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Fundamentos Fsicos de la Informtica

Escuela Superior de Informtica (Ciudad Real)

F. Tern, P. Normile

TEMA 3. ELECTROSTATICA EN CONDUCTORES Y


DIELECTRICOS. CONDENSADORES.

3.1.- MEDIOS MATERIALES.


Experimentalmente puede comprobarse que determinados medios materiales o
sustancias poseen la propiedad de permitir el movimiento de cargas elctricas a travs de
ellos, mientras que otros impiden tal movimiento. Los primeros reciben el nombre de
conductores y los del segundo tipo se denominan dielctricos o aislantes.
De una forma general los conductores suelen ser sustancias metlicas y sus
aleaciones, bases y sales, etc. Por el contrario son dielctricos los plsticos, ebonita,
baquelita, porcelanas, etc.
La diferencia radical entre el comportamiento de un conductor y un dielctrico hay
que buscarla en la misma estructura de la materia considerada como una coleccin de
cargas positivas y negativas de los ncleos y electrones que la forman. Desde un punto de
vista macroscpico de los fenmenos electrostticos en la materia, los conductores poseen
cargas libres susceptibles de ser puestas en movimiento bajo la accin de cualquier campo
elctrico, por dbil que ste sea. Por el contrario, en un dielctrico, las cargas elctricas que
forman parte de los tomos o molculas que lo constituyen estn ligadas a los mismos.
Se va a abordar el estudio del comportamiento de los conductores y dielctricos
bajo la accin de un campo elctrico, teniendo en cuenta, que en condiciones normales la
materia es elctricamente neutra. Pero por circunstancias que se analizarn, puede una
parte de la materia estar cargada positiva o negativamente y otra parte cargada con signo
opuesto, manteniendo la neutralidad toda la materia. Independientemente de que un medio
material se pueda cargar elctricamente por adicin o supresin de un determinado nmero
de electrones.

3.2.- EQUILIBRIO ELECTROSTATICO EN UN CONDUCTOR.


Los conductores, en general, estn formados por iones positivos que ocupan
posiciones fijas y electrones negativos, que estando asociados a los iones, pueden circular
libre y desordenadamente por el conductor.
Como ya se ha expresado, un buen conductor elctrico se caracteriza por tener
cargas libres (electrones), de forma que al aplicar un
campo elctrico E o sobre dicho conductor, estas cargas
libres se desplazarn hacia una parte del conductor
provocando un exceso de carga negativa en esa parte y un
defecto, o exceso de carga positiva, en la zona de donde
provengan (Fig.3.1).
El movimiento de cargas libres cesar cuando el
campo elctrico que se forma en el interior del conductor
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E i como consecuencia del desplazamiento de cargas libres, anule al campo elctrico


externo E o que acta sobre el conductor. Es decir, para que un conductor se encuentre en
equilibrio electrosttico es preciso que en el volumen del conductor el campo elctrico
sea nulo
E = Eo + Ei = 0

(3.1)

Teniendo en cuenta la diferencia de potencial elctrico (2.11), como el campo en el


conductor es nulo entre dos puntos de ste, por ejemplo A y B, se cumple VA VB = 0 y
por tanto

V = cte.

(3.2)

en todo el conductor, es decir, el volumen del conductor es equipotencial y la superficie


que lo limita es una superficie equipotencial.
Si se aplica la ley de Gauss al conductor en equilibrio electrosttico, utilizando una
superficie gaussiana tan prxima como se desee a la superficie del conductor, como su
E = 0 en todos sus puntos del interior, esto indica que no existe flujo y por tanto, en
cualquier elemento de volumen del conductor existen tantas cargas negativas como
positivas siendo su carga neta nula. Si el conductor est cargado, esta carga no
compensada debe estar distribuida sobre su superficie exterior.
Si el conductor en equilibrio est cargado, a partir de las consideraciones anteriores
se puede obtener el valor del campo elctrico en un punto infinitamente prximo a su
superficie, de una forma simple. Toda la carga est sobre la
superficie del conductor y posee una densidad superficial de carga
en las proximidades del punto P (Fig.3.2), que puede ser distinta
de otros puntos de la superficie. Si se toma una superficie
gaussiana (Fig.3.2), no hay flujo a travs de la base interior porque
E = 0. Tampoco hay flujo a travs de la superficie lateral porque
V = cte. y las lneas de campo son perpendiculares a la superficie
del conductor por ser esta equipotencial, o sea, E dS L . Solo hay
flujo por la base superior en donde E y dS son paralelos, con lo que
el flujo vale

