UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
(Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

ELECTRNICA
E.A.P. INGENIERA ELECTRNICA

INFORME PREVIO DEL LABORATORIO Nro 1

Curso
Profesor
Estudiante

: MICROELECTRNICA
: ING. RUBN ALARCN MATUTTI
: ECHEVARRIA HUNOCC LUIS

Cdigo

EDUARDO
: 12190095

Turno: Martes 2-4

2016
INFORME PREVIO DEL LABORATORIO Nro 1
1) Realice el layout del inversor, tome en cuenta los modelos de la gua.
Con sus cortes en 2D y 3D

Para 2D hacernos un corte vertical

Vista en 2D

3D

2) Para el layout del inversor:

Hallar la frecuencia mxima de operacin .
El rea ocupada del layout.

Observamos de la figura que la mayor separacin es de 16ps entonces

tenemos:
Fmax =

1
1
=
=62.5 GHz
tp max 16 p s

En la imagen se
observa el tamao de
nuestro Layout para
eso usamos la opcin
Measure
distance
encerrada
con la
circunferencia roja en
el
programa
y
tenemos:
Eje X:
dx=25 lambda
(3.125um)
Eje Y:
dx=51 lambda
(6.375um)

3) Para el layout del inversor, extraer la descripcin CIR (Spice) y la

descripcin CIF del inverso.
CIR

Ejemplo para el tipo P tenemos:

L=0.25 y W= 0.75

Capacitancias parasitas

CIF