1.

TRANSISTORES
1.1. En qu condiciones y por qu es necesario emplear un diodo un diodo de libre
circulacin cuando conmutar mediante un transistor? Apoya la explicacin con
esquemas e identifica claramente las magnitudes elctricas implicadas.

Necesitaremos un diodo de libre circulacin cuando nuestro circuito incorpore un transistor y

una inductancia. Mientras que el transistor se encuentra en ON, la inductancia se va cargando.
Pero cuando el transistor pasa a estado OFF, La corriente por la inductancia debera pasar a ser
cero, pero sabemos que las inductancias se oponen a los cambios bruscos de corriente, por tanto,
para reducir su corriente a cero, cambia su polaridad ( VL ) produce una sobre tensin en sus
extremos que daara el transistor.
Para evitarlo, colocamos un diodo de libre circulacin, de tal forma que, cuando la tensin en el
terminal del transistor ( +VT ) supere la tensin de la fuente, este diodo conduzca, y permita que
la bobina se descargue a travs de la resistencia.

1.2. Qu representa el rea de operacin segura (SOA) de un transistor? Por qu

los fabricantes dan un rea diferente para distintos tiempos de conmutacin?
Por qu es mayor el rea de operacin segura cuanto menor es el tiempo de
conmutacin? Apoya tu explicacin en un grfico.

Las zonas o reas de operacin segura consisten en la representacin, en diagramas Ic-VCE, de

los puntos de trabajo en los que para unas determinadas condiciones no representan riesgo de
dao para el dispositivo, es decir la zona en la que el transistor puede polarizarse o
``circular el transistor.
El rea de operacin segura sombreada viene dada para el caso en que el transistor este
trabajando en continua, sin embargo, si el transistor permanece un pequeo tiempo conmutando,
los fabricantes nos dan reas de operacin segura ms grandes para los que el dispositivo
tampoco resultara daado. Cuanto menor sea el tiempo de conmutacin el rea de operacin
segura es mayor. Esto es posible porque permanece menos tiempo con los valores de Ic Y Vce
altos.

Si conmuta ms rpido el transistor permanece menos tiempo en valores altos de tensin e

intensidad y por tanto hay menos riesgo de daar el dispositivo.
 1.3. Cuando un transistor conmuta una carga inductiva un diodo de libre circulacin,
Cmo evolucionan idealmente en el tiempo y la corriente a travs del transistor?
Cmo debe situarse esta trayectoria corriente- tensin respecto de la zona de
operacin segura del transistor? Qu importancia tiene el tiempo que tarde en
realizarse dicha conmutacin?

El transistor comienza en estado de corte. Al

pasar al estado de conduccin, vemos como
primero la corriente por el colector ( IC ) va
aumentando, hasta llegar a un mximo ( t1 ).
En este momento es cuando la tensin VCE
comienza a disminuir, y lo hace ms rpido de
lo que la corriente ascendi ( t2 ).
Durante la conduccin ( t3 ), Ic se mantiene
en su valor mximo, y la tensin VCE se
reduce hasta el valor de saturacin ( Valor de
VON ).
Al encontrarse el transistor en CORTE, nos
encontraramos en la zona amarilla, donde no
circula corriente, pero est sometido a una tensin
Vce.
Al comenzar el cambio al estado de
CONDUCCIN, se produce un instante en el que
tanto la tensin como la corriente son mximas,
debiendo situarse en la zona azul. Dependiendo de
la duracin de este instante, podramos situarnos
en curvas de menor tiempo.

Y terminamos en la zona roja, cuando ya el diodo est conduciendo plenamente. El proceso se

repite hacia atrs al pasar de CONDUCCION a CORTE.
En el instante en el que la tensin y la corriente son mximas, coincide con el instante en el que
mayor potencia tiene que disipar el transistor. Puede darse el caso de que el transistor no sea
capaz de disipar esa potencia durante un instante grande de tiempo, por lo que podra quemarse
 1.4. Si un transistor est funcionando correctamente en un circuito DC/DC y
pretendemos aumentar la frecuencia de conmutacin Qu problemas
relacionados slo con el transistor pueden aparecer? Razona la respuesta e indica
el o los efectos que podran causar dichos problemas en el comportamiento global
del circuito convertidor.