= E dS = ES =

q S
=
o o

E=

(3.3)

dirigido hacia afuera o hacia adentro del conductor segn sea la carga positiva o negativa
respectivamente.
Cuando se coloca una carga neta sobre un conductor esfrico la densidad superficial
de carga es uniforme. Sin embargo, si el conductor no es esfrico, la densidad superficial
de carga es elevada en los puntos en los que el radio de curvatura es pequeo y es baja en
aquellos en los que el radio de curvatura es grande. Por tanto, el campo elctrico es intenso
cerca de los puntos que tienen un radio de curvatura pequeo, o sea, zonas puntiagudas.

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Esto es lo que se conoce como efecto de puntas, ya que da lugar a la prdida de carga del
conductor por estas zonas.
Si un conductor cargado posee cavidades en su interior (Fig.3.3), en las cavidades
su campo elctrico ser nulo y su potencial el del conductor,
siempre que no existan cargas en la cavidad e
independientemente de campos exteriores al conductor.
Estas condiciones se conocen con el nombre de efecto
pantalla.
Un conductor hueco conectado a potencial constante
divide el espacio en dos regiones completamente
independientes, desde el punto de vista electrosttico. Este
resultado tiene aplicaciones interesantes como la de proteger
un circuito electrnico o incluso todo un laboratorio, contra los campos elctricos externos,
rodendole con paredes conductoras a V = cte . (Jaula de Faraday) para llevar cabo
mediciones elctricas muy precisas en su interior. As mismo, los hilos de conexin entre
aparatos suelen estar rodeados de una malla metlica denominada blindaje que elimina
cualquier perturbacin de tipo elctrico.

3.3.- INFLUENCIA ELECTROSTATICA.


Supngase dos conductores uno A cargado, por ejemplo negativamente y otro B
neutro (sin carga neta). Al acercarlos, por influencia del conductor A debido a su campo
elctrico, las cargas positivas del conductor B se acumularn en la superficie ms cercana
al conductor A y las negativas se irn al extremo opuesto (Fig.3.4).
Una vez alcanzado el
equilibrio
se
cumplen
las
propiedades
antes
estudiadas:
E = 0 ; V = cte. en el interior y
distribucin superficial de cargas,
pero manteniendo su carga neta
nula.
En el conductor A tambin
se producir una redistribucin de
la carga por influencia de B. En definitiva, la influencia electrosttica supone una
modificacin de las distribuciones superficiales de carga en los dos conductores.
Si ahora se uniese el conductor B a tierra parte de las cargas negativas se escaparan
quedando B cargado positivamente, pero su carga no sera igual a la del conductor A. Es lo
que se conoce como influencia parcial.

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Pero si el conductor B rodea totalmente


al conductor A, la carga inducida por A en la
superficie interna de B ser la misma, y claro
est, de signos opuestos, ya que si tomamos
una superficie gaussiana (Fig.3.5) el flujo a
travs de dicha superficie es nulo porque el
campo en el interior de un conductor en
equilibrio es cero. Teniendo en cuenta la ley
de Gauss (2.24) para que el flujo sea nulo (
= 0 ) deber cumplirse que q i = 0 es
decir, q A = q B en valor absoluto. Este fenmeno se conoce como influencia total.
Si ahora se pusiesen en contacto los conductores, comenzar a descargarse el
conductor A, pasando sus cargas al conductor B (Fig.3.6). Este proceso durar hasta que el
potencial elctrico en ambos sea el
mismo, ya que ahora constituyen un solo
conductor, y se alcanzar el equilibrio
cuando no haya movimiento de cargas. La
carga total del conductor (A+B) ser la
misma que la que tena A cuando estaba
aislado, pero ahora la carga que se habr
quedado en A no tiene porque ser igual a la
que haya pasado a B, depender de sus tamaos.

