Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
de un generador
ultrasnico para la
evaluacin de la erosin
y corrosin por cavitacin
en recubrimientos duros
Design and construction of an ultrasonic generator to be
used on erosion and corrosion testing in hard coatings
Resumen
Los generadores ultrasnicos son dispositivos de potencia que proporcionan la tensin
y frecuencia adecuadas para el buen funcionamiento de los transductores piezoelctricos.
Los nuevos desarrollos en la electrnica de potencia contribuyen al logro de un mejor
desempeo de los generadores permitindoles alcanzar las frecuencias y tensiones
necesarias, al tiempo que reducen los armnicos del sistema alargando la vida til de
los transductores. En este artculo se presenta el proceso de diseo de un generador
ultrasnico para un transductor Langevin de 1Kw de potencia que ser utilizado para
la evaluacin de la corrosin y erosin por el fenmeno de cavitacin en recubrimientos
duros.
* Ingeniero Mecatrnico, Universidad de San Buenaventura, Bogot. Maestra en Mecatrnica de la Universidad Militar Nueva Granada.
Docente de tiempo completo, Universidad de San Buenaventura. E-mail:hmacias@usbbog.edu.co
** Ingeniero Mecatrnico, Universidad Militar Nueva Granada. Maestra en Mecatrnica, Universidad Militar Nueva Granada. Docente
de tiempo completo, Universidad Militar Nueva Granada. E-mail: uledoux@gmail.com
*** Fisico, Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia. Magster en Metalurgia y Ciencia de los Materiales (UPTC). Doctor en
Ingeniera - rea de Materiales, Universidad Del Valle. Vicedecano de Ingenieras y Director de postgrados, Universidad Militar Nueva
Granada. E-mail: william.aperador@unimilitar.edu.co
41
Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013
Palabras clave
Inversor, spwm, transductor piezoelctrico, ultrasonido.
Abstract
Ultrasonic generators are power equipments that supply the voltage and frequency
to drive piezoelectric transducers. The development of power electronics in recent years
helps to improve the control in piezoelectric transducers reducing harmonic loses and
increasing transducers lifetime. In this paper is presented an electronic design to drive a
1Kw langevin transducer which is going to be used to evaluate the corrosion and erosion
on hard coatings.
Keywords
Inverter, spwm, piezoelectric transducer, ultrasound.
I. Introduccin
El ultrasonido se refiere a ondas sonoras de frecuencias superiores a los 18 khz que
no son percibidas por el odo humano. Al tener una frecuencia muy alta su longitud de
onda se acorta lo que les permite a las ondas ultrasnicas atravesar objetos sin difi-
cultad. Esta propiedad es aprovechada para disear aplicaciones en distintos sectores
de la industria y la medicina, por ejemplo, es comn encontrar equipos de ultrasonido
para el diagnstico mdico, tratamientos estticos, limpieza de productos, soldadura de
componentes, anlisis y prediccin de fallas, ensayo de materiales entre otros.
Este efecto permite generar un movimiento mecnico en funcin de una seal elctrica.
Un ejemplo es el transductor Langevin que acopla una serie de anillos piezoelctricos
para lograr un movimiento longitudinal. Seguido del transductor se halla la gua de onda
ultrasnica encargada de orientar y amplificar mecnicamente las dbiles vibraciones
provenientes del transductor.
42
Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
Se puede decir que dentro de los convertidores AC-AC hay dos variantes: los di-
rectos y los indirectos. Los directos que se encargan de transformar la frecuencia de
la fuente directamente; se subdividen a su vez en cicloconvertidores y convertidores
de matriz. Los indirectos por otra parte, primero cumplen la funcin de rectificar el
voltaje AC, es decir, pasarlo DC y luego construyen un voltaje AC con una frecuencia
y amplitud diferente de la original. La frecuencia y la amplitud del voltaje obtenido
dependen del mtodo de excitacin del sistema de control.
43
Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013
Mdulo de
Rectificador Filtro LC
Potencia
120Vac/60Hz SPWM
Transductor
Unipolar
mf1
Figura. 2. Diagrama de bloques de generador ultrasnico. Fuente: elaborado por el autor.
Rectificador
Rectificador
C
C
Carga
Carga
120Vac/60Hz
120Vac/60Hz
+
+
Debido a por
Debido a las prdidas de voltaje generadas las las
prdidas de voltaje de
caractersticas generadas por el
los diodos, las caractersti
voltaje de salida de la rectificacin es:rectificacin es:
SPWM es una tcnica que se caracteriza porque se obtiene una seal modulada con
bajo contenido en armnicos [5] tiene dos variantes: unipolar y bipolar.
T 1.00
Comparacin
-1.00
6.00
V salida
2.00
45
Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013
La tcnica SPWM bipolar utiliza una nica seal de referencia senoidal y una seal
triangular. En la Figura 4 se observa el resultado de la comparacin de estas dos seales.
