UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

Facultad de Ciencias
Escuela Profesional de Fsica

CIRCUITOS ELECTRONICOS
ANALOGICOS
DE TRANSISTORES BJT
Informe # 13: POLARIZACION
Estudiante: Luis Sahua Villegas

Carrera: Ingeniera Fsica

Profesora: Circe Rondinel

Ciclo 2016-II

1. Objetivos.
Estudiar el transistor como amplificador de se
nales peque
nas en la configuracion emisor
com
un.
2. Resumen.
En este experimento nos familiarizamos con el ensamble de circuitos que tienen como uno
de sus elementos al transistor, teniendo en cuenta las tres partes de este: emisor, base y
colector ; ademas, comprobamos que el transistor operaba en la region de amplificacion, y
que para VP E 0, 5 V se observa la se
nal de entrada y salida, registrandose una ganancia.
3. Fundamento te
orico.
El analisis o dise
no de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del
sistema tanto de cd como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo magico que puede elevar el nivel de la entrada de ca, sin la ayuda de una fuente
de energa externa. En realidad, el nivel de potencia de ca de salida mejorada
es el resultado de una transferencia de energa de las fuentes de cd aplicadas. aplicadas. El analisis o dise
no de cualquier amplificador electronico se compone,
por consiguiente, de una parte de ca y una de cd. Por suerte, el teorema de superposicion
es aplicable y la investigacion de las condiciones de cd puede separarse por completo de
la respuesta de ca. Sin embargo, hay que tener en cuenta que durante la etapa de dise
no o sntesis, la seleccion de los parametros de los niveles de cd requeridos afectaran la
respuesta de ca, y viceversa.
4. C
alculos.
VCC IC RC VCE IE RE = 0 (1)
IE IC + IB IC , IC = IB
Utilizando el metodo exacto (Thevenin):
Con R1 = 10 K, R2 = 22 K, VCC = 24, 5 K
R1 R2
R2 VCC
= 1, 8 K y VT h =
= 4, 42 V
R1 + R2
R2 + R1
= IB RT h VBE IE RE = 0, IE IC + IB IB , IC = IB

RT h =
VT h

Con VBE = 0, 6 V y RE = 1 K = prom = 185 IB = 20 A

Calculo de IC :
IC = IB = 185 20 10 106 = 3, 7 mA
De la ecuacion (1) con IE IC + IB IC
VCE = 7, 48 V
VCEmedido = 7, 39 V,VBEmedido = 0, 64 V,IBmedido = 19, 7 A,ICmedido = 3, 81 mA
En el paso 3: cuando VP E = 4, 7 V, la se
nal de salida comienza a distorsionarse.
Amplitud promedio = 3,5 V

5. Gr
aficos.

Figura 1: Se
nal de entrada y salida sinusoidal del circuito de la Fig. 13.2

Figura 2: A partir de VP E 4, 7 V la se
nal comienza a distorsionarse.
6. Observaciones y recomendaciones.
a) En la figura 1 observamos una se
nal de salida invertida con respecto a la de entrada.
b) En la figura 2, tal como se indica, se observa una se
nal invertida que comienza a
distorsionarse.
7. Discusi
on de resultados.
a) El punto de operacion de un Transistor BJT es sensible a las variaciones de los
diversos parametros que rigen su funcionamiento; tales como: Ganancia de Corriente
del Emisor Com
un (), Tension de Polarizacion (VCC ), Tension en la Union BaseEmisor (VBE ), Resistencia de la Base, etc. Esto se denomina Sensibilidad del Punto
de Operacion del Transistor. Sin embargo; para esta practica, hemos variado el valor
de la Resistencia R1 (esta afecta a la Resistencia de la Base (RB ) del equivalente de
Thevenin visto desde la Base hacia fuera del transistor, alterando la corriente de la
Base IB y; por lo tanto, la Corriente del Colector IC seg
un la relacion IC = IB ) y
el valor de la Resistencia RP C (esta afecta a la Corriente del Colector y a la Tension
Colector-Emisor VCE ).
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8. Conclusiones.
a) La corriente del colector depende de la corriente de la base.

b) El transistor opera en tres estados: lineal, saturacion y corte. Estos

dependen de VCE
e IC .
c) Si la corriente IC tiende a cero, el transistor operara en la Zona de Corte.
d ) Una vez logrados los objetivos de esta practica, sabemos que los transistores BJT
pueden operar en uno de tres modos posibles: Corte (ambas uniones polarizadas
inversamente), Activo (Union Base-Emisor polarizada directamente y Union BaseColector polarizada inversamente) y Saturaci
on (ambas uniones polarizadas directamente).
e) El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente,es
decir, una fuente de corriente que no es de valor fijo; sino que, vara produciendo
mas o menos corriente en la medida en que hay mas o menos corriente en la base.
f ) Como toda la corriente que entra al transistor es igual a la que sale, se concluye que
este no acumula carga.
9. Referencias Bibliogr
aficas.

a) https://es.scribd.com/doc/115695369/practica-n%C2%BA3-informe-polarizacion-delb) https://ea2-unalmed.wikispaces.com/file/view/ECSL+pr%C3%A1ctica+3.pdf