Memorias RAM

(Mantenimiento de Instalaciones Informticas)

Guillermo Bada Mart

al073569@alumail.uji.es

MemoriasRAM

GuillermoB.

ndice

MemoriasRAM:

Introduccin

..

Tipos
Segnlaconservacindelosdatos
Segnsuscontactos

...

....

Variantessegncaractersticas ..

4
4,5
6

Funcionamiento

...

Sincronizacin(tiempos)

Estructuralgica,almacenamientode:

Datos ...

Ejecutables

..

713
14
14

.................

14,15

Clasesdeerror .................

15,17

Errores

Sistemasdecorreccin
Paridad...

17

ECC

17,18

............................

Canaldoble

...............

18,19

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Memoriasprimarias
Cuando hablamos de la placabase, comentamos que lamemoria internaes la que se
encuentra fsicamente dentro del sistema constituido por la placabase, o en tarjetas de
circuito impreso directamente conectadas a ella. Debido a ello distinguimos memorias
internas y externas (tambin primarias y secundarias). Dentro de este tipo de memorias
(primariasointernas)distinguiremoslassiguientes:
Losregistrosdelprocesador
Lascachsinternayexterna
LamemoriaBIOS
LamemoriaRAM

En ste trabajo nos vamos a centrar en las memorias RAM, la memoria RAM cundo nos
referimos, o hacemos referencia a las memorias 'RAM' de nuestro ordenador estamos
haciendo uso del acrnimo de (Random Access Memory). ste tipo de memorias est
clasificadacomointernaperoenciertomodoesalmismotiempounamemoriaexternayaque
estsituadafueradelprocesador(el"Cerebro"delordenador);escomosublocdenotas.El
procesador tiene una memoria raqutica (se reduce a sus registros), pero una gran facilidad
paramanejarestealmacenamientoauxiliar.Dehecho,granpartedeltrabajodelprocesador
seconcretaentraeryllevardatosdesdeRAMhastasuspropiosregistros.Adiferenciadelos
discos duros (HD) stas memorias son de tipo temporal, es decir, sin energa pierden la
informacinquecontienenporlotantodecimosquesonmemoriasvoltiles,parareferirnosa
memoriasnovoltilesharemosreferenciaamemoriasROM(ReadOnlyMemory),aunqueotra
de las principales diferencias entre stas dos memorias es el acceso, una nos permite la
lecturaescritura(RAM),mientrasquelaotrasloesdelectura(ROM).

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EntreellaspodemosdistinguirdostiposdememoriasRAM:

Estticas:(SRAM)stetipodememoria,mantienesucontenidoinalterado,mientras
recibeenerga.

Dinmicas: (DRAM) Las memorias dinmicas pierden su informacin cuando ste es

ledoyademssidejanderecibirenerga.Paraevitarlasprdidasdeinformacinalserleda
serestauralainformacinquecontienensusceldas(refresco).
Como bien sabemos las memorias RAM, al igual que el resto de elementos hardware, el
desarrollo de la tecnologa de memorias ha sido incesante y por ello hoy en da podemos
distinguir gran variedad de tipos, ya sea por su forma de conectarse a la placabase,
funcionalidad,gestinderecursos,etc.Aquseincluyenalgunostipos:
Los primeros PCs no llegaron a conocer las memorias de ncleos de ferrita, puesto que ya
montaban varias decenas mdulos de DRAM encapsulados en chips DIP ("Dual Inline
Package")de16contactossobrezcalos.Podemosafrimarqueexistenlossiguientestipos:

SIMM(SingleInlineMemoryModule),con3072contactos,mdulos
DIMM(DualInlineMemoryModule),con168contactos.
RIMM(RAMBUSInlineMemoryModule)con184contactos.
EncuantoalosmdulosenformatoSIMM(MdulodeMemoriaenLneaSimple):se

trata de placas de circuito impresas, con uno de sus lados equipado con chips de memoria.
ExistendostiposdemdulosSIMM,segnelnmerodeconectores:
LosmdulosSIMM con30conectores(de89x13mm)sonmemoriasde8bits quese
instalabanenlosPCdeprimerageneracin(286,386).

LosmdulosSIMMcon72conectores(susdimensionesson108x25mm)sonmemorias
capaces de almacenar 32 bits de informacin en forma simultnea. Estas memorias se
encuentranenlosPCquevandesdeel386DXhastalosprimerosPentiums.Enelcasodeestos
ltimos,elprocesadorfuncionaconunbusdeinformacinde64bits,raznporlacual,estos
ordenadoresnecesitanestarequipadoscondosmdulosSIMM.Losmdulosde30clavijasno
pueden instalarse en posiciones de 72 conectores, ya que la muesca (ubicada en la parte
centraldelosconectores)imposibilitaralaconexin.

