Tiristores

Parte I

1
 Semiconductores de Potencia
Segn el material se clasifican: de silicio y
carbono de silicio.

los dispositivos de Silicio se clasifican en

3 grandes grupos:
Diodos de Potencia
Transistores ( MOSFET, IGBT, BJT, SIT)
Tiristores (SCR, TRIAC, GTO, DIAC, UJT)

2
 Tiristores

Los tiristores convencionales son diseados sin

control de apagado por lo que este se produce
cuando la corriente se hace cero.
Comparados con los transistores tienen bajas
prdidas en estado encendido y controlan
grandes cantidades de potencia.
Los transistores tienen mejor desempeo en
conmutacin (ms rpidos).

3
 Tiristor SCR
Dispositivo semiconductor de 4 capas con
estructura pnpn y 3 junturas J1, J2 y J3
Tres terminales: nodo (A), Ctodo (K) y
Gate o compuerta (G).
En polarizacin directa (A+) J1y J3 estn
en polarizacin directa y J2 en inversa
Sin disparo de puerta fluye corriente de
fuga directa.

4
 A
Tiristor SCR
A

p2 p2 I

J1
A
n2
500 V
n2
100A
J2
A
G p1 p1
J3
n1 n1

K Estructura Interna 1300 V

y circuito equivalente 1800A

Smbolo
A C
(nodo) G (Ctodo) 500 V
(Puerta)
24A

5
Curva caracterstica

6
 Tiristor (caractersticas)
La corriente de enganche IL es la mnima
corriente de nodo requerida para
mantener el tiristor en estado encendido
inmediatamente despus de que este se
ha encendido y la seal de la puerta es
retirada.
Una vez disparado el tiristor, se comporta
como un diodo y no hay control sobre el
dispositivo.

7
 Tiristor (caractersticas)
Si la corriente directa
de nodo se reduce a
un nivel menor que la
corriente
mantenimiento IH (en
el orden de mA), el
tiristor regresa a su
estado de bloqueo.
Unos de los 12 SCR para un pequeo
rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)

8
Control de Disparo

9
Control de Disparo

10
Circuito de Aplicacin
(control de fase)

11
 Ejercicio
Analizar y explicar el funcionamiento del
siguiente diagrama elctrico:

12