3.4.- COMPORTAMIENTO DE LOS DIELECTRICOS ANTE UN CAMPO


ELECTRICO.
En este apartado se analizar el efecto que un campo elctrico produce sobre
materiales no conductores. Recordando que las molculas que forman la materia pueden
ser de tipo no polar o polar segn que su
centro de gravedad de los ncleos positivos
y la nube electrnica coincida o no coincida
(Fig.3.7), se pueden tener materiales
formados por tomos o molculas no polares,
o sea, sin momentos dipolares elctricos,
materiales con molculas polares, es decir,
con
momentos
dipolares
elctricos
permanentes y en general orientados al azar y combinaciones de ambos.
Bajo la influencia de un campo elctrico E o los materiales formados por molculas
con dipolos elctricos permanentes tienden a
orientarse en la direccin del campo
elctrico, como se vio en la seccin 2.5, y
los formados por tomos o molculas no
polares adquieren momentos dipolares
elctricos inducidos y orientados en la
direccin del campo elctrico (Fig.3.8). Hay

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que sealar que en ambos casos la orientacin de los momentos dipolares elctricos est
limitada por la agitacin trmica, a mayor temperatura menor orientacin.
Como consecuencia de estos efectos una porcin de material o todo el material
colocada en un campo elctrico E o se polariza. Es decir, sus molculas o tomos se
convierten en dipolos elctricos orientados en la direccin del campo elctrico. Un medio
material que puede polarizarse bajo la accin de un campo elctrico se denomina
dielctrico.
La polarizacin da lugar a una carga neta positiva sobre un lado de la porcin del
dielctrico y a una carga neta negativa sobre el lado opuesto, que aparecer por los dipolos
elctricos prximos a la superficie del medio material. De este modo el dielctrico se
convierte en un gran dipolo elctrico. Se estudiaran los efectos de los dielctricos desde un
punto de vista macroscpico.
Debe hacerse constar, que las cargas inducidas en el dielctrico estn "congeladas"
en el sentido que estn ligadas a tomos o molculas determinadas y no son libres de
moverse. Una vez que cese la accin del campo elctrico el dielctrico se despolarizar en
ms o menos tiempo. Si el campo elctrico es intenso se puede producir la rotura
dielctrica. El campo elctrico mximo que puede resistir un material sin que se produzca
su rotura se denomina rigidez dielctrica.

3.5.- POLARIZACION.
Como se ha indicado un dielctrico puede polarizarse en mayor o menor medida. El
grado en el cual las molculas de un dielctrico resultan polarizadas por un campo elctrico
queda cuantificado mediante el vector polarizacin o polarizacin P, que se define como
el momento dipolar elctrico por unidad de volumen
P =

dp
dV

(3.4)

donde dp es el momento dipolar resultante en el volumen dV (aunque se tome elemento de


volumen, ste es de mayor tamao que las molculas). La unidad en SI de la polarizacin
es C/m 2 .

La polarizacin puede depender de la posicin en el material (materiales


heterogneos) o ser la misma en todo el material (materiales homogneos) dando lugar a la
polarizacin uniforme P = np.
Con objeto de simplificar el estudio de los dielctricos nos referiremos en lo
sucesivo a dielctricos homogneos, istropos y lineales.
Considerando una porcin de dielctrico de espesor dl y rea dS colocado
perpendicularmente a un campo elctrico uniforme E o (Fig.3.9). La polarizacin siendo
paralela a E o es perpendicular a dS. El volumen ser dS dl y por consiguiente el momento
dipolar elctrico
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dp = P dV = P dS dl

(3.5)

Pero dl es precisamente la separacin entre las cargas positivas y negativas que


aparecen sobre las superficies. Como el momento dipolar elctrico viene dado en la
seccin 2.5 por el producto de la carga por la distancia que separa a las cargas que
conforman el dipolo, (3.8) se puede poner como
dp = q p dl = p dS dl

(3.6)

igualando (3.5) y (3.6) se deduce que


P = p

(3.7)

Aunque este resultado se ha obtenido para un caso particular, tiene validez general
y se puede decir que la carga por unidad de rea sobre la superficie de un material
polarizado es igual a la componente de la polarizacin P en la direccin de la normal a
la superficie del dielctrico
p = P u n

(3.8)

siendo un el vector unitario normal a la superficie del dielctrico.


Cuando en la seccin 2.2 se expona la ley de Coulomb, se estableci que en el seno
de un medio que no fuera el vaco, la fuerza entre dos cargas era menor. La polarizacin de
un dielctrico permite explicar este hecho.
El dielctrico considerado en la (Fig.3.9) no presenta la propiedad desplazar sus
cargas hasta anular al campo E o . Se produce un campo E p , de sentido contrario a E o , de
forma que el campo resultante en el interior del dielctrico E . es menor que E o , pero no
nulo (Fig.3.10).


