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Transistores BJT y Aplicaciones

Enviado por Pablo Turmero

Introduccin
Qu son los Transistores
Tipos de Transistores
Cmo probar un transistor
El Transistor Bipolar o BJT
Regiones operativas del transistor

Aplicaciones de los Transistores

Encapsulado de Transistores
Conclusin
Bibliografa
Introduccin
El transistor es un nuevo componente utilizado en las prcticas de electrnica.
Este es un dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para
una variedad de funciones de control en los circuitos electrnicos.

Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificacin, oscilacin,

conmutacin y la conversin de frecuencias. En el reporte siguiente podremos
ver los elementos de un transistor, las ventajas de la utilizacin de los
transistores electrnicos, los tipos de transistores, como realizar un test en un
transistor, aplicaciones de los transistores y sus encapsulados o materiales que
estn compuestos.

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

Conocer como se componen los transistores teniendo como ayuda manuales y

documentacin de estos para su anlisis de medicin.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Identificar los terminales de un transistor bipolar.

Con la utilizacin de instrumentos de medicin electrnica, determinar las

terminales para transistores NPN o PNP.

Conocer sus aplicaciones en componentes para electrnica as como conocer

su documentacin.

Qu son los Transistores

Definicin

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres

electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos
electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio
son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los
elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente
todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin
y la rectificacin, con muchsimas ventajas.

Elementos de un transistor o transistores:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos

capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material
tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al
segundo transistor PNP.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor

es la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la

equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su

labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

Ventajas de los transistores electrnicos

El consumo de energa es sensiblemente bajo.

El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la fotosensibilidad.

Tipos de Transistores
Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction Transistor).

El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan
en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )

JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado transistor unipolar,

fu el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra
de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra
se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica.

- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.

- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En

estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una
dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando
como una puerta, un electrodo de metal.

Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar

Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor
(De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la
combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

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Cmo probar un transistor

Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de este, en el
que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la siguiente figura.

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Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y
PNP estn compuestos por diodos y se puede seguir la misma tcnica que se
sigue al probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la
base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP

son opuestos. Al igual que con el diodo si uno de estos "diodos del equivalentes
del transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor.

El Transistor Bipolar o BJT

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Transistor NPN

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Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos,

puede ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo
de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base

(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el grfico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le

introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada
transistor.

Entonces:

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Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia
ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

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En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder
entender que a ms corriente la curva es ms alta.

Regiones operativas del transistor

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje

de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I

mxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin

del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver ley de Ohm.

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Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores

con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las
hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est
conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de
base (Ib = 0)

- Emisor comn

- Colector comn

- Base comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales,

pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas,
y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Aplicaciones de los Transistores

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de

radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de

alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de
impulsos PWM)

Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales

llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga
el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

DIAGRAMAS DE ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES

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Encapsulado de Transistores
Ahora vamos a ver los transistores por fuera. Estn encapsulados de diferentes
formas y tamaos, dependiendo de la funcin que vayan a desempear. Hay
varios encapsulados estndares y cada encapsulado tiene una asignacin de
terminales que puede consultarse en un catlogo general de transistores.

Independientemente de la cpsula que tengan, todos los transistores tienen

impreso sobre su cuerpo sus datos, es decir, la referencia que indica el modelo
de transistor. Por ejemplo, en los transistores mostrados a la derecha se
observa la referencia "MC 140".

Cpsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen
llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera
en l.Arriba a la izquierda vemos su distribucin de terminales, observando que
el colector es el chasis del transistor. Ntese que los otros terminales no estn
a la misma distancia de los dos agujeros.

A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y

la mica aislante. La funcin de la mica es la de aislante elctrico y a la vez
conductor trmico.

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Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para

reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de
baja potencia.Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a
veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida.

Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujecin. Se suele

colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, as como un
separador de plstico para el tornillo, ya que la parte metlica est conectada
al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto elctrico con el
radiador.

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Cpsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no

resulta generalmente necesario colocarles radiador. Arriba a la izquierda vemos
la asignacin de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor. Abajo vemos
dos transistores que tienen esta cpsula colocados sobre pequeos radiadores
de aluminio y fijados con su tornillo correspondiente.

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Cpsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequea seal.En el centro

vemos la asignacin de terminales en algunos modelos de transistores, vistos
desde abajo. Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una
placa de circuito impreso. Ntese la indicacin "TR5" de la serigrafa, que indica
que en ese lugar va montado el transistor nmero 5 del circuito, de acuerdo al
esquema electrnico.

