Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Tema 3
Tema 3
F. Tern, P. Normile
F. Tern, P. Normile
(3.1)
V = cte.
(3.2)
= E dS = ES =
q S
=
o o
E=
(3.3)
dirigido hacia afuera o hacia adentro del conductor segn sea la carga positiva o negativa
respectivamente.
Cuando se coloca una carga neta sobre un conductor esfrico la densidad superficial
de carga es uniforme. Sin embargo, si el conductor no es esfrico, la densidad superficial
de carga es elevada en los puntos en los que el radio de curvatura es pequeo y es baja en
aquellos en los que el radio de curvatura es grande. Por tanto, el campo elctrico es intenso
cerca de los puntos que tienen un radio de curvatura pequeo, o sea, zonas puntiagudas.
33
F. Tern, P. Normile
Esto es lo que se conoce como efecto de puntas, ya que da lugar a la prdida de carga del
conductor por estas zonas.
Si un conductor cargado posee cavidades en su interior (Fig.3.3), en las cavidades
su campo elctrico ser nulo y su potencial el del conductor,
siempre que no existan cargas en la cavidad e
independientemente de campos exteriores al conductor.
Estas condiciones se conocen con el nombre de efecto
pantalla.
Un conductor hueco conectado a potencial constante
divide el espacio en dos regiones completamente
independientes, desde el punto de vista electrosttico. Este
resultado tiene aplicaciones interesantes como la de proteger
un circuito electrnico o incluso todo un laboratorio, contra los campos elctricos externos,
rodendole con paredes conductoras a V = cte . (Jaula de Faraday) para llevar cabo
mediciones elctricas muy precisas en su interior. As mismo, los hilos de conexin entre
aparatos suelen estar rodeados de una malla metlica denominada blindaje que elimina
cualquier perturbacin de tipo elctrico.
34
F. Tern, P. Normile
35
F. Tern, P. Normile
que sealar que en ambos casos la orientacin de los momentos dipolares elctricos est
limitada por la agitacin trmica, a mayor temperatura menor orientacin.
Como consecuencia de estos efectos una porcin de material o todo el material
colocada en un campo elctrico E o se polariza. Es decir, sus molculas o tomos se
convierten en dipolos elctricos orientados en la direccin del campo elctrico. Un medio
material que puede polarizarse bajo la accin de un campo elctrico se denomina
dielctrico.
La polarizacin da lugar a una carga neta positiva sobre un lado de la porcin del
dielctrico y a una carga neta negativa sobre el lado opuesto, que aparecer por los dipolos
elctricos prximos a la superficie del medio material. De este modo el dielctrico se
convierte en un gran dipolo elctrico. Se estudiaran los efectos de los dielctricos desde un
punto de vista macroscpico.
Debe hacerse constar, que las cargas inducidas en el dielctrico estn "congeladas"
en el sentido que estn ligadas a tomos o molculas determinadas y no son libres de
moverse. Una vez que cese la accin del campo elctrico el dielctrico se despolarizar en
ms o menos tiempo. Si el campo elctrico es intenso se puede producir la rotura
dielctrica. El campo elctrico mximo que puede resistir un material sin que se produzca
su rotura se denomina rigidez dielctrica.
3.5.- POLARIZACION.
Como se ha indicado un dielctrico puede polarizarse en mayor o menor medida. El
grado en el cual las molculas de un dielctrico resultan polarizadas por un campo elctrico
queda cuantificado mediante el vector polarizacin o polarizacin P, que se define como
el momento dipolar elctrico por unidad de volumen
P =
dp
dV
(3.4)
F. Tern, P. Normile
dp = P dV = P dS dl
(3.5)
(3.6)
(3.7)
Aunque este resultado se ha obtenido para un caso particular, tiene validez general
y se puede decir que la carga por unidad de rea sobre la superficie de un material
polarizado es igual a la componente de la polarizacin P en la direccin de la normal a
la superficie del dielctrico
p = P u n
(3.8)
E = Eo + E p = p u
o o
37
(3.9)
F. Tern, P. Normile
p = 1
(3.10)
Eo
(3.11)
(3.12)
= oE + P
(3.13)
expresin que nos relaciona la densidad de carga sobre la superficie de un conductor que
crea el campo uniforme E o , con el campo en el interior del dielctrico E y con su
polarizacin P. Parece conveniente introducir una nueva magnitud vectorial, llamada
desplazamiento elctrico D solo relacionada con las cargas libres y definida por
D = o E + P
(3.14)
= D un
(3.15)
F. Tern, P. Normile
D = o E + o ( 1) E = o E = E
(3.16)
E dS =
q
q
=
o
(3.17)
E dS =
D dS = q
(3.18)
expresin que indica que el flujo del vector desplazamiento elctrico a travs de una
superficie cerrada es igual a la carga libre encerrada por la superficie.
