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Diodo Aplicaciones PDF
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DIODOS Y APLICACIONES
(Gua de Clases)
CARACTERSTICAS TENSIN-CORRIENTE
CAPACIDAD DE DIFUSIN
FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
CIRCUITOS RECORTADORES
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en puente
DOBLADOR DE TENSIN
Zona de transicin
o de carga espacial
Ion aceptor Ion donador
Unin
Hueco
- - - - + + + +
Electrn
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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a) En sentido inverso
Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los
portadores minoritarios y a los pares electrn-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se
denomina corriente inversa de saturacin (Io).
VI
_ +
I0
- - - - + + + +
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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b) En sentido directo
Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD Vo entonces se produce una corriente
debida a los huecos que son empujados por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones
que son empujados por el terminal negativo de VD hacia la zona P.
VD
+ _
- - - - + + + + I
- - - - + + + +
- - - - + + + +
Tipo p Tipo n
ANOTACIONES
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En cortocircuito el potencial de contacto se compensa con los potenciales en los contactos hmicos de los
terminales => I=0.
+ _
P N
V0_ V 0 V0 - V0 - V0 = 0
_ V + +
0
I=0
NODO CTODO
P N
ANOTACIONES
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CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE
V
VT
Ecuacin caracterstica del diodo: I = I 0 (e 1) se deduce de la ley de la unin
VZ
I0 0,4 (Ge) V (volt)
V
0,8 (Si)
(A) -> Ge
(nA) -> Si
Tensin umbral (V): tensin directa mnima para que se inicie la conduccin.
La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por C para el Si. La corriente
inversa de saturacin se duplica aproximadamente por cada 10 C de aumento de temperatura. Si I0 = I01
cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:
I 0 (T ) = I 01 2 ( T T1 )/10
ANOTACIONES
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Resistencia esttica (R) : R = V/I -> parmetro muy variable y poco til
ANOTACIONES
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a) Diodo ideal
I Directa Inversa
A A A
I
+
V
_
V
K K K
V = 0
V V -> Rf = 0
V < V -> Rr =
b) Diodo real
+ A
I
I
1/Rf D1 D2
V
V Rf Rr
1/Rr V
D1 y D2 son ideales V
V V -> V = V + I Rf
_
V < V -> V = V + I Rr K
ANOTACIONES
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La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta con la tensin inversa, lo cual
equivale a un efecto de capacidad:
dQ
CT = donde CT es la capacidad de transicin
dVI
Supongamos unin abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI :
q . NA . Wp . A = q . ND . Wn . A => NA . Wp = ND . Wn VI
Si NA >> ND => Wp << Wn W
p n
dE q. N D q. N D
= E= x+ K
dx ND
( x 2Wx)
q. N D 2
V(x=0) = 0 => K = 0 => V =
2 Potencial
V Vj
q. N D .W 2
2 0
x=W -> Vj = V0 + VI = => W = V x
2 q. N D j
W aumenta con la VI aplicada
2 dW 2 dW
W2 = V j 2W = =
q. N D dV j q. N D dV j q. N D .W
Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW
dQ dW A
CT = = q. N D . A. =
dVI dV j W
Capacidad de condensador plano con placas de superficie A y distancia entre ellas de W. Resultado tambin
vlido para unin gradual.
ANOTACIONES
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A .A cte
CT = = = => Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)
W 2 Vj
. Vj
q. N D
CAPACIDAD DE DIFUSIN
En polarizacin directa si VD aumenta implica que aumenta la concentracin de minoritarios en ambos lados,
y entonces aumenta la carga almacenada Q producindose tambin en este caso un efecto capacitivo:
Q
I= Modelo de control de la carga de un diodo
Concentracin
dQ . dI
CD = = =
dV dV r
: tiempo de vida medio de los portadores
P N
r: resistencia dinmica de la unin
p n
CD = CDp + CDn = + pno
r r
npo
CD (orden de F) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)
x=0 x
ANOTACIONES
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CD >> CT => Es mucho ms importante el tiempo de recuperacin al pasar de conduccin directa a inversa
que al revs.
Vi
VD _
+ VF
+
I
Vi RL t1 t2 t3 t
_
-VR
pn - pno
en la unin
trr = ts + tt
t
I0
VR
IR
RL
VD tt
Tiempo
transicin t
-VR
ANOTACIONES
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Son diodos con suficiente capacidad de disipacin para trabajar en la zona de conduccin inversa. Se utilizan
como estabilizadores de tensin.