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Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequea seal. Su cuerpo est

formado por una carcasa metlica que tiene un saliente que indica el terminal
del Emisor.

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Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequea seal. Al igual que el

anterior, tienen un tamao bastante pequeo.

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Conclusin
Como ya hemos podido ver en el reporte hemos conocido la variedad de
aplicaciones de los transistores y su utilizacin en la composicin de sistemas
electrnicos.

Tambin hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones

de los transistores as como sus materiales de composicin y los instrumentos
para tomas lecturas.

* Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan
referencias fidedignas de tres parmetros que podemos identificar como son:

1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).

2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qu electrodo corresponde cada

patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.

3) Y por ltimo y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada

de la ganancia del transistor en trminos relativos.

Bibliografa
www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm

www.unicrom.com/tutoriales.asp

www.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0304/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm

Autor:

Pablo Turmero

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Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-yaplicaciones/transistores-bjt-y-aplicaciones.shtml#ixzz3n8skb0pF

Transistor
Electrnica. Transistor bipolar. Circuito amplificador. Emisor-seguidor. Instrumentos de
medicin. Conexin Darlington. Multmetro. Resistencias. Osciloscopio. Procedimiento.
Voltaje

Enviado por: Gilberto E Meja

Idioma: castellano

Pas:

Colombia

12 pginas

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INFORME DE LABORATORIO #04

SEGUIDOR EMISOR
UNIVERSIDAD DE LA SALLE
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA
ELECTRNICA BSICA - LABORATORIO
BOGOT
2004
INTRODUCCIN
Este informe invita al lector a conocer de una manera concisa el manejo de los
transistores de una manera de amplificacin; Esta practica utiliza el transistor
bipolar como amplificador y el circuito amplificador en emisor comn. Utilizando el
seguidor emisor comotambin la configuracin Darlington, como una poderosa
herramienta, en el uso electrnico.
Brevemente conoceremos que pasos seguimos estrictamente en la prctica desde
que se entr en la sala del laboratorio, hasta el momento en el que se finalizo la
prctica.
De una manera secuencial veremos paso a paso como manipulamos los artefactos,
con ayuda de ilustraciones. As se podr entender de una manera concisa, al tener
una ilustracin de cada cosa que acontece para tratar de remediar la ausencia de
masa al detallar por medio de la descripcin en la redaccin de este trabajo.

Por ultimo queda nuestra expectativa hacia el lector de que al mediante la lectura,
reciba con agrado lo que hemos plasmado en este informe de laboratorio; como la
comprensin sea oportuna en cada lnea que cuidadosamente hemos redactado.
OBJETIVOS
Identificar y manejar diferentes instrumentos de medicin.
Reconocer, identificar los errores en un trabajo.
Presentar adecuadamente el informe de un trabajo experimental.
Analizar los resultados experimentales.
Conocer las diversas tcnicas implementadas en el laboratorio.
Formar una capacidad de anlisis critica, para interpretar de una manera
optima los resultados obtenidos, de una forma lgica como analtica.
MARCO TERICO
CONEXIN DARLINGTON
Una conexin muy popular de dos transistores de unin bipolar para que operen
como un transistor con superbeta es la conexin Darlington, mostrada en la
figura de la izquierda; Conjunto de transistor Darlington.
La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto
acta como una sola unidad, con una ganancia de corriente, que es el producto de
las ganancias de corriente de los transistores individuales. Si la conexin de hace
cuando se utilizan dos transistores separados que tengan ganancias de
corriente 1 y 2, la conexin Darlington proporcionar una ganancia de corriente de:
Si los dos transistores estn pareados para que 1 = 2 = , la conexin Darlington da
una ganancia de corriente de:
Una conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que
tiene una ganancia de corriente muy grande, casi siempre da unos
cuantos de miles.
CONFIGURACIN EMISOR-SEGUIDOR
Cuando se toma la salida a partir de la terminal del emisor como se muestra en la
figura izquierda.
Se reconoce a la red como emisor-seguidor. El voltaje de salida siempre es
ligeramente menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor,

pero la aproximacinpor lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector,

