Ingeniera, negocios e innovacin

V o l u m e n 1 , n m e r o 1 | e n e rMoreno
o - j u n i oRubio,
d e 2 0 Cuevas
1 5 | I S&
S NTinjac
2 4 6 2 -Soler
9049

Diseo de un amplificador
clase F inverso a 3.5 GHZ
usando tecnologa GaN-HEMT

reporte de investigacin
Diseo de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnologa GaN-HEMT

www.unitec.edu.co

Jorge Julin Moreno Rubio, Ph. D.

William Alexander Cuevas, M. Sc.(c)
Jonathan Javier Tinjac Soler
Grupo de Investigacin en Telecomunicaciones GINTEL.
Correo electrnico: williamalexander.cuevas@uptc.edu.co (autor corresponsal)

32 Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44

 Ingeniera, negocios e innovacin
Vo l u m e n 1 , n m e r o 1 | e n e r o - j u n i o d e 2 0 1 5 | I S S N 2 4 6 2 - 9 0 4 9

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Diseo de un amplificador clase

F inverso a 3.5 GHZ usando
tecnologa GaN-HEMT
Jorge Julin Moreno Rubio, Ph. D.
Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

William Alexander Cuevas, M. Sc.(c)

Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

Jonathan Javier Tinjac Soler

Estudiante Ing. Electrnica
Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

Recibido: 11 de octubre de 2014

Aceptado: 19 de marzo de 2015

resumen
En el artculo se presenta el mtodo de diseo de un eficiente amplificador de potencia para alta frecuencia,
polarizado en clase AB y en configuracin clase F inverso para sintonizacin de armnicos. Para ello se
emplea un dispositivo activo comercial GaN-HEMT CGH40010, con el propsito de hacer la caracterizacin
adecuada del dispositivo y poder apreciar las formas de onda de corriente y de voltaje que se obtiene al
configurar la alta impedancia al segundo armnico y corto circuito en el tercer armnico. Se explican adems
los parmetros ms importantes a tener en cuenta para el diseo de las redes de acople de entrada y de
salida y la verificacin de resultados por medio del software Advanced Design System.

palabras clave
Amplificador de potencia, clase F inverso, GaN-HEMT, ganancia, eficiencia.

Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44 33

Diseo de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnologa GaN-HEMT
Design of a 3.5 GHZ inverse class F
amplifier using GaN-HEMT technology
abstract
This paper explains the method for designing an
efficient high-efficiency polarized class-AB power
amplifier with inverse class-F configuration for
tuning with harmonics. A GaN-HEMT CGH40010
commercial active device will be used in order
to adequately characterize the device and enable
observation of the I_DS and V_DS waveforms
obtained by configuring high impedance at the
second harmonic and short circuit at the third
harmonic. The paper also explains the most
important parameters to be taken into account
in the design of the input and output coupling
networks and the verification of the results using
Advanced Design System software.
keywords: power amplifier, inverse
class-F, GaN-HEMT, gain, efficiency
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Projeto de um amplificador tipo F inverso
a 3.5 GHZ usando tecnologia GaN-HEMT
resumo
No presente artigo apresenta-se o mtodo de
projeto de um eficiente amplificador de potncia
para alta frequncia, polarizado em tipo AB e em
configurao tipo F inverso para sintonizao de
harmnicos. Para isso se emprega um dispositivo
ativo comercial GaN-HEMT CGH40010, com o
propsito de fazer a caracterizao adequada do
dispositivo e poder apreciar as formas de onda de
corrente I_DS e de voltagem V_DS que se obtm ao
configurar a alta impedncia ao segundo harmnico
e curto circuito no terceiro harmnico. Tambm
so explicados os parmetros mais importantes a
levar em considerao para o desenho das redes
de acople de entrada e de sada e a verificao de
resultados por meio do software Advanced Design
System.
palavras-chave: amplificador de potncia, tipo
F inverso, GaN-HEMT, ganho, eficincia.
Este es un artculo de acceso abierto distribuido bajo los
trminos de la licencia de Creative Commons Reconocimiento-
No comercial-Sin obra derivada (CC BY-NC), la cual permite
su uso, distribucin y reproduccin de forma libre siempre
y cuando el o los autores reciban el respectivo crdito.