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LosmdulosenformatoDIMM(MdulodeMemoriaenLneaDoble),sonmemorias
de64bits,locualexplicaporqunonecesitanemparejamiento.LosmdulosDIMMposeen
chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84
conectores de cada lado, lo cual suma un total de 168 clavijas. Adems de ser de mayores
dimensionesquelosmdulosSIMM(130x25mm),estosmdulosposeenunasegundamuesca
queevitaconfusiones.

CabeobservarquelosconectoresDIMMhansidomejoradosparafacilitarsuinsercin,gracias
alaspalancasubicadasaambosladosdecadaconector.
Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos comoSO DIMM(DIMM de contorno
pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulosSO DIMMslo cuentan con
144clavijasenelcasodelasmemoriasde64bits,ycon77clavijasenelcasodelasmemorias
de32bits.
Los mdulos en formatoRIMM(Mdulo de Memoria en Lnea Rambus, tambin
conocido comoRDRAMoDRDRAM) son memorias de 64 bits desarrolladas por la empresa
Rambus.Poseen184clavijas.Dichosmdulosposeendosmuescasdeposicin,conelfinde
evitarelriesgodeconfusinconmdulosprevios.
Dada la alta velocidad de transferencia de que disponen, los mdulos RIMM poseen una
pelculatrmicacuyoroleselmejorarlatransferenciadecalor.
Al igual que con los mdulos DIMM, tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos
comoSO RIMM(RIMM de contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los
mdulosSORIMMposeenslo160clavijas.

Enlaimagen:MduloDIMMde168contactoscon16MBdeSDRAMjuntoconunantiguochip
de16contactoscon2KBdeDRAM.

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Sobre estos mdulos se conectan los chips de memoria RAM, y existen gran variedad de
variantesdememoriasRAMdependiendodesuusoysuscaractersticas:

VRAM (Vdeo RAM) Acceso de diferentes dispositivos al mismo tiempo. Mejor

rendimientoquelaRAMnormal(mscara).
SIMM (Single In line Memory Module, de 72 contactos) tipo de encapsulado
consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips
dememoria, yquese insertaenunzcaloSIMMenlaplaca madreoenla placade
memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria
individuales,yadiferenciadeellossonmedidosenbytesenlugardebits.
DIMM (Dual In line Memory Module, de 168 contactos), un tipo de encapsulado,
consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de
memoria,queseinsertaenunzcaloDIMMenlaplacamadre.
VRAM: Siglas de Vdeo RAM, unamemoriade propsito especial usada por los
adaptadoresdevdeo.AdiferenciadelaconvencionalmemoriaRAM,laVRAMpuede
ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que
unmonitorpueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al
mismotiempoque unprocesadorgrfico suministra nuevosdatos. VRAM permite
mejoresrendimientosgrficosaunqueesmscaraquelaunaRAMnormal.

SIMM:SiglasdeSingleInlineMemoryModule,untipodeencapsuladoconsistenteen
una pequea placa de circuito impreso que almacena chips dememoria, y que se
insertaenunzcaloSIMMenlaplacamadreoenlaplacadememoria.LosSIMMsson
msfcilesdeinstalarquelosantiguoschipsdememoriaindividuales,yadiferencia
deellossonmedidosenbytesenlugardebits.Elprimerformatoquesehizopopular
enloscomputadorespersonalestena3.5"delargoyusabaunconectorde32pins.Un
formato ms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64
megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente. Un PC usa tanto memoria de
nuevebits(ochobitsyunbitdeparidad,en9chipsdememoriaRAMdinmica)como
memoriadeochobitssinparidad.Enelprimercasolosochoprimerossonparadatosy
elnovenoesparaelchequeodeparidad.

DIMM:SiglasdeDualInlineMemoryModule,untipodeencapsulado,consistenteen
unapequeaplacadecircuitoimpresoquealmacenachipsdememoria,queseinserta
en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168
contactos.

DIP:SiglasdeDualInlinePackage,untipodeencapsuladoconsistenteenalmacenar
unchipdememoriaenunacajarectangularcondosfilasdepinesdeconexinencada
lado.

RAMDisk:SerefierealaRAMquehasidoconfiguradaparasimularundiscoduro.Se
puedeaccederalosficherosdeunRAMdiskdelamismaformaenlaqueseaccedena
losdeundiscoduro.Sinembargo,losRAMdisksonaproximadamentemilesdeveces
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ms rpidos que losdiscos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que
precisandefrecuentesaccesosadisco.DadoqueestnconstituidosporRAMnormal.
losRAMdiskpierdensucontenidounavezquelacomputadoraesapagada.Parausar
los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde undisco duroreal al inicio de la
sesinycopiarlosdenuevoaldiscoduroantesdeapagarlamquina.Observequeen
elcasodefallodealimentacinelctrica,seperdernlosdatosquehubieraenelRAM
disk.ElsistemaoperativoDOSpermiteconvertirlamemoriaextendidaenunRAMDisk
pormediodelcomandoVDISK,siglasdeVirtualDISK,otronombredelosRAMDisks.

