Tema08.Memorias OCW

Memorias
Luis Entrena, Celia Lpez, Mario Garca,

Enrique San Milln
Universidad Carlos III de Madrid
ndice
l
l
l
l
l
l
l
l
Introduccin. Tipos de memorias

Caractersticas de las memorias
Organizacin interna de una memoria
Memorias de lectura y escritura (RAM)
Memorias de slo lectura (ROM)
Expansin del tamao de palabra y de capacidad de
las memorias
Cronogramas de acceso a memoria
Otras aplicaciones de las memorias
Luis Entrena, Celia Lpez, Mario Garca, Enrique San Milln. Universidad Carlos III de Madrid, 2008
Memorias
l
Dispositivos para almacenamiento masivo de

informacin
Son un componente fundamental de los sistemas
digitales
Existen numerosos tipos de memorias. Se pueden
clasificar segn diferentes parmetros:
Propiedad fsica utilizada para el almacenamiento de la
informacin
Caractersticas de acceso, permanencia de la informacin,
etc.
Tipos de memorias
l
Memorias magnticas:
Memorias pticas:
Patrones de magnetizacin sobre una superficie cubierta de un

material magnetizable
Ejemplos: disco duro, disquete, cinta magntica, etc.
La informacin se graba con un lser que genera minsculas
perforaciones sobre una superficie. La lectura se realiza
iluminando con un lser y midiendo la reflexin
Ejemplos: CD, DVD
Memorias de semiconductores
Circuitos electrnicos
Nos centraremos en este tipo de memorias
Memorias de semiconductores
l
Memorias RAM (Random Access Memory)
Memorias ROM (Read Only Memory)
Memorias de Lectura y Escritura

Ejemplo: memoria principal de un ordenador
Memorias de slo lectura

Los contenidos estn fijados de fbrica o pueden ser
programados
Ejemplo: memoria Flash

l
Capacidad: cantidad de informacin que es capaz de

almacenar
Tamao de palabra: nmero de bits que se pueden acceder de

una vez
Normalmente potencias de 2: 1, 2, 4, 8, 16, 32

1 Byte = 1B = 8 bits
Nmero de palabras: Normalmente potencias de 2
Capacidad = <nmero de palabras>x<tamao de palabra>
210 = 1.024 = 1K (Kilo)

220 = 1.048.576 = 1M (Mega)
230 = 1.073.741.824 = 1G (Giga)
240 = 1.099.511.627.776 = 1T (Tera)
Ejemplo: 16Mx8

l
Tiempo de acceso:
Tiempo que se necesita para acceder un dato en la memoria

Puede ser diferente para lectura y para escritura
Modo de acceso:
Secuencial o serie: slo se puede acceder en un orden

determinado. El tiempo de acceso vara dependiendo de la
posicin que se desea acceder
Ejemplo: cinta magntica
Aleatorio: se puede acceder en cualquier orden. El tiempo de

acceso es el mismo para todas las posiciones de memoria
Ejemplo: memoria principal de un ordenador

l
Permanencia o estabilidad de los datos:
Memoria no voltil: Mantiene la informacin almacenada
aunque est desconectada de una fuente de alimentacin
Ejemplo: memoria Flash
Memoria voltil: Si se desconecta de la fuente de

alimentacin, se borra
Ejemplo: memoria RAM esttica (memoria cache)
Memoria dinmica: Pierde la informacin al cabo de un

cierto tiempo, incluso aunque est alimentada.
Necesita refresco peridico de la informacin almacenada