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Introduccin
E
n muchos sistemas de microondas empleados
en las telecomunicaciones, los radares y la
medicina, entre otros, los amplificadores
de potencia (PA, del ingls Power Amplifier) son de
vital importancia (Colantonio, Giannini, & Limiti,
2009; Osepchuk, 2002; Sobol & Tomiyasu, 2002), ya
que cumplen la funcin de convertir la potencia DC
en potencia de RF (Colantonio, Giannini, & Limiti,
2009). Dicha conversin implica que una fraccin de
la potencia suministrada se pierde y se disipa en el
dispositivo activo de potencia, razn por la cual se
debe buscar alta eficiencia en el diseo del PA, pues
al mejorar el consumo de la energa se reducirn los
efectos trmicos y se incrementar la vida til de los
dispositivos, lo que se traduce en una reduccin en
los costos de transmisin de la informacin (Kim,
Moon, & Kim, 2010).
Los PA, por lo general, se clasifican en funcin de
su clase de operacin, segn un estndar tradicional
que va desde la seleccin del punto de trabajo o la
regin de polarizacin del dispositivo activo, segn
lo determinado por sus condiciones de inactividad
(clase A, AB, B o C), hasta la seleccin de topologas
de red coincidentes para modo de corriente donde
se adoptan criterios para la conformacin de onda,
con el objetivo de maximizar la potencia de salida,
la eficiencia o ambas (Load Tuned, clase F, clase F
inverso) (Inoue, Heima, Ohta, Hattori, & Mitsui,
2000) o para las condiciones de funcionamiento del
Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44
Moreno Rubio, Cuevas & Tinjac Soler
dispositivo activo identificando el ciclo de trabajo
de conmutacin (clase E, clase S, etc.) (Colantonio,
Giannini, & Limiti, 2009).
Actualmente los dispositivos a utilizar se pue-
den escoger entre una amplia gama de tecnologas
(cualquiera que sea su aplicacin); por ejemplo, para
dispositivos activos amplificadores son utilizados
el silicio (Si) y el arseniuro de galio (GaAs) (en la
produccin de dispositivos a gran escala con fines
comerciales). Sin embargo, nuevas tendencias llevan
a utilizar materiales como el nitruro de galio (GaN)
(Camarchia et al., 2013; Fang et al., 2011; Rubio et al.,
2012; Rubio et al., 2011) y el carburo de silicio (SiC)
en el desarrollo de dispositivos de alta densidad de
potencia, ya que permiten equilibrar adecuadamente
la transferencia de calor para evitar picos en la tem-
peratura que causen fallas en el dispositivo.
Entre algunos dispositivos se destacan el BJT,
HBT, FET, MOSFET, LDMOS, MESFET y HEMT
(Colantonio, Giannini, & Limiti, 2009). El HEMT es
un transistor con alta movilidad de electrones muy
utilizado en amplificadores de potencia, ya que logra
mayores niveles de potencia de salida. Los materiales
comnmente usados en este dispositivo son arseniuro
de galio-aluminio (AlGaAs), tecnologas hibridas (Al/
InGaAs) y aluminio nitruro de galio (AlGaN).
En este artculo se presenta un mtodo sencillo de
diseo de un amplificador para trabajar a frecuencia
de 3.5 GHz polarizado como uno de clase AB y en
35
Diseo de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnologa GaN-HEMT

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modo de control de armnicos como uno de clase F Figura 1. Clase de operacin definida como el
ngulo de conduccin de la corriente de salida
inverso, de manera que se tenga carga ptima para la
frecuencia fundamental, circuito abierto o alta impe-
dancia en el segundo armnico y corto circuito para
el tercero; para ello se utiliza un dispositivo HEMT
CGH40010 y, por ltimo, se lleva a cabo la simulacin
del amplificador diseado con el fin de verificar las
formas de onda de voltaje y corriente de drain.

Diseo del
amplificador
clase F inverso
Como ya se mencion, el diseo a presentar se en- Figura 2. Punto de polarizacin con el dispositivo inactivo
cuentra polarizado en clase AB. Esta clasificacin de
los PA se determina segn el ngulo de conduccin
de corriente o punto de polarizacin (tabla 1) (Co-
lantonio, Giannini & Limiti, 2009).