E = Eo + E p = p u
o o

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(3.9)

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Las densidades de carga y p estn relacionadas


mediante una constante de proporcionalidad
1

p = 1

(3.10)

donde es un nmero mayor que la unidad que recibe


nombre de permitividad relativa o constante dielctrica
relativa, caracterstico de cada material. Sustituyendo (3.10)
en (3.9)
E=

Eo

(3.11)

con validez general para cualquier dielctrico.


Lgicamente existir una relacin funcional entre la polarizacin de un dielctrico
y el campo elctrico en su interior. Teniendo en cuenta (3.11) e introducindolo en (3.9) se
obtiene
P = o ( 1)E

(3.12)

3.6.- DESPLAZAMIENTO ELECTRICO. LEY DE GAUSS CON DIELECTRICOS.

Tal y como se ha visto en la seccin anterior (3.9) se puede escribir como

= oE + P

(3.13)

expresin que nos relaciona la densidad de carga sobre la superficie de un conductor que
crea el campo uniforme E o , con el campo en el interior del dielctrico E y con su
polarizacin P. Parece conveniente introducir una nueva magnitud vectorial, llamada
desplazamiento elctrico D solo relacionada con las cargas libres y definida por
D = o E + P

(3.14)

Obviamente D se mide en C/m2 y representa la carga por unidad de rea sobre la


superficie del conductor que genera el campo elctrico que acta sobre el dielctrico. Este
resultado tiene validez general y puede extenderse a conductores con cualquier forma,
teniendo en cuenta que para cualquier forma

= D un

(3.15)

siendo u n el vector unitario normal a la superficie del conductor.


Considerando (3.12) y sustituyendo en (3.14) se obtiene una relacin entre el
desplazamiento elctrico y el campo elctrico en el interior del dielctrico
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D = o E + o ( 1) E = o E = E

(3.16)

en donde es la permitividad del dielctrico.


Si se considera un sistema constituido por un conjunto de conductores cargados en
el seno de un medio dielctrico perfecto e infinito. La expresin que se obtiene, cuando
hay dielctricos, para la Ley de Gauss es idntica a la que se dedujo para el vaco, pero
sustituyendo la permitividad del vaco por la del medio.

E dS =

q
q
=
o

(3.17)

Si se multiplican ambos miembros de (3.17) por se obtiene

E dS =

D dS = q

(3.18)

expresin que indica que el flujo del vector desplazamiento elctrico a travs de una
superficie cerrada es igual a la carga libre encerrada por la superficie.
De lo visto se deduce que, para resolver problemas en los que intervienen
dielctricos se puede seguir un procedimiento similar al estudiado en el caso de cargas en
el vaco, pero trabajando con el desplazamiento elctrico.

3.7.- CAPACIDAD DE LOS CONDUCTORES.


Uno de los usos ms antiguos de los conductores en la electrosttica fue para el
almacenamiento de la carga elctrica, para tal aplicacin, resulta de inters encontrar la
capacidad del conductor para almacenar carga. Para todo conductor cargado, se define la
capacidad C de este como el cociente entre su carga y su potencial

C=

Q
V

(3.19)

que ser una propiedad definida del conductor y relacionada con su geometra. La unidad
de la capacidad en el SI es el faradio (F). El faradio es una unidad muy grande (la Tierra
tiene una capacidad de unos 700 microfaradios), por lo que en la prctica se utilizan ms
sus submltiplos: microfaradio, nanofaradio y picofaradio.
El concepto de capacidad puede extenderse a un
sistema de conductores. Considrese dos conductores
que estn afectados por fenmenos de influencia total,
o sea, dos conductores con cargas +Q y Q (Fig.3.11).
Si sus potenciales son V1 y V2 respectivamente, la
capacidad del sistema vale

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C=

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Q
V1 V2

(3.20)

A cualesquiera dos conductores con la disposicin anteriormente expresada se


denomina condensador y a los conductores que lo forman lminas o armaduras. Los
condensadores son de gran utilidad en la tecnologa.

3.8.- TIPOS DE CONDENSADORES MAS COMUNES.