MemoriaCachRAMCach:Uncachesunsistemaespecialdealmacenamientode
altavelocidad. Puede ser tanto un rea reservada dela memoriaprincipal como un
dispositivo dealmacenamientode altavelocidadindependiente. Hay dos tipos de
cach frecuentemente usados en lascomputadoraspersonales: memoria cach y
cachdedisco.Unamemoriacach,llamadatambinavecesalmacenamientocach

RAMcach,esunapartedememoriaRAMestticadealtavelocidad(SRAM)msque
la lenta y barata RAMdinmica(DRAM) usada como memoria principal.La
memoriacach es efectiva dado que los programasacceden una y otra vez a los
mismosdatoso
instrucciones.
Guardando
estainformacinen
SRAM,la
computadoraevita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el
cach,sedicequesehaproducidounimpacto(hit),siendouncachjuzgadoporsu
tasa de impactos (hit rate). Los sistemasde memoria cach usan
unatecnologaconocida por cach inteligente en el cual elsistemapuede reconocer
cierto tipo dedatosusados frecuentemente. Lasestrategiaspara determinar
quinformacindebedeserpuestaenelcachconstituyenunodelosproblemasms
interesantes en la cienciade lascomputadoras. Algunasmemoriascach estn
construidas en laarquitecturade losmicroprocesadores. Por ejemplo, elprocesador
PentiumII tiene una cach L2 de 512 Kbytes. El cach de disco trabaja sobre los
mismosprincipiosquela memoriacach, pero en lugar de usar SRAM de
altavelocidad, usa la convencional memoria principal. Losdatosms recientes
deldisco duroa los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se
almacenanenunbufferdememoria.Cuandoelprogramanecesitaaccederadatosdel
disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si losdatosya estn
ah.Lacachdediscopuedemejorardrsticamenteelrendimientodelasaplicaciones,
dadoqueaccederaunbytededatosenRAMpuedesermilesdevecesmsrpidoque
accederaunbytedeldiscoduro.

SRAM Siglas de Static RandomAccessMemory, es un tipo de memoria que es ms

rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino estticaviene
derivadodelhechoquenecesitaserrefrescadamenosvecesquelaRAMdinmica.Los
chipsdeRAMestticatienentiemposdeaccesodelordende10a30nanosegundos,
mientrasquelasRAMdinmicasestnporencima de30,ylasmemoriasbipolaresy
ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAMestticase
construye con un como circuito flipflop que permite que la corriente fluya de un
ladoaotrobasndoseencualdelosdostransistoresesactivado.LasRAMestticasno
precisandecircuiteraderefrescocomosucedeconlasRAMsdinmicas,peroprecisan
msespacioyusanmasenerga.LaSRAM,debidoasualtavelocidad,esusadacomo
memoriacach.

DRAM Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que
precisa ser constantemente refrescada (reenergizada) o perdera su contenido.
Generalmente usa untransistory un condensador para representar un bit
Loscondensadoresdebe de ser energizados cientos de veces por segundo para
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mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos
principales variaciones de RAM (dinmicayesttica) pierden su contenido cuando se
desconectan de laalimentacin. Contrasta con la RAMesttica. Algunas veces en los
anuncios dememorias, la RAMdinmicase indica errneamente como un tipo de
encapsulado;porejemplo"sevendenDRAMs,SIMMsySIPs",cuandodeberadecirse
"DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de
RAMdinmica. Tambin algunas veces el trmino RAM (RandomAccessMemory) es
utilizadoparareferirsealaDRAMydistinguirladelaRAMesttica(SRAM)queesms
rpida y ms estable que la RAMdinmica, pero que requiere ms energa y es ms
cara

SDRAM Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo dememoria

RAMdinmicaqueescasiun20%msrpidaquelaRAMEDO.SDRAMentrelazadoso
msmatricesdememoriainternadetalformaquemientrasqueseestaccediendoa
unamatriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAMII
estecnologaSDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR
DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y
escribirdatosadosveceslavelocidadbs.

FPM:SiglasdeFastPageMode,memoriaenmodopaginado,eldiseomscomnde
chips de RAMdinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de
coordenadas,filaycolumna.Antesdelmodopaginado,eraledopulsandolafilayla
columnadelaslneasseleccionadas.Conelmodopagina,lafilaseseleccionasolouna
vezparatodaslascolumnas(bits)dentrodelafila,dandocomoresultadounrpido
acceso.La memoriaen modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast
PageomemoriaFPM,FPMRAM,FPMDRAM.Eltrmino"fast"fuaadidocuandolos
msnuevoschipsempezaronacorrera100nanosecondseinclusoms.

