IB) (mudo iluminacin).
COLECTOR
PHOTODIODE
NPN1
BASE
Ib
EMISOR
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CIRCUITOS INTEGRADOS
El termino sin modificar, CI, se utiliza para describir aquellos circuitos integrados
compuestos de menos de 60 elementos, si un circuito integrado contiene ms de 60
pero menos de 300 elementos, se utiliza el termino escala de integracin media (MSI,
mdium-scale integration), si el nmero de elementos es mayor que 300 pero menor que
1000, el circuito es de escala de integracin grande (LSI, Large-scale integration), la escala
de integracin muy grande (VLSI, Very large scale integration) se refiere a aquellos
circuitos integrados con ms de 1000 elementos.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
V1 1.0k 0
3
12 V 4 2N2222
D1
IR
FT
0
0
0
0
3 cm
Figura 4.
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EXPERIMENTO 2
R3 R5
S1 680 680 R6 1N4001 D2
S2
R2 5 9 2M 50% CR
1
100 K Q1 10
L1
2 R1 R4 100 W
220 50% 7
8
Q2
12
1.0k LED1
V1 3 V2
4 2N2222
12 V
2N2222 120 V 13
D1 0
IR 60 Hz
FT
0 0Deg
0
0
0
0
Figura 5.
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14
P1
1M 8
50% CI 4093B 10
1
R1 1 7
3 3
5 9 4
10k 4
2 12
9 11 V1
2 C2 12 V
6
100uF-POL
13 7
T1
5
0
R2 0
0
0 C1 47k
47nF
0
10
R3
220
6
B
0
MOC 8
Figura 6.
71
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8 U1
P2 R3 VCC
5M 1.1M 4
R4
4 RST OUT 3 8
50%
1.0k
R2 6 Q3
2 7 DIS 7 V1
47k 12 V
6 THR 2N2222
R1 3 2
LM555CM
TRI
1.1M
5 CON
10 C2
Q1 GND
A A C1 1 220uF-POL
2N2222 33uF-POL R5
Q2 220
1
2N2222
B
0
11
OPTOTRIAC V2
5 9
L1
120 V
60 Hz
0Deg M1
M
MOTOR
0 5V_1W
100 W
12
Figura 7.
i) Dirija el haz luz del control remoto hacia el fototransistor T1, observe el efecto
sobre el motor al presionar cualquier tecla.
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CUESTIONARIO
24. Determine las longitudes de onda para los diodos Infrarrojo, azul y verde.
27. Explique la diferencia entre los circuitos integrados Lineales y los circuitos
integrados No Lineales.
28. Explique las tecnologas de diseo de circuitos integrados MSI, LSI y VLSI.
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OBJETIVO GENERAL:
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
Indicar y justificar el porque del proyecto elegido, puede ahondarse en el tema con un
prembulo histrico.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
BIBLIOGRAFIA
Anexar las referencias consultadas en la realizacin del prototipo.
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APENDICE A
a) Multimetro.
b) Protoboard.
c) Pinzas y desarmadores necesarios.
d) 3 puntas de osciloscopio (sin atenuar).
e) 3 pares de puntas banana caimn.
f) Traer un trozo de franela por equipo.
10) Utilizar solo las puntas adecuadas para cada equipo de laboratorio.
13) Se prohbe hacer uso del cautn en las mesas de trabajo, para ello, existen mesas
asignadas.
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APENDICE B
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APENDICE C
VALORES TIPICOS DE CONDENSADORES
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