A) CONDENSADOR DE LAMINAS PARALELAS.
Un condensador de lminas paralelas o condensador plano est formado por dos
placas paralelas, de igual rea, separadas una distancia l (distancia muy inferior a su
longitud y anchura), en donde una de las placas tiene una carga +Q y la otra tiene una
carga Q (Fig.3.12), siendo los potenciales elctricos V1 y V2
respectivamente.
La carga por unidad de rea, en cualquiera de las dos
placas es = Q/S. Despreciando los efectos en los extremos, se
puede suponer que el campo elctrico es uniforme entre ellas y
cero en todos los dems puntos. Su capacidad resulta ser igual a
C = o

S
l

(3.21)

B) CONDENSADOR CILINDRICO.
Un condensador cilndrico est formado por un conductor cilndrico de radio "a",
densidad de carga uniforme y carga +Q , que es concntrico con un cascarn cilndrico
ms grande de radio "b" y carga Q tambin uniformemente cargado (Fig.3.13), estando
cada conductor a los potenciales elctricos V1 y V2 respectivamente.
Si se supone que l es
grande en comparacin con
a y b, pueden despreciarse
los efectos en los extremos.
En este caso la capacidad es
C=

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2 o l
b
Ln
a

(3.22)

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C) CONDENSADOR ESFERICO.
Un condensador esfrico consta de un cascarn conductor esfrico de radio b,
carga Q y un potencial elctrico V2 , concntrico con una
esfera conductora, ms pequea, de radio a, carga +Q y
potencial elctrico V1 (Fig.3.14).
Su capacidad viene dada por
C = 4 o

ab
(b a)

(3.23)

3.9.- ASOCIACION DE CONDENSADORES.


Con frecuencia en los circuitos se combinan de varias maneras dos o ms
condensadores. Puede calcularse la capacidad equivalente de ciertas combinaciones,
aplicando el mtodo que vamos a ver a continuacin. El smbolo que se utiliza
comnmente para representar a un condensador es

a) ASOCIACION EN PARALELO.
Dos condensadores conectados como en la (Fig.3.15), se
conocen como combinacin de condensadores en paralelo. Las
placas izquierdas de los condensadores estn conectadas por un
alambre conductor y se encuentran al mismo potencial. Del mismo
modo, las placas de la derecha son comunes y estn a un potencial
ms bajo. Dado que la diferencia de potencial debe ser la misma a
travs de cada condensador, los valores de las cargas estn dados
segn (3.20), por lo que la carga total de ambos condensadores es

Q = Q1 + Q2 = C1 ( Va Vb ) + C2 ( Va Vb ) = ( C1 + C2 )( Va Vb )
La capacidad equivalente C eq , de los dos condensadores es la razn de la carga
total almacenada a la diferencia de potencial

C eq =

(V

Vb )

(C

+ C 2 )( Va Vb )

(V

Vb )

C eq = C1 + C 2

esto es, se pueden reemplazar C1 y C 2 por un condensador de capacidad C eq el cual


almacenar la misma carga Q, si la diferencia de potencial es ( Va Vb ) .

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Si se extiende a tres o ms condensadores conectados en paralelo, la capacidad


equivalente es
i =n

Ceq = C1 + C2 + ... + Cn = Ci

(3.24)

i =1

b) ASOCIACION EN SERIE.
Supongamos ahora dos condensadores conectados como se indica en la (Fig.3.16),
a este tipo de conexin se le conoce como combinacin de condensadores en serie.
En este tipo de conexin, los dos condensadores tienen la misma
carga Q, por lo que, aplicando (3.20) a cada condensador, la diferencia de
potencial a travs de la combinacin de los dos condensadores ser la suma
de las diferencias de potencial a travs de cada uno de los condensadores

Va Vb =

1
Q Q
1
+
= Q +
C1 C2
C1 C2

(3.25)

La capacidad equivalente vendr dada por (3.20) y por tanto


Va Vb =

Q
C eq

(3.26)

igualando (3.25) y (3.26), resulta


1
1
1
=
+
C eq C 1 C 2
Si se conectan en serie, tres o ms condensadores, la capacidad equivalente es
1
1
1
1 i= n 1
= +
+ ... +
=
Ceq C1 C2
Cn i =1 Ci

(3.27)

esto muestra que la capacidad equivalente de una combinacin en serie siempre es menor
que cualquiera de las capacidades de la combinacin.