Tabla 1. Clasificacin de los PA en

trminos del punto de polarizacin

Clase de operacin ngulo de conduccin de

corriente

A = 2*

AB < < 2*

B =

C < Debido a que el CGH40010 es un transistor de

En las figuras 1 y 2 se presenta las formas de onda
de la seal de corriente en el tiempo para el drain
del dispositivo y las curvas de corriente de drain (ID)
contra voltaje drain surce (VDS).
efecto de campo (FET), tiene elementos reactivos
intrnsecos asociados al dispositivo en la entrada y
en la salida; estos elementos forman las denominadas
redes parsitas (Moreno, Angarita, & Cuevas, 2014).
Siguiendo el mtodo propuesto en Moreno, Angarita
y Cuevas (2014) se llega a determinar que la red par-
sita asociada al dispositivo CGH40010 es (figura 3):

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Figura 3. Circuito equivalente con IDS=0

Drain intrnseco Drain extrnseco

Lp=0.45nH

Cp=1.46pF

El valor Lp es la inductancia parsita y el valor Cp
es la capacitancia parsita del dispositivo. Como la
idea es poder acceder al drain intrnseco del disposi-
tivo, se deben poner los valores negativos de la red
parsita encontrada; este procedimiento se realiza con
el fin de cancelar los efectos internos del dispositivo.
Luego de tener acceso al drain intrnseco se ubican
dos elementos de prueba, los cuales consisten en un
ampermetro y un voltmetro. Este proceso puede
llevarse a cabo en simulacin, debido a que es viable
colocar elementos de valores negativos; pero como
se sabe que en la prctica estos elementos no son
posibles de conseguir, es necesario volver a colocar
la red parsita despus de los elementos de medida
y lo que se hace es una compensacin por medio de
lneas de trasmisin para as cancelar los efectos no
deseados. El procedimiento descrito se puede observar
grficamente en la figura 4 (en Moreno, Angarita y
Cuevas, 2014, se presenta el procedimiento en detalle).

Figura 4. Forma de acceder al drain intrnseco en simulacin

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Luego de haber encontrado la red parsita asociada
al dispositivo, se procede a realizar el diseo de la
red de salida para el amplificador clase F inverso. Las
condiciones que se deben tener en cuenta son: carga
para el segundo armnico circuito abierto (R2H = ),
carga para el tercer armnico corto circuito (R3H = 0)
y carga para la componente fundamental 1.4142 veces
la carga Tune Load (RF = 2 * RTL) (Colantonio, Gian-
nini, & Limiti, 2009; Young, Youngoo, & Kim, 2014).
En la figura 5 se muestra un esquema por bloques
del diseo para la red de salida del PA clase F inverso.
Figura 5. Esquema por bloques para el control de armnicos
Para el control del segundo armnico se dise una
red que hiciera ver en el drain extrnseco una carga
infinita o muy alta. Para este proceso utiliz el circuito
de polarizacin de la fuente de salida, la cual consista
en una proteccin de la potencia RF a la fuente DC
utilizando una red de 90, 45 y 90 antecedida de
una lnea de transmisin en serie (figura 5).
Las lneas de transmisin de 90 son llamadas
lneas lambda cuartos (/4) y tienen una caracterstica
especial; si lambda /4 se encuentra a un circuito
abierto (alta impedancia Z ) en uno de sus
extremos, en el otro extremo se observa un corto
circuito (baja impedancia Z 0), y si se encuentra
un corto circuito en uno de sus extremos, en el otro
se observa un circuito abierto. Por tal motivo, la red
presentada en la figura 5 es una red de polarizacin
para proteccin de potencia RF a la fuente DC. Para
la frecuencia fundamental la lnea de transmisin
(TX) 1 observa un circuito abierto en el extremo
1, por tanto, el extremo 2 es un corto circuito que
sera lo que observa la TX 3 en el extremo 1; as, el
extremo 2 sera un circuito abierto y por tal motivo
la corriente es perezosa (escoge el camino con menor
resistencia) y no escogera ese camino sino que se
conducira hacia la TX 5.
Por otra parte, para el segundo armnico (o dos veces
la frecuencia fundamental) todas las lneas cambian
su longitud elctrica a dos veces tambin, de tal modo
TX 1 ya no es 90 sino 180 y as sucesivamente; por
tanto, la TX 2 es la que maneja el control, debido a
que observa un circuito abierto en 2 y lo pasa a corto
circuito en el extremo 1. Lo anterior sera lo que se
coloca en el extremo 2 de TX 3 y con TX se hace el
cambio del ngulo de la impedancia, llevando a alta
impedancia el segundo armnico.