Ejemplo: memoria RAM dinmica (memoria principal)

l
Otras caractersticas que pueden determinar la

eleccin de una memoria para una aplicacin
determinada:
Coste/bit
Consumo
No hay ningn tipo de memoria que sea la mejor

respecto a todas las caractersticas!
Es necesario utilizar la memoria ms adecuada para cada

aplicacin o una combinacin jerrquica de memorias
Jerarqua de memoria
+
Coste / bit
-
Memoria Cach
Memoria Principal
Disco Duro
Almacenamiento Masivo
+
Velocidad de acceso
Registros
10
Jerarqua de memoria
Memorias de Semiconductores
+
Coste / bit
-
Memoria Cach
Memoria Principal
Disco Duro
Almacenamiento Masivo
+
Velocidad de acceso
Registros
Memorias pticas y magnticas

11
Organizacin de una memoria:

interfaz
Bus de
direcciones
Bus de
control
MEMORIA
2n x m
n
A
Bus de
datos
CS
WE
OE
12

interfaz
l
Bus de direcciones (A): Indica la posicin que se desea

acceder
Tiene n bits para una memoria de 2n posiciones

Ejemplo: 20 bits para 1M, 30 bits para 1G
Bus de Datos (D): Proporciona el dato
El ancho del bus de datos (m) es igual al tamao de palabra

En escritura es un dato de entrada
En lectura es un dato de salida
Puede ser un nico bus bidireccional, o dos buses, uno de
entrada y otro de salida
13

interfaz
l
Bus de control: seales que controlan la operacin de

la memoria. Algunas seales tpicas:
CS (Chip Select) o CE (Chip Enable): Habilita el acceso. Si no
se activa, el bus de datos se pone tpicamente en triestado

R/W (Read/Write) o WE (Write Enable): Selecciona la
operacin a realizar (lectura o escritura)
OE (Output Enable): Habilita la salida de datos. Si no se
activa, el bus de datos se pone tpicamente en triestado
RAS (Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe):
En memorias con organizacin 3D
Otras seales: CLK en memorias sncronas, BE (Byte Enable)
para seleccin de bytes dentro de una palabra, etc
14

estructura interna
0
1
Decodificador
Bus de
direcciones
3
4
5
6
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
2n-2
2n-1
Bus de
control
CS
WE
OE
Sensores y
Amplificadores
Bus de
datos
15
Acceso a datos
Organizacin 3D
Ancho de palabra
Direccin
(A2-A0)
Direcciones
Decodificador
de filas
Direccin
(A4-A3)
Planos =
Direcciones
Decodificador
de columnas
Memoria: 32 x 8
Bus de direcciones: 5 bits (25=32)
Bus de datos: 8 bits
Capacidad: 32 8 = 256 bits
Buffer de salida
Datos de salida
16
Memorias RAM
l
l
Memorias de lectura y escritura

Dos tipos:
RAM esttica (SRAM): cada bit se almacena en un biestable

RAM dinmica (DRAM): cada bit se almacena en un condensador
La memoria DRAM ms usada actualmente es del tipo DDR

(Double Data Rate) SDRAM
Organizacin 3D
Utiliza reloj (Synchronous DRAM)
Accede a los datos en los dos flancos de reloj (Double Data Rate)
Ancho de 64 bits
Versiones evolucionando en el tiempo: DDR, DDR2, DDR3, DDR4
17
Memorias RAM
l
Ventajas e inconvenientes:
SRAM
Tamao (n de bits)
Velocidad
DRAM
Coste/bit
Consumo
Voltil
SI
SI
Refresco
NO
SI
Cache
Memoria principal
Ejemplo de utilizacin
18
Memorias ROM
l
l
l
Memorias de slo lectura

Son no voltiles
Tipos
No programables: contenidos fijados en fabricacin

Programables: el usuario puede fijar los contenidos
Borrables o reprogramables: puede borrarse para almacenar
otros contenidos
Conviene distinguir entre los conceptos de escritura y

programacin , aunque la frontera es cada vez ms
difusa:
Escritura: es una operacin similar a la lectura

Programacin: utiliza un mecanismo fsico diferente que la
lectura, suele ser mucho ms lenta y aplicable solo por
bloques o incluso para el chip entero
19
Tipos de memorias ROM