EDO:SiglasdeExtendedDataOutput,untipodechipdeRAMdinmicaquemejorael
rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un
subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin
embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips
EDO,elrendimientoserelmismoqueenelmodoFastPage.EDOeliminalosestados
deesperamanteniendoactivoelbufferdesalidahastaquecomienzaelprximociclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora lavelocidadusando un
contadordedireccinparalassiguientesdireccionesyunestado'pipeline'quesolapa
lasoperaciones.

PBSRAM:SiglasdePipelineBurstSRAM.Sellama'pipeline'aunacategoradetcnicas
que proporcionan unprocesosimultneo, o en paralelo dentro dela computadora, y
se refiere a lasoperacionesde solapamiento moviendodatoso instrucciones en una
'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por
ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando,la computadoraest
decodificandolasiguienteinstruccin.Enprocesadoresvectoriales,puedenprocesarse
simultneamentevariospasosdeoperacionesdecomaflotanteLaPBSRAMtrabajade
estaformaysemueveenvelocidadesdeentre4y8nanosegundos.

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FuncionamientodelamemoriaRAM
Al hacer alusin a que la memoria RAM y referirnos a ella como el bloc de notas del
procesador, es porque sta funciona como apoyo de los registros del procesador. Cualquier
programa en ejecucin est alojado en memoria; las instrucciones van siendo pasadas a los
registros para su ejecucin de forma secuencial, y los datos son pasados tambin a los
registrosparasumanipulacin.
Lamemoriadeaccesoaleatorioconstadecientosdemilesdepequeoscapacitadores
que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lgico del capacitador es igual a 1; en el caso
contrario,esiguala0,loqueimplicaquecadacapacitadorrepresentaunbitdememoria.
Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el
trminoexactoesactualizar)aintervalosregulares,loquesedenominaciclodeactualizacin.
LasmemoriasDRAM,porejemplo,requierenciclosdeactualizacindeunos15nanosegundos
(ns).
Cadacapacitadorestacopladoauntransistor(tipoMOS),locualposibilitala"recuperacin"
o modificacin del estado del capacitador. Estos transistores estn dispuestos en forma de
tabla (matriz), de modo que se accede a lacaja de memoria (tambin llamadapunto de
memoria)medianteunalneayunacolumna.
Heaquunpequeoejemplodecmoestndispuestos:

Puesto que se trata de un almacenamiento voltil, cualquier dato almacenado en memoria

debesersalvadoaunalmacenamientopermanente(disco)antesdeapagarelsistema.
La forma en que se utiliza la memoria depende del SO utilizado.En cuanto a los
sistemastipoMSDOStienenunadisposicin"Mapeado"relativamentecomplicada,loquees
debido a la pequea cantidad de memoria que poda ser direccionada por los primeros
equipos(1MBparael8088).Actualmenteelproblemahadesaparecidoparcialmente,yaque
a partir del 80286los PCs podan direccionar 16 MB; cantidad que fue creciendo

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paulatinamente a 4 GB para el80386y que actualmente llega a 64 GB en los modernos

procesadoresPentiumysimilares.

DRAMPM
LaDRAM(RAMDinmica)eseltipodememoriamscomnenestostiempos.Setratadeuna
memoria cuyostransistoressedisponenenformadematriz,enformadefilasycolumnas.Un
transistor,acopladoconuncapacitador,proporcionainformacinenformadebits.Dadoque
un octeto contiene 8 bits, un mdulo de memoria DRAM de 256 Mo contendr por lo tanto
256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268.435.456 octetos = 268.435.456 * 8 =
2.147.483.648bits=2.147.483.648transistores.Deestamanera,unmdulode256Moposee
unacapacidadde268.435.456octetos,o268Mo.Lostiemposdeaccesodeestasmemorias
sonde60ns.
Adems, el acceso a la memoria en general se relaciona con la informacin almacenada
consecutivamenteenlamemoria.Deestamanera,elmododerfagapermiteelaccesoalas
trespartesdeinformacinquesiguenalaprimeraparte,sintiempodelatenciaadicional.De
estemodo,eltiemponecesarioparaaccederalaprimerapartedelainformacinesigualal
tiempodelciclomseltiempodelatencia,mientrasqueeltiemponecesarioparaaccedera
lasotrastrespartesdelainformacinsloesigualaltiempodeciclo;loscuatrotiemposde

accesoseexpresan,entonces,enlaformaXYYY.Porejemplo,5333indicaquelamemoria
necesita5ciclosdelrelojparaaccederalaprimerapartedelainformacin,y3paraaccedera
lassubsiguientes.