Figura 5. Red para el control del segundo armnico y proteccin de la fuente DC por potencias RF, con lneas ideales
1 2 1 2

T LIN 1 T LIN
V ar
E qn
V AR T L1 T LIN T L2
V AR 1 Z=50.0 Ohm T L3 Z=50.0 Ohm
A=87.58 {t} E =90 Z=50.0 Ohm E =45
F =3.5 G Hz E =90 F =3.5 G Hz
2 F =3.5 G Hz

1 2 1 2 1 2
1 L
C T LIN T LIN
L4
C4 T L4 T L5
L=0.45 nH
C =1.46 pF Z=50.0 Ohm Z=50.0 Ohm
R=
E =A E =-A
2
1 F =3.5 G Hz F =3.5 G Hz

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Para un clase F inverso se debe hacer un control
sobre el tercer armnico, de tal forma que el drain
extrnseco debe observar un corto, es decir, baja im-
pedancia, debido a que el CGH40010 opera correcta-
mente para frecuencias de 6GHz (Cree Corporation,
2006-2011); su ancho de banda se limita a ese valor
y como el diseo realizado es para 3.5 GHz, el tercer
armnico es 10.5 GHz. Por lo anterior, el drain va
observar un corto sin necesidad de realizar la red de
control para el tercer armnico.
La red de acople de carga a la fundamental se
dise teniendo en cuenta algunas consideraciones,
como que la red de dos puertos de salida cumpliera
con los siguientes requisitos: los coeficientes de re-
flexin (s1,1 y s2,2) fueran cero y los coeficientes de
transmisin (s1,2 y s2,1) fueran 1; en este sentido,
se consigui que la matriz de parmetros S de la red
de dos puertos fuera:
s = 01 [ ]
10
El procedimiento anterior se llev a cabo con el
fin de lograr la mxima transferencia de potencia de
la entrada a la carga, ya que de reflejarse la potencia
entre los puertos, se pierde eficiencia y ganancia en
el diseo. Para obtener esta red se coloc una red con
lneas de transmisin que compensara la red parsita
por medio de una lnea en serie, luego un stub en abierto
y, posteriormente, otra lnea en serie. De este modo se
finaliz el diseo de la red de salida para el PA clase F
inverso. En la figura 6 se observa el diseo en TX de
la red de salida para lograr la matriz de parmetros S.

Figura 6. Red para el control de la frecuencia fundamental y compensacin de la red parsita, con lneas ideales

1 2 1 2 1 2

V ar VAR T LIN T LIN T LIN

E qn
VAR 3 T L15 T L12 1 T L14
D=54.9 Z=50.0 Ohm Z=50.0 Ohm T LIN Z=50.0 Ohm
C =134.9 E =A E =C T L13 E =E
E =55.052 F =3.5 G Hz F =3.5 G Hz Z=50.0 Ohm F =3.5 G Hz
E =D
2 F =3.5 G Hz

A continuacin se presenta el diseo de la red de Por clculo , pero

entrada para el PA clase F inverso. Las condiciones
empleadas para la polarizacin DC del dispositivo
fueron 28 VDC en el drain y 2.7 VDC en el gate;
como se haba mencionado, la carga del PA clase F
inverso es 1.4142; la carga del PA tune load se calcula
por medio de la siguiente ecuacin (Colantonio,
Giannini, & Limiti, 2009):
por proteccin de corriente en el dispositivo se uti-
liza ; as que la carga
para el armnico fundamental es
.
La impedancia de la red de entrada es aquella
conjugada de la red de salida; esto es as para cum-
plir el teorema de mxima transferencia de potencia
sobre el dispositivo CGH40010. Adems, en la red de
entrada se dise una red con lneas de transmisin
anchas para de este modo ampliar el ancho de banda
del dispositivo (figura 7).

