TEMA 4:

DIFUSIN EN SLIDOS
CUESTIONES A TRATAR...
Cmo ocurre la difusin?
Por qu es importante en el procesado?
Cmo se puede predecir la velocidad de
difusin?
Cmo afectan la difusin y la
temperatura a la estructura de los
materiales?
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 DIFUSIN: EL FENMENO (1)
Interdifusin: En una aleacin los tomos tienden a migrar

desde las regiones de ms alta concentracin.
Inicialmente Tras algn tiempo

Adaptadas de
figs. 5.1 y 5.2,
Callister Ed.
2000.

Cu Ni
100% 100%
Cu Ni

0 0
Perfiles de concentracin Perfiles de concentracin
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 Difusin por vacantes
La difusin, desde un punto de vista atmica significa el
movimiento de los tomos de unas posiciones a otras
dentro de la red. Los tomos en la red poseen una
energa vibracional dependiente de la temperatura. Esta
energa puede provocar que algunos tomos puedan
cambiar de posicin, siempre que cumplan dos
requisitos:
1. Exista una vacante
2. Tenga energa suficiente como para romper
sus enlaces y distorsionar la red durante su
movimiento.
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 DIFUSIN: vacantes
Auto-difusin: En un slido elemental los tomos

tambin tienden a migrar.

tomos marcados Tras algn tiempo

C
C
A D
A
D
B
B

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 DIFUSIN: vacantes
Difusin sustitucional:
es aplicable a impurezas sustitucionales

los tomos se intercambian por vacantes

la velocidad depende de:

--el nmero de vacantes

--La energa de activacin del intercambio
(frecuencia del salto)

incremento de tiempo transcurrido

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 Difusin intersticial
Difusin intersticial:
es aplicable a impurezas interticiales

los tomos se intercambian por intersticios

la velocidad es ms rpida que en la difusin
sustitucional y depende de:

--el tamao de los intersticios
--la energa de activacin del intercambio

incremento de tiempo transcurrido

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PROCESADO USANDO DIFUSIN (1)
Caso del ENDURECIMIENTO:

--Difundir tomos de C en la

matriz de tomos de Fe en

superficie (carburizacin).

--El ejemplo de el engranaje

endurecido es un caso de

difusin intersticial.
Fig. 5.0,
Callister
Ed. 2000

Resultado: El engranaje es:

--difcil de deformar: los tomos
de carbono bloquan" el
deszamiento de los planos.
--difcil de agrietar: los tomos
de carbono disponen la superficie
en compresin.
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PROCESADO USANDO DIFUSIN (2)
Dopado de Si con P para obtener un semiconductor tipo-n:

Proceso:
0.5mm
1. Deposito de capas

superficiales ricas en P.

Imagen aumentada de un chip de ordenador

silicio
Fig. 18.0,
2. Calentar. Callister Ed.
2000.
3. Resultado: Regiones
Regiones claras: tomos de Si
dopadas del
semiconductor.

Regiones claras: tomos de Al

silicio
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 FLUJO de DIFUSIN (J)
El flujo por difusin se puede medir
para:

--vacantes

--tomos (A) de la matriz

--tomos (B) impurezas

Direcciones a tener en cuenta:

direccin x

Unidad de rea
(A) a travs
de la que se
Flujo:
mueven los
1 dM M kg tomos
J= = 2 o 2 tomos.
A dt At m s m s
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Figure 5.14 The flux

during diffusion is
defined as the
number of atoms
passing through a
plane of unit area per
unit time

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 PERFILES de CONCENTRACIN y
FLUJO
Perfil de concentracin, C(x): [kg/
m3] flujo Cu flujo Ni Adaptada
de Fig. 5.2
(c), Callister
Ed. 2000
Concentracin Concentracin
de Cu [kg /m3] de Ni [kg /m3]

Posicin, x
Primera ley de Fick:
2/s]
Coeficiente de difusin [m
Flujo en direccin x
[kg/m2 s]
- dC
Jx = D Gradiente de
dx Concentracin [kg/m4]
A mayor pendiente en el perfil de concentracin,

mayor es el flujo.
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Figure 5.10 Diffusion of

copper atoms into nickel.
Eventually, the copper
atoms are randomly
distributed throughout the
nickel

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DIFUSIN en ESTADO ESTACIONARIO
Estado estacionario: El perfil de concentraciones no

cambia con el tiempo.