Los problemas que podran aparecer al aumentar la frecuencia a la que trabaja el convertidor
DC/DC, es que el transistor que usemos tenga un tiempo de conmutacin mayor al que nos
exigira el circuito. Lo mismo ocurrira con el diodo, que podra no alcanzar el tiempo de
conmutacin que exigiera el circuito. En cambio, al aumentar la frecuencia, se podran reducir
considerablemente el tamao y valor del condensador y de la bobina, que sera positivo, pero
puede que no se compensara en el caso de que hubiese que modificar el transistor o el diodo
escogidos para el dimensionamiento del circuito.
Los problemas que representan bsicamente son:
- El transistor no tiene tiempo de conmutar correctamente, aumentara las perdidas.
- Sobrecalentamiento por aumento de la potencia disipada.

1.5. Describe cules son las principales ventajas y los principales inconvenientes de los
transistores MOSFET, IGBT y transistores bipolares en aplicaciones de
electrnicas de potencia.

BJTs MOSFETs IGBTs

Controlado por Corriente (Ib) Tensin(Vgs) Tensin(Vge)
Tension en ON Baja Crece con Id Baja
Potencia maxima Media Baja Media
Velocidad de conmut. Media Alta Media(>BJts)

Un BJT es un dispositivo controlado por corriente, requiere corriente de base para que pase
corriente por el colector, presenta gastos de energa en el control. Como la corriente de colector
es independiente de la corriente de entrada ( o de base), la ganancia depende de la temperatura
de unin.
Un MOSFET (mayor frecuencia),de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, tiene
una impedancia de entrada alta y slo requiere una pequea corriente de entrada, por lo que no
gastan energa en el control (potencia mxima de 1000v-10A). La velocidad de conmutacin es
muy alta, y los tiempos de conmutacin son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de
potencia estn encontrando de aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Es un transistor de baja tensin. No existe zona de ruptura.
Los MOSFET no tiene problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin
embargo tienen problemas de descarga electrostticas y requieren cuidados especiales en un
manejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuitos.

En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene alta
impedancia de entrada, como los MOSFET. Conmuta ms rpido que los BJT pero menos que
los MOSFET. Sin embargo, no tienen el problema de segunda avalancha, como los BJT.
El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT. Potencia mxima rango 1400V-750 A.

1.6. Sin en un circuito convertidor pretendemos sustituir un MOSFET por otro tipo de
transistor con el objetivo de reducir la cada de tensin en conduccin, tendra
 sentido buscar un transistor bipolar para conseguir dicho objetivo? Y un IGBT?
Con cul de los dos tipos de transistor sera ms fcil hacer el cambio? Razona la
respuesta.

No tendra sentido reemplazarlo por un transistor bipolar, ya que los circuitos convertidores
tienen una frecuencia de conmutacin relativamente alta, la cul sera incapaz de alcanzar un
transistor bipolar. En cambio, realizar el cambio con un IGBT sera ms correcto ya que tienen
tiempos de conmutacin ms altos, no superan a los MOSFET, pero si a los BJT en
conmutacin, por tanto, valdra dependiendo de la velocidad de conmutacin que se necesite y
el transistor IGBT que se escoja.

1.7. Tiene sentido en un circuito plantearse la sustitucin de un transistor bipolar por

un MOSFETT para reducir las prdidas?
S, siempre que las prdidas del transistor bipolar sean debidas muy mayoritariamente a la
conmutacin.
1.8. Tiene sentido en un circuito plantearse la sustitucin de un transistor bipolar por
un IGBT para reducir las prdidas?
S, porque los IGBTs pueden conmutar en general ms rpidamente, lo que hace que pierdan
menos energa si las cadas de tensin en conduccin son similares.