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Figura 7. Red de entrada diseada, con lneas ideales

1
V _DC
S R C1 1 2 1 2
V dc=-2.7 V
TLIN TLIN
21 TL20 TL18
Z=50.0 Ohm 1 Z=50.0 Ohm
E =90 TLIN E =45
F =3.5 G Hz TL19 F =3.5 G Hz
Z=50.0 Ohm
E =90
2 F =3.5 G Hz 2
1 2
R C G H40010F _r6_C G H40_r6
1 2 1 2 1 2 1 4
R1 X1
C ree C GH40010F
TLIN R =20 Ohm TLIN TLIN tcas e=25
1 TL21 TL24 TL23 3 crth=5.0
TLIN 1 2
Z=50.0 Ohm Z=50.0 Ohm Z=50.0 Ohm 1
TL22
Z=50.0 Ohm E =G C E =H E =-H+180
E =F F =3.5 G Hz C6 F =3.5 G Hz F =3.5 G Hz
C =13.0 pF
2 F =3.5 G Hz

Como los diseos presentados se encuentran en
lneas ideales, el siguiente paso es convertirlos a
lneas reales utilizando el comando de LineCalc que
viene con el software ADS . Como recomendacin
de los diseadores se sugiere no cambiar todo el
diseo por completo de una sola vez, sino realizar
los cambios por bloques siguiendo el mtodo de
diseo presentado, con el fin de ir haciendo ajustes
pequeos y llevar el control de los resultados; de no
proceder de esta manera, lo ms probable es que al
final no se entienda el diseo y no se sepa dnde se
deben hacer los ajustes correspondientes, debido a
que el comportamiento de las lneas de transmisin
ideales comparadas con las lneas de transmisin
reales poseen algunos cambios.
Resultados
Los resultados que se detallan en esta seccin son
una comparacin entre el diseo en lneas ideales fren-
te al diseo en lneas reales; no es posible presentar
resultados con el dispositivo fsico implementado,
debido a que el diseo es solo una parte de uno ms
grande y se espera implementar todo el dispositivo
cuando se tengan los dems diseos. En las figuras
8 y 9 se presentan la formas de onda de la seales de
voltaje (lnea continua) y corriente (lnea marcada)
para el PA clase F inverso diseado, utilizado lneas
de transmisin reales e ideales.

Figura 8. Formas de onda de voltaje y corriente en el tiempo accediendo al drain intrnseco con TX reales

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Figura 9. Formas de onda de voltaje y corriente en el tiempo accediendo al drain intrnseco con TX ideales

En las figuras 8 y 9 se observa que la seal de
voltaje tiene una forma sinodal truncada y la seal de
corriente tiende a tener una forma cuadrada, resultado
que se esperaba debido a que son las formas de onda
para voltaje y corriente de un PA clase F inverso.
Al hacer la comparacin se observa que la forma
de onda de la corriente para el diseo con TX reales
presenta una forma ms cuadrada que la del diseo
con TX ideales; sus valores pico son ms grandes,
pero se mantiene la forma de los resultados, es decir
que el diseo real se puede comparar con el ideal
para tener claro a qu resultados se debe llegar. En
las figuras 10 y 11 se presenta el comportamiento del
diseo en eficiencia, potencia de salida y ganancias
contra la potencia disponible.

Figura 10. Formas de onda de eficiencia (PAE), potencia de salida (Pout_dBm) y

ganancias (Gt,Gp) contra potencia disponible en la fuente con TX reales

Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44 41

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Figura 11. Formas de onda de eficiencia (PAE), potencia de salida (Pout_dBm) y

ganancias (Gt,Gp) contra potencia disponible en la fuente con TX ideales

En la figura 10 se puede determinar que la eficiencia con potencia disponible en la fuente de 29 dBm y la
del diseo del PA clase F inverso es aproximadamente potencia de salida mxima es 40 W (Pout = 42 dBm).
del 72% (=72%) con potencia disponible en la Por tanto, se puede decir que el modelo con lneas
fuente de 29 dBm, mientras la potencia de salida ideales presenta menos prdidas que con lneas reales,
mxima es 40 W (Pout = 40 dBm). logrando mayores valores en eficiencia y ganancia.
Por su parte, en la figura 11 se puede establecer Los diseos completos se presentan en las figuras
que la eficiencia del diseo del PA clase F inverso con 12, 13 y 14.
lneas ideales es aproximadamente del 76% (=76%),