DRAMFPM
ParaacelerarelaccesoalaDRAM,existeunatcnica,conocidacomopaginacin,quepermite
accederalainformacinubicadaenunamismacolumna,modificandonicamenteladireccin
enlafila,yevitandodeestamanera,larepeticindelnmerodecolumnaentrelecturaspor
fila.EsteprocesoseconocecomoDRAMFPM(MemoriaenModoPaginado).ElFPMalcanza
tiempos de acceso de unos 70 u 80 nanosegundos, en el caso de frecuencias de
funcionamientodeentre25y33Mhz.

DRAMEDO
LaDRAM EDO(Salida de Informacin Mejorada, a veces denominada "hper pgina") se
introdujoen1995.Latcnicautilizadaenestetipodememoriaimplicadireccionarlacolumna
siguientemientrasparalelamenteseestleyendolainformacindeunacolumnaanterior.De
esta manera, se crea un acceso superpuesto que permite ahorrar tiempo en cada ciclo. El
tiempo de acceso de la memoria EDO es de 50 a 60 nanosegundos, en el caso de una
frecuenciadefuncionamientodeentre33y66Mhz.
De modo que la RAM EDO, cuando se utiliza en modo rfaga, alcanza ciclos 5222, lo cual
representa una ganancia de 4 ciclos al acceder a 4 partes de informacin. Dado que la
memoriaEDOnofuncionabaconfrecuenciasmayoresa66Mhz,sesuspendisuusoenfavor
delaSDRAM.

SDRAM

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LaSDRAM(DRAM Sincrnica), introducida en 1997, permite la lectura de la informacin

sincronizadaconelbusdelaplacamadre,adiferenciadeloqueocurreconlasmemoriasEDO
y FPM (conocidas comoasincrnicas), las cuales poseen reloj propio. La SDRAM elimina de
esta manera, los tiempos de espera ocasionados por la sincronizacin con la placa madre.
Gracias a esto se logra un ciclo de modo rfaga de 5111, con una ganancia de 3 ciclos en
comparacin con la RAM EDO. La SDRAM puede, entonces, funcionar con una frecuencia
mayora150MHz,lograndotiemposdeaccesodeunos10ns.

DRSDRAM(RambusDRAM)
LaDRSDRAM(DRAMDirectadeRambus),esuntipodememoriaquepermitelatransferencia
dedatosaunbusde16bitsyaunafrecuenciade800Mhs,loqueproporcionaunanchode
bandade1,6GB/s.AligualquelaSDRAM,estetipodememoriaestsincronizadaconelreloj
delbus,afindemejorarelintercambiodeinformacin.Sinembargo,lamemoriaRAMBUSes
un producto de tecnologa patentada, lo que implica que cualquier empresa que desee
producirmdulosRAMqueutilicenestatecnologadeberabonarregalas,tantoaRAMBUS
comoaIntel.

DDRSDRAM
LaDDRSDRAM(SDRAMdeTasaDobledeTransferenciadeDatos)esunamemoriabasadaen
la tecnologa SDRAM, que permite duplicar la tasa de transferencia alcanzada por sta
utilizandolamismafrecuencia.
La informacin se lee o ingresa en la memoria al igual que un reloj. Las memorias DRAM
estndares utilizan un mtodo conocido comoSDR(Tasa Simple de Transferencia de Datos),
queimplicalalecturaoescrituradeinformacinencadabordedeentrada.

LaDDRpermiteduplicarlafrecuenciadelectura/escrituraconunrelojalamismafrecuencia,
enviandoinformacinacadabordedeentradayacadabordeposterior.

Las memorias DDR por lo general poseen una marca, tal como PCXXXX, en la que "XXXX"
representalavelocidadenMB/s.

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DDR2SDRAM
LasmemoriasDDR2(oDDRII)alcanzanvelocidadesdosvecessuperioresalasmemoriasDDR
conlamismafrecuenciaexterna.
El acrnimo QDR (Tasa Cudruple de Transferencia de Datoso conQuadpump) designa el
mtodo de lectura y escritura utilizado. De hecho, la memoria DDR2 utiliza dos canales
separadosparalosprocesosdelecturayescritura,conlocualescapazdeenviarorecibirel
dobledeinformacinquelaDDR.

La DDR2 tambin posee ms conectores que la DDR clsica (la DDR2 tiene 240, en
comparacinconlos184delaDDR).

