INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECNICA Y ELECTRICA

UNIDAD AZCAPOTZALCO

ING.IVETT ADRIADNA CRUZ RAMIREZ

INGENIERIA EN ELECTRONICA

SIMULADOR
ELECTRONICA DE POTENCIA
5MM6
EQUIPO: 8

PRESENTAN:
CAPDEPONT DE LA CRUZ ALEX ALBERTO
FLOREZ ZUIGA VICTOR ALEJANDRO
RAMOS DOMINGUEZ RICARDO
RUIZ TOLEDO DONAJI MONSERRAT

20 DE AGOSTO DEL 201

Practica 1
Simulacin en proteus (la simulacin no se guard as que se presentara en capturas de pantalla).
La simulacin se llev a cabo con voltajes de -10 a 10 V, un diodo 1N4007 y una resistencia de 300
ohm.

Simulacin con voltajes de -10 a -1V:

Resultados:
Voltaje

Intensidad

-1V

-2V

-3V

-4V

-5V

-6V

-7V

-8V

-9V

-10V

Simulacin con voltaje de 0 a 10V:

RESULTADOS
Voltaje
10V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
2V
1V
0V

Intensidad
0.0309
0.0275
0.0242
0.0209
0.0176
0.0142
0.011
0.077
0.0403
0.0123
0

Grafica de resultados obtenidos con la simulacin en Proteus.

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0
-15

-10

-5

10

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