el voltaje est en fase con la seal . Esto es, tantocomomantendrn sus valores
pico positivos y negativos al mismo tiempo. El hecho de que siga la magnitud de
con una relacin dentro de fase acredita la terminologa emisor-seguidor.
En dicha figura aparece la configuracin de emisor-seguidor ms comn. De hecho,
debido a que el colector est conectado a tierra para el anlisis en ac. en realidad
es una configuracin de colector-comn. En la que tienen de salida.
La configuracin emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propsitos de
acoplamiento de impedancia. Presenta una alta impedancia en la entrada y una
impedancia baja en la salida, la cul es diferentemente opuesta a la configuracin
de polarizacin fija estndar. El efecto que se obtiene es muy similar al que se
logra con un transformador, donde se acopla una carga con la impedancia de la
fuente para obtener una mxima transferencia de potencia a travs del sistema.
Al sustituir el circuito equivalenteen la red de la figura mostrada anteriormente, se
obtiene la red de la figura a continuacin de la sustitucin del circuito
equivalenteen la red ac equivalente de ac de la figura anterior. El efecto de se
examinar ms adelante.
La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera:
con o y
: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuacin para la corriente
:
que al multiplicar por para establecer Ie.
As se construye la red definida por la ecuacin anterior.
MATERIALES
2 Transistores 2N 2222.
1 Multmetro.
4 Resistencias. 180 K, 68 K, 1K, 180.
1 Protoboard.
1 Fuente ac.
2 pares de caimanes para la fuente.
3 Cable de Poder.

1 Osciloscopio
1 Fuente dc.
1 condensador de 1f.
PROCEDIMIENTO
Despus de solicitar el material necesario para la prctica, empezamos a construir
el primer de los dos montajes asignados; para los cuales deseamos conocer el
punto q, el , la ganancia y donde se transada el punto q si .
Al medir con el osciloscopio y con el multmetro obtuvimos los siguientes
resultados:
Esta
practica utiliza el transistor bipolar como amplificador y el circuito amplificador en
emisor comn. Con la figura de la izquierda podemos fijar el punto de trabajo del
transistor, dejando accesible el terminal de base para poder introducir la seal de
entrada, y el del colector para poder extraer la de salida, y trabajar as, en
pequea seal, en la configuracin de emisor comn. El anlisis del circuito es ms
simple utilizando el circuito equivalente de la figura de la derecha, donde la malla
de base ha sido sustituida por su equivalente Thevenin.
La aplicacin de las leyes de Kirchhoff a las mallas de base y de colector permite
encontrar el punto de trabajo en continua, que viene definido por las corrientes de
base y de colector y la tensin entre colector y emisor.
La tensin entre base y emisor es la que corresponde a esta unin en polarizacin
directa, que para transistores de silicio vale aproximadamente 0.7V, pero en
nuestro case es de 0.6V. Por otra parte la corriente del punto de reposo no
depender del parmetro del transistor se cumple que, Esta condicin es
importante, dado que vara mucho de un transistor a otro, aunque sean del mismo
tipo. La figura de la recta de carga visualiza la posicin del punto de trabajo sobre
las caractersticas de salida del transistor.
La polarizacin del transistor tambin determina la potencia que se dispara en el
circuito. Para evaluarla, se considera que la corriente de base es despreciable
frente a la de colector. En consecuencia, la potencia total disparada en la malla de
colector es , que se distribuye entre las resistencias y el transistor como y ,
respectivamente.
El circuito de la figura del primer montaje a realizar para la prctica en la parte
superior izquierda representa a un amplificador que utiliza un transistor bipolar en
emisor comn. Como puede observarse, al circuito de polarizacin de la figura de
la hoja anterior en la parte inferior izquierda, se le ha aadido un condensador que

permite el paso de la seal de entrada y evita que el circuito generador de esta

seal modifique el punto de trabajo en continua, ya que, en estas condiciones, el
condensador se comporta como un circuito abierto.
Normalmente, no como en nuestro montaje se aade un condensador a la
resistencia del emisor que desacopla una parte de la resistencia de emisor. Este
desacoplamiento parcial de la resistencia de emisor permite tener un control de la
ganancia en tensin del amplificador. La figura de la derecha presenta un circuito
equivalente simplificado en pequea seal del amplificador. La resistencia es parte
de re no desacoplada, es decir, la parte de esta residencia comprendida entre el
emisor y el cursor de l potencimetro. Recordando que se puede identificar con , y
que es aproximadamente y vale:
Donde la tensin trmica es es .
Para determinar la ganancia en tensin hacemos el cociente del voltaje de salida
sobre el de entrada.
De lo que podemos deducir que la ganancia tencin es aproximadamente 1.
La forma de onda mostrada por el osciloscopio fue la de la derecha la cual muestra
que el transistor rectifica la parte negativa de la onda recortndola en cierto
porcentaje un poco menor que su punto medio de cresta negativa.
Para el segundo montaje procedemos a realizar lo mismo pero, esta vez al
construirlo cambiamos la resistencia de 1K, por una de 180. Y en el transistor
utilizamos una configuracin de Conjunto de transistor Darlington, para aumentar
el beta del transistor.
Deseamos conocer el nuevo punto q, el , la ganancia y donde se transada el punto
q si .
Al medir con el osciloscopio y con el multmetro obtuvimos los siguientes
resultados:
Podemos fijar el punto de trabajo del transistor, volvemos a utilizar el circuito
equivalente de la figura de la derecha, donde la malla de base ha sido sustituida
por su equivalente Thevenin.
La aplicacin de las leyes de Kirchhoff a las mallas de base y de colector permite
encontrar el punto de trabajo en continua, que viene definido por las corrientes de
base y de colector y la tensin entre colector y emisor.
Graficamos la curva de carga:

