UNIVERSIDAD PERUANA UNIN

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA CIVIL

PROYECTO DE TESIS
I.

GENERALIDADES

1. Ttulo:
2. Autor:
2.1 Nombres de alumnos
3. Asesores:
3.1 Asesor:
3.1.1 Profesor del curso
3.1.2 Maestro en Ciencias Fsicas
3.1.3 Ttulo: Licenciado en Fsica
3.2 Co-Asesor: profesor de apoyo
4. Tipo de investigacin:
4.1

De acuerdo al fin que se persigue: APLICADA o basica

4.2

De acuerdo al diseo de investigacin: EXPLICATIVA o descriptiva

5. Localidad e institucin donde se desarrollar el proyecto:

5.1 LABORATORIO DE fac de ing
Campus Upeu aa. Lima
5.2 Duracin de la ejecucin del proyecto: 2 meses
6. Cronograma de trabajo

6.1 Recoleccin de datos

Fecha de
inicio
01/10/2008

Fecha de
trmino
31/07/2009

Dedicacin
semanal (hrs)
08

6.2 Anlisis de datos

01/08/2009

31/10/2009

08

6.3Elaboracin del informe

01/11/2009

31/12/2009

08

Etapas

7. Recursos:
8.1

Personal
8.1.1

8.2

Autor y Asesor del Proyecto

Bienes:

Balanza Analtica ( 0,1 mg)

Equipo de limpieza por ultrasonido (Sonicador)

8. Presupuesto:
Cdigo
5.3.11.30

5.3.11.32

5.3.11.36
5.3.11.39

10.

Descripcin
Bienes de Consumo
Zn acetate anhydrous: Zn(CH3COO)2, 99.9%.

50 g

640.00

Etanol Grado Reactivo (RG) Merck lab.

1L

260 .00

cido clorhdrico

0.5 L

120.00

cido ntrico

0.5 L

120.00

Acetona

500 ml

160.00

Guantes quirrgicos

50 pares

80.00

Sustratos de vidrio (slides para microscopa)

100 u
Sub total

Gastos de transporte
Transportes de muestras para anlisis XRD;
SEM, Trujillo Mayagez (Puerto Rico)
Tarifa de servicios de terceros
Uso de internet

03 envos

60.00
1440.00
450.00

Sub total

450.00

300 horas
Sub total

300.00
300.00

500 pags.

80.00

Copias de CD room/DVD

06 u

30.00

Impresin de informe final

04 ejmp.
40.00
Sub total 150.00
TOTAL
2 340.00

Financiamiento:

PLAN DE INVESTIGACIN
1.

Costo (S/.)

Servicios de terceros
Fotocopias de artculos cientficos

Autofinanciado
II.

Cantidad

Antecedentes y justificacin del problema:

2

Los enormes avances en la miniaturizacin de dispositivos para aplicaciones en la

ciencia y la tecnologa, se han dado principalmente en los ltimos cincuenta aos.
Por tal razn, la Nanotecnologa se ha convertido en uno de los ms importantes y
excitantes campos de vanguardia en Fsica, Qumica, Ingeniera y Biologa. La
Nanotecnologa se basa en reconocer que las partculas con tamaos inferiores a
100 nanmetros confieren nuevas propiedades y nuevos comportamientos a las
nanoestructuras que con ellas se construyan. Las propiedades fsicas de un material,
dependen del ordenamiento de sus tomos, sus enlaces, las condiciones ambientales
(presin y temperatura) a las que est sometido y por supuesto, de la densidad de
cargas elctricas en el material. Se ha observado por ejemplo, que la estructura
electrnica, la conductividad, la temperatura de fusin y las propiedades mecnicas
varan cuando las partculas alcanzan tamaos inferiores a cierto valor crtico. Sin
embargo, esta reduccin no slo es de tamao, sino que se ha entrado a un rango
dimensional que est en los mismos rdenes de magnitud que las distancias de
ordenamiento entre planos atmicos en un material slido, lo cual nos lleva a
estudiarlos desde un punto de vista cuntico. Vemoslo de esta forma: Si se reduce
una dimensin a un orden nanomtrico, mientras que las otras dos dimensiones se
mantienen grandes, obtenemos la estructura que se conoce como pozo cuntico. Si
son dos las dimensiones las que se reducen, mientras la tercera se mantiene grande,
la estructura resultante se llama alambre o hilo cuntico (nanowire). El caso
extremo de este proceso de reduccin de tamaos, en el que las tres dimensiones
llegan a ser nanomtricas, se conoce como punto cuntico (quntum dot) [1]. La
Figura 1 ilustra estos procesos de simplificacin de escala y de dimensionalidad
que pueden sufrir los materiales. La palabra cuntico pues, est asociada a estos
z
z
tres tipos de nanoestructuras,
ya que los cambios en
las propiedades surgen de la
Pozo cuntico
Bulk
naturaleza mecnico cuntica de la fsica en los dominios ultrapequeos. As por
3-D
ejemplo, en un alambre
cuntico los electrones se encuentran
deslocalizados y se
2-D
O
O
mueven libremente a lo largo
y en direcciones
y del alambre, pero estn confinados