Tipo
Significado
Lectura
Programable
Borrable
(Reprogramable)
ROM
Read Only Memory
Aleat.
No (por mscara)
No
PROM
Programmable ROM
Aleat.
Una vez
No
EPROM
Erasable Programmable
ROM
Aleat.
Electricamente
Por luz UV
EEPROM
Electrically Erasable
Programmable
ROM
Aleat.
Electricamente
Electricamente
NOR Flash
Celdas en paralelo
Aleat.
Electricamente
Electricamente
NAND Flash
Celdas en serie
Serie
Electricamente
Electricamente
20
Expansin de memorias
l
Cmo construir memorias grandes a partir de unas

pastillas de memoria?
Expansin del bus de datos

Expansin del bus de direcciones
Expansin del bus de datos y del bus de direcciones
La expansin es una prctica habitual (ejemplo:

modulos DIMM)
21
Expansin del tamao de palabra

A9
Buses de
direcciones y
control comunes
Bus datos se
forma con la unin
de los buses de
datos:
A9
D3
D2
D1
D0
A0
A0
D11
A9
D3
D2
D1
D0
A0
D0
Cada pastilla
A9
D3
D2
D1
D0
aporta una porcin

de los datos
A0
CS
WE
22
Expansin de la capacidad
l
Buses de control y de
datos comunes
Bus de direcciones:
Cada pastilla aporta

una porcin del
espacio de
direcciones
Parte alta se
decodifica para
seleccionar la pastilla
Parte baja comn:
selecciona la
direccin dentro de la
pastilla
A9
A9
D3
D2
D1
D0
A0
A0
CS
A9
D3
D2
D1
D0
D3
D0
A0
CS
A10
WE
23
Expansin de tamao de palabra y

capacidad
10
A9:0
A9:0
CS
Combinacin de
las anteriores
Dec
A11
D3:0
WE
A9:0
CS
D3:0
WE
A10
A9:0
CS
E
A9:0
CS
A9:0
CS
A9:0
CS
A9:0
CS
D3:0
WE
D3:0
WE
D7:4
D3:0
D7:0
D3:0
WE
D3:0
WE
D3:0
WE
4
A9:0
CS
D3:0
WE
WE
24
Mapa de memoria
l
Rangos de direcciones correspondientes a cada

circuito de memoria
ROM
(64K)
RAM
(32K)
RAM
(32K)
Direccin
(hex)
00000h
Direccin (bin)
A16 A16 A14A0
0
0
00
0FFFFh
10000h
0
1
1
0
11
00
17FFFh
18000h
1
1
0
1
00
00
1FFFFh
11
64K=26210=1216=10000h
32K=25210=23212=08000h
25
Cronogramas: Ciclo de lectura

l
l
tRC: Tiempo mnimo de ciclo de lectura

tAA: Tiempo de acceso de lectura
tRC
ADDRESS
Address Stable
tAA
CE
tDF
tOE
tOEH
OE
tCE
WE
HIGH-Z
Outputs
tOH
Output Valid
HIGH-Z
RX/BY
26
Cronogramas: Ciclo de escritura

l
tWC: Tiempo
mnimo de ciclo de
escritura
tpW: Tiempo mnimo
del pulso de
escritura
tSU: Tiempo de
establecimiento o
setup
tHO: Tiempo de
mantenimiento o
hold
tWC
ADDRESS
Address Stable
tSCE
CE
OE
tAW
tPW
tSA
tHA
WE
tSU
Data In
Data O ut
HIGH-Z
tHZWE
tHO
HIGH-Z
DATA Valid
tLZWE
Data Undefined
27
Otras aplicaciones de las memorias

l
l
Se pueden utilizar memorias para realizar funciones lgicas

Una funcin se implementa almacenando su tabla de verdad
en una memoria
Una memoria que se utiliza para almacenar la tabla de verdad
de una funcin se denomina Look-Up Table (LUT)
El tamao de la memoria necesaria aumenta
exponencialmente con el nmero de variables de entrada
ROM
m funciones de n variables
D
(Dm-1, , D0) = f(An-1, , A0)
28
Pilas de insercin/extraccin
(LIFO)
l
LIFO (Last In First Out): Los datos salen en orden