2. MTODO DE CONTROL MEDIANTE MODULACIN DE ANCHO DE PULSO

(PWM)
El mtodo PWM se basa en ir comparando una seal portadora triangular respecto a una de
referencia senoidal. Los dos mtodos de PWM son el unipolar y el bipolar, a continuacin, se
explica el ejemplo de PWM bipolar. La diferencia que tienen estos mtodos es que en el bipolar
conducen dos transistores a la vez y en el unipolar solo conduce uno.
Este mtodo consiste en aumentar la frecuencia de conmutacin cambiando el ciclo de trabajo y
se busca una rplica de una seal senoidal. Se va comparando una seal de referencia (senoidal)
con una de forma triangular, segn sea la seal senoidal conducirn unos interruptores u otros,
los cuales actan por parejas.
Si el semiciclo de la senoide es positivo la tensin de salida ser +Vcc. Si el semiciclo de la
senoide es negativo la tensin de salida ser Vcc. (no tiene mucho sentido)
Las condiciones a tomar son:
1- La frecuencia de la portadora es mucho mayor que la de referencia
2- Amplitud de la portadora mayor que la de referencia

La ventaja de este mtodo es que aparecen ms armnicos, pero en altas frecuencias. Este
mtodo necesita filtrado.

2.1. Dibuja el esquema y explica el funcionamiento de un inversor en puente de onda

completa con control mediante modulacin de ancho de pulso con conmutacin
bipolar.
Este mtodo consiste en aumentar la frecuencia de conmutacin cambiando el ciclo de trabajo y
se busca una rplica de una seal senoidal. Se va comparando una seal de referencia (senoidal)
con una de forma triangular, segn sea la seal senoidal conducirn unos interruptores u otros,
los cuales actan por parejas.
Si el semiciclo de la senoide es positivo la tensin de salida ser +Vcc.
Si el semiciclo de la senoide es negativo la tensin de salida ser Vcc. (no tiene mucho
sentido)

Las condiciones a tomar son:

1- La frecuencia de la portadora es mucho mayor que la de referencia
2- Amplitud de la portadora mayor que la de referencia

Describe cules son sus ventajas e inconvenientes respecto del mtodo de control por onda
cuadrada simple.
Ventajas:
DAT mejor
Ciclo de trabajo no tiene por qu ser forzosamente 0,5, tenemos armnicos en alta
frecuencia.

Desventajas:
En el punto de partida tenemos un DAT peor
Introducimos ruido en alta frecuencia por lo que forzosamente hace falta filtrado,
aunque sean ms fciles de filtrarlos en alta frecuencia.
13. Dibuja el esquema y explica el funcionamiento de un inversor en puente de onda
completa con control mediante modulacin de ancho de pulso con conmutacin unipolar.
Vamos comparando una seal de referencia triangular, con una senoide y la inversa de esta.
Segn sea la seal de referencia (seal senoidal) respecto de la portadora (triangular)
conmutaremos entre 0 y +VCC o 0 y VCC.

Describe cules son sus ventajas e inconvenientes respecto del mtodo de control por onda
cuadrada simple
- Ventajas:
Los conmutadores se controlan de manera independiente
No hace falta trabajar con un ciclo de trabajo de 0,5, los armnicos estn casi al doble
de la frecuencia.

- Desventajas:
Aplicamos ruido en altas frecuencias, por lo que hace falta filtrado, aunque este sea mas
fcil de eliminar a altas frecuencias.

1.4. VENTAJAS UNIPOLAR FRENTE AL BIPOLAR

Los armnicos generados tienen menor amplitud y se sitian en una mayor frecuencia, por lo que
es ms fcil filtrarlos.