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Cuadroderesumen
El siguiente cuadro muestra la equivalencia entre la frecuencia de la placa madre (FSB), la
frecuenciadelamemoria(RAM)ysuvelocidad:

Memoria

Nombre

Frecuencia (RAM)

Frecuencia (RAM)

Velocidad

DDR200

PC1600

200 MHz

100 MHz

1,6 GB/s

DDR266

PC2100

266 MHz

133 MHz

2,1 s

DDR333

PC2700

333 MHz

166 MHz

2,7 s

DDR400

PC3200

400 MHz

200 MHz

3,2 s

DDR433

PC3500

433 MHz

217 MHz

3,5 s

DDR466

PC3700

466 MHz

233 MHz

3,7 s

DDR500

PC4000

500 MHz

250 MHz

4s

DDR533

PC4200

533 MHz

266 MHz

4,2 s

DDR538

PC4300

538 MHz

269 MHz

4,3 s

DDR550

PC4400

550 MHz

275 MHz

4,4 s

DDR2-400

PC2-3200

400 MHz

100 MHz

3,2 s

DDR2-533

PC2-4300

533 MHz

133 MHz

4,3 s

DDR2-667

PC2-5300

667 MHz

167 MHz

5,3 s

DDR2-675

PC2-5400

675 MHz

172,5 MHz

5,4 s

DDR2-800

PC2-6400

800 MHz

200 MHz

6,4 s

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Sincronizacin(tiempos)
Noespococomnvervalorescomo"3222""2332"paradescribirlosparmetrosdela
memoria de acceso aleatorio. Esta sucesin de cuatro cifras describe la sincronizacin de la
memoria (tiempo); es decir, la secuencia de ciclos de reloj necesaria para acceder a la
informacinalmacenadaenlaRAM.Lascuatrocifrascorresponden,enorden,alossiguientes
valores:
Demora de CASolatencia de CAS(CAS significaSealizador de Direccionamiento en
Columna):eselnmerodeciclosderelojquetranscurreentreelenvodelcomandodelectura
y la llegada de la informacin. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una
columna.
Tiempo de precarga de RAS(conocido comotRP; RAS significaSealizador de
DireccionamientoenFila):eselnmerodeciclosderelojtranscurridosentredosinstrucciones
deRAS,esdecir,entredosaccesosaunafila.
Demora de RAS a CAS(a veces llamadatRCD): es el nmero de ciclos de reloj
correspondientealtiempodeaccesodeunafilaaunacolumna.
Tiempo activo de RAS(a veces denominadotRAS): es el nmero de ciclos de reloj
correspondientealtiempodeaccesoaunacolumna.
Las tarjetas de memoria estn equipadas con un dispositivo llamadoSPD(Deteccin de
PresenciaenSerie),elcualpermitealBIOSaveriguarlosvaloresdeajustenominalesdefinidos
porelfabricante.SetratadeunaEEPROM,cuyainformacinpuedecargarseenelBIOSsiel
usuarioeligeelajuste"auto".

Estructuralgica
EncuantoalaestructuralgicadelasmemoriasRAM,astassepuedeacceder,tantopara
lectura como para escritura, se accede a los mismos, en grupos de 8 bytes, mediante una
direccin.
Podemosdistinguirdosaspectosquepuedenserrelevantesparalosprogramadores:

Cmoseguardanlosdatos.

Cmoseguardanlosejecutables.

Respectoalosdatos
Aunque la arquitectura de PC permite manejar la memoria en bytes individuales. Muchas
operaciones implican guardar palabras de 16 bits. De estos 2 octetos adyacentes, el de la
izquierda es el ms significativo y el de la derecha el menos. En estos casos, el byte menos
significativo se guarda en la posicin ms baja y el ms significativo a continuacin, en la
posicinmsalta.Estaformadealmacenamientosedenominadepalabrasinvertidas("Back
words")olittleendian.

Respectoalosejecutables
Para ejecutar un programa, ste debe ser previamente cargado en memoria. Pero en la
mayoradeloscasosnosetratadeunacargadelficherotalcualseencuentraeneldisco,sino
que requiere un "acomodo" especial.De este trabajo se encarga un programa especial (de
carga), y se exige que la primera parte del contenido de un fichero .EXE contenga
precisamentelainformacinsobre"como"serealizarlaacomodacinantesaludida.Enel

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casodeWindows,losejecutablesdebencontenerestainformacinenunformatoespecfico,
denominadonuevo formato de fichero ejecutable("New Executable file format"); una
especificacindeMSparalasaplicacionesquedebancorrerbajosusSistemas.