Generalmente se selecciona un valor mf que sea entero e impar.
Por otro lado, la tcnica SPWM unipolar utiliza dos seales senoidales pero desfasadas
180 entre s y una onda triangular. En la Figura 5 se observan las dos seales digitales
que resultan de la comparacin. Estas seales posteriormente se llevan al mdulo de
potencia y la carga va a recibir una serie de pulsos de distinto ancho y un voltaje que
cambia en funcin de la seal modulada.
T 1.00
Comparacion
-1.00
5.00
S1, NS2
0.00
5.00
S3, NS4
0.00
10.00
Vsalida
-10.00
Otro elemento que hace parte importante del inversor es el mdulo de potencia.
Existen distintas configuraciones pero se ha escogido una de puente completo (full
bridge). El puente se encarga de recibir las seales del SPWM para conmutar sincr-
nicamente cuatro mosfet de potencia que proporcionarn la amplitud de voltaje y la
frecuencia necesarios para la carga (ver Figura 6).
46
Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
+ Vdc
S1 S3
Z1
S2 S4
El valor de voltaje que llega a la carga depende de la secuencia en que los mosfet
conmuten (ver Tabla 1). Se puede apreciar que la carga va a tener tres momentos, voltaje
positivo, cero, y voltaje negativo, que irn variando segn lo haga la seal de referencia.
Para valores
Parade mf pequeos,
valores es decir menores
de mf pequeos, es decir,omenores
iguales ao21, se recomienda
iguales que corresponda
a 21, se recomienda a un nmero
que co-
entero rresponda a un nmero
y que las seales enterofundamental
de voltaje y que las seales de voltaje
y la portadora sefundamental y lasincronismo,
encuentren en portadora sepues de lo
encuentren en sincronismo, pues de lo contrario se pueden generar armnicos indeseables
contrario se pueden genera armnicos indeseables (9). Por otra parte, cuando se tienen valores altos de mf
[7]. Por otra parte, cuando se tienen valores altos de mf (mayores a 21) el asincronismo
(mayores a 21) el asincronismo produce una cada en la amplitud de los subarmnicos generados, lo cual no
produce una cada en la amplitud de los subarmnicos generados, lo cual no tiene mayor
tiene mayor efecto,
efecto, salvosalvo
que que se est
se est trabajando
trabajando con
con motoresAC.
motores AC.
ndice dendice
modulacin de amplitud
de modulacin de (ma): Es la
amplitud razn
(ma): esentre la amplitud
la razn de la moduladora
entre la amplitud y la amplitud de la
de la moduladora
portadora
y la amplitud de la portadora
Se puedenSe puedendos
presentar presentar dos situaciones [6]:
situaciones(8):
ma<=1 la amplitud de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es proporcional a ma. En esta condicin
los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que 47
significa que:
ndice de modulacin de amplitud (ma): Es la razn entre la amplitud de la moduladora y la amplitud de la
portadora
Se pueden ma<=1
presentar la
dos situaciones(8):
amplitud de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es pro-
ma<=1porcional
la amplituda de
ma. En esta condicin
la frecuencia losdel
fundamental armnicos
voltaje de se sitan
salida a alta frecuencia,
es proporcional a ma. Enque
esta condicin
significa que:
los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que significa que:
ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara proporcionalmente a ma.
ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara
Igualmente se genera el aumento en el contenido armnico del voltaje de salida.
proporcionalmente a ma. Igualmente se genera el aumento en el contenido armnico
De lasdeldos
voltaje de salida.
situaciones anteriores se desprenden tres zonas del funcionamiento del inversor(8): lineal,
sobremodulacin y onda cuadrada.
De las dos situaciones anteriores se desprenden tres zonas del funcionamiento del
Zona lineal: la(Estrella
inversor amplitud lvaro,
de la componente fundamental
2009): lineal, es proporcional
sobremodulacin y ondaa ma, los armnicos estn alrededor
cuadrada.
de mf, 2mf, 3m, etc.
Zona de Zona
sobremodulacin: el ndicededelamodulacin
lineal: la amplitud componentede fundamental
amplitud es mayor que uno, poraloma,
es proporcional quelos
la amplitud de
la componente fundamental no slo depende de ma,
armnicos estn alrededor de mf, 2mf, 3m, etc. sino tambin de mf. Se producen muchos armnicos
Onda cuadrada: la amplitud de la componente fundamental toma el valor mximo durante todo el periodo y
Zona
el nmero de sobremodulacin:
de armnicos es mximo. el ndice de modulacin de amplitud es mayor que uno,
por lo que la amplitud de la componente fundamental no solo depende de ma, sino
tambin de mf. Se producen muchos armnicos.