R IL
ID +
I IZ
R L VZ
V
-VZ
_
IZmin
VD
RL => IZ
IZ Si => VZ constante
RL => IZ
IZmax V => IZ
Si => VZ constante
V => IZ
ANOTACIONES
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Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicacin por avalancha y Ruptura
Zener.
Ruptura Zener:
Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen una tensin Zener Vz menor
a 6 voltios. La zona de carga espacial es estrecha. Tienen un coeficiente de temperatura negativo, es decir,
con el aumento de la temperatura disminuye la tensin Zener.
ANOTACIONES
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V RL Vz < 2 v.
V RL Vz
V RL Vz
ANOTACIONES
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FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
I = I0 + IS
ID
RL
+
VA
-
ANOTACIONES
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R
V V
ANOTACIONES
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+ v _
+ +
i
Vi RL Vo
_ _
recta de carga: v = Vi i RL
Su interseccin con la caracterstica del diodo da el punto de trabajo de ste.
ID
Vi/RL
IQ Q
VQ Vi VD
Si Vi = Vm sen ; = t ; = 2 f
Y utilizando el modelo lineal aproximado del diodo:
A A
I
V
1/Rf
Rf Rr
V K K
1/Rr V
V > V V < V
ANOTACIONES
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I
RL
I RL Vi
Vi
Vi
V
I
2
/2 -
Vm sen V
i=
RL + R f
ANOTACIONES
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CIRCUITOS RECORTADORES
Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms negativa que VR + V
Vo Rf Vo
p=
Rf + R
Rr
p= 1
Rr + R VR+V
Vi t
VR+V
Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _
ANOTACIONES
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Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms positiva que VR - V
Rr
Rf Vo p= 1 Vo
p= Rr + R
Rf + R
VR-V
Vi t
VR-V
Vi
+ R +
D
Vi Vo
VR
_ _
ANOTACIONES
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+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _
Vo
DIODOS VR
IDEALES
t
+ R + + +
D R
D
Vi Vo Vi Vo
VR VR
_ _ _ _
Vo
DIODOS
IDEALES VR
t
ANOTACIONES
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Vo Vo
p=1
VR2
VR1
VR1 VR2 Vi t
D1 ON D1 OFF
D2 OFF D2 ON
D1 OFF
D2 OFF
Vi
+ R +
D1 D2 Vo
Vi
VR1 VR2 > VR1
_ _
ANOTACIONES
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C
_
+ +
+ Vm - VR
R D
Vi Vo
_
VR _
Vm Vi Vi = Vm sen t Vidc = 0
VR Vo es senoidal con valor medio no nulo
VR - V m
t Vodc = VR Vm
Vo = Vi Vc = Vi (Vm VR ) =
Vo
VR - 2Vm
Vm (sen t 1) + VR
La ventaja de los circuitos fijadores con respecto a los recortadores es que limitan la seal de entrada pero sin
deformarla.
Ejemplo: D ideal, RC>>T/2, valor prctico RC=5T => en T/2 el condensador no se descarga prcticamente.
C Vi
V
+
+ t
R D
Vi Vo
_ -2V
_
Primer semiperodo
C
+ _ +
V
V R D
Vo Vo
_
Segundo semiperodo
C t
+ _ +
V
2V D -3V
R
Vo
_
ANOTACIONES
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CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador: Circuito que convierte una onda senoidal de entrada en una seal unipolar con componente
media no nula.
Vi
VD _ Vm
+
+ I 0
Entrada 2 = t
Vi RL
c.a.
_
I
Im
Idc
0
2 = t
ANOTACIONES
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Im Vm 1 V V
I dc = = m = I dc R f + I dc RL = I dc R f + Vdc Vdc = m I dc R f
R f + RL
El resultado anterior implica que el equivalente Thevenin del rectificador de media onda es el siguiente:
Rf
+
Idc
Vdc RL
Vm/
_
Teorema de Thevenin:
Dos terminales cualesquiera de una red lineal pueden reemplazarse por un generador de fuerza electromotriz
igual a la tensin en circuito abierto entre los terminales, en serie con la impedancia de salida vista desde
estos puntos.