Figura 12. Red de salida del amplificador clase F inverso con lneas de transmisin reales

V IAG ND V IAG ND V IAG ND

V1 V2 V3 MS ub
muR ata S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
D=0. 375 mm D=0. 375 mm D=0. 375 mm MS UB
MUR AT AInclude T =0. 035 mm T =0. 035 mm T =0. 035 mm MS ub1
1 R ho=1. 0 1 R ho=1. 0 1 R ho=1. 0
muR ata H=0. 76 mm
W =0. 8 mm W =0. 8 mm W =0. 8 mm E r=3. 47
1 1 Mur=1
1 G R M18 G R M18 Cond=58. 1E +6
G R M18 Hu=1. 0e+033 mm
C8 C9
C7
P artNumber=G R M1885C2A470J A01 P artNumber=G R M1885C2A470J A01 T =0. 035 mm
P artNumber=G R M1885C2A470J A01 T anD=0. 002
2 2 R ough=0 mm
2

3 3 3

1 2 2 1 1 2 2 1 1 2 2 1 2 1 V dc
MCR O S O I_P robe
Cros 1 MT E E _ADS MLIN MT E E _ADS MLIN MT E E _ADS MLIN 1
I_Dc V _DC
S ubs t="MS ub1" T ee1 T L32 T ee2 T L31 T ee3 T L30
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S R C2
W 1=1. 687 mm
W 1=1. 687 mm W =1. 687 mm W 1=1. 687 mm W =1. 687 mm W 1=1. 687 mm W =1. 687 mm V dc=28. 0 V
W 2=1. 687 mm
W 3=1. 687 mm W 2=1. 687 mm L=1. 15 mm W 2=1. 687 mm L=1. 15 mm W 2=1. 687 mm L=1. 15 mm
W 3=0. 8 mm W 3=0. 8 mm W 3=1. 687 mm 2
1
W 4=1. 687 mm 2

1 1 3 1

MLE F MLE F
4
T L25 T L26
S ubs t="MS ub1" 1 S ubs t="MS ub1"
MLIN
W =1. 687 mm W =1. 687 mm
T L27
L=12. 99 mm L=6. 495 mm
S ubs t="MS ub1"
W =1. 687 mm MS T E P
MT E E _ADS
2 L=12. 4302 mm S tep2
T ee6
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
3 W 1=1. 687 mm W 1=1. 687 mm
W 2=1. 687 mm W 2=0. 8 mm

1 2 V Di 2 1 1 2 1 2 2 1 1 2 1W 3=1. 687 mm
2 1 2 1 2 2 1 2 1 1 2 V out
2 L 1 I_P robe 1 L I_P robe
C C MLIN MT E E _ADS MLIN MLIN G R M18
L5 I_Di L4 3 MS T E P I_O ut 1
C5 C4 T L33 T ee4 T L36 T L38 C10
1 2 V IN1 1 4 CG H40010F
L=-0._r6_CG
45 nH H40_r6 L=0. 45 nH S tep1 T erm
C=-1. 46 pF C=1. 46 pFR = S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" P artNumber=G R M1885C2A470J A01
X1 R = S ubs t="MS ub1" T erm2
I_P robe C ree C G H40010F W =1. 687 mm W 1=1. 687 mm W =1. 687 mm W =1. 687 mm
tcas e=25 W 1=1. 687 mm Num=2
I_In1 3 2
1 2
1 L=11. 759 mm W 2=1. 687 mm L=18. 26 mm 1 L=6. 259 mm
crth=5. 0 W 2=0. 8 mm Z =42. 42 O hm
W 3=1. 687 mm MLE F
1 2
T L37
S ubs t="MS ub1" 1
W =1. 687 mm
L=8. 074 mm

42 Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44

 Moreno Rubio, Cuevas & Tinjac Soler

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Figura 13. Red de entrada del amplificador clase F inverso con lneas de transmisin reales

1
V _DC MCR O S O
S R C3 Cros 4
V dc=-2. 7 V S ubs t="MS ub1"
W 1=1 mm
G R M18 W 2=0. 7 mm
1
2 G R M18
C12 W 3=1 mm
4 C11
P artNumber=G R M1885C1H221J A01 W 4=0. 7 mm P artNumber=G R M1885C1H331J A01
1 2 1 1 2 2 1 2 1 2 1 3 1 1 2 1 2 1 2 2 1 2 1 1

