Electrnica de potencia

Aldair Congo Saavedra

Vargas Segura Cesar Alfonso

Ingeniera Electrnica

Corporacin Unificada Nacional De Educacin superior (CUN)

Bogot D.C
2016

1. IGBT (TRANSISTOR DE PUERTA AISLADO)

Transistor IGBT diseado para controlar principalmente altas potencias, en su
diseo est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de efecto
de campo de metal
oxido semiconductor MOSFET
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal
G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente IC se auto limita.

ESTRUCTURA

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)

que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la figura II se observa la
estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor
(E) y Colector (C).

Circuito Equivalente aproximado del IGBT.

Comparacin VDS(on) MOS-IGBT para la misma BVDSS

VDS(on)=VJ1+ IDRcanal +IDRarrastre
Vj1=0.71Volt.

Rcanal =Rcanal (MOS)

Rarrastre (IGBT) << Rarrastre (MOS)

Debido a la inyeccin de huecos desde p+
Esta resistencia es menor an si es PT-IGBT, ya que para soportar la misma
tensin puede ser casi la mitad de ancha. (Adems en los PT-IGBT la tensin VJ1
es menor al estar ms dopadas las capas que forman la unin)
La cada total es menor en el IGBT para tensiones a partir de 600V. (1.6V para
1.200 Voltios)
En el mercado existen IGBTs de 600, 1.200, 1.700, 2.200 y 3.300 Voltios
Hay anunciados IGBTs de 6.500 Voltios

Caractersticas y curva caracterstica

1. ICmax Limitada por efecto Latch-up.

2. VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
3. Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda

soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica

cortando desde puerta.
4. VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja,
ser VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (Anunciados de 6.5 kV).
5. La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
valores mayores)
6. Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
7. En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW
y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa

que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el
tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.
LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la

corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).

Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico,
Televisin, Domtica etc
TIRISTOR GTO

ESTRUCTURA
Es un dispositivo que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva
en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio
puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son
controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado
son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las
terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando
la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo
comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El
tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1
us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta porcin de la
corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la
puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por
ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO

normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el

apagado.

Caractersticas y curva caracterstica del Tiristor GTO.

El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de
bloqueo forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que
el generador debe estar ms dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

INTENSIDAD DE PUERTA EN EL ENCENDIDO DE UN GTO

ENCENDIDO DE UN GTO
Para llevar a cabo el encendido de un GTO es necesario aplicar una determinada
corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el encendido de un GTO la
corriente mxima por la puerta IGM y la velocidad de variacin de dicha corriente al
principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para
asegurar que la corriente circula por todas las islas ctodo (figura 6.4. Si esto no
fuese as y slo algunas islas ctodo condujeran, la densidad de corriente en estas
islas sera tan elevada que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podra
provocar la destruccin del dispositivo.
APAGADO
Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de nodo a
ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta,
aumentando la densidad de corriente en estas zonas.
De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a
ctodo ha quedado reducida a pequeos filamentos entre los terminales de puerta.
Entonces la tensin vAK, hasta entonces muy pequea al estar el GTO en
funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran densidad de corriente que
circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su destruccin, se utiliza
un condensador snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un
camino alternativo por donde circular. As, cuando v AK comienza a aumentar el
condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba
por el GTO lo hace ahora por el condensador.

CURVA CARACTERISTICA

Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF

al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el
semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF. Con ello
se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento.
Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo a
ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro
que un SCR y adems el rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en
el caso de los SCR, En general se suelen llegar a potencias entorno a los 500kW
como mximo. La tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms
elevada que para los tiristores convencionales.

APLICACIONES
Troceadores y convertidores
Control de motores asncronos
Inversores
Caldeo inductivo
Rectificadores
Soldadura al arco
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI)
Control de motores
Traccin elctrica

MOSFET DE POTENCIA
Principio de funcionamiento y estructura El terminal de puerta G (Gate) est
aislado del semiconductor por xido de silicio (SiO2). La unin PN define un diodo
entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS <
0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0. La figura 2.22
muestra la estructura bsica del transistor. Cuando una tensin VGS > 0 es
aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P,
dejando una carga negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensin
alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados principalmente
por efecto trmico) presentes en la regin P son atrados y forman un canal N
dentro de la regin P, por el cual se hace posible la circulacin de corriente entre D
y S. Aumentando VGS, ms portadores son atrados, ampliando el canal,
reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID. Este
comportamiento caracteriza la llamada regin hmica, La circulacin de ID por el
canal produce una cada de tensin que produce un efecto embudo, o sea, el
canal es ms ancho en la frontera con la regin N+ que cuando se conecta a la
regin N-. Un aumento de ID lleva a una mayor cada de tensin en el canal y a un
mayor efecto embudo, lo que conducira a su colapso y a la extincin de la
corriente. Obviamente el fenmeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la
corriente ID se mantiene constante para cualquier VDS, caracterizando una regin
activa o de saturacin del MOSFET

CURVA CARACTERISTICA

Una pequea corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las
capacidades de entrada del transistor. La resistencia de entrada es del orden de
1012 Ohms.
De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de
trabajo bien diferenciadas:

- Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una

determinada tensin umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un
interruptor abierto.

- hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente

grande y la tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se
comporta como un interruptor cerrado, modelado por una resistencia, denominada
RON.

- Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenadorsurtidor elevada, ste se comporta como una fuente de corriente constante,
controlada por la tensin entre la puerta y el surtidor. La disipacin de potencia en
este caso puede ser elevada dado que el producto tensin-corriente es alto .

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, ).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

FORMAS DE PROTEGER (INDUCTIVAS) AL SCR Y EL TRIAC

PROTECCIN CONTRA INCREMENTOS BRUSCOS DE CORRIENTE (DI/DT)

La derivada de la corriente con respecto al tiempo. La di/dt mxima es

especificada por el fabricante. Este problema aparece cuando se tiene
una carga capacitiva (tiene el comportamiento de un capacitor).

Un capacitor descargado se comporta inicialmente (al ser conectado) como un

corto circuito y la gran demanda de corriente tiene que atravesar el tiristor. Para
evitar este problema se pone en serie con la carga un inductor(ver diagrama) de
poco valor, para retardar el incremento de la corriente a un valor aceptable.
Acordarse que el inductor se opone a cambios brusco de corriente

PROTECCIN CONTRA CAMBIOS BRUSCOS DE TENSIN (DV/DT).

Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden
producir cebados no deseados, causando con ello que el tiristor se dispare y
empiece a conducir. El dv/dt mximo es especificado por el fabricante.
A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR pueden
cambiar en forma repentina y de manera evidente (el cambio de tensin es
grande). Para evitar este inconveniente, se utiliza un circuito RC en paralelo con el
tiristor como se muestra en el grfico de la derecha. Este circuito limita la
velocidad de subida de la tensin en los terminales del tiristor. Acordarse que el
capacitor se opone a cambio brusco de tensin.

FORMAS DE BLOQUEO SCR

En su estado de apagado o bloqueo (OFF), puede bloquear una tensin directa y

no conducir corriente. As, si Dispositivos de Electrnica de Potencia no hay seal
aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la
tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o encendido al estado de conduccin
(ON) aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un
pequeo intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo.
La cada de tensin directa en el estado de conduccin (ON) es de pocos voltios
(1-3 V). Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin
(estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser
bloqueado por pulso de puerta. nicamente cuando la corriente del nodo tiende a
ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia,
el SCR pasar a estado de bloqueo.

1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de
no conduccin en inversa, comportndose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como
un circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.
3. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un
interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una
corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr en
dicho estado si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de
mantenimiento.