ESTACIONARIO:
Jx(izq) Jx(dcha) Jx (izq) = Jx(dcha)
x
La concentracin de las sustancias difusivas, C, no cambia con el tiempo.

Aplica la 1 ley de Fick: Ci

C
dC dC Cd
Si Jx)izq = Jx)dcha : =
dx izqda dx dcha Xi Xd
Posicin, X
Resultado: la pendiente, dC/dx=C/x,
debe ser constante (pendiente que no vara con la posicin).
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gradient
Figure 5.15

concentration
Illustration of the

14
 Ejemplo: ESTADO ESTACIONARIO
Plancha de
acero a 700C
con la Gas Rgimen estacionario =
geometra rico lnea recta!
que se en C Gas Adaptada
muestra: de fig. 5.4,
pobre Callister
en C Ed. 2000.

D=3x10-11m2/s
0 x1 x2

Cunto carbono se
transfiere del lado
rico al lado pobre?

,

Ciencia e Ingeniera de Materiales 15

 Composition Profile
(Ficks Second Law)
Ficks second law - The partial differential equation that
describes the rate at which atoms are redistributed in a
material by diffusion.
Interdiffusion - Diffusion of different atoms in opposite
directions.
Kirkendall effect - Physical movement of an interface due to
unequal rates of diffusion of the atoms within the material.
Purple plague - Formation of voids in gold-aluminum welds
due to unequal rates of diffusion of the two atoms;
eventually failure of the weld can occur.

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Figure 5.26 Diffusion of atoms into the surface of a material illustrating

the use of Ficks second law

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DIFUSIN en ESTADO NO ESTACIONARIO
El perfil de concentracin,
dx
C(x), cambia con el

tiempo. J(izq) J(dcha)

Concentracin,
de C en el volumen
Conservando la materia: 1 ley de Fick:
J(dcha) - J(izq) = - dC = - dC
J D o
dx dt dx
dJ = - dC dJ d2 C (si D no
=-D vara
dt
dx dx dx2 con x)

iguala a
Ecuacin de gobierno:
Segunda ley de Fick
Ciencia e Ingeniera de Materiales 18
 Solucin
Las soluciones de esta ecuacin se obtienen especificando ciertas
condiciones de contorno. La solucin general de la ecuacin, utilizando
el cambio de variable

Hacen falta dos condiciones de contorno para obtener una solucin.

Veamos un ejemplo

Ciencia e Ingeniera de Materiales 19

 Ejemplo

Concentracin
de C en barra Al
superficie
, Concentracin Co preexistente de tomos Cu

Cs C(x,t)
t3>t2>t1 Adaptada de
t3 fig. 5.5,
t2 Callister

t t1 Ed. 2000.

Co o
distancia, x
Ciencia e Ingeniera de Materiales 20
 Sigue ejemplo
Las condiciones iniciales son:
La concentracin en la superficie ( x=0) es constante y vale
para t>0 siempre Cs.
Antes de la difusin todos los tomos del soluto estn
uniformemente distribuidos con una concertacin C(t=0)=C0.

La funcin error erf(z) que se corresponde con la integral

no tiene solucin analtica y sus valores se encuentran tabulados.

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Figure 5.27 Graph

showing the argument and
value of error function
encountered in Ficks
second law

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 PREGUNTA de PROCESADO
Cobre que difunde en una barra de aluminio.

durante 10 horas a 600C da la concentracin deseada C(x).

Cuntas horas transcurriran para conseguir la misma C(x)

si la procesamos a 500C?

Punto clave 1: C(x,t500C) = C(x,t600C).