Como podemos ver el punto q se encuentra en la zona de corte ya que es muy

cercano a cero para la corriente de colector y muy cercano a 20 en el voltaje de
colector, no es posible verlo en la grfica.
Calculando la ganancia en tensin tenemos; y en este montaje la onda esta
sobrepuesta sobre la otra, es igual.
CONCLUSIONES
Una conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que tiene una
ganancia de corriente muy grande, casi siempre da unos cuantos de miles.
Se reconoce a la red como emisor-seguidor. El voltaje de salida siempre es
ligeramente menor que la seal de entrada, debido a la cada de la base al emisor,
pero la aproximacinpor lo general es buena. A diferencia del voltaje del colector,
el voltaje est en fase con la seal . Esto es, tantocomomantendrn sus valores
pico positivos y negativos al mismo tiempo.
Esta practica utiliza el transistor bipolar como amplificador y el circuito
amplificador en emisor comn. Podemos fijar el punto de trabajo del transistor,
dejando accesible el terminal de base para poder introducir la seal de entrada, y
el del colector para poder extraer la de salida, y trabajar as, en pequea seal, en
la configuracin de emisor comn.
El anlisis del circuito es ms simple utilizando el circuito equivalente donde la
malla de base se sustituye por su equivalente Thevenin, un circuito equivalente
simplificado en pequea seal del amplificador.
En emisor-seguidor podemos deducir que la ganancia tencin es aproximadamente
1.
El Beta en conexin Darlington es del orden de los miles. Al ser un producto de dos
betas de alrededor de centenas.

Punto Q
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
Vce
Icq
(mA)
Punto Q
Punto Q
0,0000000
0,0200000

0,0400000
0,0600000
0,0800000
0,1000000
0
5
10
15
20
Vce (V)
Icq (mA)
Punto Q

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Este blog a sido creado para ingresar informacin sobre control y
mantenimiento de maquinas despus del 25/05/2015 se espera ingresar
informacin cada semana
martes, 26 de mayo de 2015

Ficha de aprendizaje (control) #2 transistores

El propsito es analizar las caractersticas de la

constitucin de los transistores.

Conclusiones:

1-Aprend a identificar todos los diferentes tipos de

transistores y como emplearlos de forma correcta.
2-Aprend las diferencias en un circuito si el transistor
el PNP o NPM.
3-Aprend sobre las partes q componen un transistor as
como sus funciones respectivas.
4-Investigue la forma en que se puede identificar si un
transistor esta o no en buen estado.

Publicado por Arnold Solano en 17:56

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Practica #5 (Control)

Practica #4 (Control)

Practica #3 (Control)

Practica #2 (Control)

Practica #1 (Control)

Identifica transistores NPN y PNP con este sencillo circuito

En las secciones: Arma tu taller | Electrnica
Aqu se habla de: transistor Posted on 02/Dec/2013
PNP Y NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en
electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital
como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado
por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen ms N en su nombre, esto
quiere decir que utilizan partculas subatmicas de signo Negativo para
transportar la corriente.

Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con ms P en su nombre, por lo que
utilizan partculas subatmicas de signo Positivo para transportar la
corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores
depende de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los signos de voltaje de
entrada difieren dependiendo del tipo de transistor. Otra diferencia es el
material con el que estn elaborados ya que generalmente los PNP se
construyen con Germanio mientras los NPN mas comnmente son construidos
con Silicio.

Cuando te encuentras realizando algn circuito que requiera un transistor y no

tengas a la mano su hoja de datos, puedes saber si este es NPN o PNP
mediante un sencillo circuito:

Como ves se trata de un circuito muy simple y que te puede sacar de apuros
en cualquier momento, para ms detalles, consulta la fuente.