OPTOELECTRNICA

OPTOELECTRNICA
Tratamiento de la radiacin
electromagntica en el rango de las
frecuencias pticas y su conversin en
seales elctricas y viceversa.
El rango del espectro electromagntico
donde se desarrollan los fenmenos
optoelectrnicos es:

UNIDADES RADIOMETRICAS Y FOTOMETRICAS

Electromagnetic_spectrum-es.svg (Imagen SVG, nominalmente 1.176 360 pixels, tamao de archivo: 231 KB)

OPTOELECTRONICA
Conversin electro ptica
Seal Elctrica
Seal ptica
Electro

Opto

Conversin ptica elctrica

Opto
Seal ptica

Electro

Seal Elctrica

CONVERSIN ELETRO -PTICA

Cuando un semiconductor se
encuentra excitado. O sea que dispone
de electrones en la banda de
conduccin, puede emitir fotones
como resultado de la recombinacin
de los electrones de la banda de
conduccin que saltan hacia la banda
de valencia
Conversin elctrica en
ptica.

EMISORES
Fenmeno de recombinacin de electrones de la banda de conduccin con
huecos de la banda de Valencia
Si el semiconductor es del tipo Directo se genera un Fotn desapareciendo el
electrn y el hueco
Por ejemplo el ARSENIURO DE GALIO NaGa
El Silicio Si es del tipo indirecto, la recombinacin de electrones de la banda de
conduccin con huecos de la banda de Valencia genera Fonones (Calor)
SEMICONDUCTOR
E=0
Banda de Conduccin
Electrones

E=-Ec
Foton
E=-Ev

Huecos
Banda de Valencia

CONVERSIN PTO ELETRICA

Cuando un fotn de energa W incide en
un semiconductor que tiene una energa de
banda prohibida igual a al energa del fotn,
este excita los electrones de la banda de
valencia hacindolos saltar a la banda de
conduccin (fenmeno de absorcin)

Conversin ptica en elctrica.

RECEPTORES
FENOMENO DE ABSORCION DE FOTONES
Como resultado de la absorcin de un fotn se genera un par electrn Hueco
Son los conversores pticos elctricos, por ejemplo
LDR Light Depend Resistor
Fotodiodo
Fototransistor
SEMICONDUCTOR
E=0
Banda de Conduccin
Electrones

E=-Ec
Fotn Incidente
E=-Ev

Huecos
Banda de Valencia

Tanto para la absorcin como para a emisin, la energa del

fotn asociado es:
Donde h es la constante de Planck, h=6.62E-34 [J.s] y f es la
frecuencia expresada en Hertz de la onda asociada.
Como el Fotn se mueve a la velocidad de la luz
(3E8[m/seg])
Donde es la longitud de onda [m] y f es la frecuencia.
Luego:
Expresando W[eV] en eV electrn-volt = 1,6E(-19) Joule
Se tiene que :

Considerando a la Optoelectrnica
como un problema de telecomunicaciones
podemos clasificar a los componentes en
GENERADORES o EMISORES Y RECEPTORES.

Emisores:

Receptores:

Lmparas de
descarga

LED

LED Lser

Display

LDR

Fotodiodos

Fototransistores

CCD

GENERADORES Y RECEPTORES
GENERADORES

DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

DIODOS LASER
TUBOS DE DESCARGA GASEOSA

RECEPTORES

De efecto fotoelctrico
interno

De efecto fotoelctrico
externo

De juntura

Fotodiodo
Fototransistor
Fototiristor
Celda Solar

Resistivos

Resistores
dependientes de la luz
(LDR)

Fotoclulas
Fotomultiplicadores

GENERADORES OPTOELECTRNICOS
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED):
La generacin fotnica es el resultado de
una recombinacin electrn hueco
espontnea en un semiconductor
directo.
Espontnea
completamente aleatoria,
no ordenada o inducida por algn agente
externo. Los fotones emitidos originan un
haz de luz completamente incoherente.