3.10- CONDENSADOR DE LAMINAS PARALELAS CON DIELECTRICO.


La mayor parte de los condensadores tiene entre sus armaduras un dielctrico. La
funcin de un dielctrico entre las armaduras de un condensador es triple:
* Resuelve el problema mecnico de mantener dos lminas metlicas grandes
cargadas con una separacin muy pequea, pero sin llegar a tener contacto.
* Puesto que la permitividad del dielctrico es mayor que la del aire o vacio,
disminuye la diferencia mxima de potencial que el condensador tiene entre
sus armaduras.
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* La capacidad de un condensador con dielctrico aumenta en varias veces


respecto al que existe cuando entre sus armaduras hay aire o vacio.
La segunda afirmacin se demuestra fcilmente considerando un condensador de
lminas paralelas, en que hay vacio entre sus lminas (Fig.3.17a). Su diferencia de
potencial ser

Vo = E o l

(3.28)

Si ahora se introduce un dielctrico que


ocupe prcticamente todo el espacio entre
lminas (Fig.3.17b), su diferencia de potencial
ser

V = El
Sustituyendo
comprueba que

V=

(3.11)

(3.29)
en

(3.29)

se

Eo
V
l= o

luego es V < Vo ya que '>1.


En cuanto a la tercera afirmacin, la capacidad de un condensador plano en el vacio
viene dada por (3.21) y con el dielctrico
C=

Q
V

= o

(3.30)

en donde se observa claramente C > C o ya que '>1.


En los condensadores cilndricos y esfricos tambin su capacidad aumentar en un
factor cuando se introduce un dielctrico entre sus armaduras.

Si en vez de ser un solo dielctrico, se intercalan en serie varios dielctricos de


permitividades relativas ( 1 , 2 , ..., i ,... n ) en un
condensador (Fig.3.18). La capacidad este
condensador se calcula a travs de

C = o

S
le

(3.31)

teniendo en cuenta que le es el espesor equivalente

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igual a

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l1 l2
l
+ +...+ n = le
1 2
n

Si ahora se considera el caso en que se intercalan en paralelo varios dielctricos de


permitividades relativas ( 1 , 2 , ..., i ,... n ) entre
las placas del condensador (Fig.3.19). En este caso
la capacidad del condensador ser igual a
C = o

Se
l

(3.32)

donde Se es la superficie equivalente igual a


1S1 + 2 S 2 +...+ n S n = S e .

3.11.- ENERGIA ELECTROSTATICA.


Para cargar un conductor es necesario gastar energa, porque, para suministrarle
ms carga debe vencerse la repulsin de las cargas ya presentes. As, para incrementar en
dq la carga del conductor que ya se encuentra a un potencial elctrico V ser preciso
realizar un trabajo dW correspondiente al desplazamiento de dq desde el infinito hasta el
conductor. Este trabajo quedar almacenado como energa en el conductor.
Dicho trabajo es dW = V dq que teniendo en cuenta (3.19)

dW =

q
dq
C

el trabajo necesario para cargar el conductor con una carga total Q es


W=

q
1 Q2
dq =
C
2 C

y por tanto la energa almacenada en el conductor considerando (3.19)


Ee =

1 Q2 1
= QV
2 C 2

(3.33)

De igual modo para un sistema de conductores


Ee =

1 i=n
Qi Vi
2 i =1

(3.34)

y para el caso concreto de un condensador (cualquiera que sea su geometra), teniendo en


cuenta (3.20)

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Ee =

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1
1 Q2 1
2
Q(Va Vb ) =
= C(Va Vb )
2
2 C 2

(3.35)

La energa almacenada en un condensador puede considerarse como si estuviera


almacenada en el campo elctrico creado entre las armaduras. Para un condensador de
lminas paralelas con dielctrico, la diferencia de potencial est relacionada con el campo
elctrico a travs de (2.39) y la capacidad por (3.30). Si se sustituyen estas expresiones en
(3.35) se tiene
Ee =

1
1
S
2
C ( Va Vb ) = o
2
2
l

( El )

1
2

( oSl )

E2 =

1
( Sl ) E 2
2

(3.36)

que indica, que la energa electrosttica est distribuida en forma continua a travs del
espacio donde E 0 con una densidad de energa u e (energa elctrica almacenada por
unidad de volumen)
ue =

1 2
E
2

45

(3.37)

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