ManutencindelasRAM
Cada punto de memoria se caracteriza as por una direccin que corresponde a su vez a un
nmero de fila y a un nmero de columna. Este acceso no es instantneo; el perodo de
tiempoquellevasedenominatiempodelatencia.Enconsecuencia,eltiemponecesariopara
accederalainformacinenlamemoriaesigualaltiempodelciclomseltiempodelatencia.
De este modo, en el caso de la memoria DRAM, por ejemplo, el tiempo de acceso es de 60
nanosegundos(35nsdeltiempodelcicloms25nsdeltiempodelatencia).Enelordenador,
el tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un
ordenadorconunafrecuenciade200MHz,eltiempodelcicloesde5ns(1/200*106).
Enconsecuencia,enunordenadorconaltafrecuencia,queutilizamemoriasconuntiempode
acceso mucho ms prolongado que el tiempo del ciclo del procesador, se deben
producirestados de esperapara que se permita el acceso a la memoria. En el caso de un
ordenadorconunafrecuenciade200 MHz queutilizamemoriasDRAM(y conuntiempo de
acceso de 60 ns), se generan 11 estados de espera para un ciclo de transferencia. El
rendimientodelordenadordisminuyeamedidaqueaumentaelnmerodeestadosdeespera,
porloqueesrecomendableimplementarelusodememoriasmsrpidas.

ERRORES
Algunasmemoriasposeenmecanismosdecorreccindeerrores,conelfindegarantizarla
integridaddelainformacinquecontienen.Estetipodememoriaseutilizaporlogeneralen
sistemasquetrabajanconinformacinesencial,motivoporelcualestetipodememoriase
encuentraenservidores.

Clasesdeerror
Podemosestablecerdostiposdeerrores:
Erroresduros:Sondebidosaaverasodaosfsicos.Sepresentandeformarecurrenteyson
losmsfcilesdediagnosticar.
Erroresblandos:Ocurrendeformamuyespordica;cuandounbitcambiaespontneamente
de0a1oviceversa.Sonlosmsdifcilesdeprever.Lascausadeestaanomalapuedenser
varias:

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GuillermoB.

Partculasalfa(enlosprimerosequipos)porcontaminacinconuranioytoriodelmaterialde
encapsuladodelasmemorias.
Rayoscsmicos.Estosrayosdealtaenergapuedencambiarelestadodeuntransistoroun
condensador. El problema es ms frecuente en la SRAM que en las DRAM. Posiblemente se
agravar progresivamente con el aumento de la densidad de integracin de los chips
(componentescadavezmspequeos).
Defectosdesuministroelctrico.Enespecialelruidodealtafrecuenciaenlaalimentacin.Se
recomiendainstalarfiltrosdered.
Interferenciasderadiofrecuencia(RF)motivadasporequiposexternosoelementosdelpropio
sistemaindebidamenteapantallados.
Memoriadevelocidadinadecuadaparaelquipoenquesehainstalado(porejemplo,memoria
PC100enunequipoquenecesitePC133).
Defectosdetemporizacin.Porejemplo,porsobrecarga"Overclocking"delsistema,oporuna
configuracindefectuosadelafrecuenciaderefrescoenlaBIOS.
Sistemasdecorreccin
Yadesdeelprincipio,laexistenciadeerroreshizocobrarrelevanciaalosmecanismoscapaces
dedetectar,yensucasocorregir,losposibleserroresquesepuedanproducirenlosprocesos
de lectura/escritura. A la fecha se emplean principalmente dos mtodos para garantizar la
integridad de los datos: laparidad, y el cdigo de correccin de erroresECC("Error Checking
andCorrection").

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GuillermoB.

Paridad
Es el mtodo ms comn y tradicional. Consiste en que por cada 8 bits (byte) de
almacenamiento,seaade1bitadicional.Acambiodeaumentarenun12.5%eltamaodela
memoria, se consigue un cierto control sobre la integridad de los datos, ya que este bit
adicional contiene informacin sobre la paridad del conjunto. A este respecto existen dos
protocolos:paridadpareimpar.Sufuncionamientoseesquematizaenlatablasiguiente.

Paridadpar

Paridadimpar

Paso1 El bit de paridad se fija en uno (se Elbitdeparidadsefijaenunosilosbits

activa),silosbitsdedatoscontienen dedatoscontienenunnmeroimparde
un nmero par de unos. Por el unos,ysedesactivasisunmeroespar.
contrario, si el nmero es impar, se
desactiva.
Paso2 Los8bitsdedatosyeldeparidadse Los 8 bits de datos y el de paridad se
almacenanenDRAM.
almacenanenDRAM
Paso3 Los datos son interceptados por el Elprocesoesanlogoaldeparidadpar.
circuito de paridad antes de ser Ladiferenciaesqueeldatoseconsidera
enviadosalprocesador.
vlido si el nmero de unos es par y
erroneoencasocontrario.
Si este circuito identifica un nmero
impar de unos, los datos se
consideran vlidos. Se elimina el bit
de paridad y se traspasanlos bits de
datosalprocesador.
Si el nmero de unos es par, el dato
se considera erroneo y se genera un
errordeparidad.

