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Fabricacion y Caracterizacion de Junturas a base de

Grafeno
Daniel Lozano Gomez, Wilson Gamboa
February 17, 2017

1 Introduccion
En la Universidad de los Andes se han realizado algunos estudios de junturas con materiales
tales como el aluminio (Al) y o xido de aluminio (Al2O3) [1]. Sin embargo, no se ha realizado
estudios para junturas con el denominado material del futuro: grafeno. Este material llama
especialmente el interes de la comunidad cientfica y de las personas del a rea tecnologica en
general debido a sus propiedades fsicas.

Una evidencia de la importancia de este material en la comunidad cientfica es el hecho


que a los fsicos de origen ruso Novoselov y Geim se les concedio el Premio Nobel de Fsica
en 2010 al conseguir aislarlo a temperatura ambiente.

Para el experimento propuesto se hara uso de los diferentes grupos de investigacion de


la universidad de los Andes para crear y monitorear las muestras de interes. En particular,
se trabajara con la profesora Yenny Hernandez, para la creacion de las pelculas de grafeno
junto con el profesor Edgar Patino para crear los demas elementos del experimento.

La pregunta que queremos responder es: Que comportamiento exhibe el grafeno cuando
existe una corriente transversal que tunela a traves del mismo? Para responder esta pregunta
obtendremos una curva caracterstica de corriente-voltaje (IV) que nos dara las propiedades
que exhibe este material. Habiendo caracterizado este material se puede llegar a pensar en
darle uso industrial para reemplazar otros materiales que podran representar mayores costos.

2 Objetivo General
Caracterizar el efecto tunel en junturas de grafeno.

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3 Objetivos Especficos
Encontrar la curva caracterstica corriente- voltaje (IV) en junturas de grafeno, es-
perando encontrar similitudes con el modelo de Simmons [2].

A partir del grafico corriente-voltaje encontrar el valor de la altura de la barrera de


potencial y el ancho de la barrera.

Encontrar el tiempo de mora del electron en la barrera de potencial a partir de la altura


del potencial y el ancho de la barrera.

4 Montaje experimental
Para poder realizar estas mediciones se creara una estructura que constara de dos capas de
plata entre las cuales se encontrara una capa de grafeno. El metodo para la creacion de la
lamina de grafeno estara dado por [3] el cual consiste en una exfoliacion electroqumica,
para las laminas de aluminio se utilizaran metodos de litografa o ptica que seran estudiados a
lo largo del laboratorio. Con la estructura ya preparada se tomaran lineas de corriente-voltaje
bajo diferentes condiciones de temperatura. Se espera que el comportamiento de estas capas
(las capas de plata) sea equivalente a dos zonas donde existen electrones libres y que la capa
del grafeno sea la region con un cierto potencial fijo de altura V0 y longitud d la cual depende
del montaje en si.

Figure 1: Montaje Experimental

5 Conceptos teoricos
El efecto tunel ha sido uno de los fenomenos cuanticos mas estudiados. Una descripcion ade-
cuada del comportamiento de una partcula dentro de una barrera de potencial puede darnos
mucha informacion de como son las interacciones que esta tiene en el potencial. Una de las
a reas en la cual el efecto tunel tiene mas relevancia es la fsica de estado solido. Las celdas
solares son una de las aplicaciones mas interesantes que este efecto tiene en la fsica de estado

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solido. Estas son creadas a partir de materiales que provean diferentes tipos de barreras de
potencial. Por esta razon, el objetivo de este proyecto es caracterizar una juntura tunel donde
la barrera de potencial sera dada por una lamina de grafeno.

Utilizando los conceptos de tiempo de mora en la barrera del electron, el cual esta expli-
cado en [1] se dispondra a hacer una medicion indirecta del tiempo de mora que pasan los
electrones en la region de potencial. Este valor estara ligado a que tan buen conductor es el
grafeno y por lo tanto dara informacion de como este puede ser usado en la fabricacion de
celdas solares.
Para este experimento supondremos una juntura que representa un modelo de barrera
de potencial cuadrado. Con este modelo podemos dar un tiempo de mora expresado de la
siguiente manera

xf x
Z Z !
1
(E, V0 ) = exp 2 k(x)dx dx (1)
~ x0 k(x) x0

donde k(x) es el numero de onda, es la masa de las partculas y los valores x0 y x f son los
lmites de la barrera de potencial.

Tambien sera utilizado la expresion para el coeficiente de transmision dado por la aprox-
imacion WKB
Z x !
T = exp 2 k(x)dx (2)
x0

para poder reproducir, juntos a el desarrollo hecho por [2], para poder caracterizar la
juntura creada. Se esperan obtener resultados como los obtenidos en [1] con curvas carac-
tersticas como las presentadas a continuacion

Figure 2: Curvas caractersticas de corriente-voltaje (IV) para junturas Al/Al2O3/Al a distin-


tas temperaturas, tomado de (ED)

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6 Cronograma
El cronograma propuesto para el experimento es lo siguiente

Semana Actividad Asistido por


Semana 1 Aprender metodo de exfoliacion grafeno
Semana 2
Aprender tecnicas de litografa Optica Leonardo-Cesar Talero-Robinson
Semana 3 Aprender tecnicas de crecimiento Evaporador Termico Cesar Talero
Semana 4 Ataque iones Argon sistema Sputtering Ciro Gelvez
Semana 5 Fabricacion Juntura, Caracterizacion basica
Semana 6 Fabricacion Juntura, Caracterizacion basica
Semana 7 Fabricacion Juntura
Semana 8 Fabricacion Juntura, Caracterizacion basica
Semana 9 Analisis de resultados
Semana 10 Redaccion de informe final
Table 1: Cronograma

7 Bibliografa
1. Patino E., Kelkar N., Appl. Phys. Lett. 107, 253502 (2015)

2. J. G. Simmons, J. Appl. Phys. 34, 1793 (1963)

3. Parvez K. , Hernandez Y.,et al. ACS Nano, 7 (4), pp 35983606 ( 2013)

8 Firma asesor
Profesor Edgar Patino

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