Memoria
inverso al de entrada
Contador
37
18
45
23
Memoria
Contador
18
45
23
Memoria
Contador
45
23
29
Colas FIFO
l
FIFO (First In First Out): Los datos salen y entran en

el mismo orden, pero en instantes diferentes
Aplicacin: Almacenamiento temporal para ajuste de
rfagas de datos
Memoria
Contador Entrada
Contador Salida
18
45
23
30
Bibliografa
l
Circuitos y sistemas digitales. J. E. Garca

Snchez, D. G. Toms, M. Martnez Iniesta. Ed.
Tebar-Flores
Principios de Diseo Digital . D. Gajski. Ed.
Prentice-Hall
Fundamentos de Sistemas Digitales . Thomas L.
Floyd. Pearson Prentice Hall
31

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Introduccin. Tipos de memorias

Dispositivos para almacenamiento masivo de

Propiedad fsica utilizada para el almacenamiento de la

Patrones de magnetizacin sobre una superficie cubierta de un

Memorias RAM (Random Access Memory)

Memorias ROM (Read Only Memory)

Memorias de Lectura y Escritura

Memorias de slo lectura

Caractersticas de las memorias

Capacidad: cantidad de informacin que es capaz de

Tamao de palabra: nmero de bits que se pueden acceder de

Normalmente potencias de 2: 1, 2, 4, 8, 16, 32

Nmero de palabras: Normalmente potencias de 2

Capacidad = <nmero de palabras>x<tamao de palabra>

210 = 1.024 = 1K (Kilo)

Caractersticas de las memorias

Tiempo que se necesita para acceder un dato en la memoria

Secuencial o serie: slo se puede acceder en un orden

Ejemplo: cinta magntica

Aleatorio: se puede acceder en cualquier orden. El tiempo de

Ejemplo: memoria principal de un ordenador

Caractersticas de las memorias

Permanencia o estabilidad de los datos:

Memoria no voltil: Mantiene la informacin almacenada

aunque est desconectada de una fuente de alimentacin

Ejemplo: memoria Flash

Memoria voltil: Si se desconecta de la fuente de

Ejemplo: memoria RAM esttica (memoria cache)

Memoria dinmica: Pierde la informacin al cabo de un

Necesita refresco peridico de la informacin almacenada

Caractersticas de las memorias

Otras caractersticas que pueden determinar la

No hay ningn tipo de memoria que sea la mejor

Es necesario utilizar la memoria ms adecuada para cada

Memorias pticas y magnticas

Organizacin de una memoria:

Organizacin de una memoria:

Bus de direcciones (A): Indica la posicin que se desea

Tiene n bits para una memoria de 2n posiciones

Bus de Datos (D): Proporciona el dato

El ancho del bus de datos (m) es igual al tamao de palabra

Organizacin de una memoria:

Bus de control: seales que controlan la operacin de

CS (Chip Select) o CE (Chip Enable): Habilita el acceso. Si no

se activa, el bus de datos se pone tpicamente en triestado

Organizacin de una memoria:

Memorias de lectura y escritura

RAM esttica (SRAM): cada bit se almacena en un biestable

La memoria DRAM ms usada actualmente es del tipo DDR

Memorias de slo lectura

No programables: contenidos fijados en fabricacin

Conviene distinguir entre los conceptos de escritura y

Escritura: es una operacin similar a la lectura

Tipos de memorias ROM

Read Only Memory

Cmo construir memorias grandes a partir de unas

Expansin del bus de datos

La expansin es una prctica habitual (ejemplo:

Expansin del tamao de palabra

aporta una porcin