V IAG ND MLIN MS T E P MS T E P MLIN MLIN MS T E P MS T E P MLIN V IAG ND

2
V5 T L64 S tep21 S tep14 T L29 T L62 S tep15 S tep23 T L65 V6
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
D=0. 5 mm W =1 mm W 1=1 mm W 1=1 mm W =1 mm 2 W =1 mm W 1=1 mm W 1=1 mm W =1 mm D=0. 5 mm
L=0. 5 mm L=0. 5 mm MLIN L=0. 5 mm L=0. 5 mm
T =0. 035 mm W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm T =0. 035 mm
T L57
R ho=1. 0 S ubs t="MS ub1" R ho=1. 0
W =0. 625 mm W =0. 7 mm W =0. 625 mm
1 L=2 mm
G R M18
G R M18 C13
C16 4 P artNumber=G R M1885C2A101J A01
P artNumber=G R M1885C2A100J A01
1 2 1 1 2 2 1 2 1 2 1 3 1 1 2 1 2 1 2 2 1 2 1 1

V IAG ND MLIN MS T E P MS T E P
MLIN MLIN
MS T E P MS T E P MLIN V IAG ND
T L63 T L60 2 MCR O S O T L61 T L39
V8 S tep22 S tep17 Cros 5 S tep16 S tep24 V7
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1"
S ubs t="MS ub1"
D=0. 5 mm W =1 mm W 1=1 mm W 1=1 mm
W =1 mm W =1 mm
W 1=1 mm W 1=1 mm W =1 mm D=0. 5 mm
W 1=1 mm
T =0. 035 mm L=0. 5 mm W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm
L=0. 5 mm L=0. 5 mm
W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm L=0. 5 mm T =0. 035 mm
W 2=0. 7 mm
R ho=1. 0 W 3=1 mm R ho=1. 0
W =0. 625 mm W 4=0. 7 mm W =0. 625 mm
2
MT AP E R
1
T aper2 MLIN
S ubs t="MS ub1" T L34
W 1=1. 68 mm S ubs t="MS ub1"
1 W 2=0. 7 mm W =1. 68 mm
1 L=3 mm 2 L=2. 5 mm
MLIN 1
T L35 MS T E P
S ubs t="MS ub1" S tep18
W =1. 68 mm S ubs t="MS ub1"
2 L=2. 5 mm W 1=1. 68 mm
1
MS T E P 2 W 2=0. 8 mm
S tep19 1
S ubs t="MS ub1" R
W 1=1. 68 mm R5
2 W 2=0. 8 mm R =100 O hm
1 Va r V AR
R 2 E qn

R6 2 V AR 2
R =100 O hm MS T E P LA=8. 35 {t}
S tep11 W A=1. 1 {t}
2 S ubs t="MS ub1"
W 1=1. 68 mm MLE F
2
MS T E P 1 W 2=0. 8 mm T L23
1 G R M18 MCR O S O
S ubs t="MS ub1"
S tep20 MLIN C3 Cros 6
S ubs t="MS ub1" W =W A mm
T L28 P artNumber=G R M1885C1H3R 3CZ 01 S ubs t="MS ub1"
MLIN W 1=1. 68 mm L=LA mm
S ubs t="MS ub1" W 1=1. 68 mm 1
T L10 1 W 2=0. 8 mm 1 2
W =1. 68 mm W 2=W A mm
S ubs t="MS ub1"
G R M18 2 L=2. 5 mm W 3=1. 68 mm
W =1. 68 mm 3 2
C2 W 4=W A mm
L=5 mm P artNumber=G R M1885C1H470J A01
1 V in 1 2 1 2 1 2 1 22 1 1 2 2 1 1 2 2 1 1 2 1 2 2 1 1 2 1 3 1 2 1 2
P _1T one I_P robe
MT E E _ADS I_P robe
PORT 1 I_In MS T E P MS T E P MLIN MLIN MS T E P MLIN MS T E P MS T E P MLIN MLIN
T ee11 4 I_In1
Num=1 S tep10 S tep9 T L59 T L56 S tep29 T L44 S tep12 S tep13 T L58 T L21
Z =50 O hm S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" S ubs t="MS ub1" 1 S ubs t="MS ub1"
W 1=0. 7 mm MLE F
2 P =polar(dbmtow(P av), 0) W 1=1. 68 mm W 1=1. 68 mm W =1. 68 mm W =0. 7 mm {t} W 1=1. 68 mm W =1. 68 mm W 1=1. 68 mm W 1=1. 6 mm W =1. 68 mm W =1. 68 mm
W 2=1. 68 mm 1 2 T L24
1 F req=3. 5 G Hz W 2=0. 8 mm W 2=0. 8 mm L=2. 5 mm L=17. 3 mm {t} W 2=0. 7 mm L=2 mm W 2=1. 6 mm W 2=1. 68 mm L=2 mm S ubs t="MS ub1"
L=0. 5 mm
W 3=1. 68 mm R W =W A mm
R4 L=LA mm
R =20 O hm {t}

