Dispositivos

semiconductores
I
+
V
-

semiconductores
Semiconductor intrnseco

Si

Si

Si

0K

Si

Si

Si

Si: silicio
Grupo IV de la
tabla peridica

Si

Si

Si

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor intrnseco

Si

Si

Si

0K

Si

Si

300K

+
Si
Electrn

Hueco
Si

Si

Si

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico

+
Si

Si

Si

+
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor intrnseco: accin de un campo elctrico

Conclusiones:
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de
portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las propiedades
elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura

ms portadores de carga

menor resistencia

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO N
Sb: antimonio
Si

Si

Si

Si

Sb
Si

Si
+

Si

Si

Si

Impurezas del
grupo V de la
tabla peridica

Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Sb

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO N
Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Electrones libres

Sb
+

Impurezas grupo V

Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+

Sb
+

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO P
Al: aluminio
Si

Si

Si

Si

Al
Si

Si

Si

Si

Si

Impurezas del
grupo III de la
tabla peridica

Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Al

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados

Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Semiconductor extrnseco: TIPO P
Al
-

Al
-

Al
-

Huecos libres

Al
-

Al
-

Impurezas grupo III

Al
-

Al
Al
-

Al
-

Al
-

Al
-

Al
-

Al
Al
-

Al
-

Al
-

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

Zona de transicin

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N
+

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay

circulacin de corriente.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de voltaje directo.

La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa

Concentracin de huecos

+
+

+
+

Concentracin de electrones

La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unin.

La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando un voltaje inverso no hay conduccin de corriente
Al aplicar un voltaje en directo, en la unin es posible la
circulacin de corriente elctrica

DIODO SEMICONDUCTOR

INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I

I
V

+
V

Corto
(R = 0)

Abierto
(R = )

I
V

I
V
V

Batera

Resistencia
(R)

+
-

+
V

Fuente
Corriente

CARACTERSTICA DEL DIODO

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+

PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!

V
-

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.

DIODO REAL

nodo
p

i [mA]

ctodo

Ge

Smbolo

Si
V [Volt.]

-0.25

0.25

0.5

Silicio
Germanio

VKDTq
1
I D = I S e

IS = Corriente Saturacin Inversa

K = Constante Boltzman
VD = Voltaje en el diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

DIODO REAL (Distintas escalas)

Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo

i [mA]

i [mA]
30

Ge
Si

Si

Ge

V [Volt.]
-0.25

0.25

V [Volt.]
0

-4

0.5

i [A]

i [pA]

V [Volt.]
0

-0.5

Ge

V [Volt.]
0

-0.5

Si
-0.8

-10

DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I

I
Solo voltaje
de umbral
Ge = 0.3
Si = 0.6

Ideal

I
Voltaje de umbral y
Resistencia directa
V

Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V

DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I

Voltaje inverso
mximo

Lmite trmico,
seccin del conductor

Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

id
IOmax

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

1000V
1A
1V
50 nA

100V
150mA
1V
25 nA

Voltaje inverso mximo

Corriente directa mxima
Cada de voltaje directo
Corriente inversa

Voltaje inverso mximo

Corriente directa mxima
Cada de voltaje directo
Corriente inversa

VR
iS

Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.

DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperacin inversa

iS

UE

UE

Bajafrecuencia
frecuencia
Alta

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.

La unin P-N: paso de conduccin a bloqueo

+
+

+
+

Para que el diodo deje de conducir es necesario extraer los portadores

minoritarios de las proximidades de la unin. El diodo conduce en sentido
inverso durante un cierto tiempo: recuperacin inversa.

DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)

Voltaje
Zener
(VZ)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de Voltaje
(Voltaje Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
V

Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima

Podemos aadir al modelo lineal

la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de voltaje y referencias.

DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

GSP1

Diapositiva 26
GSP1

Arseniuro de galio
Lupita Serrano Prieto, 27/09/2005

DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)

i
V
0

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan

una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones

COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos

i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso

I = f(T)

V
T1
T2>T1

DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)

Cuando incide luz en una unin PN, la

caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.

VCA

V
Zona
uso

iCC
Paneles de clulas
solares

DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores voltajes de ruptura.
Cadas directas mas bajas (voltaje de umbral 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en

1938 por Walter H. Schottky

ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador
Monofsico

Diodo de alto voltaje

(Diodos en serie)

Trifsico

DISPLAY
-

Electrnica de potencia
Se puede definir como las aplicaciones de la
electrnica estado slido para el control y la
conversin de energa elctrica.
La electrnica de potencia se basa principalmente en
la conmutacin de dispositivos semiconductores.

Superdispositivo de potencia debera

tener un voltaje cero de estado cerrado,
2) resistir un voltaje infinito en estado abierto,
3) manejar una corriente infinita, y
4) tiempo cero de cerrado y abertura; es decir, una
velocidad de infinita de conmutacin.
1)

Electrnica de potencia
Aplicaciones

Electrnica de potencia
transformacin de la energa elctrica
Fuente
Primaria
- Red
- Bateras
- Panelas solares
- Generadores Elicos
- Etc.

Circuito de
Potencia

gobierno

Carga

informacin

Circuito de
Control o mando

- Resistencia
- Bateras
- Lmparas
- Motores
- Etc.

Tipos de conversin de la energa

CA / CC

CC / CC

Rectificador

Regulador
de continua

CA / CA

CC / CA

Cicloconvertidor
Reg. alterna

Inversor

Rangos de potencia segn el tipo

de aplicacin
Baja: <100W
Alarmas
Balastras Electrnicos
(Fluorescentes)
Fuentes de alimentacin
Herramientas Elctricas.

Media: 100W 1kW

Cargadores de Bateras
Balastras Electrcos (HID)
Secadores
Reguladores de Velocidad

Alta: 1kW 100kW

Muy Alta: 100kW 100MW
Hornos de Induccin
Reguladores de Tomas (Alta tensin)
Accionadores para Locomotoras
Inversores para generadores
Secadores
Inversores no autnomos para
Soldadura automtica
generadores

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color

Objetivo

LED azul
LED

LED verde
LED rojo

Fotodiodo

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
VE

VS

EJEMPLO TPICO:
RECTIFICADOR

VS

VE

VMAX
R

VE
t

VMAX

t
ID

VD

RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL

ID
RTH

+
VD

VTH
-

I
Caracterstica
del diodo

VTH
RTH
ID

Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)

PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
VD

VTH