El modelo de paridad tiene ciertas limitaciones, la principal es que puede detectar el error
peronocorregirlo(nosabecualeselbiterrneo).Adems,sihaymsdeunbitincorrecto,los
bitsdefectuosospuedencancelarseentresyenmascararelerror(sinembargo,laposibilidad
dequeestoocurraesremota).
Paridad artificial. Algunos fabricantes de equipos de baja calidad utilizan un chip de paridad
artificial. Este chip no almacena en realidad ningn bit extra con la paridad del dato. En su
lugargeneranunbitadicionalcuandoeldatodebeseenviadoalcontroladordeparidadconel
valor correcto. En realidad es un mtodo de engaar al controlador de paridad envindole
siemprelasealOk

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GuillermoB.

RAMconparidadfalsao"virtual":Probablementeobtendrmdulosdememoriaconparidad
virtual en lugar de mdulos con paridad real si solicita RAM con paridad en una tienda de
informtica. Los SIMMs con paridad virtual pueden distinguirse frecuentemente (pero no
siempre)porqueslotienenunchipmsqueunSIMMsinparidad,yporqueelchipextraes
ms pequeo que el resto. Los SIMMs con paridad virtual trabajan exactamente como la
memoriasinparidad.NopuedendecirlecuandoseproduceunerrordebitsimpleenRAM,
algoqueshacenlosSIMMsconparidadrealenunaplacabasequeimplementeparidad.
Consejo: Nunca pague ms por un SIMM con paridad virtual que por uno sin paridad. En
cambio, si que puede llegar a pagar un poco ms por SIMMs con paridad real, porque en
realidadestcomprandounbitmsdememoriaporcada8bits.
ECC:
LosmdulosdememoriaECC(CdigosdeCorreccindeErrores),disponendevariosbits
dedicadosalacorreccindeerrores(conocidoscomobitsdecontrol).Dichosmdulos,
utilizadosprincipalmenteenservidores,permitenladeteccinylacorreccindeerrores.

EstesistemaECC("ErrorCheckingandCorrection")sebasaenunalgoritmomscomplejo,yse
utilizaenPCsdegamaalta,comoservidoresdeRed.Elsistematrabajaenconjuncinconel
controladordememoria,yanexaalosbitsdedatoslosbitsECC,quesonalmacenadosjunto
con los de datos. Estos bits extras, junto con la decodificacin correspondiente, sirven para
realizarlacomprobacinenelmomentodelalectura.
Sudiferenciaprincipalconlaparidadesquepuededetectarelerrordeunbitycorregirlo,con
lo que generalmente el usuario no detecta que se ha producido un error. Dependiendo del
controladordememoriautilizado,elsistemaECCtambinpuededetectarerroresde2,3y4
bits(sumamenteraros),aunqueenestecasonopuedecorregirlos;enestoscasosdevuelveun
errordeparidad.
Tenerencuentaquelaverificacindeerrores(ECCoparidad)depende
ms del la placabase (tipo de controlador de memoria utilizado) que de la
memoriaen s.Lamemoriaponeelalmacenamiento,peroesel controladorel
que decide como se utilizar. Generalmente para poder utilizar una memoria
ECCesnecesariouncontroladorquepuedautilizarestatecnologa.
En ambos casos, paridad o ECC, cuando se detecta un error se produce una excepcin no
enmascarable. Lo que sucede a continuacin depende del Sistema. En algunos casos el
procesadorsedetieneylanzaunarutinaquedejalapantallaenblanco(oazul)ymuestrael
error. En otros se permite ignorar el error, guardar el trabajo en curso y continuar. En
cualquier caso, despus de uno de estos errores, es conveniente pasar al equipo un test de
memoriaespecializado,msseveroqueelrealizadoporlaPOSTdelaBIOS.

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GuillermoB.

EnlossistemasWindowsesfrecuentequeloserroresdememoriaenlos
momentosdecargadelSistemagenerenmensajesdeavisoindicandoquealgn
fichero importante est corrompido o falta, y debe reinstalarse el Sistema. En
estos casos es imprescindiblerealizar un chequeo exhaustivo de la
memoriaantesderealizarningncambioenelsoftware

Canaldoble
Algunoscontroladoresdememoriadisponendeuncanaldobleparalamemoria.Losmdulos
dememoriaseutilizanenparesconelfindelograrunmayoranchodebandayaspoder
utilizaralmximolacapacidaddelsistema.AlutilizarelCanalDoble,resultaindispensable
utilizarunpardemdulosidnticos(delamismafrecuenciaycapacidad,y,preferentemente,
delamismamarca).

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