transversales.
x

x
(a)
z

(b)
z

z
Hilo cuntico

Punto cuntico

1-D

y
(c)

3
x

0-D

y
(d)

Fig. 1: Esquema de la generacin progresiva de nanoestructuras rectangulares.

Material en (a) volumen (bulk), (b) capa delgada, (c) hilo cuntico y (d)
punto cuntico.

Las nanoestructuras 1-D son tambin conocidas en diferentes formas: nanowires,

nanorods, nanotubos, nanobelts, etc. La Figura 2 muestra ejemplos de nanowires y
nanorods hechos de diferentes materiales [2-5]. Los alambres cunticos o nanohilos
(nanowires) son unas de las ms definidas y mejores controladas en la construccin
a nanoescala. Por ejemplo, los nanowires semiconductores han demostrado ser
bastante prometedores en la fabricacin de dispositivos electrnicos y
optoelectrnicos [6,7]. Por otro lado, el estudio sobre los nanorods est tomando
cada vez mayor importancia por sus novedosas propiedades y potenciales
aplicaciones en numerosas reas tales como la electrnica a nanoescala y fotnica,
as como, con aplicaciones en biologa y biomedicina [4, 5, 8-10]. Debido a que los
nanorods, al igual que los nanowires, representan estructuras con mnimas
dimensiones que pueden transportar eficientemente portadores elctricos, la forma
geomtrica, as como su alineamiento o crecimiento preferencial

de estas

nanoestructuras 1-D, son de gran importancia en la determinacin de sus

propiedades elctricas, mecnicas, pticas y de transporte trmico.

(a)

(b)

(c)
(d)

Fig. 2: Imgenes por microscopa electrnica de barrido de: (a) Nanowires de SnO 2
para sensores de gas [2], (b) Nanowires de ZnO crecidos verticalmente sobre
pelculas de ZnO dopadas con Ga [3], (c) Nanorods de Au para aplicaciones
biomdicas [4] y (d) arreglo de nanorods de ZnO crecidos sobre pelculas de
ZnO [5].

Los nanorods basados en xido de zinc (ZnO) estn siendo intensamente

estudiados debido a las propiedades nicas con las que cuenta el ZnO. Este
semiconductor compuesto II-VI, posee una estructura de banda directa con un
ancho de banda prohibida o band gap de aproximadamente 3.3 eV a 300 K y un
excitn de 60 meV, proporcionndole interesantes propiedades pticas y
electrnicas [11-13]. Estas caractersticas permite entonces, que los nanorods
semiconductores sintetizados en base al ZnO tengan un amplio rango de
aplicaciones en una variedad de elementos funcionales tales como, celdas solares,
sensores, emisores de luz de longitud de onda corta, dispositivos de efecto campo,
diodos y recubrimiento de materiales; como sustancias bactericidas [10, 14-17].
Sin embargo, en muchos casos, es importante controlar el tamao, la forma y su
alineamiento preferencial en estos tipos de nanoestructuras para lograr mejor