Onda cuadrada: la amplitud de la componente fundamental toma el valor mximo
durante todo el periodo y el nmero de armnicos es mximo.
[Escriba texto]
VI. Procedimiento
Las seales modulante (seno) y portadora (triangular) presentan frecuencias su-
periores a los 20 kHz, esto requiere que el circuito generador de las seales sea lo
suficientemente robusto y flexible para garantizar una seal de comparacin precisa.
Para la generacin de estas seales se escogi el circuito integrado XR2206 gracias
a su robustez, facilidad de montaje y configuracin.
48
Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
La seal seno se lleva a un amplificador inversor para obtener la segunda seal desfa-
sada 180. Ambas seales senoidales son comparadas independientemente con la seal
triangular en el circuito LM339 (ver Figura 8).
Las seales que resultan de la comparacin son acondicionadas para conseguir seales
digitales compatibles con dispositivos TTL. Una vez se tienen la seales de los genera-
dores XR2206 (Corporation) se llevan a un comparador. En la Figura. 9 y en la Figura 10
se observa la seal seno y las seales TTL que manejarn los interruptores S1 y S3 se
distingue claramente como vara el ancho de los pulsos segn la variacin de la amplitud
de la onda seno.
+
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
El circuito que lleva la seal seno original y el circuito que lleva la seal desfasada 180
son iguales.
49
Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013
Durante el anlisis de los circuitos se visualiz que las seales de salida del comparador
y las seales digitales presentaron retrasos tanto para el flanco de ascenso como para
el flanco de descenso y a pesar de que ambos circuitos son iguales no se presentan los
mismos retrasos (ver Tabla 2). En la Figura 11 se presentan los retrasos de la seal seno
original y tambin los correspondientes a la seal seno desfasada 180 con sus respectivas
salidas desfasadas.
Ascenso Descenso
Figura 11. Desfase entre la salida del comparador y seal s1 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.
50
Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros pp. 41-52
Investigacin
Figura 12. Desfase entre salida del comparador y seal s3 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.
En la Figura 13 se observan las salidas de las seales TTL para S1 y para S3.
VII. Conclusiones
En la primera parte del proyecto se plante un inversor de voltaje para un generador
ultrasnico integrado por dos etapas. La primera etapa denominada de rectificacin con-
sisti en la seleccin de un puente de diodos de onda completa. En la segunda etapa,
denominada de inversin, se escogieron como elementos de conmutacin cuatro mosfest
ordenados en la topologa de puente completo (full bridge). Como mtodo de excitacin
de los mosfets se opt por la topologa SPWM unipolar, que a pesar de su complejidad
en la implementacin, produce un nmero menor de armnicos en comparacin con la
topologa SPWM bipolar. Para su realizacin y montaje se escogi el generador de seal
integrado XR2206.
51
Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013
Se observ que una vez realizadas las etapas de comparacin para la generacin de
las seales digitales que regularn la conmutacin de los mosfets existen prdidas oca-
sionadas por el comportamiento de los amplificadores en alta frecuencia. Los desfases
generados por los retrasos en la conmutacin podran llegar a afectar el ancho del pulso,
lo que traera como consecuencia prdidas de energa y/o desbalance en el voltaje entre-
gado en el semiciclo positivo y en el semiciclo negativo.
La siguiente etapa del proyecto consistir en el acople del circuito SPWM unipolar
con el circuito de potencia y se tratarn de cuantificar las prdidas o los efectos de los
desfases debido a las caractersticas de los elementos electrnicos en altas frecuencias.
Referencias
[1] P. Kwasniak, Construction and testing of ultrasonic transducer for biofilm removal. Espaa: Universidad de Toledo, 2011.
[2] I. Piezo System, Piezo ceramic application data. p 59.
[3] Q. Peng, A. Wang, X. Su, X. Lu, A New Design of the High-Power Ultrasonic Generator, 2008.
[4] D. Hart, Electrnica de Potencia, Editorial Prentice Hall, 2001.
[5] J. Daz Gonzlez, Inversores PWM. Espaa: Universidad de Oviedo, 1999.
[6] I. Crowley, H. F. Leung, PWM Techniques: a pure sine wave inverter (p.p. 16-32) . Worcester Polytechnic Institute, 2011.
[7] S. Islam, F. Nuzhat, N. Hoque Nadim, AC sine wave generation by using SPWM inverter. BRAC University, 2012.
[8] A. D. Estrella, Diseo de un inversor monofsico autnomo de baja frecuencia ajustable mediante bus DC. (p.p. 30-40) .
Universidad Caros III de Madrid Escuela Politcnica Superior, 2009.
[9] T. L. Skavarenina, Power Electronics Handbook. West Lafayette, Indiana: CRC Press, 2002.
[10] E. Corporation (n.d.). XR2206 Monolithic function generator, 1997.
52