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Gua de clases pg. 25
Vi
Vm
0
2 = t
I1 D1
I1
+ Im
Vi RL I
Entrada _
0
c.a. + 2 = t
Vi I2
_ Im
I2 D2
0
2 = t
I
Im
Idc
0
2 = t
Rectificador en puente
D1 D2 I
Vi _
+ RL
C.A.
D3
D4
ANOTACIONES
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DOBLADOR DE TENSIN
C1
_ + +
Vm
C2 2Vm
ANOTACIONES
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D (ideal)
C
Vi = Vm*sen RL Vo
En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<), el condensador de filtrado se
descargar durante el intervalo de no conduccin del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda
rectificada (I), y la seal a la salida (II) que muestra cmo se descarga el condensador de forma exponencial.
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Gua de clases pg. 28
Aproximaciones al rizado
El clculo del rizado producido en un circuito rectificador con filtro es sencillo pero puede resultar laborioso;
por ello generalmente se realizan aproximaciones al mismo, con el objetivo de simplificar los clculos. Si el
condensador se descarga poco, dichas aproximaciones proporcionan unos resultados muy similares a los
obtenidos si se realizasen los clculos completos.
Rizado alto
Si el rizado del circuito es grande, es decir, la parte variable de la tensin de salida es grande comparada con
la parte continua, no es posible realizar aproximaciones de ningn tipo, y se hace necesario emplear el
modelo real. En la figura se aprecia el aspecto de la seal de salida. En ella podemos observar que la tensin
de salida coincide con la del rectificador hasta un punto, a partir del cual la tensin de salida disminuye
exponencialmente. En cuanto las tensiones de salida y del rectificador vuelven a igualarse, la tensin de
salida pasa otra vez a seguir la onda senoidal.
Exp. Senoidal
Rizado bajo
En los casos de pequeo rizado, se realizan 3 aproximaciones, que nos proporcionan una onda como la de la
figura. En primer lugar se supone que la descarga del condensador es lineal, en segundo lugar que dicha
descarga comienza justo en el punto de tensin mxima de la seal rectificada, y en tercer lugar se supone
que el condensador se descarga hasta el instante en que la tensin rectificada vuelve a alcanzar su mximo
valor.
Lineal
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Gua de clases pg. 29
Rizado medio
En el caso de tener un rizado medio, se suele aproximar tal y como aparece en la figura, es decir, se
considera una descarga exponencial, que dicha descarga comienza cuando la seal rectificada pasa por su
punto mximo, y que el condensador se descarga hasta que encuentra de nuevo la seal rectificada.
Exp. Sen.
Ejemplo de clculo
Supongamos un rectificador de onda completa, en el que se verifica RL*C>>T/2 (por lo que suponemos un
rizado bajo, y tomamos la aproximacin lineal comentada anteriormente). El anlisis sera el siguiente:
Vo
VDC
Vr
t
tdescarga prximo a T/2
En la figura anterior podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en el anlisis. Hay que
tener en cuenta que, como se supone un rizado bajo, la seal que consideramos de salida es una onda en
diente de sierra como la siguiente:
Vm
Vr
T/2
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Gua de clases pg. 30
A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada como: Vdc = Vm Vr / 2 ,
donde Vm es la tensin de pico de la seal rectificada. Se observa de dicha tensin de continua es la tensin
de pico menos el valor medio del rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2
T
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede expresar como: Idc ,
2
y nos queda que la tensin de rizado y de continua vienen dadas por las ecuaciones:
Q IcdT Icd
Vr = = =
C 2C 2 fC
Vr Idc
Vdc = Vm = Vm
2 4 fC
En las frmulas anteriores podemos observar que el rizado aumenta con Idc ( cuando RL), y disminuye con
C y f.
1 3 2
2
1 Vr Vr Vr
Vrms =
0 2 d = Vr 4 + 2 2 = 2 3
3
0
Vr Idc 1
r= = =
2 3Vdc 4 3 fCVdc 4 3 fCRL
ANOTACIONES
Diodos y aplicaciones. Gua de clases pg. 31
D (ideal)
C
Vi = Vm*sen RL Vo
Para esto el periodo de la portadora tiene que ser mucho menor que la constante de carga del condensador y
esta mucho menor que el periodo de la seal moduladora:
T portadora << RC << T moduladora
ANOTACIONES