3. CONVERTIDORES DC-DC
Para elegir un proceso de convertidor DC-DC hay que saber cules son las tensiones de entrada
y salida y compararlas.
 Si la tensin de salida mayor que la de la entrada: Convertidor elevador.
Si la tensin de salida menor que la de la entrada: Convertidor reductor.
Si la tensin de entrada oscila entre unos valores, y la tensin de salida est dentro de
estos valores: Convertidor reductor-elevador.
Si queremos que la tensin de salida sea la misma que la de la entrada pero polarizada:
Convertidor reductor-elevador-inversor.

Tambin necesitamos conocer el valor mximo de oscilacin a la salida, para determinar un tipo
de filtrado u otro. Y sobre todo, saber si la tensin de entrada es alterna o continua, para contar
con la posibilidad de implementar un transformador que nos proporcione aislamiento elctrico o
variacin de la amplitud de la tensin a la salida
Flyback y forward: Si la tensin de salida mayor que la de la entrada + trafo que nos
proporciona aislamiento elctrico

3.1. DC-DC REDUCTOR

En este circuito elevador, se parte de que la

tensin de entrada va a ser menor que la de
salida en todo momento.

Cuando el transistor est en estado de CORTE, la bobina cambia su polaridad, el diodo se

polariza en directa, y la corriente llega tanto a la carga, como al condensador, cargando este
ltimo.
Cuando el transistor est en situacin de CONDUCCIN, la fuente Vs alimenta la bobina,
cargndola, mientras que el diodo est polarizado en inversa. La carga est alimentada por el
condensador.

3.2. Si un DC-DC reductor esta funcionando en el modo de conduccin continua

sustituimos la inductancia por otra de menor tamao
Imedia por cualquiera d los componentes ser la misma
Imax ser mayor
Imin ser menor

3.3. Si un DC-DC reductor esta funcionando en el modo de conduccin continua

sustituimos la inductancia por otra de menor tamao
La oscilacin de la tensin de salida aumentara
3.4. Si un DC-DC reductor-elevador-inversor continua sustituimos la condensador por
otra de mayor tamao

La oscilacin de la tensin de salida disminuira

4. CONVERTIDORES DC-AC
 4.1. Dibuja el esquema correspondiente a un circuito convertidor DC-AC en puente de
onda completa con carga resistiva y filtro inductivo en serie que emplea MOSFET
como elementos conmutadores.
Dibuja las formas de onda en rgimen permanente para la tensin y la corriente
en la citada carga resistiva cuando se realiza un control mediante onda cuadrada
con ciclo de trabajo del 50%.

Indica a lo largo de un periodo a travs de qu elementos, por qu terminales y en qu

sentido circula la corriente desde un terminal de conexin al otro de la fuente de
alimentacin.
1- Inicialmente estn los interruptores cerrados.
2- Abrimos S1 y S2 y durante la mitad del periodo se produce un aumento de la corriente
hasta un mximo produciendo una tensin positiva de +VCC
3- Despus se abren S3 y S4 y durante la otra mitad del periodo la corriente circula en
sentido inverso produciendo una tensin negativa de VCC

11. Dibuja el esquema correspondiente a un circuito convertidor DC-AC en puente de

onda completa con carga resistiva y filtro inductivo en serie que emplea IGBT como
elementos conmutadores.
Compara el control por onda cuadrada simple con el control en el que se desfasa el cierre
de cada pareja de interruptores, indicando que caractersticas de la seal de salida pueden
variarse empleando este segundo mtodo de control. Sustenta tus explicaciones con
grficas y expresiones matemticas.

Si se desfasa el cierre de los interruptores en

cada pareja cambian los armnicos
Si se utiliza este segundo puede cambiarse la
amplitud del armnico fundamental (n=3) o
eliminarse dicho armnico.
El inconveniente que tiene esto es que tenemos
cuatro seales que hay que repetir entre los
transistores.