De lo visto se deduce que, para resolver problemas en los que intervienen
dielctricos se puede seguir un procedimiento similar al estudiado en el caso de cargas en
el vaco, pero trabajando con el desplazamiento elctrico.
C=
Q
V
(3.19)
que ser una propiedad definida del conductor y relacionada con su geometra. La unidad
de la capacidad en el SI es el faradio (F). El faradio es una unidad muy grande (la Tierra
tiene una capacidad de unos 700 microfaradios), por lo que en la prctica se utilizan ms
sus submltiplos: microfaradio, nanofaradio y picofaradio.
El concepto de capacidad puede extenderse a un
sistema de conductores. Considrese dos conductores
que estn afectados por fenmenos de influencia total,
o sea, dos conductores con cargas +Q y Q (Fig.3.11).
Si sus potenciales son V1 y V2 respectivamente, la
capacidad del sistema vale
39
C=
F. Tern, P. Normile
Q
V1 V2
(3.20)
S
l
(3.21)
B) CONDENSADOR CILINDRICO.
Un condensador cilndrico est formado por un conductor cilndrico de radio "a",
densidad de carga uniforme y carga +Q , que es concntrico con un cascarn cilndrico
ms grande de radio "b" y carga Q tambin uniformemente cargado (Fig.3.13), estando
cada conductor a los potenciales elctricos V1 y V2 respectivamente.
Si se supone que l es
grande en comparacin con
a y b, pueden despreciarse
los efectos en los extremos.
En este caso la capacidad es
C=
40
2 o l
b
Ln
a
(3.22)
F. Tern, P. Normile
C) CONDENSADOR ESFERICO.
Un condensador esfrico consta de un cascarn conductor esfrico de radio b,
carga Q y un potencial elctrico V2 , concntrico con una
esfera conductora, ms pequea, de radio a, carga +Q y
potencial elctrico V1 (Fig.3.14).
Su capacidad viene dada por
C = 4 o
ab
(b a)
(3.23)
a) ASOCIACION EN PARALELO.
Dos condensadores conectados como en la (Fig.3.15), se
conocen como combinacin de condensadores en paralelo. Las
placas izquierdas de los condensadores estn conectadas por un
alambre conductor y se encuentran al mismo potencial. Del mismo
modo, las placas de la derecha son comunes y estn a un potencial
ms bajo. Dado que la diferencia de potencial debe ser la misma a
travs de cada condensador, los valores de las cargas estn dados
segn (3.20), por lo que la carga total de ambos condensadores es
Q = Q1 + Q2 = C1 ( Va Vb ) + C2 ( Va Vb ) = ( C1 + C2 )( Va Vb )
La capacidad equivalente C eq , de los dos condensadores es la razn de la carga
total almacenada a la diferencia de potencial
C eq =
(V
Vb )
(C
+ C 2 )( Va Vb )
(V
Vb )
C eq = C1 + C 2
41
F. Tern, P. Normile
Ceq = C1 + C2 + ... + Cn = Ci
(3.24)
i =1
b) ASOCIACION EN SERIE.
Supongamos ahora dos condensadores conectados como se indica en la (Fig.3.16),
a este tipo de conexin se le conoce como combinacin de condensadores en serie.
En este tipo de conexin, los dos condensadores tienen la misma
carga Q, por lo que, aplicando (3.20) a cada condensador, la diferencia de
potencial a travs de la combinacin de los dos condensadores ser la suma
de las diferencias de potencial a travs de cada uno de los condensadores
Va Vb =
1
Q Q
1
+
= Q +
C1 C2
C1 C2
(3.25)
Q
C eq
(3.26)
(3.27)
esto muestra que la capacidad equivalente de una combinacin en serie siempre es menor
que cualquiera de las capacidades de la combinacin.
F. Tern, P. Normile
Vo = E o l
(3.28)
V = El
Sustituyendo
comprueba que
V=
(3.11)
(3.29)
en
(3.29)
se
Eo
V
l= o
Q
V
= o
(3.30)
C = o
S
le
(3.31)
43
igual a
F. Tern, P. Normile
l1 l2
l
+ +...+ n = le
1 2
n
Se
l
(3.32)
dW =
q
dq
C
q
1 Q2
dq =
C
2 C
1 Q2 1
= QV
2 C 2
(3.33)
1 i=n
Qi Vi
2 i =1
(3.34)
44
Ee =
F. Tern, P. Normile
1
1 Q2 1
2
Q(Va Vb ) =
= C(Va Vb )
2
2 C 2
(3.35)
1
1
S
2
C ( Va Vb ) = o
2
2
l
( El )
1
2
( oSl )
E2 =
1
( Sl ) E 2
2
(3.36)
que indica, que la energa electrosttica est distribuida en forma continua a travs del
espacio donde E 0 con una densidad de energa u e (energa elctrica almacenada por
unidad de volumen)
ue =
1 2
E
2
45
(3.37)