Punto clave 2: Ambos casos tienen idnticos Co y Cs.
Resultado: D t debera mantenerse constante.

5,3 x10 -13 m 2 /s 10 h

(Dt )600 Nota: Los valores

Respuesta: t 500 = = 110 h de D se deberan

-
-14 2
D500 facilitar aqu.
4,8x10 m /s
Ciencia e Ingeniera de Materiales 24
DEMOSTRACIN de la DIFUSIN (1)
Tubo de vidrio lleno de agua.

A tiempo t = 0, aadir algunas gotas de tinta en un

extremo del tubo.

Medir la distancia de difusin, x, a medida que transcurre
el tiempo.

Comparar los resultados con la teora.

Ciencia e Ingeniera de Materiales 25

 DEMOSTRACIN de la DIFUSIN (2)
Experimento: tomar valores de t y x de forma que C sea constante.

= (constante)

ln[x(mm)] Profundidad de
4 BB
BBBBB difusin :
3,5 B B B
B B
3 B
B
2,5 Resultados experimentales:
2 La regresin lineal ajusta a datos: x ~ t0,58

1,5 ln[ x(mm )] = 0, 58 ln[ t (min)] + 2 ,2 La teora predice:
2
1 R = 0 .999 x ~ t0,50

0,5 acuerdo razonable!
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Ciencia e Ingeniera de Materiales 26
ln[t(min)]
 Factors Affecting Diffusion
Temperature and the Diffusion Coefficient (D)
Types of Diffusion - volume diffusion, grain
boundary diffusion, Surface diffusion
Time
Dependence on Bonding and Crystal Structure
Dependence on Concentration of Diffusing
Species and Composition of Matrix

Ciencia e Ingeniera de Materiales 27

 Dependence on Bonding and
2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.
Crystal Structure
The diffusion
coefficient D as a
function of reciprocal
temperature for some
metals and ceramics.
In the Arrhenius plot, D
represents the rate of
the diffusion process.
A steep slope denotes a
high activation energy

Ciencia e Ingeniera de Materiales 28

 Dependence on concentration
The dependence of diffusion
2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein

coefficient of Au on
concentration. (Source:
Adapted from Physical
Metallurgy Principles, Third
Edition, by R.E. Reed-Hill and
under license.

R. Abbaschian, p. 363, Fig.

12-3. Copyright 1991
Brooks/Cole Thomson
Learning. Adapted with
permission.)

Ciencia e Ingeniera de Materiales 29

Types of Diffusion

Ciencia e Ingeniera de Materiales 30

 DIFUSIN y TEMPERATURA
Difusividad, D, incrementa con la T.
pre-exponencial [m 2 /s] (ver Tabla 5.2, Callister )
Energa de activacin
Q [J/mol],[eV/mol]
difusividad D = Do exp - d (ver Tabla 5.2, Callister )
R T
Cte de gases [8.31J/mol-K]
Datos experimentales:
1500
1000

600

300
T(C)
10-8
D (m2/s) D tiene dependencia
exponencial con T.
10-14 Recuerda:
Tambin la concentracin de
vacantes!
10-20 1000K/T
0,5 1,0 1,5 2,0
Adaptado de fig. 5.7, Callister Ed.Ciencia
2000. e Ingeniera de Materiales 31
 2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

Figure 5.23 The activation energy for self-diffusion increases as the

melting point of the metal increases
Ciencia e Ingeniera de Materiales 32
 RESUMEN:
DIFUSIN y ESTRUCTURA
La difusin es MAYOR; MS La difusin es MENOR; MS
RPIDA para... LENTA para:
cristales de estructuras estructuras de
abiertas
empaquetamiento cerrado

materiales de temperatura de materiales con temperatura de
fusin baja
fusin ms alta

materiales con enlaces materiales con enlace
secundarios/dbiles
covalente

tomos difusivos de tamaos tomos difusivos de gran
pequeos
tamao

cations
aniones

materiales de menor densidad materiales de mayor densidad

Ciencia e Ingeniera de Materiales 33