Figura 14. Amplificador clase F inverso con lneas de transmisin ideales

2 1 Vdc
Va r VAR I_Probe
E qn 1
VAR 9 I_D c V_D C
1 2 1 2
A=87.58 SR C 2
1 C G H 40010F _r6_C G H 40_r6 B=109.79 1
V_ D C 1 2 1 2 T L IN T L IN T L IN Vdc =28.0 V
Va r
E qn
VAR X1 C =134.9
VAR 8 SR C 1 TL1 TL3 TL2
T L IN 1 T L IN tc a s e=25 D =54.9 2
1
F =79.7 Vdc =-2.7 V Z=50.0 O hm Z=50.0 O hm Z=50.0 O hm
T L 20 T L IN T L 18 c rth=5.0
H =12.2 { t} E =90 E =90 E =45
Z=50.0 O hm T L 19 Z=50.0 O hm F =3.5 G H z F =3.5 G H z
G =174.3 2
1 2 F =3.5 G H z
E =90 Z=50.0 O hm E =45
F =3.5 G H z E =90 F =3.5 G H z2 1 2 VD i 2 1 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Vout
1 2 2 F =3.5 G H z
L 1 I_Probe 1 L I_Probe
R C I_D i C T L IN T L IN T L IN T L IN I_O ut
Vin 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 4 L5 L4 D C _Bloc k 1
1 R1 C5 C4 TL4 T L 12 1 T L 14 T L 15 T erm
P_ 1T one I_Probe Cre e CGH4 0 0 1 0 F L =-0.45 nH L =0.45 nH Z=50.0 O hm Z=50.0 O hm T L IN Z=50.0 O hm Z=46.054 O hm D C _Bloc k 2
T L IN R =20 O hm T L IN T L IN C =-1.46 pF C =1.46 pF T erm2
PO R T 1 I_In D C _Bloc k 1 3 R= R= E =A E =C T L 13 E =E E =90
T L IN T L 21 1 2 T L 24 T L 23 N um=2
N um=1 D C _Bloc k 1 Z=50.0 O hm Z=50.0 O hm Z=50.0 O hm 1 2
1 2
1 F =3.5 G H z F =3.5 G H z Z=50.0 O hm F =3.5 G H z F =3.5 G H z Z=50 O hm
Z=50 O hm T L 27 E =D
E =0.1 C E =H E =-H +180 2
2 P=pola r( dbmtow( Pa v ) ,0) Z=50.0 O hm 2 F =3.5 G H z
1 F req=3.5 G H z E =77.31 F =3.5 G H z C6 F =3.5 G H z F =3.5 G H z 1
2 F =3.5 G H z C =13.0 pF

Conclusiones
Con el diseo propuesto se logra que las formas de obtenidos se comprueba que el diseo con lneas de
onda de corriente se asemejen a una seal cuadrada transmisin ideales sirve de gua para el diseo con
y las formas de onda de voltaje a una seal sinodal lneas de transmisin reales; adems ambos diseos
truncada, condiciones que posibilitan que el diseo poseen alta eficiencia, la cual es caracterstica importante
sea un PA clase F inverso. Con base en los resultados en el diseo de PA para circuitos de radiofrecuencia.

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Diseo de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnologa GaN-HEMT
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