aplicabilidad. Por ejemplo, se ha encontrado que un crecimiento preferencial

cristalogrfico y una alta rea superficial de nanorods de ZnO, mejora las
propiedades fsicas, adems de proporcionarle una espontnea polarizacin
piezolctrica, buena conductividad elctrica y trmica [5,17]. Adems, debemos
tener en cuenta que el incremento en la longitud de un nanorod, est generalmente
acompaado por un subsecuente incremento en el dimetro, de modo que es
apropiado controlar el crecimiento lateral sin afectar la orientacin de los nanorods.
Es importante por tanto, emplear mtodos o tcnicas adecuadas para sintetizar
arreglos de nanorods bastante alineados con las caractersticas antes mencionadas.
Actualmente se vienen aplicando diversas tcnicas para sintetizar nanorods de ZnO
sobre sustratos slidos, tales como Chemical vapor deposition (CVD), Physical
vapor deposition (PVD), metalorganic chemical deposition (MOCVD), vapor
liquid solid (VLS)[16-18], etc. Estas tcnicas han demostrado ser muy eficientes,
pero tienen la desventaja de ser bastante costosas y requieren alto vaco y buen
control de temperatura. Otras tcnicas mas econmicas que han dado tambin buen
resultado son aquellas que se realizan mediante proceso de solucin qumica [5]. La
simplicidad y el fcil control del proceso mediante sta tcnica, le confiere una
gran ventaja frente a las otras tcnicas de vaco antes mencionadas. Los nanorods
de ZnO obtenidos por solucin qumica podran ser prometedoras para la obtencin
de dispositivos opto electrnicos y biosensores de bajo costo. Otra tcnica que
podra dar buen resultado es mediante rociado piroltico (spray pyrolysis, SP) [17].
La tcnica de Spray Pyrolysis es un proceso de aerosol que atomiza una solucin y
condensa las gotas para producir partculas slidas. sta tcnica, junto con la del
proceso de sntesis mediante solucin qumica, podran resultar muy efectivas si se
emplean semillas o sustratos con estructura orientada que daran inicio a un
conjunto de nanorods con un crecimiento altamente preferencial. Sin embargo, a
pesar que sta tcnica es tambin econmica y de fcil control de su parmetros
tales como, temperatura de sntesis, flujo de aire y solucin qumica, etc., pocos
trabajos han sido encontrados respecto a la sntesis de un conjunto de nanorods de
ZnO altamente orientados.
Precisamente, el objetivo del presente trabajo es obtener un arreglo de nanorods de
ZnO altamente orientados, los cuales sern sintetizados sobre pelculas de ZnO que

han sido previamente depositadas en sustratos de vidrio. El propsito de usar

pelculas de ZnO, la cual tiene una estructura hexagonal, es orientar el crecimiento
de nanorods de ZnO perpendicular al plano del sustrato, tan igual como resultara
empleando semillas iniciadoras. sta investigacin es muy importante porque
contribuira en la optimizacin de sntesis de nanorods de ZnO altamente
orientados con aplicaciones diversas. La evaluacin se har mediante un anlisis
estructural, morfolgico y a travs de la absorcin y transmitancia ptica.

2.

Problema:
Influencia de los parmetros de sntesis en el crecimiento orientado de nanorods de
ZnO sobre pelculas delgadas de ZnO usando la tcnica de spray pyrolysis.

3.

Hiptesis:
Con un buen control de temperatura, rapidez de flujo de solucin y presin, la
tcnica de spray pyrolysis resulta ser bastante efectiva para sintetizar nanorods de
ZnO orientados y con buenas caractersticas fsicas.

4.

Diseo de investigacin:
Objeto de estudio:
Utilizar la tcnica de spray pyrolysis para crecer nanorods de ZnO con buena
orientacin y con ptimas propiedades fsicas. Se obtendrn patrones de difraccin
de rayos X mediante un difractmetro; as mismo, se evaluar la morfologa
mediante observaciones con microscopa electrnica de barrido. Adems, se
evaluar las propiedades pticas mediante la absorcin y la transmitancia ptica, a
partir del cual se determinar la banda prohibida o band gap.

Mtodos y tcnicas:
Sntesis por Spray Pyrolysis (SP):
Las soluciones a atomizar sern preparadas usando acetato de Zn no hidratado
[Zn(OOCCH3)], diluidos en etanol a temperatura ambiente y con ayuda agitacin
mediante ultrasonido. En todos los procesos de sntesis se controlar la temperatura

dentro del rango de 300 a 600C. Las pelculas de ZnO sern depositadas sobre
sustratos de vidrio portaobjetos (slides microscope). Estos sustratos sern limpiados
con cido ntrico y acetona con bao de ultrasonido; y luego sern secados en un
hot plate a 80C.
Caracterizacin:
El anlisis estructural ser har mediante un X-Ray difractmetro Kristalloflex
Siemens, CuK, = 1.54. Las propiedades pticas de absorcin se harn mediante
un espectrofotmetro UV Vis, AT 8452 (: 100 990 nm). La banda prohibida se
calcular a partir de los datos de absorcin versus longitud de onda.

5. Referencias bibliogrficas:
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]

[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]

_________________________________
Estudiante de Doctorado
Ciencia de Materiales

_________________________________
Asesor