TIPOS DE RECOMBINACIN DE ELECTRONES:

1. Recombinacin entre electrones libres de la
banda de conduccin y huecos libres de la banda
de valencia.
2. Recombinacin de electrones libres de la banda
de conduccin y los iones de los niveles aceptores.
3. Recombinacin entre electrones de los niveles
donores y iones de los niveles aceptores.
4. Recombinacin entre electrones de los niveles
donores y huecos de la banda de valencia.

Para que el proceso de recombinacin electrn hueco origine

un fotn, la recombinacin se debe producir sin cambios en la
cantidad de movimiento del sistema. Esto se da en los
materiales de tipo directo. En cambio en los materiales
indirectos, la recombinacin se da con variacin en la
cantidad de movimiento y lo que se origina es un FONN
(fotn de caractersticas trmicas) originando calentamiento
del sistema, ms que radiacin ptica.
Para entender este fenmeno se debe analizar el diagrama de
energas versus la cantidad de movimiento del sistema.

Para el caso particular de una

juntura PN polarizada directa,
la inyeccin de portadores
minoritarios en las zonas
neutras, en la vecindad de la
juntura origina un aumento de
la recombinacin. A esta
inyeccin de portadores en la
juntura, que produce fotones
como resultado del proceso de
recombinacin, se la llama
inyeccin Luminiscente.
Esta es la razn por la que los
LED para que emitan flujo
lumnico deben estar
polarizados directos.

LED
Light Emiting Diode
Juntura PN polarizada directa para favorecer el fenomeno de recombinacion

N (ND)

P (NA)
F
o
t
o
n

npo

np(x)

pn(x)

f
o
t
o
n

pno

MATERIALES DIRECTOS UTILIZADOS PARA LA FABRICACIN DE

DIODOS LED:

GaAs (Arseniuro de Galio).

GaP (Fosfuro de Galio).
InP (Fosfuro de Indio).
GaSb (Antimoniuro de Galio)
InAs (Arseniuro de Indio).
InSb (Antimoniuro de Indio).
AlxGa(1-x)As (Arseniuro de Galio Aluminio).
GaAs(1-x)Px (Fosfuro Arseniuro de Galio)
InGaAsP (Fosfuro Arseniuro de Galio Indio).
OBS: El Silicio y el Germanio son materiales por naturaleza
indirectos, y por lo tanto no se usan para fabricar diodos LED.

18

Las impurezas izoelectrnicas colocan

estados permitidos en la banda prohibida y
convierten al material de indirecto en
directo.

MATERIALES DIRECTOS e INDIRECTOS

Grupos III, IV y V de Tabla Peridica

GRUPO III

GRUPO IV

GRUPO V

5
B

6
C

7
N

13
Al

14
Si

15
P

31
Ga

32
Ge

33
As

49
In

50
Sn

51
Sb

LED
v()
Anodo

Zona P

Zona N

Katodo

Estructura de un LED

Caractersticas del LED

Caracteristicas del LED

Es un dispositivo Semiconductor formado por una p-n junction

Normalmente construido de Un semiconductor Directo como el
GaAs, GaAsP , GaP :

Debe estar polarizado directo con corriente CC

Emite LUZ incoherente debido a un proceso de recombinacion de
electrones con huecos en las zonas cercanas a la juntura o sea
Recombinacion
luz

El color de la luz emitida esta determinado por el ancho de la zona
prohibida (separacin entre banda de valencia y conduccin del
semiconductor usado

Si y Ge no se utilizan por que son semiconductores indirectos y el
proceso recombinacion entre bandas
resulta en calor

26

PRODUCCIN CUNTICA Q (para un

LED):
Nmero de fotones emitidos por unidad de
tiempo, por el numero de electrones que son
puestos en juego por el proceso por unidad de
tiempo.
nE: n de electrones por unidad
de tiempo = I.t/q .
nF: n de fotones por unidad de
tiempo = ().t/ (h.f)
I: corriente directa del diodo.
: flujo emitido por el LED.
Q= ()/I * (q / h Co) *

SENSIBILIDAD DEL LED: cociente entre el

flujo radiante y la corriente elctrica que lo
origina.
S=flujo () / corriente = () / I

Intensidad Relativa versus

corriente directa del diodo LED

MODULACIN

MODULACIN

MODULACIN